Если 2001 год можно считать прошедшим под знаком Rambus, по крайней мере, в плане светской хроники, то этот, вне всяких сомнений, стал годом несостоявшейся сделки Micron с Hynix. Всю первую половину года компании яростно торговались, начав, соответственно, с 5 миллиардов со стороны Hynix, и 3.1 - со стороны Micron. Как водится, в процессе компании постепенно пришли к компромиссу - к маю Micron сдался на цифре 3.4 миллиарда долларов.
Но к тому времени успели несколько измениться сопутствующие сделке обстоятельства: совет директоров Hynix высказался против этой сделки, сместив выступающего за нее своего директора, против высказались и профсоюзы, а правительство Кореи, по сути, опосредованно являющееся основным акционером Hynix, в год президентских выборов решило не раскачивать лодку. В результате, сделка, которая могла существенно изменить расклад сил на рынке памяти, так и не состоялась.
Что это значит для Hynix? По всей видимости то, что в этом году для компании ничего не изменится - в нее все также будут вливаться миллиарды долларов с тем, чтобы в очередной "последний раз" спасти ее от банкротства. Судя по тому, что в самом конце 2002 года она получила конверсию долгов в акции на 1.6 миллиарда долларов, в начале года собирается получить 2.5 миллиарда долларов на техническое переоснащение, под началом комитета кредиторов компания свой курс не изменит. Ведет ли он к пропасти, или же Hynix удастся совершить таки рывок, который по итогам 2003 года позволит ей создавать чипы с себестоимостью ниже рыночных цен - сегодня вряд ли кто-то предскажет.
Однако, есть в этой денежной накачке и проблема: на Hynix и так в последнее время навалились с жалобами на демпинг все ее ближайшие конкуренты - и Micron, и Infineon - министерство торговли США уже начало расследование по этому поводу. А тут - такой мощный дополнительный груз на чашу весов с обвинением в дотациях Hynix из госбюджета. Впрочем, все в этом бизнесе хороши: правительство Южной Кореи успело уже заявить, что Micron также пользуется финансовой поддержкой правительств Италии и Сингапура, а все тот же минторг США начал и другое расследование: по обвинению Micron, Samsung, и Infineon, в сговоре с целью фиксации цен на память.
Но, если в случае с Hynix расстроился союз потенциальный, то был в течение года и вполне реальный развод - из ProMOS, совместного предприятия Mosel Vitelic и Infineon, вышел германский гигант. Причем, интересно, чем было вызвано мартовское увеличение доли Infineon в ProMOS на 10 процентов, с 38 до 48. В принципе, вариантов можно придумать массу: все шло нормально, и Infineon наращивал свою долю в предприятии, продающем ему более чем серьезный объем чипов DRAM; у Mosel Vitelic заметно ухудшилось финансовое состояние (это - не предположение, а факт), и Infineon, по партнерски, таким образом помог ему деньгами; или же, наконец, проблемы начались еще тогда, и компания еще весной начала борьбу за контроль над компанией.
В общем, как бы то ни было, а осенью разразился скандал - Infineon обвинил Mosel Vitelic в "систематических материальных нарушениях". Потом общественность с интересом пару месяцев наблюдала за прениями, в ходе которых Mosel Vitelic занял не слишком продуктивную позицию "сам дурак". В результате произошедшего уже в начале года собрания акционеров, произошедшего с грубейшими нарушениями, фактически, состоялся абсолютно тривиальный отъем собственности, на что Infineon отреагировал вполне адекватно, по крайней мере, так, как ему оставалось: выйдя из состава СП ProMOS, и перестав с первого января закупать чипы производства ProMOS.
Остается вопрос, как, в таком случае, Infineon намерен не потерять свою долю рынка - ведь чипы ProMOS в его поставках составляли немаленькую долю. Элементарно - за счет расширения своих связей с другими производителями DRAM. Тот же Winbond, к примеру - ведь в минувшем году Infineon, фактически, подобрал его, брошенного Toshiba на произвол судьбы. В результате очень скоро старший партнер начал приобретать у него уже порядка 30 процентов производимых Winbond чипов - это еще во время сотрудничества с ProMOS! Никто, разумеется, не может помешать Infineon поднять эту долю, хотя, разумеется, полностью возместить объем ProMOS Winbond не в состоянии просто физически.
