Компания Crucial представила скоростной NVMe-накопитель T500 стандарта PCIe 4.0. Новинка будет выпускаться в объёмах 500 Гбайт, 1 и 2 Тбайт, и предлагаться в двух вариантах исполнениях: версия на 500 Гбайт будет поставляться без радиатора охлаждения, варианты на 1 и 2 Тбайт — как с радиатором, так и без него.

Источник изображений: Crucial

По словам производителя, версия накопителя T500 с радиатором отлично подойдёт для использования в составе ПК и игровых приставок PS5, версия без радиатора предназначена для использования в ноутбуках.

В основе накопителей Crucial T500 используются 232-слойные чипы памяти 3D TLC NAND от Micron, а также контроллер Phison PS5025-E25, представленный в прошлом году. Версия SSD объёмом 500 Гбайт предлагает скорости последовательного чтения и записи до 7200 и 5700 Мбайт/с соответственно. Для варианта на 1 Тбайт заявлены скорости соответственно в 7300 и 6800 Мбайт/с, а для старшей модели объёмом 2 Тбайт — 7400 и 7050 Мбайт/с соответственно. Накопители оснащены кеш-памятью LPDDR4 DRAM в объёме 1 Гбайт на 1 Тбайт объёма SSD.

Производительность новинок при случайном чтении составляет от 800 тыс. до 1 180 000 IOPS в зависимости от версии, а записи — от 300 тыс. до 1 200 000 IOPS. Ресурс накопителей Crucial T500 варьируется от 300 TBW (терабайт перезаписанной информации) у SSD объёмом 500 Гбайт до 1200 TBW у модели на 2 Тбайт. Для T500 заявлена поддержка технологии Microsoft DirectStorage, которая призвана ускорить загрузку в играх, а также системы шифрования TCG Opal.

Версию накопителя Crucial T500 объёмом 500 Гбайт производитель оценил в $90 (в расчёте 18 центов за гигабайт пространства), вариант на 1 Тбайт оценён в $120 (без радиатора и в расчёте 12 центов за 1 Гбайт) и $130 (с радиатором и в расчёте 13 центов за Гбайт). Старшая модель объёмом 2 Тбайт оценивается в $170 (без радиатора, 8,5 цента за гигабайт) и $180 (с радиатором и в расчете 9 центов за 1 Гбайт). На все версии SSD предоставляется пятилетняя гарантия производителя.

В 2024 году компания Crucial также планирует выпустить версию SSD объёмом 4 Тбайт. Её стоимость пока неизвестна.

Компания Micron сообщила, что приступила к поставкам образцов энергоэффективной оперативной памяти LPDDR5X-9600, производящейся с использованием её самого передового технологического процесса 1β (1-бета).

Источник изображения: Micron

В Micron отмечают, что оперативная память LPDDR5X на техпроцессе 1β предлагает скорость до 9,6 Гбит/с на контакт (LPDDR5X-9600). Пропускная способность памяти более чем на 12 % выше, чем у LPDDR5X-8533 (8,533 Гбит/с на контакт).

Компания также сообщает, что оперативная память LPDDR5X на техпроцессе 1β почти на 30 % энергоэффективнее чипов памяти LPDDR5X на техпроцессе 1α. Micron будет выпускать память LPDDR5X на техпроцессе 1β микросхемами объёмом до 16 Гбайт.

Источник изображения: SK hynix

В свою очередь южнокорейская SK hynix будет поставлять микросхемы памяти LPDDR5T-9600 («T» от «Turbo») объёмом 16 Гбайт, которые работают с напряжением VDD от 1,01 до 1,12 и VDDQ 0,5 В. Для сравнения, максимальное напряжение VDD для памяти LPDDR5X, согласно спецификациям, составляет 1,1 В. Таким образом память LPDDR5T немного выходит за эти рамки.

Микросхемы памяти Micron LPDDR5X-9600 и SK hynix LPDDR5T-9600 совместимы с новейшими флагманскими процессорами Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3 с поддержкой генеративного ИИ и будут применяться в смартфонах на их основе. Micron уже приступила к поставкам чипов LPDDR5X-9600 объёмом 16 Гбайт с пиковой пропускной способностью 76,8 Гбайт/с. SK Hynix рассказала, что её микросхемы прошли проверку компанией Qualcomm, поэтому южнокорейский производитель, вероятно, начнёт поставки этих чипов в ближайшее время.

