Asus придумала, как улучшить разъёмы DDR5 DIMM для увеличения стабильных частот памяти

Технология оперативной памяти DDR5 не стоит на месте. Производители пытаются выжать из неё максимальные показатели быстродействия. Доступные в продаже современные модули DDR5 уже предлагают скорости до 8000 МТ/с и даже выше. По этому случаю компания Asus представила новую реализацию слота DIMM, NitroPath DRAM Technology, предназначенную для повышения качества передачи сигнала между CPU и ОЗУ, а также повышающую надёжность самих разъёмов DIMM.

Как указано в официальном блоге Asus, технология NitroPath DRAM улучшает работу ОЗУ благодаря новой схеме маршрутизации. За счёт использования более коротких позолоченных контактов внутри разъёма снижается уровень шума передаваемого сигнала. В сочетании с оптимизированными маршрутами сигнала внутри материнских плат между CPU и модулями памяти технология NitroPath DRAM обеспечивает повышение разгона ОЗУ с прибавкой до 400 МТ/с.

Технология NitroPath DRAM также подразумевает усиление самих разъёмов DIMM, что увеличивает их долговечность. Производитель улучшил прочность разъёмов на боковую нагрузку при установке (до 20 %) и демонтаже модулей памяти (до 25 %), так и фиксацию разъёмов на материнской плате (на 57 %) по сравнению с обычными разъёмами DIMM.

Первыми платами Asus, получившими разъёмы DIMM с технологией NitroPath DRAM стали представленные сегодня флагманские модели ROG Crosshair X870E Hero и ROG Strix X870E-E Gaming WIFI для процессоров Ryzen 9000.