Вице-президент корпорации Nvidia ушла из компании и заняла пост финансового директора Lightmatter — стартапа, специализирующегося на разработке инновационных чипов для задач искусственного интеллекта с использованием технологии кремниевой фотоники.

Источник изображения: Copilot

По сообщению Bloomberg, Симона Янковски (Simona Jankowski), покинувшая пост вице-президента Nvidia в прошлом месяце, присоединилась к стартапу Lightmatter, базирующегося в Калифорнии, в качестве финансового директора. Янковски, проработавшая в Nvidia почти семь лет и курировавшая отношения с инвесторами и стратегические финансы, заявила, что «Lightmatter — это единственная причина, ради которой я бы покинула Nvidia». До работы в Nvidia она длительное время была аналитиком по вопросам, связанным с полупроводниками в крупнейшем инвестиционном банке США Goldman Sachs Group.

Simona Jankowski Источник изображения: Lightmatter

По словам генерального директора и сооснователя компании Ника Харриса (Nick Harris), Lightmatter имеет «невероятную рыночную динамику» и его продукты вскоре появятся в некоторых крупнейших мировых центрах обработки данных. Он утверждает, что компания имеет все шансы стать чем-то гораздо большим, чем Mellanox Technologies, которую Nvidia приобрела в 2020 году за $7 млрд.

Отмечается, что Lightmatter уже сотрудничает с некоторыми производителями микросхем, предлагая комплектующие, объединяющие их продукты. Однако имена партнёров пока не раскрываются. Харрис также подчёркивает, что компания хорошо финансируется и получила инвестиции в размере около полумиллиарда долларов в частности от GV (бывшая Google Ventures). При этом в прошлом году было привлечено $155 млн при оценке самой компании в $1,2 млрд.

Харрис пояснил, что компания выбрала Янковски из-за её уникального сочетания технических знаний и навыков в области финансов и планирования, так необходимых для повышения эффективности предприятия в целом.

Администрация президента США Джо Байдена (Joe Biden) объявила о выделении 75 миллионов долларов на разработку технологии и запуск производства инновационной стеклянной подложки для полупроводников, которая значительно улучшает их характеристики. Финансирование предоставлено компании Absolics, дочерней фирме южнокорейского конгломерата SK Group и SK hynix.

Источник изображения: TSMC

Госсекретарь США Джина Раймондо (Gina Raimondo) прокомментировала это решение, отметив, что стеклянная подложка для чипов — это прорывная технология, которая значительно повысит производительность и эффективность полупроводников. В отличие от традиционных органических подложек, стекло гораздо более стабильно при высоких температурах и позволяет создавать более тонкие и компактные чипы. По словам Раймондо, эти инвестиции необходимы для того, чтобы США оставались мировым лидером в производстве передовых полупроводников и создании высокотехнологичных рабочих мест.

По сообщению Tom's Hardware, компания Absolics планирует использовать полученные средства для строительства завода по производству стеклянных подложек площадью 120 000 квадратных футов в городе Ковингтон, штат Джорджия.

Отмечается, что крупнейшие производители чипов, такие как Intel и Samsung, уже несколько лет ведут разработки в этой сфере. Первые коммерческие образцы чипов на стеклянных подложках появятся, предположительно, к 2026 году, однако вначале они будут использоваться только в высокопроизводительной корпоративной среде, а не в потребительской электронике.

Финансирование Absolics, дочерней компании одного из крупнейших конкурентов Samsung, вероятно, вызовет напряженность в отношениях между Южной Кореей и США, однако Samsung уже получила государственную поддержку на сумму $6 млрд в рамках «Закона о чипах», так что сможет спокойно продолжить собственные разработки.

Поддержка стеклянной подложки стала первым известным случаем, когда средства, выделенные по «Закону о чипах», направляются непосредственно на разработку определенной технологии. Ранее финансирование применялось только с общей целью привлечения технологических компаний в США. Администрация Байдена планирует и дальше стимулировать инновации с помощью этой программы.

Samsung стремится опередить Intel, ключевого конкурента, в выводе на рынок продукции с использованием технологии стеклянных подложек. Intel проводит исследования в этой области уже почти 10 лет с ориентиром на 2030 год, а Samsung планирует начать производство в 2026 году.

