реклама
Теги → 7 нм

Samsung представила свой первый 3-нм процессор — Exynos W1000 для будущих смарт-часов

Компания Samsung представила Exynos W1000 — первый процессор, выпускающийся с использованием её фирменного 3-нм технологического процесса производства. Предполагается, что чип станет основной для новых смарт-часов Galaxy Watch 7 и Galaxy Watch Ultra, анонс который состоится на следующей неделе.

 Источник изображений: Samsung

Источник изображений: Samsung

Samsung сообщила, что Exynos W1000 выполнен с использованием её 3-нм техпроцесса второго поколения (вероятно, SF3). В составе процессора имеются одно ядро Cortex-A78, четыре Cortex-A55, GPU Mali-G68 MP2, поддерживающий экраны с разрешением до 640 × 640 пикселей, а также 32 Гбайт встроенной памяти.

По словам компании, новый чип обеспечивает в 2,7 раза более быстрый запуск приложений по сравнению с Exynos W930, а его многопоточная производительность в 3,7 раза выше, чем у предшественника.

Для уменьшения размера чипа, повышения его производительности и энергоэффективности Samsung использовала много новых технологий в Exynos W1000. Например, в нём задействуется технология упаковки FOPLP (Fan-Out Panel Level Packaging) для повышения энергоэффективности и лучшего рассеивания тепла.

Для оснащение процессора встроенной оперативной и постоянной памятью использовалась технология упаковки ePOP (Package-on-Package). Кроме того, в новом процессоре применяется технология SiP (System-in-Package), благодаря которой в него интегрирован модуль управления питанием (PMIC).

Для Exynos W1000 заявляется поддержка технологии 2.5D Always on Display (AoD), которая обеспечивает более качественное отображение изображения и цветов в режиме постоянно включённого дисплея. Кроме того, чип поддерживает Bluetooth LE для передачи звука и энергоэффективную оперативную память стандарта LPDDR5. Для новинки также заявляется поддержка 4G LTE, Bluetooth, Wi-Fi b/g/n, GPS и NFC.

Согласно предыдущим слухам и утечкам, Exynos W1000 станет основной для смарт-часов Galaxy Watch 7 и Galaxy Watch Ultra, анонс которых ожидается на следующей неделе. Отмечается, что благодаря новым технологиям в составе Exynos W1000 эти устройства Samsung смогут работать в течение 2–3 дней от одного заряда батареи.

Samsung с трудом отлаживает 3-нм техпроцесс — уровень брака превышает 80 %

Компания Samsung с трудом наращивает объёмы выпуска мобильных процессоров Exynos 2500 на основе 3-нм техпроцесса, сообщают аналитики TrendForce со ссылкой на южнокорейское издание ZDNet. Всё дело в огромном проценте брака — к настоящему моменту производитель вышел на уровень годной продукции чуть ниже 20 %.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

В первом квартале этого года уровень выхода годных чипов составлял однозначное число процентов, так что Samsung постепенно улучшает техпроцесс. Но даже с учётом улучшения производства объёмы выхода небракованных чипов не дотягивает до перехода к массовому выпуску. Остается неясным, будут ли данные процессоры использоваться в составе смартфонов серии Galaxy S25 в будущем, но недавние слухи говорили о том, что будущие флагманы поголовно получат Snapdragon 8 Gen 4.

Для эффективного массового производства необходимо, чтобы уровень брака был ниже 40 %. Как сообщается, подразделение System LSI Samsung собирается продолжить работу над повышением качества производственного процесса годных чипов Exynos 2500 во второй половине этого года. Компания намерена выйти на выход годных чипов в 60 % к октябрю.

В том же отчёте южнокорейского издания говорится, что главный конкурент Samsung, тайваньский контрактный производитель чипов TSMC, полностью загружен заказами на производство 3-нм продукции для Apple, NVIDIA, AMD, Qualcomm, Intel и MediaTek. В конце мая TSMC сообщала, что утроила производственные мощности для выпуска 3-нм чипов, но этого по-прежнему недостаточно, чтобы покрыть все заказы, поэтому компания всё ещё прилагает усилия для удовлетворения спроса.

