Marvell продемонстрировала первые в мире 3-нм блоки для передачи данных между чипами

Читать в полной версии

Marvell Technology представила высокоскоростные кремниевые интерфейсы со сверхвысокой пропускной способностью, произведенные по 3-нм техпроцессу TSMC. Первые в отрасли кремниевые функциональные блоки Marvell, выполненные по данному техпроцессу, включают 112G XSR SerDes (сериализатор/десериализатор), Long Reach SerDes, PCIe Gen 6 / CXL 3.0 SerDes и параллельное межкомпонентное соединение с пропускной способностью 240 Тбит/с.

Источник изображения: Marvell

Новые блоки являются частью стратегии Marvell по разработке комплексного портфолио решений для разработки микросхем, которые радикально увеличат пропускную способность, производительность и энергоэффективность инфраструктуры данных следующего поколения. Эти технологии также поддерживают все варианты компоновки полупроводников, от стандартных и недорогих RDL (слоёв перераспределения) до интерконнекта высокой плотности на основе кремния.

SerDes и параллельные интерконнекты служат высокоскоростными путями для обмена данными между чипами или кремниевыми компонентами внутри чиплетов. В сочетании с 2.5D и 3D компоновкой эти технологии устранят узкие места на системном уровне для создания самых сложных полупроводниковых конструкций. SerDes также помогает уменьшить количество контактов, дорожек и использования места на печатной плате, что снижает стоимость. Стойка в гипермасштабируемом центре обработки данных может содержать десятки тысяч каналов SerDes.

На изображении выше голубым цветом представлены высокопроизводительные сигналы, передаваемые 3-нм SerDes от Marvell, оптимизированным для PCIe Gen 6 / CXL 3.0, а оранжевым цветом показаны сигналы от 3-нм SerDes с малой задержкой, оптимизированного для 112G XSR. Оба являются первыми в отрасли. Вертикальная высота, размер и относительная симметрия указывают на уменьшение шума и битовых ошибок.

Новое параллельное соединение между кристаллами, например, обеспечивает совокупную передачу данных со скоростью до 240 Тбит/с, что на 45 % быстрее, чем доступные альтернативы для приложений с многокристальной компоновкой. Для сравнения, скорость межсоединения эквивалентна загрузке 10 000 HD-фильмов каждую секунду, хотя и на расстоянии всего несколько миллиметров или меньше.

Переход на 3-нанометровый техпроцесс позволяет инженерам снизить стоимость и энергопотребление микросхем и вычислительных систем, сохранив при этом целостность сигнала и производительность.