Представленная несколько дней назад материнская плата Z890 Aorus Tachyon Ice компании Gigabyte уже успела отличиться в двух последовательных рекордах разгона оперативной памяти. На момент анонса ей покорился рубеж DDR5-12726, а чуть позже результат был улучшен до DDR5-12752, и теперь это новый абсолютный рекорд разгона памяти.

Источник изображения: Gigabyte Technology

Вполне предсказуемо, что оба эксперимента были организованы при участии энтузиаста Hicookie, который является штатным специалистом Gigabyte Technology по экстремальному разгону. Любопытно, что единственный модуль памяти, который разгонялся до указанного режима и при этом охлаждался жидким азотом, выпущен не очень известной компанией V-Color Technology и относится к серии Manta Xfinity RGB. В режиме DDR5-12752 модуль памяти сохранил задержки на уровне CL68-127-127-127-2 и соседствовал с центральным процессором Intel Core Ultra 9 285K, который также охлаждался жидким азотом, но довольствовался активностью всего двух производительных ядер и частотой 420 МГц.

Источник изображения: HWBot

По традиции, применялся инженерный образец центрального процессора, который выбран среди множества других и к тому же имеет более широкий диапазон изменения множителя. Предыдущий рекорд в сфере разгона памяти типа DDR5 был установлен в начале февраля американцем Splave с использованием материнской платы ASRock Z890 Taichi OCF и модуля памяти G.Skill Trident Z5. Производители памяти любят подобного рода рекламу, но в данном случае основное внимание досталось именно производителю материнской платы, чьи интересы представлял организатор эксперимента.

Компания G.Skill расширила ассортимент высокоскоростной памяти DDR5-6000 с низкими задержками, разработанной специально для платформы AMD Socket AM5, представив новый двухканальный комплект объёмом 96 Гбайт (2 × 48 Гбайт). Ранее производитель анонсировал двухканальные комплекты высокоскоростной ОЗУ DDR5-6000 и DDR5-8000 объёмом 48 и 192 Гбайт для той же платформы.

Источник изображений: G.Skill

Для нового комплекта памяти DDR5-6000 объёмом 96 Гбайт G.Skill заявляет тайминги CL26-36-36-96. Модули ОЗУ поддерживают профили разгона AMD EXPO. Производитель отмечает, что память тестировалась на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Hero в сочетании с процессором Ryzen 9 9950X3D, а также на плате MSI MPG X870E Carbon WIFI в паре с процессором Ryzen 9 9900X. Ниже представлены результаты тестов в утилите Memtest.

G.Skill также обновила спецификации ранее представленного комплекта памяти DDR5-6000 CL26-39-39-96 общим объёмом 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт). Производителю удалось снизить задержки этой памяти до CL26-36-36-96. Указанный комплект был протестирован на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Hero в паре с процессором Ryzen 9 9900X.

Анонсированные комплекты памяти будут предлагаться компанией G.Skill в рамках её фирменных серий ОЗУ Trident Z5 Royal Neo, Trident Z5 Neo RGB и Ripjaws M5 Neo RGB. Старт продаж новинок ожидается в мае.

Компания Biwin пополнила ассортимент модулей оперативной памяти Black Opal OC Lab Gold Edition DW100 RGB двумя четырёхканальными комплектами общим объёмом 192 Гбайт (4×48 Гбайт) со скоростью 6000 и 6400 МТ/с. Стоимость комплектов составляет от $849.

Источник изображений: Biwin

Для комплекта DDR5-6400 производитель заявляет тайминги CL30-39-39-108, а для DDR5-6000 — CL28-36-36-102. Оба имеют рабочее напряжение 1,4 В и поддерживают профили разгона AMD EXPO. Модули памяти оснащены радиаторами с RGB-подсветкой.