Японская Rapidus запустит пилотное производство 2-нм чипов уже в 2025 году

Японский стартап Rapidus планирует открыть пилотное производство 2-нм чипов в апреле 2025 года, сообщил генеральный директор Ацуёси Койке (Atsuyoshi Koike). В освоении передового техпроцесса компании помогает IBM и глобальная научно-исследовательская организация Imec. Инновационная технология обработки пластин должна обеспечить Rapidus конкурентное преимущество перед TSMC и Samsung за счёт сокращения продолжительности производственного цикла.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

«Если стоимость одинаковая, если я могу обеспечить [время цикла] в два-три раза меньше, чем на обычном заводе, что предпочтёт заказчик? — рассуждает Койке. — Мы недостаточно быстры, чтобы перейти на 2 нм [раньше TSMC], но мы можем наверстать упущенное, потому что у нас есть высокоскоростная обратная связь, позволяющая быстро наращивать темпы».

По словам аналитика Albright Stonebridge Group Пола Триоло (Paul Triolo), предсказать успех амбициозного проекта сложно: «У фирмы компетентное руководство, мощная поддержка правительства Японии и уважаемые технологические партнёры, такие как Imec и IBM. Но клиенты должны быть уверены, что передовые технологические процессы, впервые разработанные командой Rapidus-IBM-Imec, способны обеспечить привлекательную производительность и стоимость на одном уровне с мировыми лидерами TSMC и Samsung».

Rapidus, в число инвесторов которой входят Sony, Denso, Toyota, SoftBank и Kioxia, потребуется больше внешних инвестиций, чтобы начать коммерческое производство. По оценкам Койке, его компании понадобится в общей сложности 5 триллионов йен (около 31,8 миллиарда долларов). При этом правительство Японии готово предоставить Rapidus субсидии на основе годовых результатов.

Компания планирует добавить в список своих партнёров больше разработчиков чипов ИИ, таких как Tenstorrent и Esperanto. Койке заявил, что несколько компаний Кремниевой долины заинтересованы в том, чтобы стать их клиентами, но названия компаний он сообщить отказался. Rapidus планирует производить чипы ИИ для маломощных периферийных вычислений, а также мощные чипы для высокопроизводительных вычислений в центрах обработки данных.

Rapidus объединяет процессы производства и упаковки чипов, чем традиционно занимаются отдельные компании. По словам Койке, инженеры этих производств «разделены большой стеной». «Никаких обсуждений. Они говорят на разных языках. Я убрал эту стену в своей компании, чтобы они могли говорить друг с другом», — добавил он. Объединение производства и упаковки теоретически может сократить время цикла. В настоящее время Rapidus разрабатывает методы тестирования признанных годных кристаллов (known good die, KGD) и впервые в полупроводниковой промышленности собирается перейти от проектирования процессов (process design kit, PDK) к проектированию сборки (assembly design kit, ADK).

Для строительства завода в городе Титосэ на севере японского острова Хоккайдо Rapidus заключила контракт с Kajima, одной из старейших и крупнейших строительных компаний Японии. По данным Rapidus, сейчас на возведении фабрики работает 2000–3000 сотрудников Kajima, а октябрю на этом проекте будет задействовано около 5000 человек.

 Источник изображения: Rapidus

Источник изображения: Rapidus

Сама компания Rapidus уже наняла более 400 инженеров и планирует ежегодно увеличивать штат ещё на 300 человек. В этом году компания отправит около 200 из них в США для освоения 2-нм технологии, разработанной IBM. Аналитики полагают, что компания столкнётся со значительными проблемами в привлечении персонала, учитывая спрос на квалифицированную рабочую силу в Японии и расширение производственных мощностей конкурентов, таких как TSMC, Western Digital, Micron и Kioxia.

