Попытки Samsung Electronics отвоевать у SK hynix приличную часть рынка микросхем памяти типа HBM пока не увенчались успехом, но первая из компаний делает ставку на адаптацию микросхем HBM4 под нужды конкретных заказчиков, которую начнёт осуществлять со следующего года, если верить южнокорейским СМИ.

Источник изображения: Samsung Members

Источники сообщают, что разработка полузаказных вариантов HBM4 для крупных клиентов Samsung уже началась, а к их массовому производству компания приступит до конца 2025 года. Первыми клиентами Samsung на данном направлении могут стать Microsoft и Meta✴ Platforms, которые занимаются разработкой собственных ускорителей вычислений, а потому нуждаются в более эффективной памяти. Базовая HBM4, как ожидается, увеличит скорость передачи информации относительно HBM3E на 66 % до 2 Тбайт/с, а предельная ёмкость увеличится на треть до 48 Гбайт на стек.

Samsung может оснастить свои микросхемы HBM4 не только собственными нейронными сопроцессорами для ускорения операций, связанных с работой систем искусственного интеллекта, но и дополнительными вычислительными блоками, адаптированными под потребность конкретных заказчиков. Данная особенность памяти поколения HBM4 и станет главным полем сражения конкурирующих производителей. Обычную HBM4 универсального типа Samsung тоже надеется начать выпускать до конца следующего года. Партнёром компании в этой сфере довольно неожиданно станет один из конкурентов — тайваньская TSMC, которая оказывает услуги по упаковке чипов с передовыми вариантами компоновки.

SK hynix представила первые в мире стеки памяти HBM3E ёмкостью 48 Гбайт из 16 кристаллов — это новый рекорд для архитектуры 16-Hi. На SK AI Summit 2024 в Сеуле генеральный директор компании Квак Но Чун (Kwak Noh-Jung) объявил о стратегии SK hynix, направленной на превращение компании в поставщика полного ассортимента решений на базе памяти DRAM и NAND для ИИ.

Источник изображений: SK hynix

Квак Но-Чжун отметил, что роль памяти за последние десятилетия претерпела значительные изменения: от хранения данных на персональных компьютерах (ПК) и смартфонах до поддержки функционирования облачных сервисов и социальных сетей. В будущем, с развитием ИИ, память будет играть ещё более важную роль, способствуя созданию новых форм взаимодействия и творчества для пользователей. Концепция «Креативной памяти», разработанная SK hynix, строится на применении полупроводников нового поколения, обеспечивающих мощные вычислительные возможности, необходимые для выполнения сложных задач.

SK hynix активно стремится к инновациям, создавая уникальные решения, не имеющие аналогов. В качестве основы выбраны продукты категории Beyond Best, отличающиеся высокой конкурентоспособностью и оптимальными инновациями, ориентированными на потребности ИИ-систем. В начале следующего года компания планирует представить тестовые образцы памяти HBM3E объёмом 48 Гбайт, подчёркивая свою готовность к внедрению передовых достижений в области памяти для ИИ.

HBM3E с архитектурой 16-Hi обеспечивает повышение производительности до 18 % в процессах обучения ИИ-моделей и до 32 % — при обработке данных по сравнению с решениями на основе 12-Hi, заявляет SK hynix. С ростом спроса на ИИ-ускорители для обработки данных это решение поможет SK hynix упрочить своё положение на рынке памяти для ИИ. Для массового производства 16-слойной HBM3E будет использована усовершенствованная технология Advanced MR-MUF, ранее успешно применявшаяся для 12-Hi решений.

Кроме HBM3E, SK hynix разрабатывает решения для других секторов, включая модули LPCAMM2 для ПК и дата-центров, а также энергоэффективную память LPDDR5 и LPDDR6, выполненную по техпроцессу 1c.

Компания также планирует интегрировать логику в базовый кристалл в памяти HBM4, что станет возможным благодаря партнёрству с одним из ведущих производителей логических полупроводников. Это позволит SK hynix разрабатывать кастомизированные HBM-решения, адаптированные к специфическим запросам клиентов по объёму, пропускной способности и функциональным характеристикам.

