Южнокорейская компания SK hynix является крупнейшим поставщиком памяти типа HBM, по размеру чистой прибыли она среди соотечественников уже уступает только Samsung Electronics, а потому заинтересована в сохранении технологического лидерства в этой сфере. Представители SK hynix недавно признались, что компания намерена увеличить производительность HBM в 30 раз от текущего уровня.

Источник изображения: SK hynix

Соответствующее заявление, как отмечает Business Korea, сделал на этой неделе вице-президент компании Рю Сон Су (Ryu Seong-su), выступавший на отраслевом форуме в южнокорейской столице. SK hynix собирается разработать память семейства HBM, которая по уровню быстродействия смогла бы превзойти существующие образцы в 30 раз. «Мы собираемся разрабатывать продукты, которые будут быстрее нынешней HBM в 20 или 30 раз, концентрируясь на выводе на рынок дифференцированных продуктов», — пояснил Рю Сон Су.

Компании, входящие в так называемую «великолепную семёрку» (Apple, Microsoft, Alphabet (Google), Amazon, Nvidia, Meta✴ Platforms и Tesla), часто обращаются к SK hynix с просьбой адаптировать поставляемую память HBM под их нужды. Чтобы удовлетворить эти запросы, SK hynix требуется огромное количество инженерных ресурсов, по словам представителя компании, но она собирается развиваться в этом направлении. Уже в рамках семейства HBM4 этот производитель намеревается предлагать клиентам адаптированные под их потребности варианты памяти. При этом SK hynix стремится к самостоятельному формированию отраслевых стандартов в данной сфере, а не следовать предложенным другими компаниями решениям. Кастомизация памяти станет существенным фактором, меняющим ход развития всей полупроводниковой отрасли, как считают в SK hynix.

Компания NEO Semiconductor представила чипы 3D X-AI, призванные заменить память HBM, которая используется в современных ускорителях на базе графических процессоров. Память типа 3D DRAM имеет встроенный модуль обработки ИИ, который принимает на себя потоки данных, не требующие математических вычислений. Это способствует решению проблемы, связанной с шириной шины между процессором и памятью, помогая повысить производительность и эффективность систем ИИ.

Источник изображений: NEO Semiconductor

В основе чипа 3D X-AI располагается слой нейронной схемы, на котором обрабатываются данные из 300 слоёв памяти на том же кристалле. Плотность памяти на компоненте в восемь раз превышает аналогичный показатель текущей HBM, а 8000 нейронных схем обеспечивают 100-кратный рост производительности за счёт обработки данных прямо в памяти. Плюсом к тому радикально уменьшается объём передаваемых через интерфейс данных и загрузка GPU, за счёт чего потребление энергии ускорителем снижается на 99 %.

«Существующие чипы для ИИ впустую расходуют значительные ресурсы производительности и мощности из-за архитектурной и технологической неэффективности. Чипы ИИ сегодняшней архитектуры хранят данные в HBM и делегируют выполнение всех вычислений графическому процессору. Эта архитектура разделённых хранения и обработки данных неизбежно превращает шину в узкое место в аспекте производительности. Передача огромных объёмов данных через шину сокращает производительность и очень увеличивает потребление энергии. 3D X-AI может осуществлять обработку данных ИИ в каждом чипе HBM. Это может значительно сократить объём данных, передаваемых между HBM и графическим процессором, чтобы повысить производительность и существенно снизить потребление энергии», — рассказал основатель и гендиректор NEO Semiconductor Энди Сю (Andy Hsu).

Один кристалл 3D X-AI имеет ёмкость 128 Гбайт и предлагает скорость обработки данных ИИ 10 Тбайт/с. Двенадцать кристаллов в одном корпусе HBM могут обеспечить объём в 1,5 Тбайт памяти с пропускной способностью 120 Тбайт/с. Разработчики оборудования для обработки ИИ изучают решения, способные повысить их пропускную способность и скорость работы — полупроводники становятся быстрее и эффективнее, а шина между компонентами часто оказывается узким местом. Intel, Kioxia и TSMC, например, работают над оптическими технологиями, призванными ускорить связь между компонентами на материнской плате. Перенеся часть обработки рабочей нагрузки ИИ с графического процессора в HBM, решение NEO Semiconductor может сделать ускорители намного эффективнее, чем сегодня.