Компания заявляет, что комплект DDR5-6000 проходил тестирование утилитой MemtestPro на платформе AMD Socket AM5 в сочетании с процессором Ryzen 9 (модель чипа не указана, предположительно это 16-ядерный Ryzen 9 9950X3D) в течение 7 часов, продемонстрировав стабильность работы и отсутствие ошибок. В свою очередь, тестирование комплекта DDR5-6400 проводилось в TestMem5 всего в течение часа, но память также работала полностью стабильно и без ошибок.

Скриншот теста комплекта памяти DDR5-6400 также показывает, что напряжение CPU SoC составляло 1,26 В (1,3 В считается пределом напряжения для SoC-чипов Ryzen платформы AM5). Новые комплекты памяти тестировались на материнских платах MSI и Gigabyte с чипсетами AMD X870.

Компания G.Skill представила самые скоростные модули ОЗУ DDR5 с поддержкой профилей разгона AMD EXPO. Среди представленных новинок оказались двухканальные комплекты DDR5-8000 с таймингами CL36, DDR5-6000 с таймингами CL26, а также четырёхканальные комплекты DDR5-6000 с таймингами CL28.

Источник изображений: G.Skill

Для двухканального комплекта DDR5-8000 объёмом 48 Гбайт (2×24 Гбайт) производитель заявляет тайминги CL36-48-48. Память была протестирована на материнской плате Asus ROG Crosshair X870E Hero в сочетании с процессором Ryzen 9 9900X.

Для комплекта DDR5-6000 того же объёма заявлены тайминги CL26-39-39. Эти комплекты компания протестировала на плате MSI MPG X870E Carbon WIFI в сочетании с тем же процессором Ryzen.

Для четырёхканального комплекта DDR5-6000 объёмом 192 Гбайт (4×48 Гбайт) производитель заявил тайминги CL28-36-36. Память тестировалась на плате MSI MPG X870E Carbon WIFI в сочетании с процессором Ryzen 7 9800X3D.

Анонсированные комплекты памяти будут предлагаться компанией G.Skill в рамках её фирменных серий ОЗУ Trident Z5 Royal Neo, Trident Z5 Neo RGB и Ripjaws M5 Neo RGB. Старт продаж новинок ожидается в апреле.

Компания Biwin представила OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5 — первые в мире модули оперативной памяти DDR5 с поддержкой двух профилей разгона AMD EXPO. Новинки разработаны в коллаборации с экспертами OC Lab.

Источник изображений: Biwin

Модули памяти OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5 поставляются в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Первый профиль разгона AMD EXPO соответствует DDR5-8000 CL34/CL36, а второй — DDR5-6400 CL28. Таким образом, пользователи могут выбирать между повышенной частотой или пониженными задержками.

Компания заявляет, что новые модули ОЗУ поддерживают дополнительный ручной разгон до 8400 МТ/с при сохранении низких таймингов CAS на уровне CL34. Это возможно при использовании материнских плат Asus, MSI, Gigabyte и ASRock. Biwin предоставила скриншоты из программы Memtest, демонстрирующие работу новых модулей ОЗУ на материнских платах с чипсетами AMD X870, B850 и B840 в сочетании с процессорами серии Ryzen 9000.

Производитель отмечает, что модули памяти могут работать при таймингах CL28. Однако с помощью дополнительной ручной оптимизации можно понизить задержки до CL26. Компания также добавляет, что новинки были протестированы при рабочих напряжениях 1,45 и 1,50 В, при этом их средняя рабочая температура составляла менее 50 градусов Цельсия.

В продаже модули памяти Biwin OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5 должны появиться в конце марта. Их стоимость будет начинаться от $169.

Исторически потребность в больших объёмах памяти активнее демонстрировали серверные системы и рабочие станции, поэтому производители модулей памяти в первую очередь удовлетворяли запросы соответствующих сегментов рынка, оставляя направление ПК на потом. В случае с модулями DDR5 планки объёмом 64 Гбайт для обычных ПК появились в продаже лишь недавно.