Память HBM3E обеспечивает скорость передачи данных на контакт 9,2 Гбит/с, что даёт пропускную способность выше 1,2 Тбайт/с

В ответ на растущие потребности ИИ-систем в увеличении объёма памяти SK hynix разрабатывает решения на основе CXL-сетей, которые обеспечат интеграцию различных типов памяти в массивы высокой ёмкости. Параллельно компания разрабатывает eSSD с ультравысокой ёмкостью, что позволит эффективно хранить большие объёмы данных на ограниченном пространстве и с оптимальным энергопотреблением.

Стремясь преодолеть так называемый «барьер памяти», SK hynix разрабатывает технологии с встроенными вычислительными возможностями. Такие решения, как Processing near Memory (PNM), Processing in Memory (PIM) и Computational Storage, позволят обрабатывать колоссальные объёмы данных, минимизируя задержки и увеличивая пропускную способность. Эти инновации откроют новые перспективы для ИИ-систем нового поколения, позволяя выполнять ресурсоёмкие задачи с минимальными задержками.

Инвесторы, по всей видимости, закрыли глаза на снижение операционной прибыли Samsung в полупроводниковом сегменте последовательно на 40 %, как только услышали заявление руководства о намерениях начать продажи передовой HBM3E в четвёртом квартале. Акции южнокорейского гиганта выросли в цене на 3,6 %, хотя общие итоги предыдущего квартала к этому не особо располагали.

Источник изображения: Samsung Electronics

Прежде всего, как отмечает Bloomberg, исполнительный вице-президент Samsung Electronics Чжэ Чжу Ким (Jaejune Kim), отвечающий за выпуск памяти, признался в наличии существенного прогресса в сертификации микросхем HBM3E новейшего поколения с крупным клиентом, в которым легко угадывается Nvidia. По его словам, Samsung собирается начать поставки передовых микросхем HBM3E в текущем квартале.

До этого, напомним, у Samsung регулярно возникали трудности с получением подобного сертификата, хотя руководство Nvidia свою заинтересованность в использовании HBM3E производства Samsung демонстрировало ещё весной текущего года. Впрочем, пока нельзя оценить, насколько массовыми будут поставки 12-ярусных микросхем памяти типа HBM3E производства Samsung в текущем квартале, если речь идёт именно о них. Так или иначе, курс акций конкурирующей SK hynix, которая контролирует половину рынка, снизился сегодня на 4,6 %.

Напомним, что операционная прибыль Samsung в полупроводниковом сегменте по итогам третьего квартала не только последовательно сократилась на 40 %, но и не оправдала ожидания аналитиков. SK hynix в прошлом квартале получила рекордную операционную прибыль, пообещав начать поставки своих 12-ярусных микросхем HBM3E в текущем квартале. Samsung же готова наращивать выпуск HBM3E в ущерб прочим типам памяти, она также сделала это направление приоритетным для капитальных затрат. Рассчитывая потратить на эти нужды $35 млрд в текущем году, Samsung собирается наладить выпуск HBM4 во второй половине следующего года.

В сегменте контрактного производства чипов, как отмечает Samsung, размер капитальных расходов в этом году уменьшится по сравнению с предыдущим, но компания всё равно намеревается обновлять свои производственные линии, специализирующиеся на зрелой литографии. Нарастить собственную выручку в контрактном сегменте компания рассчитывает за счёт улучшения уровня выхода годной продукции по передовым техпроцессам. Мировой рынок подобных услуг в денежном выражении в следующем году вырастет на двузначное количество процентов, по мнению руководства Samsung.

Сегмент смартфонов в текущем квартале последовательно вырастет, спрос на старшие модели будет этому способствовать, но основная конкуренция будет наблюдаться в среднем ценовом диапазоне. Из-за этого могут измениться как объёмы поставок устройств, так и их средняя цена реализации.