Источник изображения: Intel

По данным ETNews, Samsung Electro-Mechanics уже активизировала закупки оборудования для будущего производства, и его установка и настройка пройдёт в сентябре, после чего в четвёртом квартале начнется выпуск первых опытных стеклянных подложек, так как ранее инженеры Samsung уже провели все необходимые научно-исследовательские работы (НИОКР) и изучили потенциальные области применения технологии.

Ускорение работ также связано со стремлением опередить основного конкурента — корпорацию Intel, которая уже около 10 лет ведёт собственные разработки в этой сфере. По планам Intel, технология стеклянных подложек будет готова к коммерциализации только к 2030 году, поэтому у Samsung появился шанс выйти на рынок со своей продукцией, возможно, на несколько лет раньше.

Уже известны ключевые поставщики оборудования и материалов для нового производства. Это компании Philoptics, Chemtronics, Joongwoo M-Tech и немецкая LPKF. С их помощью планируется наладить выпуск стеклянных подложек для передовых электронных систем в самое ближайшее время.

Таким образом, благодаря ускорению разработок, Samsung имеет все шансы занять лидирующие позиции на новом быстрорастущем рынке стеклянных полупроводниковых подложек, ведь ставки в непрекращающейся гонке за более быстрые и совершенные чипы в этом секторе очень высоки.

Глобальный рынок материалов для производства полупроводников сократился на 8,2 % до $66,7 млрд в 2023 году. Снижение продаж затронуло материалы для обработки кремниевых пластин и упаковки чипов. Что интересно, спад наблюдался во всех регионах, кроме Китая.

Источник изображения: Kandinsky

Согласно отчету ассоциации поставщиков для электронной промышленности SEMI, общая выручка на рынке микросхем снизилась на 8,2 % по сравнению с предыдущим годом. Интересно, что эта негативная динамика наблюдалась во всех регионах мира, за исключением Китая, которому, благодаря активному развитию национальной полупроводниковой промышленности, удалось продемонстрировать положительную динамику и увеличить потребление материалов для производства чипов.

Как сообщает Tom's Hardware, снижение на глобальном рынке связано в первую очередь с падением спроса на сами полупроводники. В 2022 году компании столкнулись с избыточными запасами готовой продукции, что и вынудило их сократить объемы производства в 2023 году. Это привело к снижению загрузки производственных мощностей и, как следствие, уменьшению потребления материалов, необходимых для изготовления чипов. Таким образом, спад на рынке конечной продукции непосредственно отразился на спросе со стороны производителей процессоров.

Падение затронуло как материалы для обработки пластин (снижение на 7 %, до 41,5 млрд долларов), так и упаковочные материалы для готовых изделий (на 10,1 %, до 25,2 млрд). В первом случае наибольший спад показали поставки кремния, фоторезистов и материалы для химико-механической планаризации. Во втором — органических субстратов для корпусов микросхем.

При этом, по-прежнему крупнейшим потребителем материалов для полупроводников остается Тайвань (19,2 млрд долларов), где расположены производства мирового лидера контрактного производства чипов TSMC. На втором месте оказался Китай с показателем 13,1 млрд долларов, которому, несмотря на общемировой спад, удалось нарастить внутреннее потребление за счет активного строительства новых производств. Замыкает тройку лидеров Южная Корея (10,6 млрд долларов), где работают такие гиганты отрасли как Samsung и SK Hynix.

В других регионах наблюдалось более существенное падение. Например, в Северной Америке рынок сократился на 11,4 % (до 5,6 млрд долларов), а в Европе на 5,7 % (до 4,3 млрд). Это связано в том числе с переносом производств в Азию и снижением доли западных стран в мировом производстве полупроводников.

Несмотря на локальный рост в Китае, в целом отрасль переживает непростые времена, так как глобальный спад спроса вкупе с высокой конкуренцией создает сложности для большинства участников рынка.

Власти Китая негласно попросили производителей электромобилей, таких как BYD и Geely, резко увеличить объемы закупки автомобильных чипов у местных производителей. Данный шаг направлен на снижение зависимости Поднебесной от импорта из западных стран и развитие собственной полупроводниковой отрасли.