Вот и пришлось Infineon вступать все в новые и новые альянсы - с китайской SMIC по формуле "чипы в обмен на 0.14 мкм техпроцесс", с крайней динамично развивающейся Nanya, с которой Infineon заключил договор о совместной разработке уже 0.07 и 0.09 мкм техпроцессов, а также заложил первый камень в основание их совместной фабрики, которая будет работать с 300 мм пластинами. Вообще, несмотря на фиаско Micron с Hynix, тенденция укрупнения производителей в минувшем году своей актуальности отнюдь не потеряла. Тут и тот же Micron, успешно поглотивший DRAM бизнес Toshiba, и подружившийся с Mitsubishi Powerchip, и поглотившая их к концу года Elpida, также начавшая заглядываться уже в сторону Китая.
Впрочем, объективно лучше всех поработал над укрупнением своей империи в этом году все же Infineon, взлетевший по итогам года в тройку лидеров: Samsung, Micron, Infineon. Как видим, Hynix в ней уже не числится, и вряд ли в нее вернется. Не светит попасть в эту тройку в этом году и Elpida, которой для достижения мало-мальски значимой позиции на рынке памяти надо бы поднять свой объем продаж раз этак в пять. Понятно, что подобные результаты за год не достигаются, особенно при весьма ограниченном финансировании со стороны NEC и Hitachi, даже если мы учтем партнерство с Powerchip, ассимиляцию DRAM бизнеса Mitsubishi, и неизбежное заключение союза с кем-то из китайцев. Да ProMOS, как мы помним, остался, фактически, без присмотра...
Впрочем, по нынешним временам, когда чем больше продажи, тем больше убытки, это еще большой вопрос - так ли уж хорошо быть крупным. Свой последний квартал Micron закончил с убытками в 316 миллионов долларов при объеме продаж в 685 миллионов, а вот у более мелкого Infineon DRAM подразделение за весь финансовый 2002 год и потеряло меньше - "всего" 616 миллионов евро. Интересно, каковы же объемы потерь у традиционно занимающего первое место по объемам продаж Samsung?
С ценами на память в этом году вообще творилось невесть что - скачут они как погода, но если с климатом можно винить парниковый эффект, то вот что винить в такой волатильности рынка памяти, которую мы наблюдаем последние годы - не совсем понятно. Зима - рост вверх, переход выше $3 за 128 Мбит SDRAM, март - уже $5, апрель - снова переход $3, но уже - вниз. Май - 128 Мбит PC2100 уже упали за месяц с $2.9 до $2. Лето - стремительный рост цен на все виды памяти, причем темпы доходят до 5-10 процентов в сутки. Август - рост на излете, и осень-зиму цены вновь начинают падать. Итого - за год цены на память сходили вверх-вниз минимум на сто процентов.
Неизвестно, какой будет картина в этом году, можно представить лишь общую тенденцию: благодаря массовому вводу в строй фабрик, работающих с 300 мм пластинами, и переходу на техпроцессы меньше 0.13 мкм, предложение должно кардинально превысить спрос, со всеми вытекающими отсюда последствиями. Так что, исходя из базового закона экономики, можно ожидать серьезного, неуклонного снижения цен. Другой вопрос, что существуют разнообразные флюктуации: пики спроса, соответствующие различным сезонам, вроде рождественских продаж, back to school, и т.д; пики предложения, когда в конце финансового квартала или года компании пытаются улучшить свои показатели, вроде объема продаж; наконец, есть действия производителей, нацеленные на подъем цен, вроде попыток организации картелей. Поэтому предсказывать поведение цен на память - то же самое, что предсказывать поведение биржи в будущем году.
