Китайская компания YMTC выполнила ранее намеченные планы и запустила массовое производство 232-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND, тем самым обогнав в этом деле куда более именитых игроков рынка в лице Kioxia и SK hynix. Заметим, что Samsung и Micron объявили о запуске массового производства флеш-памяти с более чем 230 слоями ранее в этом году.

Источник изображений: Tech Insights

Китайский производитель анонсировал 232-слойную память YMTC X3-9070 в августе этого года, одновременно с этим представив фирменную инновационную архитектуру памяти Xtacking 3.0. Она предполагает составление чипа NAND из двух кристаллов: на одном размещается массив ячеек памяти 3D NAND, а на другом — цепи питания и управления. Массивы и контроллеры можно выпускать с использованием разных техпроцессов, поскольку первые и вторые изготавливаются на разных кремниевых пластинах. Впоследствии управляющая микросхема совмещается с массивами ячеек памяти, и на выходе появляется полнофункциональный чип памяти 3D NAND. Раздельное производство ячеек и контроллеров позволяет сэкономить место на плоскости кристаллов памяти (выпустить с каждой пластины больше ячеек), а также модернизировать ячейки или контроллеры без привязки к производству одних и других.

Для китайской YMTC, да и в целом для всей индустрии выход на массовое производство 232-слойной памяти очень знаковое событие. Ещё сильнее оно впечатляет, если вспомнить, что YMTC занялась бизнесом по производству памяти относительно недавно, в 2016 году, когда более именитые игроки рынка занимаются этими технологиями более двух десятков лет.

Первая версия архитектуры Xtacking, дебютировавшая в 2016 году и позволявшая производить 64-слойные чипы флеш-памяти, предполагала недорогой способ спайки кремниевых пластин. Уже в 2020 году YMTC вышла на массовое производство 128-слойной флеш-памяти 3D NAND. Она была основана на архитектуре Xtacking 2.0, представленной годом ранее, в которой предполагалось использование в структуре кристаллов памяти силицида никеля (NiSi) вместо силицида вольфрама (WSi) для повышения производительности самих чипов и их скорости операций ввода-вывода. Столь стремительная эволюция недорогой флеш-памяти настолько впечатлила компанию Apple, что та подписала контракт на поставку компонентов с китайским производителем. Однако из-за санкций Apple была вынуждена расторгнуть это партнёрство в октябре 2022 года.

Представленная в этом году архитектура Xtacking 3.0 ещё сильнее упрощает производственный процесс, снижает стоимость и одновременно позволят производить более многослойные микросхемы флеш-памяти. На недорогую 232-слойную флеш-память YMTC определённо найдётся огромное количество покупателей среди производителей бытовой электроники, смартфонов, телевизоров и прочей техники. Использование многослойной памяти напрямую влияет на размеры электронных устройств. Чем больше слоёв у чипов памяти, тем меньше микросхем требуется для того или иного устройства, что сокращает затраты на его производство или позволяет увеличить объёмы выпуска.

В третьем квартале 2022 года глобальный рынок флеш-памяти NAND столкнулся со значительным снижением спроса, сообщает TrendForce. Исследование показало, что за указанный период из-за неблагоприятной рыночной ситуации продажи флеш-памяти обеспечили выручку в $13,71 млрд, что на 24,3 % меньше по сравнению со вторым кварталом. При этом общая ёмкость проданных чипов NAND сократилась лишь на 6,7 % относительно предыдущего квартала.

Источник изображения: SK hynix

Сообщается, что весь рынок флеш-памяти в третьем квартале был сильно ослаблен из-за снижения спроса. Поскольку поставки конечной продукции, включая бытовую электронику и серверы, оказались ниже ожиданий, общий показатель средней цены продажи (ASP) упал на 18,3 % по сравнению со вторым кварталом. Общие экономические перспективы оставались пессимистичными, поэтому представители разных отраслей начали сокращать собственные планы капитальных расходов и снизили темпы закупок, в том числе и чипов памяти. В связи с этим проблема избыточных запасов в конечном счёте оказала негативное влияние на поставщиков флеш-памяти NAND.

