Компания TeamGroup сообщила, что готовит к выпуску модули оперативной памяти Elite DDR5 и Elite Plus DDR5, соответствующие спецификациям JEDEC 6400 МТ/c. Иными словами, эти модули по умолчанию, без использования профилей разгона работать в режиме DDR5-6400.

Источник изображений: TeamGroup

Производитель заявляет, что новинки обладают таймингами CL52-52-52-103 и работают с напряжением 1,1 В. Модули памяти TeamGroup Elite Plus DDR5-6400 отличаются от модулей Elite DDR5-6400 наличием компактного радиатора охлаждения.

Напомним, что TeamGroup оказалась одной из первых компаний, кто представил модули оперативной памяти, соответствующие спецификациям JEDEC DDR5-4800 МТ/с, ещё до фактического выхода процессоров Intel Core 12-го поколения (Alder Lake) с их поддержкой. Ожидается, что осенью текущего года Intel представит 14-е поколение процессоров Core, представляющих собой обновлённые Raptor Lake Refresh. Новые чипы изначально получат поддержку более скоростной оперативной памяти. Если для актуальных моделей Raptor Lake заявляется поддержка DDR5-5600, то новинки получат поддержку DDR5-6400.

Очевидно, что многие геймеры по всему миру будут обращать внимание на ещё более скоростные комплекты оперативной памяти, поддерживающие профили разгона XMP 3.0. В свою очередь соответствующие спецификациям JEDEC модули ОЗУ будут привлекать внимание системных интеграторов, а также производителей рабочих станций и офисных ПК на базе новейшей серии процессоров Intel.

По данным TeamGroup, модули оперативной памяти Elite DDR5-6400 и Elite Plus DDR5-6400 поступят в продажу в США и на Тайване в следующем месяце. О сроках их доступности в других регионах производитель не уточнил.

Micron стала первым производителем модулей памяти DDR5 объёмом 24 Гбайт и первым же их поставщиком. Компания хочет сохранить за собой лидерство «первопроходца» и готовит к массовому производству первые на рынке 32-гигабитные чипы памяти DDR5, а также модули ОЗУ большой ёмкости. Старт производства этих продуктов запланирован на первую половину следующего года.

Источник изображений: Micron

Монолитные 32-гигабитные чипы памяти DDR5 будут производиться с использованием технологического процесса 1β (1-бета), являющегося самым продвинутым у производителя, а также последним техпроцессом Micron, в котором не применяется литография в экстремальном ультрафиолете. Компания пока не готова делиться информацией о пропускной способности будущих чипов памяти.

Одним из преимуществ современных технологий производства чипов DRAM является то, что с их помощью можно создавать монолитные микросхемы очень большой ёмкости. Те же 32-гигабитные чипы DDR5 окажутся очень полезными для производства серверных модулей ОЗУ большой ёмкости. Теоретически на базе 32-гигабитных модулей DDR5 можно будет создавать модули памяти объёмом до 1 Тбайт (на основе 32 8-стектовых 32-гигабитных чипов). Правда, сама Micron такие продукты анонсировать пока не спешит. Вместо них производитель планирует выпускать модули ОЗУ DDR5 объёмом 128, 192 и 256 Гбайт.

Отсутствие в дорожной карте будущих продуктов Micron модулей памяти DDR5 объёмом 512 Гбайт и 1 Тбайт может означать, что производитель пока рассматривает такие продукты очень нишевыми. Впрочем, это не исключает возможности, что компания в какой-то степени всё же рассматривает возможность выпуска таких модулей, но доступными они будут только для избранных клиентов.

В дорожной карте Micron также указано, что компания планирует с середины 2024 года начать массовое производство 16-гигабитных и 24-гигабитных чипов памяти GDDR7 со скоростью передачи данных 32 ГТ/с (гигатрансферов в секунду). Кроме того, она работает над памятью HBMNext. Это новое поколение высокопроизводительной памяти должно обеспечить полосу пропускания от 1,5 Тбайт/с до более чем 2 Тбайт/с на стек при ёмкости от 36 до 64 Гбайт. Ранее производитель представил память HBM3 Gen2 с пропускной способностью 1,2 Тбайт/с, которая на 44 % быстрее обычной HBM3.

Тайваньский оверклокер Чи Хуа Ке (Chi-Hua Ke), известный под псевдонимом HiCookie и тесно сотрудничающий с компанией Gigabyte, а также с её игровым брендом Aorus, разогнал пару модулей оперативной памяти Aorus DDR5-8400 до эффективной частоты 9058 МГц на платформе AMD AM5.