Около 90 % выпускаемой в мире оперативной памяти сейчас поставляется тремя компаниями, две из которых (Samsung и SK hynix) относятся к Южной Корее, а третья является американской — Micron Technology. При этом доля США на мировом рынке памяти сейчас едва достигает 2 %, но через 20 лет руководство Micron надеется увеличить этот показатель до 15 %.

Источник изображения: Micron Technology

Об этом в интервью CNBC рассказал генеральный директор Micron Technology Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra). По его словам, в производственной программе компании доля выпускаемой на территории США памяти к тому времени вырастет с 10 до 60 %. Для этого будут построены новые предприятия в штатах Айдахо и Нью-Йорк. В первом из штатов выпуск памяти на новом предприятии будет налажен в 2026 году, а предприятие в штате Нью-Йорк начнёт возводиться в конце следующего года, чтобы к 2027 году наладить выпуск микросхем памяти. Подобные предприятия, по словам представителей Micron, обязаны быть крупными, чтобы обеспечить экономию расходов на масштабах производства. В штате Нью-Йорк компания рассчитывает за двадцать лет построить четыре предприятия, потратив на это до $100 млрд. На первом этапе в плане субсидий она уже может рассчитывать на поддержку властей штата в размере $5,5 млрд, также подана заявка и на субсидирование из федерального бюджета по так называемому «Закону о чипах». На строительство предприятия в Айдахо планируется потратить $15 млрд. Сейчас Micron свои передовые чипы памяти производит преимущественно в Японии и на Тайване, но в ближайшие годы она рассчитывает усилить роль США в этой сфере.

Долгое время Micron не строила новых предприятий, а свою экспансию на рынке осуществляла за счёт поглощения более мелких производителей и их производственных площадок. В частности, с 1998 года Micron провела 11 соответствующих сделок. Теперь пришла пора взяться за строительство новых предприятий, и текущий спад на рынке памяти не смущает руководство Micron Technology. В сегменте смартфонов потребность в увеличении объёма памяти проявит себя довольно скоро из-за роста вычислительной нагрузки и появления более «тяжёлого» транслируемого по сети контента. В сегменте искусственного интеллекта будет расти спрос на скоростную память типа HBM. Автопилот и развитие автомобильной электроники обеспечат спрос на память со стороны транспортной отрасли.

Предприятие Micron в штате Нью-Йорк, строительство которого начнётся в следующем году, будет ежедневно потреблять объём воды, сопоставимый с ёмкостью 25 олимпийских бассейнов, а также потреблять объём электроэнергии, которого хватило бы на 25 000 домовладений. Говоря о преимуществах строительства предприятия в США, руководство Micron отмечает низкую стоимость энергоресурсов. При этом здесь дороже рабочая сила, а также выше затраты на строительство предприятий, но и по этому показателю прочие регионы планеты догоняют США. Нехватку квалифицированных кадров Micron старается побороть за счёт сотрудничества с американскими университетами. В конце концов, в ближайшие пару десятилетий компании предстоит в одном только штате Нью-Йорк принять на работу около 50 000 жителей США, поэтому целевые образовательные программы приходится запускать уже сейчас. Micron даже финансирует деятельность тематического летнего лагеря для подростков, чтобы формировать у молодёжи интерес к полупроводниковой отрасли.

Компания Micron Technology сообщила о начале массового производства и поставок 16-гигабитных чипов памяти DDR5, выполненных по самому передовому технологическому процессу производителя — 1β (1-beta). На основе этой памяти могут создаваться модули ОЗУ для серверов и персональных компьютеров со скоростью до 7200 МТ/с.

Источник изображений: Micron

Компания заявляет, что переход на техпроцесс 1β с передовой технологией High-K CMOS, четырёхфазной регулировкой тактовой частоты и синхронизацией тактов позволил увеличить производительность на 50 %, а энергоэффективность на ватт увеличена на 33 % по сравнению с прошлым поколением памяти.

С ростом количества ядер CPU для удовлетворения растущих потребностей рабочих нагрузок центров обработки данных значительно возрастает и потребность в более ёмкой памяти с высокой пропускной способностью. Память DRAM DDR5 со скоростью передачи данных до 7200 МТ/с на основе техпроцесса 1β от Micron позволяет масштабировать вычислительные возможности с более высокой производительностью для таких сфер, как обучение и интеграция искусственного интеллекта (ИИ), генеративного ИИ, анализ данных и базы данных в памяти (IMDB) в центрах обработки данных и на клиентских платформах.