Лидируя на мировом рынке как поставщик памяти в целом, южнокорейская компания Samsung Electronics страдает от конкуренции с SK hynix в быстро растущем сегменте HBM, поскольку до сих пор не может наладить поставки новейших микросхем HBM3E для нужд Nvidia. По некоторым данным, Samsung потребуется внести изменения в дизайн этих чипов, на что уйдёт до шести месяцев времени.

Источник изображения: Samsung Electronics

По информации ZDNet, у Samsung возникли проблемы с производством не только базового чипа для стеков памяти HBM3E, но и самих микросхем DRAM, его формирующих. Дело в том, что компания изначально замахнулась на использование технологии 1α с несколькими слоями, обрабатываемыми с использованием EUV-литографии. В конечном итоге это должно было сделать микросхемы памяти более дешёвыми, но Samsung не удалось добиться стабильного уровня качества при их производстве. Micron и SK hynix предпочитают придерживаться более зрелого техпроцесса 1β, причём последняя ограничивается единственным слоем кристалла, который обрабатывается с использованием EUV. В случае с Samsung их количество достигает пяти, и это создаёт проблемы при производстве.

Сейчас Samsung, как отмечается, обсуждает возможность изменения дизайна своих микросхем DRAM, которые формируют стек HBM3E, ради повышения уровня выхода годной продукции. Если эти изменения в процесс производства решено будет внести, то на их внедрение может уйти до шести месяцев, и тогда Samsung сможет приступить к поставкам HBM3E, соответствующей требованиям Nvidia, не ранее второго квартала следующего года. Источники попутно сообщают, что представители Nvidia посетили предприятие Samsung, где выпускаются 8-слойные стеки HBM3E, и по результатам проверки выяснилось, что они уступают по уровню быстродействия до 10 % аналогичным по характеристикам изделиям SK hynix и Micron.

В то время как Nvidia рассчитывает на скорое присоединение Samsung к числу поставщиков HBM3E для её нужд, сама южнокорейская компания довольно консервативно оценивает потребности рынка в памяти этого типа. По крайней мере, производственная программа на следующий год была сокращена почти на 15 % до 170 000 чипов в месяц.

Источник изображения: Nvidia

Об этом сообщило корейское представительство ZDNet со ссылкой на собственные источники. По их данным, Samsung Electronics не только консервативно оценивает потребности рынка в памяти HBM в целом, но и намерена замедлить строительство новых производственных линий. Во второй половине прошлого года Samsung намеревалась к концу текущего года довести ежемесячные объёмы выпуска микросхем HBM до 150 000 штук, а к концу 2025 года увеличить их до 200 000 штук.

В текущем полугодии, однако, ситуация изменилась. Чипы HBM3E в исполнении Samsung проходят сертификацию на соответствие требованиям Nvidia медленнее, чем планировалось, поэтому и потребность этого клиента в таких микросхемах производитель оценивает более консервативно. В ёмкостном выражении производственные планы Samsung по состоянию на конец следующего года скорректированы в сторону снижения с 13 до 12 Гбит. Решения о дальнейшем расширении производственных мощностей по выпуску HBM будут приниматься только после того, как начнутся массовые поставки HBM3E для нужд Nvidia. Сейчас последняя получает такую память от SK hynix и Micron Technology, но третий игрок рынка в лице Samsung до сих пор не может сертифицировать свою память под требования данного заказчика.

Выпуск восьмислойных стеков HBM3E компания рассчитала начать в третьем квартале, а во втором полугодии начать выпуск 12-слойных микросхем данного типа. Если доля HBM3E в выручке Samsung от реализации памяти HBM в целом в третьем квартале не превышала 10 %, то по итогам четвёртого квартала она должна была вырасти до 60 %.

К концу октября SK hynix и Samsung Electronics объявят об итогах работы за III квартал и, как ожидается, SK Hynix может превзойти Samsung Electronics по объёму операционной прибыли от производства полупроводников, пишет KoreaTimes.