Источник изображения: VideoCardz

Изначально для новой платформы AMD наиболее оптимальным вариантом считалось использование комплектов памяти DDR5-6000. Более быстрые модули ОЗУ работали с процессорами Ryzen 7000 либо крайне нестабильно, либо вовсе отказывались запускаться. Однако новая библиотека AGESA 1.0.0.7B значительно повышает стабильность работы на платформе более скоростных модулей ОЗУ, вплоть до DDR5-8200, лучше раскрывая потенциал платформы. Ранее поддержка столь быстрых модулей присутствовала только на материнских платах Intel с чипсетами 700-й серии.

Некоторые производители системных плат уже выпустили свежие версии BIOS на основе AGESA 1.0.0.7B для плат AMD 600-й серии. Менее чем через сутки после этого оверклокер HiCookie отчитался, что смог разогнать на плате Gigabyte B650E Aorus Tachyon память Aorus с заявленной поддрежкой работы в режиме DDR5-8400 до эффективной частоты 9058 МГц.

Источник изображения: HiCookie

При этом энтузиасту удалось сохранить, а местами даже улучшить первичные тайминги, официально заявленные производителем для профиля DDR5-8400. Двухканальный комплект памяти общим объёмом 32 Гбайт заработал при задержках CL56-56-126-127 (сама Gigabyte заявляет для этого комплекта CL56-56-136-130) и напряжении в 1,4 В.

Источник изображения: HiCookie

В системе, на которой проводился разгон памяти, также использовался процессор Ryzen 7 7800X3D. Очевидно, что это далеко не последняя попытка разгона памяти на платформе AMD AM5 до ещё более высокой частоты работы.

К слову, текущий абсолютный рекорд разгона памяти DDR5 принадлежит всё тому же HiCookie. На материнской плате Gigabyte Z790 Aorus Tachyon он добился от одного модуля ОЗУ объёмом 16 Гбайт работы на эффективной частоте 11 254 МГц. Платформе AMD ещё есть куда стремиться.

Некоторые производители материнских плат сообщили, что завершают разработку новых версий BIOS для системных плат с чипсетами AMD 600-й серии на основе обновлённой библиотеки AMD AGESA 1.0.0.7B. Обновление значительно повышает стабильность работы высокоскоростных модулей оперативной памяти с процессорами Ryzen 7000.

Источник изображения: VideoCardz

Новая версия библиотеки AGESA значительно улучшает синхронизацию работы контроллера памяти и самой ОЗУ, что повышает общую совместимость и стабильность работы системы с высокоскоростными модулями памяти. Например, компания ASRock уже выпустила свежие версии BIOS для некоторых плат AMD AM5. Энтузиаст Buildzoid отмечает, что поддержка и стабильность работы высокоскоростных модулей ОЗУ реализована даже на относительно недорогих платах в ценовом сегменте ниже $300. В качестве примера приводится работа комплекта ОЗУ DDR5-8000 в сочетании с процессором Ryzen 9 7900X на плате ASRock B650 LiveMixer стоимостью $223.

DDR5-8000. Источник изображения: buildzoid

Многие производители, а также владельцы плат AMD 600-й серии делятся в Сети другими примерами работы скоростных модулей ОЗУ на платформе. Пользователь k_mic подтверждает, что Ryzen 7 7800X3D без проблем работает с материнской платой ASUS ROG Crosshair X670 Gene с BIOS версии 1512 и комплектом памяти DDR5-8000.

DDR5-8000. Источник изображения: k_mic

Компания MSI продемонстрировала работу комплектов памяти DDR5-7600, разогнанных до DDR5-8200 в системе с процессором Ryzen 9 7950X и платой X670E ACE. Для теста использовался комплект ОЗУ OLOY DDR5-7600, который производителем не тестировался на возможность работы на частоте 8200 МГц.

DDR5-8200. Источник изображения: chi11eddog

Gigabyte сообщила об успешном завершении тестов комплекта ОЗУ с профилем XMP DDR5-8000 от компании KLEVV на материнской плате Gigabyte X670E Aorus Master в сочетании с процессором Ryzen 9 7900X3D. Память работала с таймингами 38-48-48-128-176 при напряжении 1,45 В. Производитель рекомендует следить за появлением свежих версий BIOS на её сайте.

DDR5-8000. Источник изображения: Gigabyte

ASRock сообщила об успешных тестах платы X670E Taichi с чипом Ryzen 9 7950X3D и комплектом ОЗУ с профилем разгона AMD EXPO DDR5-7200. Для тестов использовались модули памяти G.Skill Trident Z5 NEO, работавшие при таймингах CL34-45-45-115 и напряжении 1,4 В.