В мае 2018 года американская компания Micron Technology приступила к выкупу собственных акций, но к декабрю 2022 года рыночная ситуация заставила этого производителя микросхем памяти приостановить программу. Опираясь на текущие благоприятные для сегмента прогнозы, Micron решила возобновить выкуп акций, как отмечается в официальной заявке, поданной американским регуляторам.

Источник изображения: Micron Technology

Как отмечает Bloomberg, до недавних пор Micron оставалась одной из 24 компаний, чьи акции включены в индекс Nasdaq 100, которые не выкупали акции на протяжении прошлого года. Капитализация этих 24 компаний по итогам прошлого года в среднем сократилась на 9,5 %, тогда как сам индекс вырос почти на 10 %. Теперь на рынке памяти, по мнению руководства Micron, сложились более благоприятные условия, что позволяет вернуться к выкупу собственных акций у инвесторов. Данная новость сразу вызвала рост их котировок примерно на 5 % на торгах в Нью-Йорке.

Во многом энтузиазм руководства Micron объясняется благоприятной конъюнктурой на рынке памяти типа HBM. Только реализация HBM3E принесла компании в прошлом квартале $100 млн выручки, в текущем квартале все типы поставляемой HBM принесут её несколько сотен миллионов долларов США. К августу 2025 года профильная выручка Micron будет уже измеряться миллиардами долларов. Важно учитывать и то, что Micron свою память типа HBM3E сертифицировала для использования в составе ускорителей Nvidia H200, и это позволяет ей рассчитывать на хорошую выручку при условии сохранения высокого спроса на компоненты для систем искусственного интеллекта. Руководство Micron при этом осознаёт трудности, сопровождающие масштабирование производства HBM. Сложность сертификации в комбинации с этими трудностями, по мнению представителей Micron, буквально вынуждает поставки памяти двигаться с «включенным ручным тормозом».

По слухам, власти США намереваются предпринять следующий шаг по ограничению доступа китайских разработчиков систем искусственного интеллекта к ускорителям вычислений и компонентам для их создания. Микросхемы памяти семейства HBM могут оказаться под запретом для отправки в Китай, а потому местные клиенты Samsung активно их закупали в прошлом полугодии.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом со ссылкой на собственные источники сообщило агентство Reuters, которое утверждает, что Huawei, Baidu и многочисленные китайские стартапы с начала текущего года резко увеличили закупки памяти семейства HBM у компании Samsung для собственных нужд. Китайское направление поставок по итогам первого полугодия сформировало на этом фоне около 30 % выручки Samsung от поставок HBM. На прошлой неделе сообщалось, что в этом месяце власти США предложат новые правила экспортного контроля, которые запретят поставки памяти HBM отдельных видов в Китай.

Если учесть, что во всём мире производством HBM занимаются всего три компании — SK hynix, Samsung Electronics и Micron Technology, ограничить её поставки в Китай будет достаточно просто, поскольку две первые имеют штаб-квартиры в лояльной по отношению к США Южной Корее, а третья и вовсе является американской. По всей видимости, китайские производители ускорителей пока не могут интегрировать передовую HBM3 или HBM3E в свои аппаратные решения, а потому основной объём поставок приходится на HBM2E. Эту память в своих ускорителях использует Huawei, являющийся одним из флагманов китайской полупроводниковой промышленности. Кроме того, такие микросхемы могут применяться при производстве спутникового оборудования.

Ранее сообщалось, что китайская CXMT пытается наладить самостоятельный выпуск HBM2, но соответствующая активность уже попала в поле зрения американских властей, которые готовят соответствующие адресные санкции против этой компании. Samsung с точки зрения поставок HBM в Китай сильнее всего пострадает от возможных американских экспортных ограничений, поскольку Micron свою память этого типа в Китай не поставляет, а SK hynix предпочитает сосредотачиваться на более выгодных в реализации поколениях памяти.

Условные послабления для союзников США в части возможности поставлять оборудование для производства чипов в Китай не должны вводить обывателей в заблуждение. Как отмечает Bloomberg, американские власти намереваются ограничить доступ китайских компаний к микросхемам памяти семейства HBM и оборудованию для их производства. Новые правила вступят в силу в следующем месяце.