Источник изображения: SK hynix

Согласно консенсус-прогнозу аналитиков, операционная прибыль SK Hynix в III квартале вырастет до 6,76 трлн вон (около $5 млрд), а выручка составит около 17,99 трлн вон (около $13,3 млрд). Если прогнозы оправдаются, компания может достичь рекордно высокого уровня квартальной операционной прибыли, несмотря на негативные перспективы мирового рынка чипов памяти.

Как ожидают аналитики, у Samsung Electronics операционная прибыль в III квартале составит 10,77 трлн вон ($7,96 млрд), а операционная прибыль его подразделения Device Solutions (DS) упадет до 5,2 – 6,3 трлн вон ($3,85 – $4,66 млрд). Samsung Electronics не раскрывает в прогнозе подробности по каждому бизнес-подразделению. По оценкам экспертов, на DS приходится более 50 % всей операционной прибыли южнокорейского технологического гиганта.

Это означает, что SK hynix может превзойти Samsung Electronics по величине прибыли от производства чипов на 400 млрд – 1,5 трлн вон, что станет ударом по сложившейся репутации Samsung как крупнейшей в мире компании по производству микросхем памяти. Эксперты не исключают, что SK hynix может обогнать Samsung и по показателю операционной прибыли за год.

Повышение прибыльности SK hynix связывают с ростом выпуска чипов HBM, которые она поставляет NVIDIA, являясь её крупнейшим поставщиком.

Аналитик SK Securities Хан Донг-хи (Han Dong-hee) отметил, что растущий выпуск восьмислойной HBM3e приведёт к заметному росту средней цены продажи чипов памяти SK Hynix. По его прогнозу, доля продаж HBM в выручке компании от производства DRAM превысит 30 %. HBM примерно в 3–5 раз дороже обычных продуктов DRAM, что обеспечивает более высокую прибыльность для SK hynix.

Недавно SK hynix начала массовое производство 12-слойных чипов HBM3e. В отчёте за II квартал SK hynix заявила в июле, что «ожидает 300-процентного или более высокого роста своего бизнеса HBM в этом году».

Samsung Electronics тоже производит чипы HBM3e, но, как сообщается, NVIDIA всё ещё тестирует её продукцию. Согласно данным TrendForce, в 2023 году SK hynix лидировала на мировом рынке HBM с долей 53 %, за ней следовала Samsung (38 %).

Накануне южнокорейская компания SK hynix в официальном пресс-релизе сообщила, что приступила к массовому производству памяти типа HBM3E с 12-слойных стеках ёмкостью по 36 Гбайт. Это не только самая современная память такого типа, но и самая ёмкая из ныне выпускаемых. Клиенты SK hynix получат эту память к концу текущего года.

Источник изображения: SK hynix

Нетрудно догадаться, что среди этих клиентов будет Nvidia, поскольку SK hynix остаётся главным поставщиком HBM различных поколений для этого разработчика графических процессоров и ускорителей вычислений. До сих пор, как отмечается в пресс-релизе южнокорейской компании, предельный объём в 24 Гбайта обеспечивался 8-слойным стеком HBM3E. Чипы DRAM, формирующие стек, компании удалось сделать на 40 % более тонкими, что в итоге позволило увеличить ёмкость стека на 50 % по сравнению с 8-слойным вариантом. SK hynix приступила к поставкам 8-слойных стеков HBM3E в марте этого года, поэтому соответствующий прогресс был ею достигнут всего за шесть месяцев.

С 2013 года SK hynix поставляет полный спектр микросхем семейства HBM. Скорость передачи информации в 12-слойном стеке HBM3E достигает 9,6 Гбит/с. Увеличение количества слоёв в стеке при одновременном уменьшении толщины каждого слоя сочетается с улучшением свойств теплопроводности на 10 % по сравнению с памятью предыдущего поколения. На утренних торгах в Сеуле котировки акций SK hynix выросли на 8,3 % после заявления о начале производства самой современной памяти семейства HBM. Всего с начала года акции компании укрепились в цене более чем на 25 %. Такой динамике способствовал и благоприятный прогноз по выручке на текущий квартал от конкурирующего производителя памяти Micron Technology.