DDR5-7200. Источник изображения: ASRock

Новые версии BIOS на библиотеке AMD AGESA 1.0.0.7B ограничивают максимальное значение напряжение SoC процессоров Ryzen 7000 на уровне 1,3 В, однако возможность запуска высокоскоростных модулей ОЗУ сохраняется даже при напряжении SoC в 1,2 В. На форуме Reddit представитель компании сообщил, что работа над обновлением AGESA 1.0.0.7B ведётся уже два месяца. Он также отметил, что многие системы на базе процессоров Ryzen 7000 смогут обеспечить работу ОЗУ при скорости 6400 МТ/с и синхронности работы контроллера и самой памяти в режиме 1:1. Свежая прошивка также добавляет новые настройки, которые позволяют вручную изменять ранее скрытые параметры таймингов внутреннего контроллера памяти. Как показывают примеры выше, модули памяти со скоростью передачи данных 7600–7800 МТ/с смогут работать на многих материнских платах AMD 600-й серии. А при использовании плат старшего ценового сегмента и при наличии некоторой удачи — на ещё более высоких скоростях.

Разработчику под псевдонимом NTDev в рамках его проекта Tiny11 удалось продемонстрировать загрузку и работу Windows 11 в системе, располагающей всего 176 Мбайт ОЗУ. Это составляет примерно 5 % от минимального требуемого Microsoft объёма оперативной памяти для этой ОС. Чтобы достичь такого результата, компоненты и драйверы Windows 11 были урезаны до минимума.

Источник изображения: NTDEV

По словам разработчика, «обширные пробы и ошибки, позволяющие увидеть, какие драйверы и службы абсолютно необходимы для загрузки Windows 11», были основными действиями, необходимыми для запуска и последующей работы системы. Учитывались даже такие вещи, как интерфейс дисковода (использовался IDE).

В представленном NTDev видео показано, что при использовании небольших приложений и утилит система «на удивление удобна в использовании» и отзывчива. Для возможности запуска на таком ограниченном объёме ОЗУ исследователю пришлось пожертвовать «Проводником» и использовать командную строку. Его предыдущая попытка запуска Windows 11 на 200 Мбайт ОЗУ была признана не слишком удачной и «ужасно медленной» из-за работающего в фоновом режиме «Проводника».

В видео можно увидеть, какие драйверы запускались при загрузке, какие службы были остановлены, а какие отключены. Разработчик использовал программный инструмент ServiWin от NirSoft на своей системе с 176 МБ ОЗУ для достижения такого уровня тонкой настройки.

Разработчик программы предварительной оценки Windows с ником Xeno отметил, что Windows 11 исключительно с текстовым интерфейсом может работать всего на 96 Мбайт. При этом он признал, что такая установка Windows 11 непрактична, поэтому она гораздо менее привлекательна, чем «удивительно полезная» попытка NTDev.

Ранее NTDev стал известен после того, как ему удалось заставить Windows 11 работать полностью в видеопамяти графического процессора. Он также создал пакеты компактной установки Windows Tiny11 и Tiny10, которые требуют всего 2 Гбайт ОЗУ для полноценной работы операционной системы.

Конечно, сейчас довольно удивительно читать о запуске Windows 11 в столь ограниченных объёмах оперативно памяти, но ведь совсем недавно Windows XP довольствовалась 64 Мбайт ОЗУ, выполняя во многом те же задачи, что и современные ОС. Windows 95 было достаточно 4 Мбайт, а Windows 3.1 запускалась из-под MS DOS на 1 Мбайт ОЗУ… А PDP-11 обеспечивала в 70-х годах прошлого века многопользовательский режим работы в разделяемом времени для 12 терминалов всего на 128 Кбайт (!) ОЗУ. А ведь именно на PDP-11 была разработана UNIX.

Ученые Токийского технологического института представили вариант стековой оперативной памяти, который в четыре раза быстрее памяти HBM2E и при этом потребляет в пять раз меньше энергии. Новый вариант памяти назвали Bumpless Build Cube 3D (BBCube) за отсутствие в его основе традиционных массивов шариковых контактов для послойной пайки кристаллов.

Источник изображений: Tokyo Institute of Technology

Решение было представлено на симпозиуме VLSI IEEE 2023 в июне 2023 года. Японские исследователи не просто предложили концепцию, они представили детальное описание техпроцесса для изготовления такой памяти.

Память HBM, как известно, помогает обойти ряд ограничений на работу с блоком ОЗУ специализированного, центрального и графического процессора. Это ограничения на доступный процессору объём оперативной памяти, что обходит стековая архитектура HBM, а также ограничения на пропускную способность, что тоже решается стеком и структурной организацией HBM.