В рейтинге поставщиков флеш-памяти NAND по объёму выручки в третьем квартале произошло два заметных изменения. Во-первых, SK hynix опустилась на третьем место, поскольку компания столкнулась с самым большим падением доходов среди поставщиков. По данным TrendForce, выручка SK hynix рухнула на 29,8 % по сравнению с предыдущим кварталом и составила $2,54 млрд. В основном такое снижение обусловлено падением спроса на компьютеры и смартфоны. Solidigm, дочернее предприятие SK hynix, также пострадало из-за снижения спроса на серверы.

Вторым заметным изменением в третьем квартале стало возвращение компании Kioxia на второе место рейтинга по выручке и доле рынка. Несмотря на то, что Kioxia была вынуждена значительно снизить среднюю отпускную цену флеш-памяти из-за падения спроса на потребительскую электронику, компания сумела увеличить объём поставок на 23,5 % по сравнению с предыдущим кварталом. Объём выручки Kioxia в квартале снизился всего на 0,1 % по сравнению с предыдущим трёхмесячным отрезком и составил $2,83 млрд.

Источник изображения: TrendForce

Другие производители флеш-памяти NAND, включая Samsung, Western Digital и Micron, столкнулись со значительным снижением выручки в третьем квартале из-за падения цен и спроса. Samsung за последние три месяца снизила объём поставок твердотельных накопителей корпоративным клиентам. Доход Samsung в этом сегменте в третьем квартале снизился на 28,1 % по сравнению с предыдущим кварталом и составил $4,3 млрд. Доход Western Digital в сегменте устройств на флеш-памяти NAND сократился на 28,3 % до $1,72 млрд. Доход Micron от продаж NAND в третьем квартале снизился на 26,2 % по сравнению с предыдущей четвертью года и составил $1,69 млрд.

Аналитики TrendForce считают, что в четвёртом квартале выручка от продаж флеш-памяти NAND продолжит снижаться. За исключением Samsung поставщики будут более осторожны при планировании объёмов производства, чтобы быстрее восстановить баланс между спросом и предложением.

Компания Samsung сообщила о старте массового производства чипов флеш-памяти 3D V-NAND TLC нового, 8-го поколения, пишет портал Tom’s Hardware. Новые микросхемы имеют ёмкость 1 Тбит (128 Гбайт) и, предположительно, состоят из 236 слоёв, хотя сама Samsung не уточняет данный аспект. Производитель лишь называет новинки флеш-памятью с самой высокой плотностью битов в отрасли.

Источник изображения: Samsung

Микросхемы флеш-памяти Samsung 3D V-NAND TLC 8-го поколения способны обеспечить скорость передачи на уровне 2400 МТ/с и в сочетании с передовыми контроллерами могут использоваться в составе потребительских твердотельных накопителей с интерфейсом PCIe 5.0. По словам Samsung, такие SSD предложат скорость передачи данных свыше 12,4 Гбайт/с.

Samsung утверждает, что использование новой технологии производства позволило получать больше памяти с одной кремниевой пластины — прирост составил 20 % по сравнению с выпускаемыми ранее микросхемами флэш-памяти той же ёмкости. В конечном итоге это позволит снизить производственные затраты, и потенциально может означать более дешёвые твердотельные накопители для потребителей.

Подробности архитектуры новых чипов 3D V-NAND TLC 8-го поколения компания не раскрывает. Как пишет портал Tom’s Hardware, как и другие производители, Samsung получает память с более чем 200 слоями путём укладки друг на друга 128-слойных кристаллов. В процессе «притирки» часть слоёв теряется, что не позволяет добиться идеала в виде 256-слойных микросхем 3D NAND, но никто не мешает к нему стремиться. Так ранее в этом году Micron представила чипы 3D NAND с 232 слоями, а SK hynix — с 238 слоями.

О первых продуктах на базе новых чипов флеш-памяти Samsung пока тоже ничего не говорит.

Построившая свой бизнес на наследии Toshiba компания Kioxia неожиданно для сложившихся рыночных условий в минувшую среду объявила об открытии нового предприятия по выпуску флеш-памяти стоимостью $6,79 млрд. Строительные работы на площадке Fab7 в Японии завершились ещё в апреле, а к работе предприятие приступит этой осенью после завершения монтажа оборудования.