Источник изображения: AMD

Этим ограничениям вынуждены будут подчиниться не только американская компания Micron Technology, но и южнокорейские производители памяти Samsung Electronics и SK hynix. По данным Bloomberg, новые правила экспортного контроля в их черновом виде охватят не только микросхемы HBM2, HBM3 и HBM3E, но и оборудование для их производства. Непосредственно на бизнесе Micron это практически не скажется, поскольку компания отказалась от поставок своих микросхем HBM в Китай после введения местными властями санкций против неё в 2023 году. Напомним, что власти КНР запретили китайским компаниям использовать любую продукцию в объектах критически важной цифровой инфраструктуры.

Механизмы воздействия на южнокорейских поставщиков памяти пока не определены, но у властей США есть несколько юридически обоснованных способов запретить SK hynix и Samsung поставку памяти HBM китайским клиентам. По меньшей мере, корейские производители зависят от программного обеспечения для проектирования памяти, которую они затем поставляют в Китай. Это даёт США право влиять на поставки данного вида продукции южнокорейских компаний на территорию Поднебесной. Пока сложно понять, как новые ограничения повлияют на способность той же Nvidia поставлять свои адаптированные под требования американских правил экспортного контроля ускорители H20, поскольку они оснащаются микросхемами памяти типа HBM3.

Одной из целей новых ограничений должно стать лишение китайской компании CXMT возможности выпускать память типа HBM2. По некоторым данным, компания закупила всё необходимое для этого оборудования и постепенно доводит до ума сопутствующие технологии. Кроме того, китайские разработчики ускорителей вычислений должны лишиться доступа к микросхемам памяти HBM зарубежного производства. Всё это позволит, по замыслу властей США, сдерживать темпы развития китайских систем искусственного интеллекта.

Ещё в 2019 году компания SK hynix намеревалась начать развитие производственного кластера в Йонъине, но соответствующим планам помешала пандемия, и к идее развития данной площадки по выпуску микросхем памяти она вернулась только весной этого года, подтвердив готовность вложить в проект около $91 млрд до 2046 года. На первом этапе, впрочем, расходы ограничатся $6,8 млрд.

Источник изображения: SK hynix

Соответствующая сумма, как отмечает Reuters, будет потрачена SK hynix на возведение первого из четырёх предприятий, к строительству компания рассчитывает приступить в марте следующего года. По состоянию на март текущего года строительная площадка была готова к дальнейшим работам чуть более чем на треть. Возводимый SK hynix завод по выпуску памяти должен стать крупнейшим в мире. Какой ассортимент продукции он будет выдавать после ввода в эксплуатацию, пока сказать сложно, но из комментариев представителей SK hynix на минувшей квартальной конференции известно, что между типами памяти HBM и DDR перераспределять производственные ресурсы компания может достаточно гибко.

Власти Южной Кореи, которые не очень щедры на субсидии в полупроводниковой сфере, предпочитают участвовать в подобных проектах налоговыми льготами или инфраструктурными работами. В Йонъине они также взялись обеспечить будущее предприятие SK hynix необходимыми энергетическими ресурсами. По планам южнокорейских властей, в текущем году страна сможет экспортировать памяти семейства HBM на сумму более $120 млрд. Компания SK hynix является крупнейшим производителем микросхем этого типа.

Не секрет, что южнокорейская компания SK hynix является лидером рынка памяти типа HBM, контролируя примерно половину сегмента и обгоняя номинально более крупного производителя памяти в лице Samsung. По итогам минувшего квартала операционная прибыль SK hynix выросла до максимального уровня за шесть лет и сменила наблюдавшиеся год назад операционные убытки.

Источник изображения: SK hynix

Выручка SK hynix в прошлом квартале оказалась несколько выше ожиданий аналитиков, она достигла $11,86 млрд в пересчёте по текущему курсу, увеличившись на 124,7 % в годовом сравнении и на 32 % последовательно. Последнюю часть динамики руководство компании объясняет высоким спросом на память типа HBM и сохраняющейся тенденции к росту цен на микросхемы памяти в целом. Непосредственно на направлении HBM компания увеличила выручку более чем на 250 %.