Южнокорейская компания SK hynix, второй по величине производитель микросхем памяти в мире, начнёт массовый выпуск 12-слойных стеков высокоскоростной памяти HBM3E к концу текущего месяца. Об этом пишет издание Reuters со ссылкой на заявление одного из руководителей высшего звена производителя.

Источник изображения: SK hynix

Заявление о скором старте массового производства памяти HBM3E сделал Джастин Ким (Justin Kim), президент и глава подразделения SK hynix для ИИ-инфраструктуры, выступая на отраслевом форуме Semicon Taiwan в Тайбэе.

SK hynix ещё в июле раскрыла планы по поставкам чипов памяти HBM нового поколения (12-слойных HBM3E). Производитель сообщил, что массовые поставки таких чипов запланированы на четвёртый квартал этого года, а памяти HBM4 начнутся со второй половины 2025 года.

Память с высокой пропускной способностью (HBM) — это один из типов динамической памяти с произвольным доступом (DRAM). Стандарт был впервые представлен в 2013 году. Для экономии места и снижения энергопотребления эти чипы памяти состоят из нескольких кристаллов, наложенных друг на друга. Основное применение таких стеков памяти сегодня — специализированные графические ускорители для работы с алгоритмами искусственного интеллекта (ИИ). Использование памяти с высокой пропускной способностью позволяет обрабатывать огромные объёмы данных, необходимых для обучения моделей ИИ.

В мае генеральный директор SK hynix Квак Но Чун (Kwak Noh-Jung) заявил, что компания набрала заказов на производство памяти HBM на весь 2024 год и почти закрыла весь 2025 год.

Помимо SK hynix ключевыми поставщиками памяти HBM являются компании Micron и Samsung Electronics. SK hynix является основным поставщиком чипов HBM для Nvidia. В конце марта производитель поставил образцы памяти HBM3E одному из своих клиентов, однако в SK hynix отказались уточнять, кому именно.

На этой неделе, как сообщает Business Korea, технический директор южнокорейского стартапа Rebellions О Чжин Ук (Oh Jin-wook) признался в намерениях ускорить вывод на рынок ускорителя вычислений Rebel Quad, который будет сочетать четыре стека памяти Samsung HBM3E с 12 ярусами в каждом. Ускоритель выйдет на рынок до конца года и будет почти полностью производиться Samsung Electronics.

Источник изображения: Rebellions

Корейская компания пытается составить конкуренцию ускорителям Nvidia и AMD, её решения также могут использоваться в системах искусственного интеллекта. Примечательно, что первое поколение ускорителей Atom компании Rebellions использовало микросхемы памяти типа GDDR6 совокупным объёмом 16 Гбайт, и новинка Rebel Quad будет первенцем марки с памятью типа HBM. Четыре стека HBM3E в 12-ярусном исполнении обеспечат совокупный объём памяти 144 Гбайт, и это позволяет изделию южнокорейского стартапа сравниться с ускорителями Nvidia семейства Blackwell.

Непосредственно чип ускорителя Rebel Quad будет выпускаться компанией Samsung по 4-нм технологии, она же займётся и упаковкой, поэтому в этом отношении подрядчик предложит Rebellions комплексные услуги. Представители стартапа подчеркнули, что сейчас не рассматривают возможность сотрудничества с TSMC. Примечательно, что недавно Rebellions поглотила конкурирующую южнокорейскую компанию Sapeon, которая использует в своих ускорителях память типа SK hynix. Впрочем, схема сотрудничества с Samsung вряд ли оставляет Rebellions возможность присматриваться к другим поставщикам памяти.

Ведущим производителем передовых версий памяти HBM остаётся компания SK hynix, которая в то же время уступает Samsung Electronics по общим масштабам производства. Необходимость переориентировать под выпуск HBM3 и HBM3E часть линий по производству DDR5 вынуждает участников рынка повышать цены на последний тип продукции. В результате SK hynix повысила цены на DDR5 на 15–20 %.