Источник изображения: Kioxia

В префектуре Миэ появление дополнительного предприятия позволит увеличить локальные объёмы производства микросхем твердотельной памяти на 30 %, как отмечает Nikkei Asian Review. Почти десятую часть затрат на строительство Fab7 субсидировало японское правительство, предприятие сможет выпускать 162-слойную память типа 3D NAND, а затем и продукты будущих поколений. Половину затрат по проекту взяла на себя американская корпорация Western Digital, поскольку данная площадка выпускает память в интересах её совместного предприятия с Kioxia.

Предусмотрено строительство и второй фазы Fab7, хотя сроки его завершения пока не конкретизируются. Kioxia при этом продолжает строить новое предприятие и в префектуре Иватэ на севере Японии. Впрочем, спад спроса на память внёс свои коррективы в операционную деятельность Kioxia. С этого месяца количество обрабатываемых кремниевых пластин с микросхемами памяти на обоих предприятиях будет сокращено на 30 %. Сильнее оно урезалось только в 2012 году, когда Kioxia только обрела структурную независимость от Toshiba. Руководство компании не может с уверенностью утверждать, что это будут последние меры по сокращению производства памяти в обозримом будущем. С 2020 года Kioxia не может выбрать подходящий момент для публичного размещения акций, но текущая обстановка не позволяет считать такой шаг оправданным сейчас.

Хотя производители чипов флеш-памяти 3D NAND урезают объёмы выпуска своей продукции её запасов по-прежнему настолько много, что цены на изделия с ними продолжат снижаться в ближайшие месяцы. К таким выводам пришли аналитики компании Trendfocus. По их мнению, ко второй половине 2023 года цены на флеш-память могут упасть вдвое по сравнению с нынешним уровнем.

Источник изображения: Micron

Снижение спроса на рынке ПК со стороны потребителей и бизнеса означает неминуемое снижение спроса на различные компьютерные комплектующие. Сегмент флеш-памяти в целом и твердотельных накопителей в частности ощущает удар сильнее остальных. Ключевыми факторами падения рынка флеш-памяти аналитики называют относительную простоту её производства, высокую конкуренцию и большие запасы на складах.

О сокращении объёмов обработки кремниевых пластин для чипов флеш-памяти 3D NAND на 30 % с 1 октября заявила компания Kioxia. Компания Micron тоже замедлила выпуск 232-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND. Следует отметить, что на базе этих чипов выпускаются одни из самых скоростных твердотельных накопителей с пропускной способностью выше 10 Гбит/с. Однако мгновенно свои производства компании урезать не могут, отмечают специалисты Trendfocus, поэтому запасы чипов продолжат накапливаться на складах. В свою очередь производители твердотельных накопителей не спешат делать новые заказы на чипы, поскольку на их складах накопились большие запасы SSD, которые тоже необходимо реализовать.

На той же площадке Amazon сегодня можно найти твердотельный NVMe-накопитель Crucial P3 объёмом 500 Гбайт по цене всего $44. Это примерно 8,8 центов за один гигабайт. Есть и более доступные предложения. Например, 2,5-дюймовый SATA SSD PNY CS900 такого же объёма предлагается за $31 или по 6,2 цента за гигабайт. Несмотря на то, что цены памяти уже находятся на очень низком уровне, эксперты Trendfocus прогнозируют, что к середине 2023 года они упадут ещё на 40–50 %, что ещё сильнее снизит стоимость твердотельных накопителей.

Сейчас сложно подсчитать, какое количество SSD и чипов флеш-памяти 3D NAND находится на складах у десятков производителей, однако по мнению Trendfocus, этих запасов хватит как минимум на два квартала для снабжения сегмента облачных вычислений, а также производителей ПК.

Аналитики делают предположение, что стоимость накопителей продолжит снижаться как минимум в течение следующих двух кварталов. При этом сильнее всего должны подешеветь модели SSD с поддержкой интерфейсов PCIe 3.0 x4 и PCIe 4.0 x4. Накопители с новым интерфейсом PCIe 5.0 x4 ещё даже не вышли и вряд ли их ожидает быстрое падение в цене.