Операционная прибыль компании во втором квартале достигла $3,96 млрд, завершившийся период стал для SK hynix уже третьим подряд кварталом без убытков, которые сохранялись на протяжении основной части прошлого года. Норма операционной прибыли достигла 33 %. Поставки HBM3E компания начала ещё в марте, но 12-ярусные микросхемы этого поколения SK hynix начнёт выпускать лишь в текущем квартале, чтобы к четвёртому наладить их поставки своим клиентам, в числе которых Nvidia наверняка займёт первое место по приоритету. В мае руководство SK hynix уже отмечало, что компания обеспечена заказами на поставку различных типов HBM до конца 2025 года.

По оценкам сторонних аналитиков, HBM к концу текущего года будет формировать до 20 % прибыли SK hynix. Во втором полугодии спрос на микросхемы памяти начнёт подогреваться устройствами, поддерживающими периферийные вычисления в рамках систем искусственного интеллекта — смартфонами и ПК нового поколения, как отмечают представители компании. Они также признают, что увеличение объёмов выпуска HBM вынуждает её сократить объёмы производства обычной DRAM. При этом величина капитальных затрат SK hynix по итогам года окажется выше, чем было заложено в прогноз в начале текущего года. Нехватка мощностей для выпуска DRAM сохранится и в следующем году. Поставлять 12-слойные микросхемы HBM4 компания рассчитывает со второй половины 2025 года. В текущем году более половины всех поставок HBM придётся на HBM3E в натуральном выражении. После публикации квартального отчёта SK hynix столкнулась со снижением курса акций на 6,7 %, но в большей степени это было продиктовано общей коррекцией рынка.

Согласно последнему отчёту аналитической компании TrendForce, глобальная выручка от продаж компьютерной памяти DRAM и NAND в 2024 году вырастут на 75 % и 77 % соответственно. Этот рост будет обусловлен несколькими факторами, включая увеличение спроса и популярности высокопроизводительной памяти HBM.

Источник изображения: Micron

Кроме того, ожидается, что продажи в этих сферах будут продолжать расти и в 2025 году. При этом DRAM вырастет на 51 %, а NAND — на 29 %, достигнув рекордных показателей. Рост будут стимулировать увеличение капитальных расходов и повышенный спрос на первичные сырьевые материалы для Upstream-производства, такие как кремниевые пластины и химические вещества, одновременно увеличив ценовое давление на покупателей памяти.

По оценкам TrendForce, благодаря увеличению средних цен на DRAM на 53 % в 2024 году выручка от продаж DRAM достигнет 90,7 млрд долларов США в 2024 году, что на 75 % больше по сравнению с предыдущим годом. В следующем году средняя цена вырастет ещё на 35 %, а выручка достинет 136,5 млрд долларов США, что на 51 % больше по сравнению с 2024 годом. Ожидается также, что в 2024 году на долю HBM придётся 5 % от общего объёма поставок DRAM и 20 % от выручки.

Источник изображения: TrendForce

Кроме того, популярность таких типов памяти, как DDR5 и LPDDR5/5X, также будет способствовать увеличению средней цены на рынке. Ожидается, что к 2025 году доля DDR5 на рынке серверной памяти достигнет 60-65 %, а LPDDR5/5X займёт 60 % рынка мобильных устройств.

В сегменте флеш-памяти NAND рост будет стимулироваться внедрением 3D QLC — технологии, которая позволяет хранить больше данных на одном чипе. По прогнозам, в 2024 году на долю QLC будет приходиться 20 % от общего объёма поставок NAND, а в 2025 году этот показатель должен увеличится. При этом внедрение QLC на смартфонах и серверах станет ключевым фактором роста этого сегмента.

Источник изображения: TrendForce

Ситуация повлияет и на рынок, и на потребителей. Рекордная выручка позволит производителям памяти увеличить инвестиции в исследования и разработки, а также расширить производство. Прогнозируется рост капитальных затрат в индустрии DRAM и NAND на 25 % и 10 % соответственно в 2025 году.

Однако рост цен на память неизбежно приведёт к удорожанию электроники для конечных потребителей. При этом производителям электроники будет сложно переложить все расходы на покупателей, что может привести к снижению прибыли и, не исключено, что к снижению спроса.

Ассоциация JEDEC опубликовала предварительную спецификацию памяти HBM4 четвёртого поколения, которая обещает значительное увеличение объёма и пропускной способности для систем искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений.

