IBM и Tokyo Electron разработали новую технологию, которая упростит создание чипов для укладки в 3D-стеки

Американская IBM и японский производитель полупроводников Tokyo Electron разработали новую технологию, которая упростит производство чипов для создания из них 3D-стеков. Она исключает необходимость в использовании стеклянной подложки, что существенно упрощает процесс сборки чипов.

Источник изображения: HPCWire

Чипы, которые предполагается укладывать в стеки, то есть слоями друг на друга, должны быть тонкими, поэтому их создают на специальной несущей пластине. Последняя может производиться из стекла или кремния. Процесс отделения кремниевой несущей пластины от кремниевого же чипа является непростой задачей. Усилия, которые прилагаются при разъединении этих пластин, могут повредить изделие. Поэтому производители микросхем чаще применяют несущие пластины из стекла, которые отделяются от кремниевых пластин с помощью ультрафиолетовых лазеров.

Компании IBM и Tokyo Electron нашли способ, позволяющий исключить необходимость в использовании несущей стеклянной пластины при 3D-стекинге. Их метод подразумевает использование инфракрасного лазера для разъединения кремниевой несущей пластины от кремниевой пластины самого чипа. По словам компаний, такой подход имеет ряд преимуществ. Во-первых, это устраняет необходимость в использовании стеклянной подложки в производственном процессе. А во-вторых, исключает проблемы совместимости материалов, снижая тем самым количество дефектов и проблем, которые могут возникнуть на этапе укладки чипов в стек. Эффективность такой сборки разработчики продемонстрировали на примере созданной ими многослойной кремниевой пластины диаметром 300 мм.

«Технология трёхмерной укладки чипов не нова и используется многими производителями микросхем. Разработанная IBM и Tokyo Electron технология сборки многослойных чипов сделает этот процесс в масштабе более эффективным и как результат позволит создавать более сложные конструкции микросхем с более низким процентом брака», — комментируют аналитики компании J.Gold Associates, на которых ссылается издание HPCWire.

По словам обеих компаний, разработка новой технологии безопасного и эффективного разъединения кремниевых пластин с использованием лазера заняла порядка четырёх лет. Для этих целей в американском центре исследований и разработок полупроводников Albany Nanotech Complex в Олбани была построена новая тестовая сборочная линия. Хотя технология по-прежнему находится на стадии прототипа, компании надеются в будущем вывести её на производственный уровень.