По прогнозам аналитиков из TrendForce, в четвёртом квартале твердотельные накопители сильно подешевеют. Эксперты считают, что цены как на клиентские, так и на корпоративные модели SSD могут рухнуть на 15–20 процентов.

Источник изображений: ComputerBase.de

Специалисты отмечают, что на рынке наблюдается значительный избыток запасов флеш-памяти 3D NAND, использующихся в SSD. Глобальный экономический кризис и связанная с ним высокая инфляция сокращают покупательских интерес к новой электронике, компьютерам и смартфонам. Многим производителям приходится прибегать к практике распродаж своих товаров. Ценовая конкуренция между поставщиками чипов памяти, такими как Samsung, SK hynix, Micron и Kioxia (вместе с Western Digital) продолжит расти, что приведёт к снижению стоимости чипов памяти, а в итоге и конечных продуктов, использующих память NAND.

Что касается рынка флеш-памяти eMMC и UFS, которая в основном применяется в мобильных устройствах, то здесь прогнозируется снижение цен на 13–18 процентов. К этому ведёт вялый спрос на хромбуки, телевизоры и смартфоны, отмечают аналитики.

Источник изображения: TrendForce

По оценкам экспертов, низкий спрос на кремниевые пластины с чипами флеш-памяти 3D NAND в сочетании с наращиванием объёмов их производства и запасов приведёт к снижению их стоимости на 20–25 % по итогам четвёртого квартала.

По данным немецкого издания ComputerBase, на местном рынке уже наблюдается снижение цен на некоторые модели твердотельных накопителей, в частности, на модели начального ценового сегмента. В некоторых случаях стоимость SSD объёмом 1 Тбайт опустилась ниже 60 евро или меньше 6 евроцентов за 1 Гбайт. Если прогнозы TrendForce верны, стоимость гигабайта должна к концу года упасть ниже 5 евроцентов.

Растущее давление инфляции на мировой рынок в сочетании с рухнувшим ещё во втором квартале спросом на память со стороны производителей смартфонов, телевизоров и ноутбуков не ослабнет как минимум до конца текущего года. Исходя из этого аналитики из TrendForce пересмотрели свой прогноз относительно снижения стоимости флеш-памяти 3D NAND. Если раньше предрекалось падение на 8–13 %, то теперь аналитики говорят об обвале до 13–18 % к концу III квартала 2022 года.

Источник изображения: YMTC

В сегменте клиентских SSD цены на флеш-память 3D NAND снизятся на 10–15 %, считают аналитики. Этому поспособствуют слабый спрос на рынке хромбуков и ноутбуков для образовательных целей, а также растущие объёмы поставок более доступных продуктов (SSD) на основе 176-слойных чипов памяти китайской компании YMTC, которая благодаря оптимизации затрат на их производство продолжает увеличивать объёмы выпуска.

Такое же снижение цен в размере 10–15 % на флеш-память 3D NAND ожидается на рынке корпоративных твердотельных накопителей. Аналитики отмечают, что закупки корпоративных SSD в третьем квартале снижаются, а заказы от держателей китайских облачных платформ не растут. Поскольку покупатели флеш-памяти 3D NAND для корпоративных SSD ожидают, что снижение контрактных цен на этот тип памяти будет наблюдаться как минимум до второго квартала 2023 года, поставщики памяти оказались не в состоянии стимулировать рост продаж своей продукции и были вынуждены пойти на ценовые уступки.

Источник изображения: TrendForce

Снижению цен на память eMMC на 13–18 % ко концу третьего квартала будут способствовать снижение поставок хромбуков и телевизоров, спрос на которые будет падать до конца текущего года, считают эксперты. И хотя спрос на сетевое оборудование, где также используется этот тип памяти, сейчас достаточно высок, он не способен компенсировать недостаток спроса на eMMC память в других сегментах.

Рынок смартфонов, где используются память типа UFS, тоже переживает не самые лучшие времена. Южнокорейская компания Samsung, а также китайские производители мобильных устройств сосредоточились на сокращении запасов своих продуктов и снизили прогнозы относительно объёмов поставок новых смартфонов. Закупки памяти UFS идут медленно и по мнению TrendForce, для стимуляции продаж её производители по итогам текущего квартала снизят на неё цены на 13–18 % вместо ранее прогнозируемых 8–13 %.