Источник изображения: AMD

JEDEC представила спецификацию памяти HBM4 (High-Bandwidth Memory) нового поколения, приближаясь к завершению разработки нового стандарта DRAM, сообщает Tom's Hardware. Согласно опубликованным данным, HBM4 будет поддерживать 2048-битный интерфейс на стек, хотя и с более низкой скоростью передачи данных по сравнению с HBM3E. Кроме того, новый стандарт предусматривает более широкий диапазон слоёв памяти, что позволит лучше адаптировать её для различных типов приложений.

Новый стандарт HBM4 будет поддерживать стеки объёмом 24 Гбайт и 32 Гбайт, а также предложит конфигурации для 4-, 8-, 12- и 16-слойных стеков с вертикальными межсоединениями TSV. Комитет JEDEC предварительно согласовал скоростные режимы до 6,4 Гт/с, но при этом ведутся дискуссии о возможности достижения ещё более высокой скорости передачи данных.

16-слойный стек на основе 32-гигабитных чипов сможет обеспечить ёмкость 64 Гбайт, то есть в этом случае процессор с четырьмя модулями памяти сможет поддерживать 256 Гбайт памяти с пиковой пропускной способностью 6,56 Тбайт/с при использовании 8192-битного интерфейса.

Несмотря на то, что HBM4 будет иметь удвоенное количество каналов на стек по сравнению с HBM3 и больший физический размер для обеспечения совместимости, один контроллер сможет работать как с HBM3, так и с HBM4. Однако для размещения различных формфакторов потребуются разные подложки. Интересно, что JEDEC не упомянула о возможности интеграции памяти HBM4 непосредственно в процессоры, что, пожалуй, является наиболее интригующим аспектом нового типа памяти.

Ранее компании SK hynix и TSMC объявили о сотрудничестве в разработке базовых кристаллов HBM4, а несколько позднее на Европейском симпозиуме 2024, TSMC подтвердила, что будет использовать свои технологические процессы 12FFC+ (12-нм класс) и N5 (5-нм класс) для производства этих кристаллов.

Процесс N5 от TSMC позволяет интегрировать больше логики и функций, с шагом межсоединений от 9 до 6 микрон, что критически важно для интеграции на кристалле. Процесс 12FFC+, основанный на 16-нм FinFET-технологии TSMC, обеспечит производство экономически эффективных базовых кристаллов, соединяющих память с хост-процессорами с помощью кремниевых подложек.

Отметим, что HBM4 в первую очередь разработана для потребностей генеративного искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений, которые требуют обработки очень больших объёмов данных и выполнения сложных вычислений. Поэтому маловероятно, что мы увидим HBM4 в клиентских приложениях, таких как GPU. Компания SK hynix рассчитывает наладить выпуск HBM4 в 2026 году.

До сих пор руководству Samsung Electronics удавалось не только игнорировать требования профсоюза, которые были выдвинуты ещё в начале года, но и заявлять о неспособности начавшейся забастовки сотрудников существенно влиять на производственную деятельность компании. Решительно настроенные протестующие, между тем, грозят своими действиями сорвать выпуск микросхем HBM, весьма востребованных на рынке.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как отмечает Bloomberg, лидеры профсоюза теперь призывают сотрудников предприятия Samsung, задействованного в производстве HBM, присоединиться к забастовке. Несколько сотен сотрудников предприятия в Пхёнтхэке, выпускающего память этого класса, в четверг и пятницу вышли на улицу для участия в забастовке. По замыслу руководящих акцией протеста представителей профсоюза, потенциальный ущерб на столь важном для компании направлении деятельности должен сделать руководство Samsung более сговорчивым в вопросе повышения уровня оплаты труда.