Источник изображения: Akiba PC Hotline

По крайней мере, об этом можно судить по публикации хранящего традиции десятилетиями японского ресурса Akiba PC Hotline, рассказывающего о новинках знаменитого местного рынка электроники оперативно и с иллюстрациями. Японским фоторепортёрам удалось зафиксировать факт появления в местной рознице комплектов памяти типа DDR5-5600 объёмом 2 × 64 Гбайт производства Crucial, подходящих для использования в настольных ПК.

Как известно, под маркой Crucial выпускает модули памяти и твердотельные накопители американская компания Micron Technology. Производитель на данный момент предлагает комплекты DDR5-5600 из двух 64-Гбайт модулей в форматах UDIMM и SO-DIMM.

В Японии, где импортируемая электроника традиционно облагается высокими пошлинами, комплект модулей типа UDIMM стоит более $322. Память предлагает задержки CL46-45-45 и совместимость с процессорами Intel Core Ultra 14-го поколения, а также процессорами AMD Ryzen 8000 или более молодыми. Функции Intel XMP и AMD Expo соответственно обеспечивают быстрый выбор оптимального с точки зрения быстродействия режима работы, заложено по два профиля в каждом (DDR5-5600 и DDR5-5200).

Компания Micron Technology объявила, что первой в отрасли начала поставки чипов памяти DDR5, изготовленных с использованием полупроводниковой EUV-литографии. Память поставляется избранным партнёрам для оценки эффективности самых передовых на сегодня решений. Новые чипы обладают повышенной пропускной способностью, пониженным энергопотреблением и более плотным размещением ячеек — всем, что нужно для развития ИИ, от гаджетов до серверов.

Источник изображений: Micron

Новая память Micron продолжает относиться к классу 10-нм продукции. Нет точной информации, насколько цифра техпроцесса близка к 10 нм. Но это уже третье приближение к ней и, что более важно, компания наконец-то перешла к использованию литографических сканеров в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне с длиной волны 13,5 нм (EUV). Дальше масштабирование пойдёт легче.

Если верить Micron, избранным партнёрам начали отгружаться 16-Гбит чипы DDR5. Кристаллы памяти выпущены с использованием техпроцесса 1γ (гамма). Предыдущие техпроцессы этого класса — 1α (альфа) и 1β (бета) — реализовывались с использованием сканеров с длиной волны 193 нм. Рассказывая о преимуществах чипов поколения 1γ, компания сравнивает их с чипами DDR5 предыдущего поколения — 1β. По сравнению с ними новинки на 15 % быстрее (до 9200 МТ/с), потребляют более чем на 20 % меньше энергии и обладают на 30 % большей плотностью расположения ячеек на кристалле.

Улучшенные характеристики памяти будут востребованы в периферийных устройствах с поддержкой искусственного интеллекта, в ПК с ИИ-функциями и в серверах, на которых работают большие языковые модели. Тем самым ассортимент памяти с технологическими нормами 1γ не ограничится лишь производством чипов DDR5, но также будет расширен за счёт выпуска других типов памяти, например LPDDR5X.

Компания G.Skill представила усовершенствованные модули памяти DDR5 R-DIMM для рабочих станций и серверных систем, соответствующие последней версии стандарта DDR5 R-DIMM от JEDEC. Новые модули производятся с использованием 16-слойных печатных плат для улучшенной целостности сигнала.

Источник изображения: G.Skill

Производитель заявляет, что новые модули DDR5 R-DIMM используют усовершенствованную 16-слойную печатную плату, что является значительным обновлением по сравнению с предыдущими 8- или 10-слойными конструкциями. Увеличение количества слоёв печатной платы повышает целостность сигнала, надёжность и стабильность передачи данных даже при высокопроизводительных рабочих нагрузках и в условиях разгона в составе рабочих станций и серверов.