По оценкам аналитиков, низкий спрос на не нарезанные кремниевые пластины с чипами флеш-памяти 3D NAND в сочетании с наращиванием объёмов их производства и запасов приведёт к снижению их стоимости на 15–20 % по итогам текущего квартала.

На этой неделе состоится конференция Flash Memory Summit 2022, в рамках которой компания Kioxia, которая образовалась из подразделения Toshiba Memory, вместе со всей отраслью отметит важное событие. Дело в том, что в этом году исполняется 35 лет с момента изобретения флеш-памяти NAND, которая и была разработана инженером Toshiba Memory.

Источник изображения: techpowerup.com

Изобретателем флеш-памяти является японский профессор Фудзио Масуока (Fujio Masuoka), который начал работать в Toshiba в 1971 году. Оглядываясь на революционную технологию флеш-памяти, которая появилась в 1987 году, Kioxia продолжает смотреть в будущее, представляя инновационные продукты, форм-факторы и решения. В рамках выставки FMS 2022 компания расскажет о своём видении будущего флеш-памяти и её использовании для продвижения и усовершенствовании широкого спектра приложений, включая мобильные продукты, облачные вычисления, центры обработки данных, автомобильную промышленность и др.

Основную презентацию компании под названием «Kioxia: 35 лет флеш-памяти и не только» проведут Скотт Нельсон (Scott Nelson), исполнительный вице-президент и главный директор по маркетингу Kioxia, и Шигео Осима (Shigeo Ohshima), глава подразделения SSD Application Engineering. Презентация будет посвящена 35-й годовщине изобретения флеш-памяти и расскажет о том, каким компания видит будущее этой революционной технологии.

«С изобретением флеш-памяти мы вступили в совершенно новую эру — эру, которая включает в себя мобильность контента, тонкие и лёгкие форм-факторы, высокоплотное, масштабируемое хранение и многое другое. Начиная с самых первых случаев применения в 1990-х годах и заканчивая сегодняшними инновациями, влияние флеш-памяти ощущается повсюду. Проще говоря, флеш-память обогатила жизнь людей и расширила горизонты общества — и многое ещё впереди», — считает Скотт Нельсон.

Компания Micron объявила о начале поставок 232-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND TLC, обладающих самой высокой плотностью на рынке — объём одного кристалла может достигать 1 Тбит. Помимо значительно выросшей плотности новые 232-слойные чипы флеш-памяти 3D NAND TLC предлагают до двух раз более высокую скорость записи и до 75 % более высокую скорость чтения по сравнению с микросхемами предыдущего поколения.

Источник изображений: Micron

Как показано на изображении ниже, возросшая плотность позволила Micron сократить объём упаковки 232-слойного чипа флеш-памяти 3D NAND TLC на 28 % по сравнению с микросхемами предыдущего поколения. Это может оказаться полезным при производстве, например, тех же смартфонов и карт памяти microSD.

В одной упаковке размером 11,5 × 13,5 мм можно объединить до шестнадцати 232-слойных кристаллов флеш-памяти 3D NAND TLC, получив таким образом чип объёмом 2 Тбайт, который будет в три раза меньше американской почтовой марки. При наиболее плотной компоновке на 1 мм² можно записать до 14,6 Гбит информации, что на 30–100 % больше, чем у поставляющихся на рынок конкурирующих продуктов. По словам Micron, в одном таком чипе можно сохранить 340 часов видео в формате 4K.

Предложения Micron и конкурентов. Источник изображения: Tom's Hardware

Как и прежде, Micron использует в новых чипах флеш-памяти свою технологию CMOS under array (CuA), но теперь уже шестого поколения, для повышения плотности за счёт размещения CMOS под массивом ячеек. Компания также применяет конструкцию флэш-памяти с двойным стеком. Это означает, что каждый готовый кристалл состоит из двух 116-слойных кристаллов, соединённых между собой с помощью процесса, который называется последовательной укладкой. Производитель также ссылается на использование новых материалов и процессов для создания отверстий в кристалле с высокой плотностью расположения, что также сказалось на общей плотности микросхем.