В то же время современный подход к сборке стеков HBM накладывает свои ограничения на возможности этой памяти. Каждый слой (кристалл DRAM) в стеке нельзя сделать тоньше определённой величины и нельзя увеличить количество межслойных контактов-шариков выше определённого значения. В противном случае это грозит механическими повреждениями и коротким замыканием. Проще говоря, увеличивает уровень брака, что никому не нужно.

Японцы предложили выбросить из техпроцесса сборки стека DRAM шарики-контакты. Это даст целый ряд преимуществ: кристаллы станут тоньше, поскольку уменьшатся механические напряжения в слоях, линии сквозных соединений TSVs станут короче (это позволит чипам лучше охлаждаться за счёт более высокой плотности TSVs на объём кристаллов — это будут своего рода тепловые трубки), стеки будут укрупняться, что позволит увеличить объём отдельных модулей до 64 Гбайт при использовании 16-Гбит кристаллов (в теории допустимо собирать до 40 кристаллов в стеке).

Профессор Такаюки Охба (Takayuki Ohba), руководитель исследовательской группы, сказал: «BBCube 3D имеет потенциал для достижения пропускной способности в 1,6 терабайт в секунду, что в 30 раз выше, чем у DDR5 и в четыре раза выше, чем у HBM2E».

Проблему взаимных помех в сильно уплотнённых линиях TSVs-соединений предложено решить за счёт управления фазами сигналов в соседних линиях. Управляющий сигнал в определённой линии ввода-вывода никогда не возникнет, пока активны соседние линии.

Охба добавил: «Благодаря низкому тепловому сопротивлению и низкому импедансу BBCube, проблемы терморегулирования и питания, характерные для 3D-интеграции, могут быть сняты. В результате, предложенная технология может достичь потрясающей пропускной способности с энергией доступа к битам, которая составит 1/20 и 1/5 от DDR5 и HBM2E, соответственно».

Компания G.Skill без лишнего шума начала продажи двухканального комплекта небинарной оперативной памяти Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 с поддержкой профилей разгона AMD EXPO. В состав комплекта общим объёмом 48 Гбайт входят два модуля ОЗУ нестандартного объёма 24 Гбайт каждый.

Источник изображений: G.Skill

Напомним, что модули ОЗУ G.Skill серии Trident Z5 Neo DDR5 оптимизированы для работы с процессорами AMD Ryzen 7000. Выпущенный компанией комплект памяти, поддерживающий пропускную способность на уровне 6000 МТ/с, работает с профилем DDR5-6000, для которого заявляются тайминги CL40 48-48-96 и рабочее напряжение в 1,35 В. Без использования профиля разгона AMD EXPO память сертифицирована на работу с пропускной способностью 5600 МТ/с при напряжении 1,10 В.

Традиционно серия оперативной памяти G.Skill Trident рассчитана на энтузиастов разгона. Модули Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 оснащаются алюминиевыми радиаторами и, как предполагает имя, предусматривают RGB-подсветку. Поскольку напряжение в 1,35 В для памяти стандарта DDR5 является весьма высоким, а сами модули ОЗУ оснащены собственными контроллерами питания, наличие радиаторов на них определённо не будет лишним.

На этапе выхода небинарных модулей памяти объёмом 24 и 48 Гбайт они поддерживались только платформой Intel LGA 1700, а потому оснащались только поддержкой профилей разгона Intel XMP 3.0. В ранних отчётах говорилось, что на системах AMD они вели себя крайне нестабильно. Судя по всему, AMD вместе с производителями материнских плат и оперативной памяти в конечном итоге решила этот вопрос. Весьма вероятно, что для полноценной поддержки указанных модулей ОЗУ потребуется обновление UEFI BIOS материнских плат для процессоров Ryzen 7000.

На момент написания данной заметки двухканальный комплект памяти G.Skill Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 48GB (маркировка F5-6000J4048F24GX2-TZ5NR) предлагался западным ретейлером Newegg за $159,99.

Компания G.Skill тестирует модули памяти Trident Z5 DDR5 нестандартного объёма 24 Гбайт с поддержкой профилей разгона AMD EXPO, то есть предназначенные для использования с процессорами AMD и в частности чипами Ryzen 7000. Фотографиями новинок поделился инсайдер MEGAsizeGPU.

Источник изображений: Twitter / @Zed_Wang

Модули памяти Trident Z5 DDR5 объёмом 24 Гбайт с поддержкой AMD EXPO имеют заявленную эффективную частоту 6000 МГц, работают при таймингах CL40-48-48-96 и под напряжением 1,35 В. Судя по фотографии выше, указанные модули имеют модельный номер F5-6000J4048F24GX2-TZ5NR.