По крайней мере, то, что можно прогнозировать с достаточно большой долей вероятности - это дальнейший рост доли DDR на рынке памяти, благо, что в минувшем году объем продаж DDR впервые превысил объем продаж SDRAM. Это вызвано чисто экономическими причинами - себестоимость практически одинаковая, а стоимость DDR, по крайней мере, в прошедшем году, была несколько выше, да и даже в случае одинаковой стоимости на рынке, DDR сейчас будет обеспечивать больший объем продаж. Хорошая иллюстрация - Nanya, которая в минувшем году была чуть ли не единственным прибыльным производителем памяти на Тайване, добилась этого лишь за счет того, что доля DDR в ее производстве к концу года вплотную подошла к 100 процентам.
Так же очевидно и то, что в доле DDR вообще, будет неуклонно повышаться доля PC3200 чипов и модулей. Все это - благодаря внезапно изменившейся политике Intel, который в течение года объяснял, что PC3200 - это плохо, медленно, от PC2700 по производительности почти не отличается, будут проблемы со стабильностью, и так далее, и так далее. После этого, в самом конце года, Intel, объявляя о грядущем введении 800 МГц системной шины, естественно, заявляет, что будет использовать с этими чипсетами и процессорами PC3200 в двухканальных конфигурациях.
Моментально JEDEC, весь год твердящий о том, что PC3200 им принимать не особо и хотелось, лучше они на DDR II все силы бросят, также развернулся на 180 градусов, заявив в декабре о начале работ по стандартизации спецификации PC3200. Впрочем, если ряд производителей, вроде Elpida, Hynix, или Infineon, не рискнул в минувшем году поставить на PC3200, сосредоточившись на официально утвержденном PC2700, то были и другие, вроде Micron или Samsung, еще в марте продемонстрировавшего первые свои PC3200 модули DDR SDRAM, а летом подписавшего соглашение с VIA, SiS, и NVIDIA, по продвижению на рынок этого типа памяти. Результат - к концу года Samsung уже производил более 10 миллионов PC2700 и PC3200 чипов в 128 Мбит эквиваленте.
Впрочем, никто не отрицает - работа над DDR II важна, и в этом направлении JEDEC за год сделал не так уж и мало: к весне очертания DDR II определились уже настолько, что производители начали создавать образцы первых чипов, соответствующих этой спецификации (естественно, первым отличился Samsung), летом началась работа над графической версией DDR II, как более легкой, но, в то же время, более насущной, и уже осенью ATI и NVIDIA уже смогли начать демонстрировать карты, использующие чипы графической DDR II, а также заявлять о создании своих спецификаций, основанных на этой - GDDR-3, и т.д. Эти чипы мы должны увидеть уже в первой половине текущего года, а GeForce FX стал первым продуктом, основанной на графической DDR II.
Более того, параллельно летом началась и работа уже над DDR III, впрочем, там все очевидно - дальнейшее снижение напряжения (1.2-1.5 В), увеличение объема (от 4 Гбит), частоты - от 800 до 1500 МГц (DDR). Впрочем, учитывая, что эти чипы мы по плану увидим лишь году в 2007, говорить о них сейчас особого смысла нет - до тех пор уж слишком много изменится.
В общем, эволюция явно пошла этим путем, и RDRAM мы уже безоговорочно можем списывать со счета. Хотя Rambus с Samsung в этом году тоже старались, старались на совесть: от пилотного производства 1.066 ГГц RDRAM, до образцов 2 ГГц (!) чипов. Но эти, даже если пойдут в производство, для PC предназначены уже не будут - здесь Rambus окончательно проиграл.
В любом случае, какие-то позиции на 2003 год на рынке памяти для PC компания еще сохранила, путем представления в минувшем году 32-бит модулей памяти - 1.066 ГГц модели обеспечивают пропускную способность в 4.2 Гбайт/с, для плат на i850E, который с производства пока что не снят - самое то, что надо. 32-бит модули на старых добрых 800 МГц в двухканальной конфигурации как раз дали бы те самые 6.4 Гбайт/с, что требуются будущим процессорам Intel, но зачем - ведь те же 6.4 Гбайт/с на двухканальном PC3200 DDR обойдутся куда дешевле. Финиш.