Для защиты от перепадов напряжения новые модули DDR5 R-DIMM оснащены двумя двунаправленными TVS-диодами и предохранителем, что обеспечивает стабильный уровень напряжения и защищает память от скачков мощности.

Компания сообщает, что новые модули ОЗУ DDR5 R-DIMM поступят в продажу через партнёров-дистрибьюторов G.Skill по всему миру в середине 2025 года.

Компания G.Skill представила новые двухканальные комплекты оперативной памяти DDR5. Один из них предлагает объём 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт), скорость 6400 МТ/с и низкие тайминги CL28. Второй — объём 96 Гбайт (2 × 48 Гбайт), скорость 6800 МТ/с и тайминги CL32. Оба варианта будут выпускаться в фирменных сериях Trident Z5 Royal, Trident Z5 RGB и Ripjaws M5 RGB.

Источник изображений: G.Skill

Все представленные новинки получили поддержку профилей разгона Intel XMP 3.0. О поддержке профилей разгона AMD EXPO производитель не сообщил. Помимо комплекта DDR5-6800 CL32, компания в перспективе также выпустит двухканальные комплекты объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт), 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт) и 64 Гбайт (2 × 32 Гбайт). Однако сверхнизкие задержки предложат только комплекты на 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Новинки появятся в продаже в марте.

G.Skill провела тестирование комплектов DDR5-6800 CL32-42-42 объёмом до 96 Гбайт (2 × 48 Гбайт) на материнских платах Asus ROG Maximus Z790 Dark Hero в сочетании с процессором Intel Core i9-14900K, а также на Asus ROG Maximus Z890 Hero в паре с процессором Core Ultra 7 265K.

Комплект DDR5-6400 CL28-39-39 объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт) компания протестировала на материнской плате Asus ROG Maximus Z790 Dark Hero в сочетании с процессором Intel Core i9-14900K.

Китайский производитель памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) недавно наладил массовое производство чипов DDR5. Теперь их архитектуру изучили эксперты TechInsights: по мнению аналитиков, продукция Samsung, SK hynix и Micron опережает китайскую на три года. Тем не менее, производители комплектующих уже готовятся к распространению этой памяти — MSI выпустила оптимизированное для памяти CXMT обновление BIOS для материнских плат, адресованных китайским потребителям.

Источник изображения: cxmt.com

Для изучения эксперты TechInsights выбрали комплект производства Gloway из двух планок по 16 Гбайт DDR5-6000 UDIMM (VGM5UC60C36AG-DVDYBN) на 16-гигабитных чипах CXMT. Чип имеет размеры 8,19 × 8,18 мм, что даёт площадь 66,99 мм² и плотность 0,239 Гбит/мм²; кристалл герметизирован. Кристалл изготавливается с использованием новой технологии CXMT G4, предусматривающей размер элемента 16 нм и ячейки площадью 0,002 мкм² — её размер снизился на 20 % по сравнению с решением на основе предыдущей технологии G3 (18 нм). Шаг ячейки составляет 29,8, 41,7 и 47,9 нм для активной линии, а также линий wordline и bitline — такие же показатели были у поколения D1z (15,8–16,2 нм) в исполнении Samsung, SK hynix и Micron. Выход годной продукции у CXMT составляет 80 %, что является очень высоким показателем.

Здесь и далее источник изображений: techinsights.com

Ранее CXMT выпускала DRAM с использованием собственных технологий G1 (D2y, 23,8 нм) и G2 (D1x, 18,0 нм). Лидеры рынка в лице Samsung, SK hynix и Micron сейчас перешли на технологии 12–14 нм с использованием сверхжёсткого ультрафиолета (EUV), недоступного китайским производителям из-за американских санкций. Вашингтон запретил CXMT пользоваться оборудованием с американскими технологиями и поставлять свою продукцию в США.

