Samsung выпустила SSD-накопитель на 61,44 Тбайт и анонсировала модель на 122,88 Тбайт

Читать в полной версии

Компания Samsung без лишнего шума представила один из самых ёмких в мире твердотельных накопителей BM1743 на 61,44 Тбайт, предназначенный для центров обработки данных, и анонсировала планы по созданию SSD на 122,88 Тбайт.

Источник изображения: Samsung

Новый накопитель Samsung BM1743 основан на фирменном контроллере компании и использует память 3D V-NAND QLC седьмого поколения. Устройство поддерживает как интерфейс PCIe 4.0, так и PCIe 5.0 x4, обеспечивая высокую производительность. Согласно спецификациям, этот SSD способен достигать скорости последовательного чтения до 7200 Мбайт/с и последовательной записи до 2000 Мбайт/с, сообщает Tom's Hardware.

Что касается производительности, BM1743 может выполнять до 1,6 миллиона случайных чтений 4K и до 110 000 случайных записей 4K в секунду. Хотя эти показатели не являются рекордными, они вполне соответствуют целевому назначению устройства.

Планируется выпускать накопители BM1743 в форм-факторах U.2 для хостов с интерфейсом PCIe 4.0 x4 и в формфакторе E3.S с интерфейсом PCIe 5.0 x4. Компания пока не раскрывает данные об энергопотреблении нового SSD, которое может быть довольно высоким из-за огромной ёмкости устройства. Однако, учитывая, что плотность хранения данных накопителя является его главной характеристикой, энергопотребление может быть не самым важным показателем.

Отметим, что на данный момент у Samsung BM1743 очень мало конкурентов на рынке. Только Solidigm и Western Digital могут предложить SSD ёмкостью 61,44 Тбайт с интерфейсом PCIe. Другие производители, такие как Kioxia, Micron и SK hynix, пока не представили накопители такой ёмкости.

Новый SSD предназначен для приложений с ультравысокой плотностью хранения данных, таких как периферийные вычисления для искусственного интеллекта или доставка контента. Интересно, что Samsung не ограничивается текущим достижением и уже говорит о планах по созданию накопителей ёмкостью 122,88 Тбайт, используя тот же тип памяти 3D V-NAND.