Тем более, что уже простые модули DDR SDRAM обеспечивают сравнимую производительность по сравнению с новыми модулями Rambus - взять, к примеру, созданные к концу года сверхразогнанные модули DDR, обеспечивающие пропускную способность в 4 Гбайт/c! И это в тот момент, когда еще не стандартизован то официально и PC3200. Но что делать - в сегодняшних условиях зарабатывать приходится всеми доступными способами, в том числе и на подобных нишевых рынках. Даже достаточно консервативный Kingston - и тот "побаловался" модулями, работающими с пропускной способностью 3.5 Гбайт/с.
Благо, что производители чипов, в конкурентной борьбе настолько отточили техпроцесс, что подобрать среди их продукции чипы, гарантированно работающие на таких частотах, почти на четверть превышающих штатные. Ну, 300 мм пластины не в счет - это больше на экономичность влияет, и здесь, напротив, пришлось работать над тем, чтобы довести выход годных чипов до того же уровня, что имелся на 200 мм пластинах. А вот улучшение техпроцесса - это да. Учитывая, что крупнейшие производители к концу года перевели уже до половины своего производства на 0.13-0.14 мкм техпроцесс, неудивительно, что PC3200 чипы, выпускаемые ими уже с полгода, оставшись на той же скорости, приобрели неплохой потенциал для ее роста.
Еще одно тому доказательство - то, что чипы графической DDR памяти, производимые на тех же линиях, и не принципиально отличающиеся от DDR SDRAM, достигли к концу года уже частоты в 1 ГГц! (Речь, естественно - о результирующей частоте). Учитывая же, что компании первого эшелона уже массово представляют образцы 0.10-0.11 чипов, и что к концу следующего года никаких серьезных новшеств в плане появления новых стандартов памяти не планируется, стоит ожидать все второго расцвета такого явления, как разгон систем. Тем более, что и со стороны Intel в этом году, кажется, разгону будет дан зеленый свет.
Несомненно, следует ждать и дальнейшего развития архитектур, столь необходимых сегодняшним высокотехнологичным устройствам. Это и специализированная скоростная память для коммуникационных устройств, вроде представленных Mitsubishi SigmaRAM и IDT - TerraSync DDR FIFO (до 40 Гбит/c), или относительно дешевой FCRAM, которую в минувшем году начал производить и Samsung под именем Network-DRAM.
Это и самые разнообразные экономичные виды памяти для стремительно развивающегося рынка портативных устройств - в качестве характерного представителя можно назвать представленную Infineon Mobile-RAM. В целом, все они так или иначе представляют собой слегка доработанный вариант самых обычных DRAM, SRAM, или флэш-памяти, с пониженным энергопотреблением.
Другое дело - разрабатываемая практически с нуля память с максимально подходящими для этого рынка параметрами, основанная на магнитных свойствах материала. В этом направлении экспериментирует множество крупнейших компаний, но одним из несомненных лидеров гонки является Motorola, в этом году доведшая время доступа для своих чипов MRAM уже до 50 мс. Это, конечно, все еще много, но на горизонте уже 10 нс! Конечно, никто сегодня уже не рассматривает всерьез такую память в качестве замены DRAM для PC, но для мобильных устройств... Подождем пару лет.
И осталось вспомнить появившуюся в этом году технологию, которую можно назвать технологией года. Трудно сделать выбор между финалистами, поэтому придется назвать обоих. Через несколько лет прорыв в объеме RAM позволит достичь представленная Toshiba технология, потенциально позволяющая избавиться от конденсатора в каждой ячейке памяти DRAM. А к тому времени уже станут ясны перспективы технологии молекулярной памяти, представленной в этом году в действии Hewlett-Packard: пересечение 16 полос на площади в 1 квадратный микрон дало 64 бита для хранения информации. До гигабит отсюда еще годы и годы, но начало пути уже положено.
![](assets/external/varli.gif"){kind=small}
ITоги 2002 года. CPU