Источник изображения: SK hynix

Если бы рост цен осуществлялся за счёт более естественных факторов цикличного возвращения спроса на DRAM, то он не был бы таким заметным. Развитие систем искусственного интеллекта провоцирует рост спроса не только на микросхемы HBM, но и классическую DDR, поскольку требуются всё новые серверные мощности, которые за счёт одних только ускорителей вычислений с памятью HBM не масштабируются.

В этом году SK hynix рассчитывает переориентировать на выпуск HBM более 20 % своих мощностей по выпуску DRAM, тогда как Samsung Electronics готова пожертвовать 30 % существующих линий по выпуску DRAM. Правда, чтобы реализовать эти намерения с наибольшей отдачей, Samsung сначала должна заручиться крупными заказами от той же Nvidia, а пока из комментариев представителей южнокорейской компании понятно лишь то, что процесс сертификации данной продукции под требования этого заказчика всё ещё продолжается.

На прошлой неделе информированные источники сообщили, что компании Samsung Electronics после неоднократных попыток удалось сертифицировать свои 8-слойные чипы памяти типа HBM3E под требования Nvidia, а потому их поставки для нужд этого заказчика начнутся в следующем квартале. Samsung не стала прямо комментировать данные слухи, но дала понять, что тестирование продукции ведётся в соответствии с намеченными ранее планами.

Источник изображения: Samsung Electronics

Редкий для подобных случаев комментарий представители южнокорейского производителя памяти дали ресурсу Seeking Alpha: «Samsung Electronics сейчас находится в процессе оптимизации наших продуктов за счёт тесного взаимодействия с различными клиентами, и тестирование осуществляется в соответствии с намеченными планами». Можно предположить, что под «оптимизацией» продукции Samsung подразумевает изменение технологии выпуска своих микросхем HBM3E, чтобы довести их характеристики до требований Nvidia.

На прошлой неделе также звучали опровержения от южнокорейских СМИ на тему получения Samsung долгожданного сертификата Nvidia, и заявления официальных представителей Samsung позволяют лишь убедиться, что сертификационная работа продолжается в соответствии с графиком, но судить о её результатах пока не представляется возможным. Не исключено, что тема будет обсуждаться на квартальном отчётном мероприятии Nvidia, которое намечено на конец текущего месяца.

Бум систем искусственного интеллекта воодушевил производителей памяти семейства HBM, а ведущие позиции на этом рынке сейчас занимает южнокорейская SK hynix. Руководство этой компании выражает уверенность, что высокий спрос на микросхемы памяти сохранится как минимум до середины следующего года. В дальнейшем он тоже может оставаться высоким, но для подобных прогнозов у компании просто нет достаточных данных.

Источник изображения: SK hynix

По словам издания Korean Economic Daily, соответствующие заявления генеральный директор SK hynix Квак Но Чун (Kwak Noh-jung) на собрании с участием сотрудников компании сделал в минувшую среду. «Оживление на рынке памяти сохранится до конца первой половины следующего года. Спрос на HBM способствовал возникновению перелома в отрасли по производству памяти», — буквально заявил руководитель SK hynix. Во втором квартале операционная прибыль компании достигла шестилетнего максимума в размере $3,96 млрд, норма операционной прибыли выросла до рекордных 33 %, а выручка выросла в годовом сравнении на 124,7 % до $11,86 млрд.

Помимо активного наращивания производственных мощностей для выпуска HBM, компания SK hynix намеревается своевременно осваивать новые типы продукции. Наладить выпуск 12-слойных микросхем типа HBM4 этот южнокорейский производитель рассчитывает во второй половине следующего года. Глава SK hynix не стал торопиться с прогнозами на вторую половину следующего года с точки зрения сохранения высокой динамики спроса, но в компании это объясняют не наличием причин сомневаться в её сохранении, а просто в отдалённости этого периода для обеспечения достоверного прогнозирования.

