Samsung изготовила образец 16-слойного стека памяти HBM для ИИ-ускорителей будущего

Компания Samsung объявила, что изготовила образец 16-слойного стека памяти HBM — такие будут применяться с переходом на память HBM4. Предсерийные образцы этих стеков появятся в 2025 году, а массовое производство стартует в 2026 году.

Источник изображения: samsung.com

О создании стека HBM из 16 кристаллов с гибридным соединением сообщил вице-президент Samsung Ким Дэ У (Kim Dae-woo), передаёт TheElec. Этот чип был изготовлен в соответствии со стандартом HBM3, но аналогичное решение будет использоваться и в более производительной продукции HBM4. Ожидалось, что Samsung использует гибридное соединение лишь для одного или двух кристаллов, но в итоге компания применила этот метод ко всем шестнадцати.

Образец 16-слойного стека был изготовлен на оборудовании Semes — дочерней компании Samsung. В Samsung рассматривали возможность использовать гибридное соединение или термокомпрессионную непроводящую плёнку (TC-NCF) для памяти HBM4, тестирование которой начнётся в 2025 году, а массовое производство стартует в 2026 году, пояснил господин Ким.

В чипах HBM3E компания Samsung применяет технологию TC-NCF, а гибридное соединение обещает быть более эффективным, поскольку позволяет компактно добавлять больше слоёв без сквозных соединений TSV (Through Silicon Via).