По словам источника, G.Skill собирается их предлагать в виде двухканальных комплектов из двух планок памяти общим объёмом 48 Гбайт. Новинки уже работают на платформе AMD Socket AM5 и системы на их основе без проблем запускают операционную систему Windows. По данным программы CPU-Z, производителем чипов памяти DRAM, которые используются в составе указанных модулей, является компания SpecTek, которая в свою очередь является дочерней компанией Micron. Иными словами, в составе этих модулей ОЗУ используются 24-гигабитные чипы Micron.

Информации о стоимости указанного двухканального комплекта памяти Trident Z5 DDR5-6000 с поддержкой профилей разгона AMD EXPO пока нет. Также неизвестно, когда компания собирается их официально представить и выпустить.

Модели памяти DDR5 нестандартно объёма в 24 и 48 Гбайт появилась на рынке относительно недавно, всего несколько месяцев назад. И в настоящий момент она полноценно поддерживается только платформой LGA 1700 и соответственно профилей разгона Intel XMP. В то же время производители материнских плат также готовят обновления для систем на базе процессоров Ryzen 7000 с поддержкой таких планок памяти.

Пока ни один из производителей ОЗУ официально не представил модули памяти объёмом 24 или 48 Гбайт с поддержкой профилей разгона AMD EXPO. Компания G.Skill, вероятно, окажется первым производителем, кто это сделает.

Производители материнских плат и модулей оперативной памяти продолжаются соревноваться между собой в разгоне модулей DDR5. Для этих целей компании нередко нанимают специалистов по разгону компонентов ПК. Компания Gigabyte сообщила, что её штатный оверклокер Чи Хуа Ке (Chi-Hua Ke), известный под псевдонимом HiCookie, установил новый мировой рекорд разгона памяти DDR5, достигнув эффективной частоты в 11 254 МГц.

Источник изображений: Gigabyte

Для эксперимента использовалась флагманская материнская плата Z790 Aorus Tachyon, а также один модуль ОЗУ Gigabyte Aorus ARS32G5D83 объёмом 16 Гбайт. Скорость передачи данных последнего энтузиаст смог повысить до 11 254 МГц. Это всего на 14 МГц больше прошлого рекорда, принадлежащего Seby9123, о котором сообщалось ранее. По сравнению с изначальным заявленным значением частоты в 5600 МГц для модуля памяти Aorus ARS32G5D83 прирост составил 101 %. Тайминги составили CL64-127-127-127.

В основе системы использовался флагманский процессор Intel Core i9-13900K. У чипа в процессе разгона оставались активны все ядра, однако их частота работы была снижена до 800 МГц.

Не удивимся, если новый установленный рекорд разгона памяти DDR5 в скором времени будет побит очередным оверклокером.

Компания ADATA организовала на выставке Computex 2023 большой стенд, на котором представила первый в мире твердотельный накопитель с PCIe 5.0 и автономным жидкостным охлаждением, блок питания, который способен обеспечить работу одновременно четырёх GeForce RTX 4090, скоростную оперативную память DDR5 и многое другое. Ниже о самых интересных новинках мы расскажем подробнее.

Начнём с экспоната, занявшего центральное место на стенде ADATA — твердотельного накопителя XPG NeonStorm. Его главной особенностью является автономная система жидкостного охлаждения. Правда, она не похожа на необслуживаемую СЖО в привычном понимании. Она представляет собой резервуар с высокопроизводительной охлаждающей жидкостью, к которой тепло от SSD передаётся через металлическое основание. Внутри резервуара проходит алюминиевая трубка, через которую пара 20-мм вентиляторов на торцах пропускает воздух, охлаждая трубку и соответственно жидкость в резервуаре.

По словам ADATA, эффективность данной системы охлаждения оказывается на величину до 20 % выше, чем у традиционных охладителей твердотельных накопителей, включая решения с вентиляторами. И при этом кулер получился сравнительно компактные — некоторые производители предлагают для SSD с PCIe 5.0 куда более массивные системами охлаждения. Ключевое преимущество СЖО накопителей ADATA NeonStorm заключается в том, что система полностью автономна и не требует подключения к ней внешнего радиатора охлаждения.

В основе накопителя NeonStorm лежит контроллер Silicon Motion SM2508. Он соответствует спецификациям NVMe 2.0 и способен обеспечить скорость последовательного чтения до 14 Гбайт/с, последовательной записи до 12 Гбайт/с и производительность в операциях случайного чтения и записи до 2 млн IOPS, что сравнимо с SSD для центров обработки данных, а это уже совершенно другой уровень. Объём накопителя будет достигать 8 Тбайт.