Впечатляющая производительность новых флеш-чипов памяти Micron обеспечена новой шестиплоскостной архитектурой, которая впервые применяется для памяти 3D NAND TLC. Плоскость — это область кристалла флеш-памяти, которая независимо отвечает на запросы ввода-вывода, подобно тому, как каждое ядро CPU может выполнять операции параллельно. Чем больше количество плоскостей, тем больше производительность.

В предыдущем поколении флеш-памяти Micron использовалась четырёхплоскостная архитектура. Переход на шестиплоскостную позволил на 50 % (до 2,4 Гбайт/с) увеличить скорость передачи данных по интерфейсу ONFI 5.0, тем самым в целом увеличив пропускную способность кристалла памяти. По словам Micron, на уровне упаковки чипа флеш-памяти это привело к двухкратному повышению производительности в операциях записи и на 75 % увеличило скорость чтения по сравнению с предыдущим поколением, в котором были представлены 176-слойные микросхемы. Правда, это только в теории. На практике всё гораздо сложнее. Ведь это не значит, что в скором времени на рынке появятся твердотельные накопители, вдвое быстрее ныне существующих. Проблема в том, что на производительность SSD также влияют и другие факторы, такие как контроллер памяти и интерфейс. Однако прогресс компании Micron может стимулировать других производителей поднапрячься и разработать компоненты, которые смогут угнаться за новой флеш-памятью американской компании.

По словам Micron, добавление дополнительных плоскостей также положительно сказывается на качестве передачи данных и задержках при операциях записи и чтения, однако производитель пока не публикует более детальные данные на этот счёт. Логика новых 232-слойных чипов флеш-памяти Micron 3D NAND TLC поддерживает новый интерфейс NV-LPPDR4 с пониженным энергопотреблением — затраты энергии на бит уменьшены до 30 % по сравнению с интерфейсом предыдущего поколения. Другими словами, новые чипы обладают более высокой энергоэффективностью. Однако компания опять же не делится какими-то конкретными деталями и примерами.

О надёжности новых флеш-чипов памяти Micron тоже ничего не сообщает. Однако можно ожидать, что новые 232-слойные микросхемы по этому показателю будут соответствовать чипам флеш-памяти предыдущего поколения. Напомним, что показатель надёжности рассчитывается в циклах Program/Erase (P/E) (программирование/стирание). Например, предыдущее поколение памяти TLC от Micron в потребительских накопителях обычно рассчитано на 1–3 тыс. циклов P/E и на 5–10 тыс. циклов для SSD корпоративного класса. На конечный показатель также влияет тип применяемых алгоритмов коррекции ошибок (ECC). Однако от 232-слойных микросхем памяти TLC можно ожидать примерно такого же уровня надёжности.

Компания отмечает, что уже начала поставки новых 232-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND TLC OEM-производителям, а также новых твердотельных накопителей Crucial на их основе (модели не уточняются). Micron лишь недавно запустила производство новых микросхем и в течение всего оставшегося 2022 года будет увеличивать объёмы их выпуска.

Во втором квартале 2022 года произошло перенасыщение рынка флеш-памяти 3D NAND, которое совпало с крайне низкими продажами электроники и соответственно низким спросом на память со стороны производителей смартфонов, телевизоров и ноутбуков. Поэтому в третьем квартале ожидается снижение стоимости флеш-памяти 3D NAND на 8–13 %. В четвёртом квартале может наблюдаться аналогичная картина.

Источник изображения: SK hynix

Просевший пользовательский спрос на ноутбуки и ПК привёл к тому, что OEM-производители этих устройств значительно сократили объёмы закупок твердотельных накопителей на третий квартал этого года и пытаются реализовать свои запасы, оставшиеся ещё с первой половины года. С другой стороны, компания YMTC начала выпуск и поставки 176-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND QLC, усилив тем самым конкуренцию на рынке. По мнению TrendForce, стоимость твердотельных накопителей для OEM-производителей снизится в третьем квартале на 8–13 %.

Спрос на SSD корпоративного уровня во второй половине 2022 года будет ниже, чем в первой, считают аналитики. Основными причинами этому являются нестабильная экономическая ситуация в мире, а также слабая динамика закупок устройств на третий квартал в Китае, обусловленный не оправдавшим ожиданий спросом на компоненты для серверных платформ нового поколения. Стимулировать продажи поставщики SSD корпоративного уровня рассчитывают за счёт более выгодных предложений. Однако в настоящий момент покупатели не проявляют особого интереса к новым закупкам. Эксперты TrendForce считают, что в третьем квартале цены на эту продукцию снизятся на 5–10 %.