В условиях, когда Samsung пытается стать доверенным поставщиком Nvidia, подобные риски могут оказаться существенными, чтобы руководство компании обратило внимание на требования протестующих. Хотя Samsung и является крупнейшим в мире производителем микросхем памяти, в сегменте HBM компания сильно отстаёт от более мелкой южнокорейской компании SK hynix, которая контролирует половину рынка. Акции Samsung утром в пятницу потеряли в цене до 4 %, но подобное движение наблюдалось на азиатских рынка в целом, поэтому его нельзя назвать выраженной реакцией на действия профсоюза. Руководство Samsung выразило надежду, что ему удастся возобновить переговоры с протестующими, а действия последних не окажут влияния на способность компании выполнять свои обязательства перед клиентами. Эксперты ожидают, что даже в условиях высокой автоматизации производства передовых компонентов типа HBM необходимость привлечения персонала для контроля качества сохраняется, и действия персонала, участвующего в забастовке, могут сказаться на качестве изготавливаемой продукции, как минимум.

В мае этого года бывший глава всего полупроводникового бизнеса Samsung Кюн Ки Хён (Kyung Kye-hyun) был назначен руководителем исследовательского подразделения компании, и теперь по его инициативе разработкой перспективных технологий в сфере производства HBM будет заниматься отдельная команда специалистов.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как отмечает Business Korea, в сферу ответственности подразделения HBM Development Team войдёт создание более эффективных вариантов HBM3 и HBM3E, а также разработка перспективной памяти типа HBM4. Ранее Samsung уже создала рабочую группу по повышению конкурентоспособности компании на рынке HBM, и теперь её участники вольются к более крупный коллектив новой команды.

С 2015 года разработкой HBM в структуре Samsung Electronics занимались специалисты подразделения, отвечающего за выпуск памяти. В феврале этого года южнокорейский гигант доложил об успехах в создании образцов 12-ярусного стека HBM3E, который может обладать объёмом 36 Гбайт. Теперь разработкой HBM и сопутствующих технологий будет заниматься команда в составе подразделения Device Solutions. Компания остро нуждается в повышении своей конкурентоспособности на рынке HBM, поскольку сейчас Samsung является крупнейшим производителем микросхем памяти, но конкретно на прибыльном и быстро растущем рынке HBM компания уступает SK hynix.

Компания SK hynix, входящая в холдинг SK Group, объявила о планах инвестировать в производство чипов 103 трлн вон ($74,8 млрд) до 2028 года. Это означает, что холдинг считает это направление решающим для будущего своего бизнеса, пишет Bloomberg.

Источник изображения: SK hynix

Заявлению SK hynix предшествовала ежегодная встреча топ-менеджеров SK Group под руководством главы холдинга Чей Тэ Вона (Chey Tae-won). В течение двух дней топ-менджеры обсуждали основные направления дальнейшего развития холдинга.

В заявлении SK Group указано, что около 80 % суммы инвестиций, или 82 трлн вон ($59,5 млрд), будет направлено на производство памяти HBM. Выпускаемые корейской компанией чипы HBM оптимизированы для использования с ИИ-ускорителями и активно применяются в соответствующих продуктах компании Nvidia. Также SK Telecom и SK Broadband, делая ставку на развёртывание ИИ-технологий, инвестируют 3,4 трлн вон ($2,5 млрд) в модернизацию и развёртывание своих ЦОД.

SK Group планирует получить к 2026 году 80 трлн ($58,1 млрд) вон от операционной деятельности и перестройки бизнеса. Планы также включают обеспечение 30 трлн вон ($21,7 млрд) свободного денежного потока в течение трёх лет, чтобы соотношение долга к собственному капиталу было ниже 100 %.

В заявлении также сообщается о намерении SK Group получить в этом году прибыль, размер которой до уплаты налогов составит 22 трлн вон ($15,9 млрд). Напомним, что в прошлом году холдинг сработал с убытками в 10 трлн вон ($7,2 млрд). В перспективе SK Group намерен увеличить прибыль до 40 трлн вон ($29,0 млрд) в 2026 году.

Следует отметить, что холдинг впервые раскрыл свои планы на период до 2028 года. Ранее SK hynix объявила о ряде инвестиционных планов на этот год, включая выделение $3,87 млрд на строительство современного завода по выпуску микросхем памяти класса HBM и исследовательского центра для продуктов ИИ в Индиане (США).

Рост цен на оперативную память, по данным TrendForce, в настоящий момент поддерживается тенденцией к оживлению спроса в сегменте серверных систем общего назначения в комбинации с увеличением доли рынка, занимаемой микросхемами HBM. Всё это приведёт к тому, что в третьем квартале цены на оперативную память в серверном сегменте в среднем увеличатся на 8–13 %.