Ограничения не помешали китайскому производителю догнать мировых лидеров по плотности чипов — площадь 16-Гбит чипа CMXT DDR5 составляет 67 мм², что сопоставимо с размерами микросхем Samsung, Micron и SK hynix, которые сейчас наиболее распространены в модулях оперативной памяти. Это позволяет китайской компании ввязаться в ценовую конкуренцию. Добавим. что сейчас в ассортименте CXMT значатся чипы DDR3L (2 и 4 Гбит), DDR4 (4 и 8 Гбит), LPDDR4X (6 и 8 Гбит), LPDDR5 (12 Гбит), а теперь и DDR5 (16 Гбит).

На чипах CXMT DDR5 уже вышли модули памяти от Gloway и Kingbank — они дешевле аналогов на чипах SK hynix, хотя и предлагают более высокие тайминги CL36-36-36-80 и CL36-40-40-96. Китайская оперативная память полностью совместима с современными платформами. MSI, в частности, выпустила в Китае материнские платы MAG B860 Tomahawk Wi-Fi, MAG B860M Mortar Wi-Fi и Pro B860M-A Wi-Fi по цене соответственно 1699 юаней ($235), 1499 юаней ($205) и 1299 юаней ($180), а последнее обновление BIOS для них предусматривает оптимизацию для чипов CXMT DDR5, обратил внимание ресурс Tom’s Hardware.

Samsung, SK hynix и Micron выпускают чипы с использованием технологии 16 нм с 2021 года, а наиболее передовые микросхемы сейчас выпускаются по технологиям D1a/D1α и D1b/D1β с элементами 12–14 нм. Это свидетельствует о трёхлетнем технологическом разрыве между лидерами рынка и CXMT, но китайский производитель активно продвигается вперёд: он пропустил технологию 17 нм (D1y), с 18 нм сразу перешёл на 16 нм (D1z) и теперь активно работает над технологией следующего поколения — менее 15 нм и без EUV-литографии; осваивается и память типа HBM.

Разгон памяти является вполне самодостаточной дисциплиной в мире оверклокинга, энтузиасты для покорения рекордных частот обычно используют жидкий азот для охлаждения не только центрального процессора, но и непосредственно модулей памяти. Компания G.Skill утверждает, что её модули памяти семейства Trident Z5 впервые смогли покорить отметку DDR5-12000 с использованием только воздушного охлаждения.

Источник изображения: G.Skill

Если учесть, что мировой разгон памяти, установленный почти месяц назад, соответствует режиму DDR5-12698, то выход на режим DDR5-12054 с использованием жидкостного охлаждения на процессоре и воздушного на модуле памяти является весьма серьёзным достижением. Единственный модуль памяти G.Skill Trident Z5 из комплекта DDR5-8000 CL38 объёмом 24 Гбайт в данном случае работал при значениях таймингов 68-127-127-127-2. Как можно судить по иллюстрации ниже, на инженерном образце процессора Intel Core Ultra 9 285K семейства Arrow Lake был установлен водоблок, основой для тестового стенда выступала материнская плата Asus ROG Maximus Z890 Apex. Автором рекорда является индонезийский оверклокер speed.fastest, в абсолютном зачёте он находится на 15 месте.

Источник изображения: HWBot, speed.fastest

Его канадский коллега saltycroissant аналогичный модуль памяти разогнал до режима DDR5-12052 при значениях таймингов 68-127-127-127-2 в материнской плате ASRock Z890 Taichi OCF, а центральный процессор Intel Core Ultra 7 265K в данном случае тоже оказался инженерным образцом. Другими словами, можно утверждать, что современные платформы позволяют разгонять память до режима DDR5-12000 без использования экстремальных методов охлаждения. Правда, практически достижимые частоты в условиях долгосрочной стабильной работы окажутся ниже, да и ограничиваться единственным модулем памяти вряд ли кто-то захочет на постоянной основе.