Конечно, есть у ADATA и более традиционное решение с PCIe 5.0 — Legend 970. Этот SSD обладает довольно компактным алюминиевым радиатором, в который встроен крошечный вентилятор. Наличие последнего, по заверениям разработчиков, обеспечивает на 18 % лучшее охлаждение, нежели обычные радиаторы. Для данного SSD заявлены скорости чтения и записи до 10 Гбайт/с, и случайных операций до 1,4 млн IOPS. Будут предложены модели на 1 и 2 Тбайт. Применён контроллер Phison E26.

А ещё ADATA показала внешний SSD под названием SE920, который обладает вентилятором, поддержкой USB4, скоростью чтения до 3800 Мбайт/с и скоростью записи до 3200 Мбайт/с. В основном внешние SSD куда более медленные.

ADATA вместе со своим игровым брендом XPG представила свежие комплекты моделей оперативной памяти XPG DDR5, которые ориентированы на энтузиастов. Самый продвинутый комплект был представлен в семействе XPG Caster RGB — он обладает объёмом 24 Гбайт (два модуля по 12 Гбайт), но при этом поддерживает работу в режиме DDR5-9000, то есть со скоростью в 9000 МТ/с. На данный момент это один из самых быстрых комплектов ОЗУ.

Ещё был показан комплект XPG Lancer RGB ROG Edition с поддержкой режима работы DDR5-7200. Новинка, по словам компании, способна предложить некие дополнительные преимущества при использовании её на материнских платах ASUS ROG. А как минимум, данные модули внешне сочетаются с платами ASUS ROG.

Наконец, был продемонстрирован комплект модулей R-DIMM DDR5-6400 с поддержкой разгона, предназначенный для рабочих станций на базе процессоров Intel Xeon W.

Ещё одним впечатляющим экспонатом стенда ADATA стал блок питания XPG Fusion Titanium 1600 мощностью 1600 Вт. Точнее, впечатляюще выглядела система с этим блоком питания и четырьмя видеокартами GeForce RTX 4090. Как показал мониторинг, при пиковой нагрузке данная система потребляла более 1900 Вт, а это говорит о высоком запасе мощности у данного БП. Новинка обладает максимальным уровнем энергоэффективности 80 Plus Titanium, полностью модульной конструкцией и использует исключительно японские конденсаторы.

Ещё много внимания ADATA уделила корпусам, выпускаемым под игровым брендом XPG. Был представлен флагманский корпус XPG Battlecruiser II для создания мощных игровых ПК. Он поддерживает материнские платы E-ATX, а также системы жидкостного охлаждения с огромными 420-мм радиаторами. Отличительной особенностью корпуса является наличие четырёх панелей из закалённого стекла: по бокам, а также спереди и сверху, что в сочетании с ARGB-подсветкой обеспечивает привлекательный внешний вид.

Ещё был показан корпус XPG Stealth Silent, который позволяет собрать мощную, но в то же время тихую систему. Его внешние панели изнутри обшиты материалом, который поглощает звук. При этом производитель позаботился и о вентиляции: форма передней панели обеспечивает достаточный приток воздуха, а верхняя панель может приоткрываться для дополнительного притока воздуха. А если этого окажется недостаточно, то переднюю панель можно легко снять. Также отметим, что в корпусе применяются мощные вентиляторы от японской Nedac.

Ещё были показаны корпуса Valor Mesh с улучшенной вентиляцией. Их передняя и верхняя панели сделаны сетчатыми, что обеспечивает хорошую продуваемость корпуса.

Показала ADATA и семейства вентиляторов Vento и Hurricane. В том числе и модель Vento Pro X со скоростью вращения до 3000 об/мин и статическим давлением до 5 мм вод. ст. Данный вентилятор наилучшим образом должен подойти для массивных радиаторов систем жидкостного охлаждения.

К слову, об СЖО. На стенде ADATA нашлось место и новым системам жидкостного охлаждения Levante X и Levante Pro X, построенные на решениях Asetek седьмого и восьмого поколений соответственно. Levante X являются более доступными решениями и предлагаются с радиаторами на 240 и 360 мм, а также обладают «бесконечной» подсветкой на крышке помпы. Levante Pro X является более мощным решением с 360-мм радиатором, более мощными вентиляторами Hurricane и опционально может быть оснащена ЖК-дисплеем на крышке помпы.

