Эксперты TrendForce до апрельского землетрясения на Тайване ожидали, что по итогам второго квартала контрактные цены на DRAM вырастут на 3–8 %, а флеш-память подорожает на 13–18 %, но актуальная обстановка позволяет им рассчитывать на более заметный рост цен на DRAM и NAND в силу целого ряда факторов.
Источник изображения: SK hynix
В частности, контрактные цены на DRAM по итогам второго квартала теперь могут вырасти на 13–18 %, а в сегменте NAND — на 15–20 %. Если само по себе землетрясение на Тайване способно повлиять на рынок памяти лишь в узких его сегментах, то высокий спрос на HBM и экспансия выпуска микросхем HBM3E влияют на него гораздо сильнее.
По словам специалистов TrendForce, до апрельского землетрясения цены на память DRAM и NAND для смартфонов и ПК росли на протяжении двух или трёх кварталов подряд, и покупатели не были готовы спокойно воспринимать дальнейшее повышение цен, но после землетрясения некоторые производители компьютеров начали перестраховываться и закупать память по существенно возросшим ценам, хотя и не в массовом порядке. К концу апреля контрактные цены на память из-за этого успели вырасти сильнее, чем ожидалось в начале квартала.
Во-вторых, производители памяти стали более агрессивно смещать приоритеты в сторону выпуска HBM, из-за этого мощности под выпуск DRAM других типов и NAND могли сокращаться. Компания Samsung Electronics, например, к концу текущего года рассчитывает задействовать под выпуск стеков HBM3E до 60 % всех мощностей, пригодных для выпуска памяти по техпроцессу «альфа» 10-нм класса. Естественно, возможности по выпуску памяти других типов с использованием этой технологии в результате сократятся — может быть ограничено производство DDR5, например. Покупатели даже начали запасаться памятью заранее, опасаясь предстоящего дефицита в третьем квартале. Представители TrendForce в своих прогнозах исходят из предположения, что во втором квартале память типа HBM займёт не более 4 % структуры поставок производителей.
В сегменте серверных твердотельных накопителей стремление провайдеров облачных услуг добиться более высокой энергетической эффективности в сегменте систем искусственного интеллекта толкает их более активно закупать накопители на основе памяти типа QLC. Поставщики последней в ответ на резкий рост спроса искусственно сдерживают темпы отгрузок, поскольку пока не понимают, как будет складываться конъюнктура рынка дальше, и не желают остаться без адекватных запасов продукции. Сейчас память типа NAND в основном реализуется по цене, обеспечивающей окупаемость производства, но компании не торопятся вкладывать средства в увеличение объёмов выпуска флеш-памяти.
В стороне от этих тенденций, как поясняют представители TrendForce, останется память типа eMMC и UFS, поскольку она ограничится минимальным ростом контрактных цен во втором квартале на 10 %.