Компания G.Skill представила высокопроизводительные двухканальные комплекты оперативной памяти DDR5-6400 объёмом 96 Гбайт (2 × 48 Гбайт). Новинки будут выпускаться в рамках серий Trident Z5 RGB и Trident Z5 Royal, предлагая поддержку профилей разгона Intel XMP 3.0.

Источник изображений: G.Skill

Производитель сообщил о проведении успешных тестов комплектов памяти объёмом 96 Гбайт в версии DDR5-6400 CL30-39-39-102 на материнской плате Asus ROG Maximus Z890 Hero в паре с процессором Intel Core Ultra 7 265K.

Для тестирования работы памяти на платформе AMD использовалась материнская плата Asus ROG Crosshair X870E Hero в сочетании с процессором Ryzen 7 9800X3D.

G.Skill сообщает, что в рамках серий Trident Z5 RGB и Trident Z5 Royal также будут доступны двухканальные комплекты памяти объёмом 64 и 48 Гбайт соответственно из пар модулей на 32 и 24 Гбайт. Эти решения появятся в продаже в первом квартале текущего года.

В честь своего 40-летия компания Patriot Memory представила на CES 2025 ряд новинок, включая оперативную память Viper Xtreme 5 DDR5-9600 со встроенным тактовым генератором (CKD), юбилейную серию модулей оперативной памяти, а также флеш-накопитель для устройств Apple.

Источник изображения: Patriot

В числе новинок, представленных Patriot на CES, особое внимание привлекает расширение линейки оперативной памяти Viper Xtreme 5. Компания анонсировала юбилейную версию, посвящённую 40-летию, и вариант с интегрированным CKD (Client Clock Driver). Юбилейная версия, выполненная в синем цвете с надписью «40 Years», имеет скорость передачи информации до 8000 MT/s и оснащена RGB-подсветкой. Точные характеристики, как отмечает Tom's Hardware, включая тайминги и объём, пока не раскрываются, но, вероятно, они будут схожи со стандартной версией, предлагающей тайминги CL38.

Версия Viper Xtreme 5 с CKD способна достигать скорости DDR5-9600. Этот комплект выполнен в серебристых тонах, отличается профессиональным дизайном, но лишён RGB-подсветки. CKD-чип выступает в роли буфера, усиливая тактовый сигнал, обеспечивая повышенную стабильность и позволяя достигать более высоких частот.

Помимо памяти для ПК, компания представила накопитель iLuxe Stick C для устройств Apple, решая проблему недостатка памяти на мобильных устройствах. Этот компактный накопитель, напоминающий флешку, предназначен для резервного копирования данных с iPhone и iPad и предлагает ёмкость до 2 Тбайт. iLuxe Stick C, как и iLuxe Cube, будет иметь удобную систему управления, позволяющую назначать отдельные папки для каждого Apple ID в домохозяйстве.

В рамках выставки CES компания Patriot представила множество других продуктов, включая модули CAMM2, LPCAMM2, карты CFExpress 2.0 и несколько новых твердотельных накопителей, включая первый SSD PCIe 5.0 без DRAM. Информация о розничных ценах и доступности многих продуктов пока ограничена, но Patriot обещает в скором времени предоставить более подробную информацию.

Micron обновила линейку потребительских продуктов Crucial, выпустив новые скоростные SSD, а также увеличив объём памяти для модулей DDR5 до 64 Гбайт. Твердотельный накопитель P510, представленный на глобальной выставке технологий CES 2025 в качестве главной новинки, обещает высокую скорость PCIe 5.0 и низкое энергопотребление.

Источник изображений: Micron

Твердотельный накопитель Crucial P510 с интерфейсом PCIe 5.0 разработан как для ноутбуков, так и для настольных компьютеров. Этот SSD, доступный в вариантах на 1 и 2 Тбайт, показал скорость последовательного чтения до 11 000 Мбайт/с и записи до 9 550 Мбайт/с. Несмотря на то, что P510 не превосходит по производительности флагманские модели T705 и T700, его ключевым преимуществом является сниженное энергопотребление, сообщает издание Tom's Hardware.