В конце хотелось бы упомянуть о семействе продуктов XPG Mera, посвящённых маскоту бренда — аниме-девушке по имени Мера. Эта специальная серия продуктов включает в себя комплектующие, периферию и аксессуары с изображением Меры или вдохновленные ее стилем. Компания предлагает корпус, гарнитуру, клавиатуру, мышь и коврик для мыши, а также геймерское кресло. Также XPG выпустил печенье-палочки поки, посвящённые Мере.

Компания G.Skill привезла на выставку Computex несколько новинок. Одной из них стал самый быстрый комплект оперативной памяти Trident Z5 DDR5 нестандартного объёма, состоящий из двух модулей ОЗУ объёмом по 24 Гбайт. Каждый из модулей работает на частоте 8800 МГц и обладает таймингами CL40-52-52-140. Новинки демонстрировались в составе системы с Intel Core i9-13900K и материнской платой ASUS ROG Z790 Apex.

Источник изображений: TechPowerUp

Компания также показала двухканальные комплекты DDR5-8000 общим объёмом 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт) с таймингами CL40-48-48-128 и новые восьмиканальные комплекты памяти R-DIMM DDR5-6000 общим объёмом 384 Гбайт с таймингами CL 30-39-39-96. Последние предназначены для новейших высокопроизводительных процессоров Intel Xeon четвёртого поколения.

Для компактных систем Intel NUC производитель представил двухканальные комплекты памяти DDR5-6400 общим объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт) и таймингами CL36-42-42-102.

Платформа AMD тоже не осталась в стороне. G.Skill представила для материнских плат на чипсете AMD X670 серию памяти Trident Z5 Neo с поддержкой профилей разгона AMD EXPO. Эти комплекты будут предлагаться в объёмах до 192 Гбайт.

Среди представленных модулей ОЗУ были варианты, оснащённые радиаторами золотого и серебряного цвета — все с RGB-подсветкой.

Отборные модули ОЗУ, опыт, терпение и жидкий азот позволили установить новый мировой рекорд разгона оперативной памяти DDR5. Достижением похвастался оверклокер Seby9123, добившийся от комплекта памяти G.Skill Trident Z5 скорости передачи данных в 11 202 МТ/с.

Источник изображений: Seby9123

Для эксперимента энтузиаст использовал материнскую плату ASUS ROG Maximus Z790 APEX, а также комплект модулей ОЗУ, сертифицированный на работу в режиме DDR5-7800 с помощью профилей разгона Intel XMP.

Оверклокеру удалось повысить фактическую частоту памяти до 5607 МГц, добившись от неё скорости передачи 11 202 МТ/с. В таком режиме комплект памяти заработал лишь при очень высоких задержках 62-126-126-127-127. Правда, в вопросе разгона ОЗУ до самой высокой возможной частоты работы это не имеет никакого значения.

История рекордов разгона ОЗУ DDR4 и DDR5. Источник изображения: Skatterbencher

Seby9123 побил предыдущий рекорд разгона ОЗУ до частоты 5567,5 МГц (11 135 МТ/с), установленный оверклокером Чи Хуа Ке (Chi-Hua Ke), известного под псевдонимом HiCookie.

В прошлом году бренд Crucial компании Micron прекратил выпуск модулей оперативной памяти Ballistix. Сегодня Crucial представил новую серию оперативной памяти Pro. В ней производитель будет выпускать модули ОЗУ стандартов DDR5-5600 и DDR4-3200. На фоне обычных модулей памяти Crucial UDIMM Classic новинки выделяются наличием радиатора охлаждения.

Источник изображений: Crucial

Модули ОЗУ Crucial DDR4-3200 Pro используют зелёные печатные платы. В свою очередь планки памяти Crucial DDR5-5600 Pro будут выпускаться с чёрным текстолитом, как и прочие модули памяти Crucial стандарта DDR5.

Память Crucial DDR5 серии Pro поддерживает профили разгона AMD EXPO и Intel XMP 3.0. Модули DDR4 той же серии работают с профилями разгона Intel XMP 2.0. Для планок Crucial DDR5-5600 Pro заявляется работа при таймингах CL46-46-45-45 и напряжении 1,1 В. Они будут выпускаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 Гбайт (2×16 Гбайт).

Модули Crucial DDR4-3200 Pro в свою очередь работают с таймингами CL22-22-22, при напряжении 1,2 В, и также будут выпускаться в виде двухканальных комплектов объёмом 32 Гбайт.

Стоимость двухканального комплекта памяти Crucial DDR5-5600 Pro общим объёмом 32 Гбайт составляет $115, что на $11 дороже комплекта памяти того же стандарта, но без радиатора охлаждения. В свою очередь комплект памяти Crucial DDR4-3200 Pro объёмом 32 Гбайт производитель оценил в $70, что на $12 дороже версии без радиатора.

