На мероприятии GTC 2024 компания Nvidia показала чипы памяти GDDR7 со скоростью передачи данных 32 Гбит/с и объёмом 2 Гбайт от компании Samsung. Новая память на 33 % быстрее актуальных решений GDDR6 и GDDR6X. Благодаря этому будущие видеокарты с такими чипами памяти смогут обеспечить гораздо более высокий показатель пропускной способности.

Источник изображения: Overclock3d

Первые чипы памяти GDDR7 в составе будущих видеокарт по причинам энергоэффективности будут обеспечивать скорость передачи данных, ограниченную до 28 Гбит/с. Они будут на 17 % медленнее максимального показателя их возможной скорости, но в то же время значительно быстрее актуальных чипов памяти GDDR6 и GDDR6X, которые используются в современных графических ускорителях.

Источник изображения: HardwareLuxx

Напомним, что в рамках GTC 2024 компания Nvidia также представила новое поколение специализированных графических процессоров Blackwell для ИИ. Правда, они будут оснащаться не памятью GDDR7, а набортной высокоскоростной памятью HBM3E.

Весьма вероятно, Nvidia будет использовать микросхемы памяти GDDR7 в составе своих будущих игровых видеокарт GeForce RTX 50-й серии. По слухам, именно флагманская модель будущей серии предложит скорость памяти на уровне 28 Гбит/с на контакт.

Последние слухи также говорят в пользу того, что условная GeForce RTX 5090 получит 512-битную шину памяти. Таким образом, новинка не только предложит на 33 % более скоростную память, чем у GeForce RTX 4090, но также получит на 33 % более широкую шину памяти. Всё это совокупно может увеличить пропускную способность памяти будущей флагманской видеокарты на 77 % по сравнению с флагманом текущего поколения.

Компания Samsung анонсировала видеопамять нового типа — GDDR6W. Она разработана с использованием новой технологии упаковки FOWLP (Fan-Out Wafer-Level Packaging), которая позволила удвоить объём и пропускную способность микросхем.

Источник изображений: Samsung

В июле Samsung начала поставки чипов памяти GDDR6 со скоростью 24 Гбит/с на контакт. Производитель отмечает, что новая GDDR6W обеспечивает вдвое большую пропускную способность по сравнению с GDDR6 и вдвое больший объём при сохранении тех же размеров упаковки — всё благодаря тому, что в одном чипе удалось разместить вдвое больше кристаллов памяти, как видно на изображении ниже. Благодаря этому ёмкость одного чипа памяти увеличивается с 16 до 32 Гбит (с 2 до 4 Гбайт), а количество вводов-выводов с 32 до 64.

Технология FOWLP предусматривает установку кристалла памяти непосредственно на кремниевой пластине, а не на печатной плате. А использование технологии редистрибутивного слоя (redistributive layer, RDL) позволяет обеспечить гораздо более тонкие схемы разводки. Отсутствие печатной платы в конструкции чипа памяти GDDR6W уменьшает толщину упаковки микросхемы и повышает эффективность рассеивания тепла, указывают в Samsung. Высота корпуса GDDR6W составляет 0,7 мм. Это на 36 % меньше, чем у GDDR6 (1,1 мм). То есть, фактически, Samsung смогла разместить больше памяти даже в меньшем объёме, чем раньше.

Представленная память GDDR6W способна обеспечить пропускную способность уровня памяти HBM. Например, память HBM2E обеспечивает скорость передачи данных в 3,2 Гбит/с на контакт и ускоритель с ней способен обеспечить пропускную способность в 1,6 Тбайт/с. В свою очередь GDDR6W может обеспечить пропускную способность на уровне 1,4 Тбайт/с на основе 512 контактов ввода-вывода при скорости передачи 22 Гбит/с на контакт.

Samsung сообщила, что завершила процедуру стандартизации JEDEC для продуктов GDDR6W во втором квартале этого года. Компания также отметила, что расширит применение GDDR6W на устройства малого форм-фактора, такие как ноутбуки, а также на новые высокопроизводительные ускорители для ИИ и HPC.