реклама
Новости Hardware

Kioxia планирует начать массовое производство 1000-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND к 2031 году

Компания Kioxia планирует перейти к массовому производству чипов флеш-памяти 3D NAND с более чем 1000 слоёв к 2031 году. Об этом, как пишет издание Xtech Nikkei, на лекции в ходе 71-го весеннего собрания Общества прикладной физики в Токийском университете сообщил технический директор Kioxia Хидефуми Миядзима (Hidefumi Miyajima). В рамках своего выступления он затронул вопросы, связанные с техническими проблемами и способами их решения для создания 1000-слойных чипов 3D NAND.

 Источник изображения: Kioxia

Источник изображения: Kioxia

Увеличение количества активных слоёв в чипах флеш-памяти 3D NAND в настоящее время является лучшим способом повысить плотность записи на такие микросхемы. Все производители памяти 3D NAND стремятся увеличивать количество слоёв в составе чипов с помощью более передовых техпроцессов каждые 1,5–2 года. Каждый переход на новый техпроцесс сопряжён с рядом проблем, поскольку производителям 3D NAND приходится не только увеличивать количество слоев, но также сжимать ячейки NAND как по горизонтали, так и по вертикали. Это требует от производителей использования новых материалов, что является настоящей головной болью для специалистов их научно-исследовательских центров.

На сегодняшний день самыми передовыми чипами флеш-памяти 3D NAND в ассортименте Kioxia являются BiCS 3D NAND 8-го поколения с 218 активными слоями и скоростью передачи данных 3,2 Гбит/с. Они были представлены производителем в марте 2023 года. В этом поколении флеш-памяти представлена новая архитектура CBA (CMOS directly Bonded to Array), предлагающая отдельное производство пластин массива ячеек памяти 3D NAND и пластин CMOS ввода-вывода, а затем их последующее объединение с помощью наиболее подходящих для этих целей технологий. В результате получается продукт с повышенной битовой плотностью и улучшенной скоростью ввода-вывода NAND, на основе которого можно создавать одни из самых лучших твердотельных накопителей на рынке.

Компания Kioxia и её производственный партнёр Western Digital не раскрывают всех подробностей архитектуры CBA. Неизвестно, включают ли CMOS-платы ввода-вывода дополнительные периферийные схемы NAND, такие как страничные буферы, усилители считывания и зарядовые насосы. Однако применение метода раздельного производства ячеек памяти и периферийных схем позволяет производителям использовать для создания того или иного компонента памяти 3D NAND наиболее эффективные технологические процессы.

Следует напомнить, что компания Samsung ещё в 2022 году подтвердила планы начать выпуск 1000-слойной флеш-памяти 3D NAND к 2030 году.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Вечерний 3DNews
Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий.
Материалы по теме
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
«Ни разу не задумывался о возвращении»: ветераны разработки игр объяснили, почему уходят из больших компаний 2 ч.
ИИ помог Instagram и Facebook дольше удерживать внимание пользователей 2 ч.
Android 16 выйдет не позднее июня 2025 года — Google полностью меняет график разработки 3 ч.
Microsoft снова отложила релиз скандальной ИИ-функции Recall — теперь до декабря 3 ч.
Продажи игр серии Call of Duty достигли 500 миллионов копий — больше только у «Марио» 3 ч.
«Чёрт, выглядит всё лучше и лучше»: новый геймплейный трейлер Vampire: The Masquerade — Bloodlines 2 заинтриговал фанатов 4 ч.
Telegram получил большое обновление: настройка качества видео, расширенное редактирование сообщений и не только 4 ч.
ChatGPT теперь умеет искать информацию в интернете 5 ч.
На ПК и консолях состоялся релиз Dragon Age: The Veilguard — фанаты ждали этого 10 лет 7 ч.
Epic Games Store устроил раздачу Ghostwire: Tokyo, но не для российских игроков 8 ч.