Новейшая память HBM3E компании Samsung Electronics длительное время не могла попасть в цепочки поставок Nvidia, поскольку не проходила сертификационные тесты, и теперь осведомлённые источники сообщает, что 8-слойные микросхемы Samsung этого типа наконец-то прошли сертификацию крупнейшего разработчика чипов для систем искусственного интеллекта.

Об этом сообщило агентство Reuters со ссылкой на три независимых источника. Формально, данный этап открывает перед продукцией Samsung этого типа путь к долгожданному сотрудничеству с Nvidia, поскольку до сих пор из трёх существующих производителей HBM3E только Samsung не могла похвастать наличием необходимых сертификатов. Лидирующим поставщиком HBM3E для нужд Nvidia, как известно, является SK hynix, которая контролирует около половины рынка микросхем этого типа.

Samsung при этом только предстоит пройти сертификацию Nvidia для микросхем HBM3E с 12 ярусами, поэтому южнокорейский гигант всё равно остаётся в положении догоняющего по сравнению со своими конкурентами. В случае с 8-ярусными стеками HBM3E компания Samsung ещё только должна подписать контракт с Nvidia, чтобы приступить к их поставкам этому клиенту в четвёртом квартале текущего года. Считается, что ради соответствия требованиям Nvidia компании Samsung пришлось внести серьёзные изменения в конструкцию и технологию изготовления микросхем памяти типа HBM3E.

Недавно сообщалось, что менее современная память HBM3 марки Samsung была сертифицирована Nvidia для использования в составе ускорителей вычислений, ориентированных на китайский рынок. По оценкам TrendForce, микросхемы поколения HBM3E по итогам текущего года станут доминирующим типом HBM, основной объём их поставок придётся на второе полугодие. Непосредственно Samsung рассчитывает довести долю HBM3E до 60 % поставок в структуре чипов семейства HBM к концу этого года.

Глава полупроводникового подразделения Samsung Electronics, Чун Юн Хён (Jun Young Hyun), предупредил, что крупнейшая компания Южной Кореи рискует попасть в «порочный круг», если не изменит свою корпоративную культуру. Это заявление было сделано всего через несколько месяцев после его назначения. И на фоне попыток догнать SK Hynix в сегменте памяти для ускорителей вычислений Nvidia.

Источник изображения: Samsung Electronics

В прошлом году Samsung столкнулась с серьёзными трудностями из-за отсутствия внутренних инноваций и слабой коммуникации между отделами. В своей короткой служебной записке Чун Юн Хён отметил, что для сохранения роста компания должна устранить коммуникационные барьеры между отделами и прекратить замалчивать проблемы: «Нам нужно восстановить культуру ожесточённых споров, которая уникальна для полупроводниковой сферы. Если мы будем полагаться на рынок без восстановления фундаментальной конкурентоспособности, мы застрянем в порочном круге, который повторит прошлогоднюю ситуацию».

В заявлении Чун Юн Хёна чувствуется разочарование из-за ошибок Samsung на рынке памяти для ускорителей вычислений Nvidia. В то время как Samsung недавно сообщила о самом быстром росте чистой прибыли с 2010 года, новый глава подразделения перечислил множество проблем, которые подрывают долгосрочную конкурентоспособность южнокорейского гиганта. Важно отметить, что значительная часть этого роста была обусловлена общим восстановлением рынка, а не инновациями компании.

Тем не менее, конгломерат начал добиваться прогресса в сокращении разрыва с SK Hynix. Samsung достигла важного успеха, получив долгожданное одобрение от Nvidia своих высокоскоростных чипов памяти HBM3 и ожидает одобрения следующего поколения, HBM3E, через два-четыре месяца. Это показывает, что компания предпринимает шаги для улучшения своей позиции на рынке.

Для крупнейшей компании Южной Кореи довольно необычно играть роль догоняющего, ведь исторически Samsung всегда была лидером на рынке благодаря своему масштабу и инженерному мастерству. Однако текущие вызовы подчёркивают необходимость не только технологических, но и культурных изменений внутри компании.