Источник изображения: SMIC

В сообщении сказано, что Министерство промышленности и информационных технологий Китая в этом году обратилось к автопроизводителям с просьбой расширить закупки отечественных компонентов, чтобы ускорить процесс внедрения китайских чипов. По данным источника, ранее ведомство поставило перед производителями негласную цель, в рамках которой компании должны к 2025 году закупать пятую часть используемых чипов у местных поставщиков.

Чиновники остались недовольны темпами исполнения этого поручения, поэтому теперь автопроизводители получили прямые инструкции, согласно которым им следует избегать использование чипов зарубежного производства везде, где это возможно. Это может означать, что зарубежным производителям полупроводниковой продукции придётся задействовать китайские компании, такие как Semiconductor Manufacturing International Corp. и Hua Hong Semiconductor Ltd., для выпуска своей продукции. Другой источник сообщил, что в рамках проведённого недавно одним китайским брендом тендера один из иностранных участников не смог получить контракт, несмотря на то, что его предложение было на 30 % более выгодным, чем у победителя.

Эти события отражают усилия китайских властей по активизации собственного технологического сектора, что стало ответом на попытки США ограничить разработку полупроводниковой продукции в стране за счёт введения санкций и ограничений на импорт готовой продукции. Директива по автомобильным чипам может навредить зарубежным производителям такой продукции, включая Nvidia Corp., NXP Semiconductor NV, Renesas Electronics Corp. и Texas Instruments Inc. На этом фоне курс акций европейских производителей автомобильных чипов начал неуклонно снижаться.

Компания Micron представила на выставке MWC 2024 самые компактные микросхемы флеш-памяти стандарта UFS 4.0, предназначенные для смартфонов, планшетов и других мобильных устройств. Размеры упаковки чипа составляет всего 9 × 13 мм. Они будут выпускаться в объёмах до 1 Тбайт и предложат скорости последовательного чтения и записи до 4300 и 4000 Мбайт/с соответственно.

Источник изображений: Micron

Новые микросхемы памяти Micron UFS 4.0 построены на базе 232-слойных чипов 3D TLC NAND. Сокращение размеров микросхем компания объясняет потребностью производителей смартфонов и других мобильных устройств в оснащении своих продуктов более крупными батареями. Новые микросхемы памяти стандарта UFS 4.0 от компании Micron являются результатом совместных усилий специалистов компании из лабораторий в США, Китае и Южной Корее.

Площадь новых микросхем сократилась на 20 % по сравнению с чипами UFS производителя, выпущенных в июне прошлого года. Компания заявляет, что сокращение размера микросхем также привело к снижению их энергопотребления, но без потери в общей производительности. В новых чипах памяти Micron используется новая проприетарная технология HPM (High-Performance Mode), которая оптимизирует производительность памяти при интенсивном использовании смартфона и повышает её скорость работы на 25 %.

Micron сообщила, что уже начала поставки образцов памяти UFS 4.0 OEM-производителям устройств. Компания предлагает микросхемы ёмкостью 256 и 512 Гбайт, а также объёмом 1 Тбайт.

В условиях мер, принятых США для замедления технологического прогресса Китая в полупроводниковой сфере, КНР за два года смогла удвоить уровень локализации оборудования для производства чипов, достигнув показателя свыше 40 %. Этот прогресс подчёркивает стремление страны к самодостаточности в этой критически важной технологической области, несмотря на внешние ограничения.

Источник изображения: GDJ / Pixabay

В Китае наблюдается значительный рост уровня локализации в сфере производства оборудования для выпуска полупроводников, особенно в областях установок для физического осаждения из паровой (газовой) фазы (PVD) и окисления, где этот показатель превышает 50 %.

По данным ассоциации SEMI, специализирующейся на сфере полупроводников, уровень локализации полупроводникового оборудования в Китае в прошлом составлял всего 21 %. Однако к 2022 году, благодаря целенаправленной политике и инвестициям в научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы (НИОКР), этот показатель увеличился до 35 %.

Исследование, проведённое DIGITIMES Asia, выявило, что среди всех звеньев китайской производственной цепочки в индустрии полупроводников включая производство оборудование, литографическое производство чипов, процессы компоновки и монтажа, тестирование и интегрированное проектирование и производство (IDM) — именно производители оборудования для выпуска полупроводников выделяются максимальным уровнем инвестиций в НИОКР.