Полупроводниковая компания NXP Semiconductors сообщила о сотрудничестве с тайваньским контрактным производителем микросхем TSMC в сфере выпуска магниторезистивной оперативной памяти (MRAM) для применения в автомобилях, которая впервые в данной сфере будет построена на 16-нм техпроцессе FinFET.

Источник изображения: NXP Semiconductors

Поскольку автопроизводители активно наращивают выпуск программно-конфигурируемых моделей авто, существует необходимость в поддержке выпуска нескольких поколений программных обновлений для одной аппаратной платформы. В NXP Semiconductors считают, что их процессоры S32 в сочетании с быстрой высоконадёжной энергонезависимой оперативной памятью следующего поколения, производимой по 16-нм технологии FinFET, представляют собой идеальную аппаратную платформу для таких задач.

По словам NXP Semiconductors, память MRAM способна обновить 20 Мбайт программного кода примерно за 3 секунды. Для сравнения, флеш-памяти требуется порядка одной минуты для выполнения той же задачи. Таким образом, использование MRAM-памяти сводит к минимуму время простоя, связанное с обновлением программного обеспечения, и позволяет автопроизводителям устранять узкие места, возникающие из-за длительного времени программирования модулей. Кроме того, MRAM-память способна обеспечить до миллиона циклов перезаписи и её уровень надёжности в 10 раз выше, чем у флеш-памяти и других новых технологий памяти.

Программные OTA-обновления позволяют автопроизводителям расширять функциональность своих автомобильных линеек, повышая комфорт, безопасность и удобство их использования владельцами. Поскольку практика оснащения автомобилей программными функциями становится все более распространённой, частота выпуска обновлений этих функций будет только увеличиваться. На фоне этого скорость и надёжность памяти MRAM станут ещё более важными, отмечают в NXP Semiconductors.

Технология встраиваемой MRAM-памяти на основе 16-нм техпроцесса FinFET компании TSMC значительно превосходит все требования, диктуемые сферой автомобилестроения. Она поддерживает технологию пайки расплавлением дозированного припоя, выдерживает до миллиона циклов перезаписи, а также способна обеспечить сохранение записанных на неё данных в течение 20 лет при экстремальной температуре до 150 градусов Цельсия.

Компания Colorful представила комплект двухканальной оперативной памяти CVN ICICLE DDR5-6600 общим объёмом 32 Гбайт (2×16 Гбайт). Продукт рассчитан на энтузиастов разгона, но при этом обладает привлекательной ценой.

Источник изображений: Colorful

По словам производителя, в составе новых модулей памяти используются чипы DRAM Hynix A-die, обладающие высоким потенциалом разгона. Модули памяти Colorful CVN ICICLE DDR5 поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0, однако их потенциал оверклокинга не ограничен лишь одними заранее подготовленными производителем настройками.

При стандартном профиле DDR5-6600 комплект ОЗУ Colorful CVN ICICLE работает с таймингами CL34 и напряжением 1,4 В. Однако в рамках внутренних экспериментов специалистам компании Colorful удалось дополнительно разогнать один из модулей памяти CVN ICICLE DDR5-6600 до эффективной частоты 10 708 МГц (10 708 МТ/с) при таймингах 56-126-126-127-127-2, что оказалось весьма близко к мировому рекорду, который составляет 11 136 МТ/с.

Как заявляется, добиться такого результата позволила качественная компоновка модулей памяти CVN ICICLE. В их основе используются печатные платы из 10-слойного текстолита, обеспечивающего высокую стабильность и надёжность передачи сигналов. Кроме того, у использовавшегося в составе тестовой системы процессора Intel Core i7-13700K были активны только три ядра, тактовую частоту которых снизили до 764,84 МГц. Это было сделано для того, чтобы гарантировать, что контроллер памяти получит всю необходимую ему мощность, а также для того, чтобы снизить общее энергопотребление процессора для обеспечения более чёткой и чистой передачи сигнала между CPU и ОЗУ.

Следует также отметить, что модули памяти Colorful CVN ICICLE DDR5 оснащены радиаторами охлаждения с RGB-подсветкой. Она поддерживает управление через любые популярные программы управления подсветкой от ASUS, MSI, ASRock и Gigabyte.

Рекомендованная стоимость двухканального комплекта оперативной памяти Colorful CVN ICICLE DDR5-6600 общим объёмом 32 Гбайт составляет всего $105. На него предоставляется трёхлетняя гарантия производителя.