реклама
Новости Hardware

SMEE стала на шаг ближе к созданию суверенных китайских EUV-сканеров — они нужны для выпуска передовых чипов

Литография со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) способна заметно удешевить производство 7-нм и более совершенных полупроводниковых компонентов, поэтому санкции США против Китая направлены на ограничение доступа последней из стран к таким технологиям. Как выясняется, китайские производители оборудования создают свои решения для работы с EUV.

 Источник изображения: ASML

Источник изображения: ASML

Во всяком случае, об этом позволяет судить патентная заявка на «Генераторы экстремального ультрафиолетового излучения (EUV) и оборудование для литографии», поданная в КНР шанхайской компанией SMEE ещё в марте прошлого года. Как сообщает South China Morning Post, документ описывает принципы устройства литографического оборудования, предназначенного для работы с источниками сверхжёсткого ультрафиолетового излучения. Информация о регистрации такой патентной заявки стала известна только на этой неделе.

До сих пор SMEE удавалось создавать только литографические сканеры, пригодные для работы с 28-нм и более грубыми технологическими нормами. Если китайская компания освоит выпуск EUV-сканеров, это существенно сократит отставание китайских производителей чипов от зарубежных конкурентов. Лидером в сфере поставок литографического оборудования является нидерландская компания ASML. Китайские производители чипов пока на 99 % зависят от зарубежных поставщиков, среди которых числятся компании из Нидерландов, США и Японии. Все три страны ограничивают поставку EUV-оборудования в Китай, причём Нидерланды такие меры ввели ещё в 2019 году.

С текущего месяца власти Нидерландов требуют от работающих в юрисдикции этой страны компаний получать экспортные лицензии на поставку запасных частей для установленного в Китае оборудования ASML, а также программного обновления эксплуатируемых китайскими клиентами систем. Сервисное обслуживание данного оборудования тоже фактически запрещено.

Непосредственно шанхайская компания SMEE в санкционный список США попала ещё в декабре 2022 года, что лишило её возможности использовать в создаваемом оборудовании технологии и компоненты американского происхождения. По всей видимости, компания решила самостоятельно создать оборудование для изготовления чипов с использованием EUV-литографии. Последняя подразумевает длину волны лазера 13,5 нанометра, что почти в 14 раз меньше присущего DUV-оборудованию параметра 193 нанометра. Китайская SMIC, как принято считать, выпускает для Huawei 7-нм чипы с помощью DUV-оборудования и многочисленной и громоздкой оснастки. Итоговая продукция получается довольно дорогой из-за высокого уровня брака. Переход на полноценное оборудование класса EUV позволил бы китайским производителям чипов экономить время и деньги при его эксплуатации.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Вечерний 3DNews
Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий.
Материалы по теме
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Cerebras и Aramco займутся развитием ИИ-инноваций в Саудовской Аравии 8 мин.
Репортаж со стенда Doogee на IFA 2024: защищённые смартфоны на любой вкус 20 мин.
Biostar неожиданно выпустила белую Radeon RX 580 2048SP — она была новинкой 6 лет назад 27 мин.
Великобритания причислила ЦОД к критической национальной инфраструктуре (CNI) с государственной поддержкой 2 ч.
Tecno анонсировала складные смартфоны Phantom V Fold2 5G и Phantom V Flip2 5G 2 ч.
Intel не собирается продавать Altera, а по-прежнему намерена вывести её на IPO 2 ч.
Рабочие Samsung устроили забастовку в Индии — акции компании упали на 6 % за неделю 3 ч.
Репортаж со стенда HONOR на IFA 2024: тончайший складной смартфон Magic V3, ноутбук MagicBook Air 14 со съёмной камерой и другие новинки 3 ч.
SMEE стала на шаг ближе к созданию суверенных китайских EUV-сканеров — они нужны для выпуска передовых чипов 3 ч.
Кризис в NASA: более 80 % объектов агентства устарели, и это угрожает освоению Луны и Марса 3 ч.