За последние два с половиной года средний уровень таких инвестиций у китайских компаний этого сектора превысил 10 % от выручки, опережая даже крупнейшего китайского производителя микросхем Semiconductor Manufacturing International Corp (SMIC) и значительно превосходя компании, специализирующиеся на контрактной сборке и тестировании полупроводников (OSAT).

Компании Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc China (AMEC) в среднем за последние два с половиной года инвестировала в НИОКР более 13 % от объёма своей выручки. Naura Technology за этот же период времени направила на НИОКР 11 % своей выручки. В свою очередь, компании, занимающиеся разработкой интегральных схем, благодаря специфике данной отрасли, показывают ещё более высокие уровни инвестиций в НИОКР по сравнению с производителями оборудования для чипов и собственно производителями чипов.

Согласно аналитическому отчёту, опубликованному State Street Global Advisors под названием «Semiconductor Localization: China Makes Advances», самодостаточность Китая в области полупроводников можно объяснить крупным внутренним рынком Китая, активной поддержкой со стороны государства, мощным научно-исследовательским потенциалом и поддержкой со стороны рынка капитала.

США и Европу всё больше беспокоит ускоренное развитие Китая в области производства чипов по устаревшим техпроцессам, которые остаются жизненно важными для мировой экономики. Эта ситуация может привести к доминированию Китая на рынке и создать новые риски для национальной безопасности США и ЕС.

Источник изображения: GDJ / Pixabay

После введения США мер контроля над производством современных чипов, Китай активно инвестирует в производство устаревших чипов. Наиболее совершенными считаются чипы с технологией травления 3 нм. Старыми же являются те, что изготовлены с использованием 28-нм и менее тонких технологий. Эти чипы, хотя и считаются устаревшими, остаются ключевыми компонентами для различных устройств, включая смартфоны, электромобили и военную технику.

Высокопоставленные чиновники ЕС и США опасаются стремления Пекина занять доминирующее положение на рынке. Они беспокоятся, что китайские компании могут вытеснить иностранных конкурентов. В этом случае западные компании могут оказаться в зависимости от поставок этих полупроводников из Китая. Покупка таких критически важных технологических компонентов у Китая может создать риски для национальной безопасности, особенно если кремний необходим в оборонной технике. Министр торговли США Джина Раймондо (Gina Raimondo) подчеркнула, что ситуация требует совместных усилий с союзниками.

США и Европа активно работают над созданием собственного производства чипов. Администрация действующего президента США выделила $52 млрд на реализацию «Закона о чипах и науке» (CHIPS and Science Act). Однако западные компании могут столкнуться с трудностью конкуренции с китайскими заводами, получающими значительные субсидии. Китайские компании строят новые заводы быстрее, чем где-либо в мире. По прогнозам, до 2026 года они построят 26 заводов, использующих 200- и 300-миллиметровые пластины. В Америке за то же время будет построено 16 заводов.

Большие инвестиции позволили китайским компаниям продолжать поставки на Запад, несмотря на растущую напряжённость в отношениях между Вашингтоном и Пекином. Китайский лидер по производству микросхем — компания Semiconductor Manufacturing International Corp. — около 20 % выручки в прошлом году получила от американских клиентов, включая Qualcomm, несмотря на то, что американское правительство внесло её в «чёрный список».

Рост производства устаревших чипов в Китае является сложным и многогранным вопросом, требующим внимания на мировом уровне. Ситуация подчёркивает важность глобального сотрудничества и стратегического планирования в области технологий, которые остаются жизненно важными для современного мира.

Учёные Токийского университета изобрели температурный датчик нового типа — он устанавливается на пластиковой подложке и позволяет контролировать температуру по всей площади микросхемы, а не только в отдельных критически важных её частях, как это устроено сегодня.

Источник изображений: u-tokyo.ac.jp

Современные электронные компоненты уменьшаются в размерах, но наращивают свою мощность, существенно обостряя проблему нагрева. Очевидные решения с вентиляционными отверстиями и активным охлаждением всё меньше подходят для отдельных сценариев — сегодня тепловые эффекты приходится учитывать ещё на этапе проектирования схем наравне с такими аспектами как электромагнитные помехи и целостность сигнала.