Слабый спрос на хромбуки и телевизоры сократил объём закупок памяти eMMC. Производители устройств стали внимательнее следить за объёмом своих складских запасов компонентов. Производители памяти eMMC в долгосрочной перспективе планируют снижать объёмы поставок этой продукции для поддержания стабильных цен. В ближайшей же перспективе TrendForce прогнозируют снижение цен на память eMMC в третьем квартале на 8–13 %.

Источник изображения: TrendForce

Крупная китайская распродажа «618», прошедшая в июле, не оправдала ожиданий и не обеспечила рост спроса на китайские смартфоны. Поэтому спрос на флеш-память UFS не вырос. При этом такая ситуация наблюдается не только среди китайских производителей. Та же южнокорейская компания Samsung считает, что спрос на память UFS в ближайшее время вряд ли увеличится, поэтому компания прогнозирует ослабление этого рынка во второй половине 2022 года. Изначально производители этой памяти не считали, что снижением цен смогут стимулировать рост поставок и поэтому неохотно шли на подобные переговоры. Сейчас же, когда запасы UFS на складах становятся слишком большими, снижение цен выглядит неизбежным. По прогнозам, память UFS подешевеет примерно на 8–13 % в третьем квартале.

Изначально предполагалось, что пиковый сезон продаж, а также снятие ограничительных мер в Китае освежит рынок и приведёт к росту спроса на кремниевые пластины для производства чипов флеш-памяти 3D NAND. Однако спрос на эту продукцию продолжает падать, а запасы производителей — увеличиваться. В конечном итоге и они будут вынуждены снизить цены на свои услуги. По мнению аналитиков, стоимость кремниевых пластин для производства чипов флеш-памяти 3D NAND упадёт в третьем квартале на 15–20 %.

Компания Strategy Analytics оценила расстановку сил на глобальном рынке чипов памяти для мобильных устройств по итогам первого квартала текущего года. Лидером является южнокорейский гигант Samsung, контролирующий практически половину отрасли.

Источник изображения: Samsung

По оценкам, суммарный объём поставок оперативной памяти DRAM и флеш-памяти NAND для смартфонов в период с января по март включительно составил в денежном выражении $11,5 млрд.

Приблизительно 46 % от указанной цифры составила выручка Samsung. На втором месте в рейтинге ведущих поставщиков находится SK Hynix с долей в 24 %, а замыкает тройку Micron с 15 %. Таким образом, сообща эти три компании удерживают 85 % мирового рынка.

Источник изображения: Strategy Analytics

Продажи памяти NAND за год поднялись на 7 %. В тройку крупнейших поставщиков входят Samsung, SK Hynix и Kioxia с результатом соответственно 39 %, 23 % и 20 %. Доля флеш-чипом ёмкостью 128 Гбайт в общем объёме поставок достигла 45 %.

В то же время в сегменте DRAM по итогам первой четверти 2022-го зафиксирован 7-процентный спад продаж. Здесь лидируют Samsung (52 % в общем объёме выручки), SK Hynix (25 %) и Micron (22 %).

По данным японских источников, китайская компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) готовится в конце текущего года к запуску второго завода по производству чипов флеш-памяти. На этом предприятии начался этап установки промышленного оборудования. При выходе на полную мощность завод каждый месяц сможет обрабатывать 200 тыс. 300-мм пластин с чипами 3D NAND. Это позволит Китаю меньше зависеть от иностранных поставщиков и выйти на международный рынок.

Источник изображения: Nikkei Asia

Второй завод YMTC, как и первый, будет работать в родном городе компании — Ухане. Первое предприятие с возможностью обрабатывать в месяц 100 тыс. 300-мм пластин вышло на полную мощность в конце 2021 года. От момента начала строительства до выхода на полную мощность прошло 4,5 года. Но тут надо учесть негативное влияние пандемии, которая и стартовала в Ухани.