Источник изображения: Micron Technology

Если выделить из этой тенденции обычную DRAM, не включая HBM, то средний рост цен в третьем квартале достигнет 5–10 %. При этом доля HBM в структуре продаж по сравнению со вторым кварталом увеличится с 4 до 6 %. Во втором квартале восполнение складских запасов памяти на стороне клиентов не было особо активным. В третьем же квартале пополнению складов будут способствовать сезонные тенденции, связанные с рынком смартфонов и сферой деятельности облачных провайдеров. Объёмы поставок микросхем памяти для нужд этих двух сегментов в третьем квартале должны будут увеличиться.

В сегменте ПК средняя цена реализации оперативной памяти в третьем квартале последовательно увеличится на 3–8 %, как прогнозируют представители TrendForce. Во втором квартале наблюдался рост цен на 15–20 %, но ожидания производителей ПК на рост спроса в третьем квартале вряд ли оправдаются. При этом цены на DDR4 и DDR5 в этом сегменте растут примерно синхронно.

Источник изображения: TrendForce

В мобильном сегменте динамика цен на DRAM в третьем квартале будет такой же, демонстрируя рост на 3–8 % в последовательном сравнении. В следующем году производители памяти постараются более чётко контролировать баланс спроса и предложения, чтобы память не теряла в цене слишком сильно, уменьшая их прибыль. В третьем квартале им не удастся особо увеличить цену в ходе переговоров, поэтому цены вырастут незначительно. Меньше всего подорожает память типа LPDDR4/LPDDR4X, которая может даже слегка подешеветь.

В графическом сегменте цены тоже последовательно вырастут по итогам третьего квартала на 3–8 %. Производители видеокарт намерены стабильно восполнять свои запасы микросхем памяти, и если производители последней будут повышать цены, те вынуждены будут соглашаться на новые условия закупок. Постепенно наращиваются объёмы производства GDDR7, которая понадобится для видеокарт нового поколения, но эта память пока на 20–30 % дороже GDDR6. Поставки образцов памяти GDDR7 будут налажены уже в третьем квартале этого года, который наступит на следующей неделе.

В потребительском сегменте в целом сохраняется избыток памяти типов DDR3 и DDR4, но стремление производителей больше ресурсов выделять под выпуск востребованной HBM сокращает доступные для выпуска DDR мощности, а потому стоимость продукции растёт и на этом направлении. Во-вторых, специализирующимся на выпуске DDR3 и DDR4 тайваньским производителям памяти нужно добиться прибыльности, а потому они заинтересованы в повышении общего уровня цен. По этой причине цены на DDR3 и DDR4 в сегменте потребительской техники в третьем квартале последовательно вырастут на 3–8 %.

В серверном сегменте динамика цен на память в третьем квартале будет наиболее выраженной. Контрактные цены на DDR5 вырастут на 8–13 %. Запасы DDR4 на складах покупателей несколько выше, поэтому основной объём закупок будет приходиться именно на DDR5. И всё же, в среднем цены на оперативную память для серверов общего назначения в третьем квартале последовательно увеличатся на 8–13 %.

В четвёртом квартале рынок оперативной памяти, по мнению представителей TrendForce, продолжит демонстрировать рост цен, а доля HBM в структуре продаж будет увеличиваться и дальше. Производители смартфонов и провайдеры облачных услуг начнут восполнять свои складские запасы. Наращивание объёмов выпуска HBM будет стимулировать рост цен на прочие виды оперативной памяти, поскольку предложение в результате будет планомерно сокращаться.

На фондовом рынке складывается новая тенденция: инвесторы больше внимания уделяют не фактическим финансовым результатам эмитентов, а стараются смотреть в будущее, и если представители компаний не радуют их более радужным прогнозом, они разочаровываются и стремятся продавать акции. Примерно то же самое произошло с ценными бумагами Micron, которые после публикации квартального отчёта упали на 7 %.

Источник изображения: Micron Technology

В минувшем фискальном квартале компания выручила $6,81 млрд, добившись роста этого показателя на 82 % и превзойдя ожидания аналитиков, которые соответствовали $6,67 млрд выручки. Прогноз на текущий квартал подразумевает получение выручки в размере $7,6 млрд по середине диапазона, но эта сумма совпадает с большинством прогнозов аналитиков, а инвесторы рассчитывали на превосходство собственных оценок Micron над прогнозами аналитиков, что и вызвало снижение котировок акций компании на 7 % после публикации отчётности.