Традиционным решением является установка термодатчиков на потенциально самых горячих и критически важных участках — их проблема в том, что они позволяют контролировать тепловыделение лишь точечно, не всегда давая полную картину. Не спасает и моделирование: его эффективность снижается при малых масштабах компонентов, и ему поддаются не все условия работы. В качестве альтернативы учёные Токийского университета предложили плёночный термодатчик, который не оказывает существенного влияния на механические свойства микросхемы и позволяет контролировать тепловую картину по всей её площади.

Большинство традиционных термодатчиков основано на эффекте Зеебека — возникновении ЭДС в месте контакта двух разнородных проводников различной температуры. Появляющийся при этом поток электронов пропорционален перепаду тепла и поддаётся измерению. В основе предложенного японскими учёными термодатчика лежит другое явление — поперечный эффект Нернста — Эттингсгаузена. Он тоже предполагает преобразование тепла в электричество, но имеет термомагнитную природу и работает в плоскости, перпендикулярной температурному градиенту: на пластиковую плёнку наносятся материалы на основе железа и галлия, позволяя получить термодатчик с плоской поверхностью. На схемах датчика также возникает эффект Зеебека с более высокой ЭДС, но особая схема расположения элементов позволяет его подавить. Этот термодатчик гибкий, и его можно адаптировать под схему любой формы.

Подобный компонент позволяет осуществлять тепловой мониторинг цепи, продлевая тем самым срок службы всего устройства. Он пригодится не только для электроники, но и, например, в медицинских системах, где поможет создавать тепловые карты человеческого тела для диагностики.

Компания SK hynix представила первые в индустрии стеки высокоскоростной памяти HBM3, состоящие из 12 микросхем. Они обладают объёмом 24 Гбайт. Производитель отмечает, что уже начал рассылать образцы новых стеков своим партнёрам для тестов.

Источник изображений: SK hynix

«Компания разработала новые 24-гигабайтные чипы памяти HBM3, ёмкость которых на 50 % больше, чем у предыдущего продукта, чьи массовые поставки начались в июне прошлого года. Мы сможем начать поставки новых чипов памяти во второй половине текущего года и будем готовы обеспечить спрос на высокоскоростную память на фоне роста популярности технологий специальных чат-ботов на базе ИИ», — говорится в пресс-релизе производителя.

Для производства 12-слойных стеков памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт компания SK hynix применяет технологию Advanced Mass Reflow Molded Underfill, представляющую собой метод объединения нескольких чипов памяти на одной подложке посредством спайки, а также технологию сквозных соединений Through Silicon Via (TSV). Она позволяет сократить толщину одного стека памяти на 40 % и в итоге получить чип такой же высоты, как и у 16-гигабайтных стеков HBM3.

SK hynix представила первое поколение высокоскоростной памяти HBM в 2013 году. Эти микросхемы памяти чаще всего используются в системах для высокопроизводительных вычислений (HPC). Новейший стандарт памяти HBM3 считается наиболее оптимальным решением для быстрой обработки больших объёмов данных и поэтому пользуется высоким спросом со стороны ведущих технологических компаний.

Оценка производительности новых 12-слойных стеков высокоскоростной памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт продолжается. В то же время компания отмечает, что заинтересованные в новом продукте клиенты уже получили его образцы.

Внимание производителей микросхем и их клиентов всё сильнее привлекают передовые технологии упаковки, которые повышают производительность за счёт эффективной компоновки микросхем. Samsung Electronics, второй в мире контрактный производитель чипов, начала предоставлять услуги по передовой упаковке и тестированию чипов для клиентов своего контрактного производства, стремясь конкурировать с мировым лидером TSMC на фоне стремительного роста сектора ИИ.

Источник изображения: Techpowerup

Samsung предлагает дополнять решения клиентов своими флагманскими решениями, например, добавляя к центральными процессорам на одну подложку свои микросхемы оперативной памяти DRAM. Так компания хочет привлечь крупные технологические компании, разрабатывающие свои собственные микросхемы для ИИ. «Samsung является комплексным производителем полупроводников, который может работать во всех сферах деятельности, — заявил представитель компании. — Мы обеспечиваем наилучшую производительность на всех этапах процесса производства чипов, чтобы помочь клиентам внедрять инновации».

