Оригинал материала: https://3dnews.kz/1079732

Память ReRAM выпустили с использованием 22-нм техпроцесса — такого маленького мемристора ещё не было

Израильская компания Weebit Nano сообщила о выпуске демонстрационного чипа со встроенным блоком памяти ReRAM. Чип изготовлен с использованием 22-нм техпроцесса, что стало рекордом по снижению техпроцесса производства флеш-памяти для встраиваемых приложений — контроллеров и тому подобных чипов. Решение выпущено на пластинах FD-SOI французским институтом CEA-Leti и готово для квалификационных тестов, но клиентов на технологию как не было, так и нет.

 Условное представление ячейки памяти ReRAM компании Weebit Nano. Источник изображения:

Условное представление ячейки памяти ReRAM компании Weebit Nano. Источник изображения: Weebit Nano

По словам разработчика, техпроцесс с нормами 22 нм считается самым распространённым в мире, тогда как блоки встраиваемой флеш-памяти на этом техпроцессе никто не производит, по крайней мере серийно. И действительно, компания Samsung адаптировала производство встраиваемой памяти eMRAM к производству на пластинах FD-SOI с технологическими нормами 28 нм. С такими же нормами выпускаются контроллеры с eMRAM Everspin на линиях GlobalFoundries.

Одна компания Intel в своё время представила опытный 22-нм чип с блоком eMRAM, но вскоре она вообще отказалась от разработки и производства флеш-памяти во всех проявлениях.

Подчеркнём, речь идёт о перспективных типах энергонезависимой памяти, дальнейшее масштабирование которых пока под вопросом. В то же время подобная память, и ReRAM в частности, обещают условно бесконечное число циклов перезаписи, что понадобится умной периферии от датчиков до ИИ. Также в комплекте важных свойств идёт устойчивость к изменениям условий окружающей среды, радиации и множеству других помех, не говоря о более высокой энергоэффективности и производительности.

Новый тестовый контроллер с блоком памяти Weebit Nano содержит все необходимые блоки для тестирования производительности всех подсистем чипа. Встроенный в контроллер массив ReRAM имеет объём 8 Мбит. В контроллер входит логика управления на архитектуре RISC-V, декодеры, элементы ввода/вывода и блок исполнения кода коррекции ошибок (ECC).

В апреле прошлого года был выпущен подобный тестовый чип с использованием 28-нм техпроцесса. Теперь компания сделала следующий шаг. К сожалению, о клиентах на разработку ничего не известно, если такие есть вообще. Ранее Weebit Nano обещала начать производство у клиентов в Китае и в Южной Корее, но ничего из этого не подтвердилось.



Оригинал материала: https://3dnews.kz/1079732