Впрочем, некоторая коррекция вряд ли сильно навредит акциям Micron, ведь в прошлом году они более чем удвоились в цене, а с начала текущего года укрепились на 67 %. Компания является одним из трёх производителей памяти типа HBM, которая востребована в сегменте систем искусственного интеллекта, и с этим связана определённая часть спроса на акции этого эмитента. Глава Micron Technology Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) отметил рост выручки в серверном сегменте на 50 % в последовательном сравнении, упомянув о возможности дальнейшего роста цен на профильную продукцию компании, но признал, что сегменты смартфонов и ПК демонстрируют слабый спрос на память. Он также заявил, что все квоты на выпуск HBM распределены по заказам клиентов до конца 2025 года. Масштабирование производства подобной памяти идёт не без трудностей, как признались представители компании. Это и вызовет рост цен на данную продукцию, по их мнению.

Если год назад Micron завершила фискальный квартал с чистыми убытками в размере $1,9 млрд, то сейчас она смогла получить чистую прибыль в размере $332 млн. Глава компании выразил уверенность, что Micron окажется одним из бенефициаров многолетнего роста рынка, вызванного спросом на память со стороны сегмента искусственного интеллекта. Новейших микросхем HBM3E компания в прошлом квартале продала на сумму $100 млн, и руководство надеется, что в текущем квартале аналогичная выручка достигнет нескольких сотен миллионов долларов США. В течение всего 2025 фискального года, который длится до следующего августа, Micron рассчитывает выручить от реализации HBM3E несколько миллиардов долларов США.

В текущем фискальном году, который завершится в этом августе, Micron рассчитывает потратить $8 млрд на строительство новых предприятий и модернизацию существующих, а также закупку оборудования для них. В следующем фискальном году капитальные затраты значительно вырастут из-за необходимости финансирования строительства новых предприятий в Айдахо и штате Нью-Йорк. Первая из площадок начнёт выдавать коммерческую продукцию не ранее 2027 фискального года, вторая присоединится к ней годом позже.

Как ожидает Micron, в этом году рынок ПК нарастит объёмы продаж на несколько процентов. Сегмент смартфонов прибавит от силы 5 %, но уже в следующем году спросу на память для подобных устройств начнёт способствовать распространение платформ с поддержкой искусственного интеллекта. Как подчеркнул Мехротра, текущий год будет характеризоваться для рынка памяти тенденцией к восстановлению спроса, а следующий может обеспечить рекордную выручку.

На технологической конференции в марте этого года компания Samsung Electronics заявила, что рассчитывает наладить массовый выпуск трёхмерной DRAM к концу десятилетия. SK hynix, вдохновляемая своими успехами в сфере выпуска HBM, недавно сообщила, что в рамках экспериментального производства 3D DRAM получает 56 % годной продукции.

Источник изображения: SK hynix

Напомним, что используемая в сегменте высокоскоростных вычислений память типа HBM в традиционном толковании имеет компоновку 2.5D, а полноценную трёхмерную компоновку должна предложить память 3D DRAM, разработку которой сейчас ведут все три крупнейших производителя оперативной памяти: Samsung Electronics, SK hynix и Micron Technology.

По информации Business Korea, компания SK hynix на симпозиуме VLSI 2024 на прошлой неделе сообщила о промежуточных успехах в разработке памяти типа 3D DRAM. Пятислойные микросхемы компания уже может выпускать с уровнем выхода годной продукции 56,1 %, что довольно много для ранней стадии выпуска нового типа полупроводниковых изделий. Как отмечается, характеристики опытных образцов 3D DRAM в целом не уступают чипам с традиционной планарной компоновкой.

Само собой, предстоит проделать немалую работу по созданию условий для производства 3D DRAM в массовых количествах. Имеющиеся образцы такой памяти, по словам представителей SK hynix, не отличаются стабильностью с точки зрения быстродействия, а в плане пригодности к массовому производству имеет смысл рассчитывать на создание микросхем памяти с количеством слоёв от 32 до 192 штук.