Два года пандемии не только стимулировали спрос на полупроводниковую продукцию, но и подталкивали большинство производителей увеличивать капитальные затраты на строительство новых предприятий и модернизацию существующих. В этом году капитальные затраты ещё вырастут по инерции, но в следующем падение капитальных затрат станет сильнейшим со времён кризиса 2008‒2009 годов.
На подобный исход настраиваются аналитики IC Insights. Они уже ухудшили прогноз по динамике капитальных затрат полупроводниковой отрасли на текущий год. Ранее ожидалось, что соответствующие расходы вырастут на 24 % до $190,4 млрд, но теперь эксперты считают, что капитальные затраты вырастут лишь на 19 % — до $181,7 млрд. Даже в этом случае период с 2020 по 2022 годы включительно станет первой трёхлеткой с середины девяностых, когда капитальные затраты в отрасли росли на двухзначное число процентов ежегодно. Так, в 2020 году они увеличились на 10 %, а в 2021 году подскочили сразу на 35 %. В любом случае, даже с приростом на 19 % текущий год завершится рекордной суммой капитальных затрат для полупроводниковой отрасли.
Следующий год, впрочем, уже точно нарушит этот тренд, поскольку капитальные затраты должны на те же 19 % уже сократиться, продемонстрировав сильнейшее снижение со времён кризиса 2008‒2009 годов. Одним из факторов, способствующих изменению динамики капитальных затрат, станут усиливающиеся санкции США против Китая. Местные компании снизят свои капитальные затраты на 30 % или больше, как ожидают эксперты IC Insights. Вторым фактором станет снижение спроса на память, которое будет способствовать снижению капитальных затрат её производителей на 25 %.
Аналитики IC Insights убеждены, что выделение американскими властями $52 млрд на субсидирование полупроводниковой отрасли не станет дополнительным стимулом для участников рынка. Другими словами, претендующие на получение этих субсидий компании не будут тратить на развитие отрасли дополнительных средств, а просто заместят собственные расходы полученными от государства средствами примерно в том же объёме.