Отметим, о начале строительства второго завода в Ухане ничего не было известно. Ранее были сообщения, что компания строит второй завод в Нанкине и третий в Чэнду. Более того, строительство завода по выпуску 3D NAND в Чэнду якобы было отменено по причине долгового кризиса компании Tsinghua Unigroup, а это главный учредитель Yangtze Memory. На сайте YMTC никакой официальной информации о втором заводе нет. Также компания не стала комментировать заметку Nikkei.

После выхода второго завода YMTC на полную мощность компания сможет каждый месяц обрабатывать до 300 тыс. 300-мм пластин с флеш-чипами, но до этого пройдёт ещё пару лет. Тем не менее, запуск второго завода позволяет китайцам увеличить долю на мировом рынке флеш-памяти с сегодняшних 5 % до более чем 10 % в будущем.

Сегодня основной продукцией YMTC являются 128- и 64-слойные чипы 3D NAND. В этом компания несколько отстаёт от некоторых конкурентов из США, Японии и Южной Кореи, которые научились массово выпускать 176-слойную память 3D NAND. Но китайцы готовятся догонять. Сообщается, что в YMTC созданы две группы из сотен инженеров для параллельной разработки техпроцессов производства 196- и 232-слойной флеш-памяти. К выпуску этой продукции в YMTC рассчитывают приступить в 2023-2024-х годах. Впрочем, образцы 196-слойной памяти компания уже выпускает и даже рассылает их клиентам, среди которых может оказаться даже компания Apple.

Компания TrendForce представила прогноз по глобальному рынку флеш-памяти NAND на третий квартал текущего года. Аналитики полагают, что цены на соответствующую продукцию по сравнению со второй четвертью 2022-го либо не изменятся, либо несколько снизятся.

Источник изображения: Micron

По оценкам TrendForce, в период с июля по сентябрь NAND-отрасль столкнётся с перенасыщением. Связано это с продолжающейся пандемией, высокой инфляцией и сложившейся геополитической ситуацией. На этом фоне, в частности, сократились продажи смартфонов. Кроме того, упал спрос на потребительские ноутбуки и хромбуки, оборудованные твердотельными накопителями.

В этой связи цены на флеш-модули eMMC и UFS, применяемые в сотовых аппаратах, а также на клиентские SSD в следующем квартале снизятся на 3–8 % по сравнению со второй четвертью текущего года. Впрочем, затем производство твердотельных накопителей постепенно вернётся к прежним объёмам. Так, Kioxia и WDC месяц за месяцем наращивают выпуск NAND-памяти.

Источник изображения: TrendForce

Что касается корпоративных твердотельных накопителей, то заказы со стороны крупных центров обработки данных остаются стабильными, а объёмы складских запасов не слишком высоки. Эти факторы способствуют устойчивому росту, а поэтому цены в третьем квартале не изменятся.

В целом, подчёркивает TrendForce, стоимость флеш-памяти NAND на мировом рынке в следующей четверти года понизится на 0–5 %.

Компания Micron Technology объявила о разработке первой в мире карты памяти стандарта microSD, способной хранить полтора терабайта информации. Изделие получило обозначение i400 — уже начаты его пробные поставки.

Источник изображений: Micron Technology

В основу новинки положены 176-слойные чипы флеш-памяти 3D NAND. Карта соответствует стандартам SD3.0 и UHS-1, а также U3, A2 и Class 10. Она обладает повышенной устойчивостью к негативным факторам окружающей среды и может функционировать в широком температурном диапазоне — от минус 25 до плюс 85 градусов Цельсия.

Решение предназначено для использования прежде всего в камерах видеонаблюдения. Утверждается, что 1,5 Тбайт ёмкости хватит для хранения видеоматериалов за 120 дней или четыре месяца.

Карта может эксплуатироваться в круглосуточном режиме 24 × 7 в течение пяти лет. Благодаря высокой производительности допускается одновременная 4К-видеозапись и обработка до восьми ИИ-событий в секунду, таких как обнаружение и классификация объектов, распознавание лиц и пр.

Заявленный показатель MTBF (средняя наработка на отказ) достигает 2 млн часов. В серию i400 также входят карты вместимостью 64, 128, 256, 512 Гбайт и 1 Тбайт.