Samsung будет выпускать для AMD передовые 3-нм чипы с GAA-транзисторами

Компания Samsung объявила о расширении стратегического партнерства с американской компанией Advanced Micro Devices (AMD) в области разработки передовой 3-нанометровой технологии производства чипов. Используя более тесные связи с AMD, Samsung стремится обогнать своего главного конкурента, контрактного производителя полупроводников TSMC.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

Это партнерство позволит компаниям объединить усилия в разработке инновационных решений для производства чипов следующего поколения, которые будут использоваться в высокопроизводительных вычислительных системах, центрах обработки данных, смартфонах и других электронных устройствах.

Как сообщает корейское новостное издание KED Globall, в рамках соглашения Samsung, крупнейший в мире производитель микросхем памяти, получит доступ к передовым разработкам AMD в области архитектуры чипов, а AMD, который в свою очередь разрабатывает микропроцессоры и графические процессоры, сможет воспользоваться мощностями Samsung по производству чипов с использованием новейшей 3-нм технологии транзисторов Gate-All-Around (GAA).

Данная технология позволяет создавать чипы с рекордной плотностью транзисторов и улучшенными характеристиками производительности. По сравнению с предыдущим поколением 5-нм чипов, 3-нм чипы GAA обеспечивают прирост производительности на 30 %, снижение энергопотребления на 50 % и уменьшение площади чипа на 45 %. В настоящее время Samsung является единственным производителем в мире, который уже запустил 3-нм техпроцесс GAA в коммерческое производство, опередив основного конкурента тайваньскую компанию TSMC.

Расширение сотрудничества с AMD позволит Samsung нарастить свою долю на рынке контрактного производства чипов и сократить отставание от TSMC. Известно, что в настоящее время Samsung контролирует около 17 % этого рынка, а TSMC — более 50 %. В дальнейшем Samsung планирует начать массовый выпуск 2-нм чипов на базе технологии GAA в 2025 году, что позволит ей упрочить лидерство в области полупроводниковых технологий.

Apple представила 3-нм процессор M4 «с самым мощным NPU» в мире

В рамках мероприятия Let Loose компания Apple представила новый мобильный процессор M4, который послужит основой её продуктов нового поколения. Дебютировал он в составе новых флагманских планшетов iPad Pro с OLED-экраном.

 Источник изображений: Apple

Источник изображений: Apple

Процессор Apple M4 с более чем 28 млрд транзисторов производится с использованием 3-нм техпроцесса TSMC второго поколения. В его состав входят 10 вычислительных ядер CPU (4 производительных и 6 энергоэффективных) и 10 графических ядер GPU на новой архитектуре с поддержкой динамической кеш-памяти, а также технологий сетчатого затенения и аппаратным ускорением трассировки лучей.

Компания заявляет, что вычислительная производительность нового чипа до 50 % выше, а графическая до четырёх раз выше, чем у процессора M2. По словам Apple, новый процессор M4 также на 50 % энергоэффективное процессора M2. В рамках презентации также было заявлено, что M4 обеспечивает на фоне конкурентов такую же производительность, но при этом потребляет всего четверть от используемого ими питания. Никаких сравнительных графиков компания не привела.

В составе Apple M4 также имеется новый 16-ядерный ИИ-движок (NPU) с производительностью 38 TOPS (триллионов операций в секунду). Он примерно в 60 раз быстрее NPU в составе процессора Apple A11 Bionic. Apple заявляет, что новый NPU в составе M4 быстрее любого другого NPU, который применяется в составе так называемых AI PC от конкурентов.

В составе чипа также используется новый интерфейс дисплея с поддержкой частоты обновления до 120 Гц и технологии экрана Tandem OLED, которая применяется в новейшем планшете iPad Pro. Для Apple M4 заявляется пропускная способность унифицированной памяти на уровне 120 Гбайт/с.