Сегмент передовой упаковки чипов быстро растёт. Согласно прогнозам, к 2027 году этот сегмент мирового рынка вырастет почти втрое до $7,9 млрд с $2,7 млрд в 2021 году. Samsung уже приняла различные меры для расширения своего присутствия на рынке. Компания разработала память с высокой пропускной способностью (HBM), которая позволяет обрабатывать большой объём данных за счёт объединения нескольких микросхем DRAM, а также продвигает технологию гетерогенной интеграции, которая соединяет HBM и CPU.

В конце прошлого года компания создала отдельную команду для передового упаковочного бизнеса под непосредственным контролем Кён Ке Хёна (Kyung Kye Hyun), президента и главного исполнительного директора подразделения решений для устройств Samsung. «Мы помогаем клиентам справиться с быстрыми изменениями рыночного спроса» , — заявил представитель Samsung.

Samsung готова предоставить клиентам передовые технологии для упаковки нескольких микросхем в один корпус, такие как 2,5D и 3D. В 2,5D-структуре несколько чипов размещаются бок о бок на кремниевой подложке для достижения чрезвычайно высокой плотности межсоединений. В 3D-структуре микросхемы упаковываются путём укладки одна на другую для обеспечения кратчайшего межсоединения и наименьшей занимаемой площади.

Samsung стремится привлечь крупные технологические компании, такие как Google, Microsoft, Tencent, которые продвигают технологии ИИ и высокопроизводительных вычислений, для комплексного обслуживания «под ключ». Этим глобальным технологическим гигантам требуются высокопроизводительные чипы с максимальной плотностью размещения. Услуги Samsung по упаковке позволяют этим компаниям сократить время на закупку полупроводников и сократить расходы на управление цепочками поставок.

Samsung надеется увеличить свою долю рынка за счёт крупнейшего в мире производителя полупроводниковых изделий TSMC, на долю которого сейчас приходится более 50 % мировой отрасли. Это весьма амбициозная задача, так как TSMC только на Тайване располагает пятью заводами по упаковке чипов, а в июне прошлого года открыла центр исследований и разработок для технологий 3D-упаковки в Японии.

Проектирование микросхем — сложная и кропотливая работа. ИИ оказался способен помочь создавать новые чипы для центров обработки данных, смартфонов и устройств интернета вещей (IoT). Компания Synopsys, занимающаяся созданием ПО для разработки электроники и микросхем, объявила, что её инструмент DSO.ai уже успешно помог в разработке сотни чипов, и ожидает, что тенденция к росту продолжится.

Источник изображения: pexels.com

ИИ-инструмент от Synopsys позволил таким компаниям, как STMicroelectronics и SK hynix ускорить разработку полупроводников в условиях растущей конкуренции. За последние несколько лет спрос на новые чипы увеличился, а стоимость разработки резко возросла. Такие инструменты, как DSO.ai, предназначены как раз для снижения стоимости проектирования путём выполнения рутинной работы по оптимизации расположения компонентов чипа вместо инженеров-людей.

Сотня разработанных проектов чипов после обработки ИИ показала снижение энергопотребления до 25 % при трёхкратном увеличении производительности труда инженеров. SK hynix сообщает, что использование DSO.ai позволило уменьшить площадь ячейки памяти на 15 % и сократить общий размер кристалла на 5 %. DSO.ai особенно полезен при разработке макетов для решений из нескольких кристаллов, которая требует большого количества рутинной работы.

Synopsys утверждает, что DSO.ai не отнимает ничьих рабочих мест (пока), зато может автоматизировать утомительную, повторяющуюся работу, отнимающую инженерное время, позволяя людям направить силы на настоящие инновации и новые проекты. Например, проектирование микросхем при помощи ИИ может позволить компаниям, не имеющим большого штата инженеров, разрабатывать более продвинутые чипы. Тем не менее, ни одна технология, автоматизирующая работу, которую раньше выполняли люди, не привела к созданию большего количества рабочих мест для людей.