«Сейчас мы находимся в сложной ситуации. Благодаря накопленному опыту исследований и ноу-хау мы уверены, что быстро восстановим свои конкурентные преимущества», — заявил Чун Юн Хён. Признание ошибок и активная работа над их устранением дают Samsung шанс вернуть лидирующие позиции на рынке полупроводников. Однако без значительных изменений в корпоративной культуре компания рискует продолжить сталкиваться с теми же проблемами, что и ранее.

На исходе первого месяца третьего квартала многие компании поспешили подвести итоги квартала предыдущего, Samsung Electronics оказалась в их числе. Если предварительные данные о величине выручки и операционной прибыли компании были известны ещё в первой половине месяца, то подробную отчётность она опубликовала только сегодня. Как выяснилось, чистая прибыль Samsung взлетела в шесть раз до $6,96 млрд.

Источник изображения: Samsung Electronics

Аналитики, между тем, как поясняет Bloomberg, рассчитывали только на $5,8 млрд чистой прибыли. Ранее компания заявляла об увеличении операционной прибыли в 15 раз по итогам второго квартала до $7,6 млрд, а также о росте выручки на 23 % до $53,5 млрд. Подобная динамика наблюдается впервые с 2021 года. Вполне предсказуемо, локомотивом роста оказался бизнес Samsung по выпуску полупроводниковой продукции. На этом направлении операционная прибыль достигла $4,7 млрд, поскольку рост цен на память в целом сопровождался ростом спроса на микросхемы типа HBM. Выручка от реализации последних по сравнению с первым кварталом выросла более чем на 50 %. Сейчас микросхемы HBM3E формируют не более 10 % профильной выручки Samsung. Поставки памяти этого типа компания намерена осуществлять в интересах сразу нескольких клиентов, но называть их имена она категорически отказывается.

Представители Samsung не стали комментировать недавние слухи о получении одобрения на поставку HBM3 для нужд Nvidia, сославшись на строгие контрактные взаимоотношения с клиентами, но подчеркнули, что до конца года собираются увеличить долю выручки от поставок HBM3E до 60 % от всех средств, получаемых в сегменте HBM. В следующем году компания собирается удвоить объёмы выпуска микросхем семейства HBM, а во второй половине этого увеличит их в 3,5 раза относительно первого полугодия.

Расходы на исследования и разработки Samsung по итогам прошлого квартала выросли на 11 % до рекордных $5,8 млрд. Забастовка сотрудников, которая началась несколько недель назад, на ритмичности выпуска продукции Samsung не сказалась, как подчёркивает руководство.

Южнокорейский гигант был вынужден признать, что в этом году поставки микросхем памяти для сегмента ПК и смартфонов будут ограничены, поскольку приоритет будет отдаваться серверному сегменту в целом и HBM в частности. Выручка в сегменте смартфонов, как ожидают в Samsung, будет расти, но преимущественно за счёт спроса на дорогие модели с функциями ИИ, тогда как в начальном ценовом сегменте спрос замедлится. Серия Galaxy S24 продолжает пользоваться стабильным спросом, как отметили представители Samsung. Отрицательная динамика выручки во втором квартале в сегменте смартфонов в целом обусловлена сезонными факторами, по их словам.

Во втором полугодии, как ожидается, спрос на серверные компоненты останется на высоком уровне, причём не только за счёт DDR и HBM, но и твердотельной памяти 3D NAND для накопителей. Компания готова расширять производство HBM3E во втором полугодии, а ещё в серверном сегменте высоким спросом пользуются твердотельные накопители.

Как пояснили представители Samsung на квартальном отчётном мероприятии, 8-слойные стеки HBM3E компания готова начать поставлять клиентам уже в этом квартале, поскольку данный вид продукции ими был одобрен. Массовое производство 12-слойных стеков HBM3E планируется начать до конца второго полугодия. Микросхемы типа HBM4 компания рассчитывает поставить на конвейер во второй половине 2025 года.