Развитие под санкциями: китайская SMIC разрабатывает технологии выпуска 3-нм чипов без EUV

Несмотря на отсутствие доступа к оборудованию для выпуска чипов с литографией в экстремальном ультрафиолете (EUV) из-за санкций, китайская компания SMIC продолжает разработку 5-нм и 3-нм техпроцессов производства чипов. Ранее SMIC удалось наладить серийное производство 7-нм микросхем, опираясь исключительно на литографию в глубоком ультрафиолете (DUV), что само по себе не является невозможным — техпроцесс TSMC N7P также не использует EUV.

 Источник изображения: SMIC

Источник изображения: SMIC

В отчёте Nikkei утверждается, что сразу после запуска 7-нм техпроцесса 2-го поколения, SMIC создала исследовательскую группу для работы над 5-нм и 3-нм техпроцессами. Команду возглавляет ранее работавший в TSMC и Samsung содиректор SMIC Лян Монг-Сонг (Liang Mong-Song). «Нет более умного учёного или инженера, чем этот парень, — так охарактеризовал его Дик Терстон (Dick Thurston), бывший главный юрисконсульт TSMC. — Он действительно один из самых блестящих умов, которых я видел в области полупроводников».

SMIC прошла долгий путь от небольшой полупроводниковой фабрики до пятого по величине контрактного производителя микросхем в мире. На фоне растущей напряжённости между США и Китаем компания была включена в санкционный список Министерства торговли США и потеряла доступ к передовым инструментам для обработки кремниевых пластин, что серьёзно замедлило её развитие и внедрение новых технологических процессов.

На данный момент литографические машины ASML Twinscan NXT:2000i являются лучшими инструментами, которыми располагает SMIC — они могут производить травление с разрешением до 38 нм. Этот уровень точности обеспечивает экспонирование с шагом 38 нм с использованием двойной фотомаски, чего достаточно для производства чипов класса 7 нм. Согласно исследованиям ASML и IMEC, при 5 нм шаг металла уменьшается до 30-32 нм, а при 3 нм — до 21-24 нм, что уже требует применения EUV.

 Источник изображения: ASML

Источник изображения: ASML

Но использование инструментов литографии со сверхвысоким разрешением (13 нм для EUV с низкой числовой апертурой) — не единственный путь к достижению сверхмалых размеров транзисторов. Другой вариант предусматривает нанесение нескольких последовательных масок, но это сложный процесс, который увеличивает продолжительность производственного цикла, снижает процент выхода годных изделий, увеличивает износ оборудования и повышает затраты. Однако без доступа к EUV-литографии у SMIC просто нет другого выбора, кроме как использовать тройное, четверное или даже пятикратное паттернирование.

Терстон считает, что под руководством Лян Монг-Сонга SMIC сможет производить (если уже не производит) 5-нм чипы в больших количествах без использования инструментов EUV. Однако сегодняшний отчёт Nikkei впервые сообщает о возможной способности SMIC разработать в обозримом будущем 3-нм производственный процесс на оборудовании класса DUV.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Meta представила новые функции Reels в Facebook, чтобы сделать сервис более похожим на TikTok 5 ч.
Новое подорожание Xbox Game Pass не затронет подписчиков в семи странах 6 ч.
Steam сломался второй раз за день — проблемы наблюдаются по всему миру 8 ч.
«Вы передо мной в долгу», — Трамп вернулся в TikTok и сразу же обратился к молодёжи 9 ч.
Хакеры заявили о взломе Huawei и получении доступа к средствам разработки и исходному коду 10 ч.
Геймплейный трейлер подтвердил дату выхода PowerWash Simulator 2 — владельцев оригинальной игры в Steam ждёт приятный сюрприз 10 ч.
Илон Маск пообещал, что в 2026 году xAI выпустит «отличную игру, сгенерированную ИИ» 10 ч.
Аудитория скейтерского симулятора Skate превысила 15 млн игроков спустя три недели после выхода в раннем доступе 11 ч.
Браузер Microsoft Edge существенно «поумнеет» за счёт ИИ Copilot 12 ч.
Олдскульное приключение Mina the Hollower не выйдет 31 октября — смесь Bloodborne, «Зельды» и Castlevania от авторов Shovel Knight задерживается 15 ч.