Источник изображения: pexels.com

Со всеми последними инновациями в области искусственного интеллекта кардинально меняется процесс создания. ChatGPT от OpenAI, встроенный теперь в продукты Microsoft, может писать истории, создавать компьютерный код и отвечать на поисковые запросы на естественном языке. Между тем, Dall-E от OpenAI побеждает творцов-людей в художественных конкурсах. ИИ также используется в играх и 3D-технологиях, например, повышение частоты кадров DLSS от NVIDIA. ИИ больше не является абстрактной идеей — всё чаще плоды труда ИИ встречаются в повседневной жизни. Пока что это хорошо. Что будет дальше?

Объёмы поставок микросхем в Китай в 2022 году оказались ниже, чем годом ранее. Это произошло впервые почти за два последних десятилетия, пишет Bloomberg. По данным Главного таможенного управления КНР, в прошлом году в страну было импортировано 538,4 млрд чипов. Это на 15 % меньше, чем было в 2021 году, когда было завезено 635,6 млрд интегральных микросхем.

Источник изображения: TSMC

Снижение импорта чипов в Китай наблюдается впервые с 2004 года. Для сравнения, в 2021, 2020 и 2019 годах этот показатель рос на 17, 22 и 6,6 процентов соответственно.

Падение поставок отмечается на фоне ужесточения торговых санкций со стороны американского правительства, запрещающего продажу передовых микросхем в Китай. В прошлом году США ввели ограничения на экспорт некоторых типов полупроводников, которые могут использоваться для программ развития искусственного интеллекта и создания суперкомпьютеров. Тем самым американские власти пытаются ограничить стремления Китая в развитии собственного производства микросхем и укрепление своего военного потенциала.

На фоне ослабления спроса на электронику и экспортных ограничений со стороны США Китай также снизил объёмы закупок оборудования для производства чипов. Кроме того, страна также снижает темпы инвестиций по созданию собственного производства микросхем для конкуренции с США, поскольку новые вспышки COVID-19 создают дополнительную нагрузку на её финансовый сектор, отмечает Bloomberg.

Компания Samsung анонсировала видеопамять нового типа — GDDR6W. Она разработана с использованием новой технологии упаковки FOWLP (Fan-Out Wafer-Level Packaging), которая позволила удвоить объём и пропускную способность микросхем.

Источник изображений: Samsung

В июле Samsung начала поставки чипов памяти GDDR6 со скоростью 24 Гбит/с на контакт. Производитель отмечает, что новая GDDR6W обеспечивает вдвое большую пропускную способность по сравнению с GDDR6 и вдвое больший объём при сохранении тех же размеров упаковки — всё благодаря тому, что в одном чипе удалось разместить вдвое больше кристаллов памяти, как видно на изображении ниже. Благодаря этому ёмкость одного чипа памяти увеличивается с 16 до 32 Гбит (с 2 до 4 Гбайт), а количество вводов-выводов с 32 до 64.

Технология FOWLP предусматривает установку кристалла памяти непосредственно на кремниевой пластине, а не на печатной плате. А использование технологии редистрибутивного слоя (redistributive layer, RDL) позволяет обеспечить гораздо более тонкие схемы разводки. Отсутствие печатной платы в конструкции чипа памяти GDDR6W уменьшает толщину упаковки микросхемы и повышает эффективность рассеивания тепла, указывают в Samsung. Высота корпуса GDDR6W составляет 0,7 мм. Это на 36 % меньше, чем у GDDR6 (1,1 мм). То есть, фактически, Samsung смогла разместить больше памяти даже в меньшем объёме, чем раньше.

Представленная память GDDR6W способна обеспечить пропускную способность уровня памяти HBM. Например, память HBM2E обеспечивает скорость передачи данных в 3,2 Гбит/с на контакт и ускоритель с ней способен обеспечить пропускную способность в 1,6 Тбайт/с. В свою очередь GDDR6W может обеспечить пропускную способность на уровне 1,4 Тбайт/с на основе 512 контактов ввода-вывода при скорости передачи 22 Гбит/с на контакт.

Samsung сообщила, что завершила процедуру стандартизации JEDEC для продуктов GDDR6W во втором квартале этого года. Компания также отметила, что расширит применение GDDR6W на устройства малого форм-фактора, такие как ноутбуки, а также на новые высокопроизводительные ускорители для ИИ и HPC.