Основной акцент при разработке P510 был сделан на повышении энергоэффективности. По словам представителей компании, новый SSD потребляет на 25 % меньше энергии по сравнению с предыдущими PCIe 5.0 накопителями этого класса. Хотя конкретная модель, использованная для сравнения, не была названа, известно, что T705 и T700 потребляют максимум 12,3 Вт и 11,5 Вт соответственно. Таким образом, P510 может достигать максимального энергопотребления в диапазоне от 8,6 Вт до 9,2 Вт, что особенно важно для увеличения времени автономной работы в ноутбуках. В Micron подтвердили использование «новой, более энергоэффективной архитектуры» для контроллера SSD, предположительно E31T.

Компания также расширила линейку модулей оперативной памяти DDR5, представив новые варианты с повышенной плотностью. Модули Crucial DDR5 Pro Overclocking теперь доступны в версии 32 Гбайт (ранее было 16 Гбайт). Также анонсировано начало продаж модулей CUDIMM на 32 Гбайт и 64 Гбайт и модулей CSODIMM на 24 Гбайт и 32 Гбайт, ограниченных частотой DDR5-6400. Для традиционных UDIMM и SODIMM компания предложит варианты объёмом 64 Гбайт и частотой DDR5-5600. Таким образом, Micron расширяет возможности для пользователей, предлагая более широкий выбор оперативной памяти повышенного объёма.

Помимо P510, компания обновила модель SSD P310, выпустив вариант с радиатором. Новый радиатор был разработан с целью уменьшения размеров для использования SSD в ограниченных пространствах, таких как PlayStation 5. Ожидается, что SSD P510 поступит в продажу весной этого года, а P310 с радиатором будет доступен уже в текущем месяце. Модули оперативной памяти с более высокой плотностью поступят на рынок в феврале.

Закон Мура, долгое время определявший принципы развития полупроводниковой отрасли, указывал на получение производителями чипов преимущества в себестоимости за счёт уменьшения площади кристаллов. Первый анализ характеристик изготовленных китайской CXMT микросхем DDR5 указывает на использование более старых технологий производства по сравнению с доступными Samsung.

Источник изображения: CXMT

Как сообщает Tom’s Hardware со ссылкой на одного из китайских исследователей, площадь кристалла 16-гигабитной микросхемы DDR5 производства CXMT на 40 % выше, чем у сопоставимой микросхемы DDR5 производства южнокорейской Samsung Electronics. Последняя является крупнейшим производителем памяти в мире и использует передовые литографические технологии.

Площадь кристалла выпущенного CXMT чипа DDR5 автором исследования определяется путём нехитрых вычислений. При ширине и длине 8,25 мм соответственно она составляет 68,06 мм². Компания Samsung свою микросхему вписывает в более скромные габариты 6,46 × 7,57 мм, что в итоге даёт площадь кристалла 48,9 мм². Это и позволяет говорить о почти 40-процентном преимуществе микросхемы Samsung с точки зрения уменьшения площади. По данным TechInsights, когда в 2021 году Micron, Samsung и SK hynix начали выпускать 16-гигабитные чипы DDR5, площадь их кристаллов варьировалась от 66,26 до 72,21 мм², но с тех пор им удалось её уменьшить. Соответственно, продукция CXMT на данном этапе развития сопоставима по характеристикам с чипами DDR5 зарубежных производителей первого поколения, отставая от современных решений на четыре или пять лет. Выше должны быть и затраты китайской компании, не говоря уже о возможных проблемах с высоким уровнем брака. Так или иначе, партнёрам CXMT удаётся выпускать модули памяти типа DDR5-6000 на базе её чипов, поэтому с точки зрения быстродействия они кажутся достаточно современными. Китайским клиентам компании, так или иначе, приятнее иметь доступ к такой памяти, чем не иметь его вовсе.