Новые микросхемы памяти Micron получили объём 16, 24 и 32 Гбит (2, 3 и 4 Гбайт) и предлагают скорость работы от 4800 до 7200 MT/с. Новая память будет доступна как в серверном, так и в потребительском сегменте. Micron планирует распространить использование передового техпроцесса 1β на производство кристаллов памяти LPDDR5x, GDDR7 и даже HBM3e, отмечает производитель.

Год назад компания Micron Technology, бравируя своим американским происхождением, объявила о грандиозных планах по развитию производства памяти на территории США, рассчитывая получить государственную поддержку в рамках «Закона о чипах». Торжественная церемония начала строительства предприятия в штате Айдахо состоялась на этой неделе.

Источник изображения: Micron Technologies

Как подчёркивается в пресс-релизе, это первый за последние двадцать лет такого рода проект на территории США, реализуемый исконно американской компанией. Церемония закладки фундамента приурочена к 45-летнему юбилею компании Micron Technology, и компанию передовому предприятию в штате Айдахо составит научно-исследовательский центр, расположенный по соседству со штаб-квартирой. В экономику штата на протяжении жизненного цикла предприятия руководство Micron планирует вложить $15,3 млрд, а непосредственно местным компаниям достанется около $13 млрд. Помимо 2000 рабочих мест на предприятии, Micron будет способствовать появлению ещё около 15 000 вакансий на стройке и в смежных отраслях. За последующие десять лет Micron собирается вложить в экономику родного штата не менее $75 млн, которые будут направлены на пользу обществу и обучение кадров. Во всяком случае, на новом предприятии будет использоваться только электроэнергия из возобновляемых источников, а водные ресурсы будут полностью использоваться повторно после очистки.

В штате Айдахо, как подчёркивает Micron, располагается единственное на территории страны предприятие по выпуску опытных образцов памяти DRAM. Местными специалистами зарегистрировано две трети патентных заявок, принадлежащих компании. В среднем они регистрируют до трёх патентных заявок ежедневно, если распределить всё количество на период существования научно-исследовательского центра. Появление по соседству передового предприятия, позволяющего выпускать в массовых количествах микросхемы памяти, обеспечит мощный синергетический эффект, как убеждены в Micron.

Так называемые «чистые помещения», в которых будет налажен выпуск микросхем памяти типа DRAM, будут введены в строй на новом предприятии с 2025 года, объёмы производства памяти будут наращиваться пропорционально спросу. В идеале, площадь «чистых помещений» на предприятии сможет приблизиться к 56 000 м². Здесь же расположится и крупнейший «чистый цех» на территории США. Ещё в августе этого года Micron подала заявку на получение субсидий на реализацию проектов в Айдахо и штате Нью-Йорк, но выделение средств со стороны американских властей пока не гарантируется.

Компания Micron приступила к тестированию модулей DDR5 объёмом 128 Гбайт, использующих 32-Гбит чипы памяти. Чипы собраны в монолитном корпусе без технологии стекирования. Выпуск монолитных 32-Гбит микросхем DDR5 открывает путь к перспективным 1-Тбайт модулям памяти для серверов. Об этом сообщает портал AnandTech, ссылающийся на заявление производителя, прозвучавшее на пресс-конференции Micron на этой неделе.

Источник изображения: Micron

«Мы расширили нашу линейку модулей памяти DDR5 высокой ёмкости за счёт модуля объёмом 128 Гбайт на базе монолитных однокристальных чипов. Мы также начали поставлять нашим клиентам образцы указанных модулей. Они призваны удовлетворить потребности в задачах и приложениях, связанных с искусственным интеллектом. Мы ожидаем первую прибыль от этого продукта во втором квартале 2024 года», — заявил генеральный директор Micron Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra).

Micron производит 32-Гбит чипы DDR5 DRAM с использованием техпроцесса 1β (1-beta) — новейшего решения компании, в котором используется технология множественной экспозиции с применением литографии в глубоком ультрафиолете (DUV), а не более передовая литография в сверхжёстком ультрафиолете (EUV). Это всё, что известно об этих монолитных 32-Гбит чипах памяти. Компания не сообщает потенциальную скорость указанных чипов памяти. Однако можно предположить, что уровень их энергопотребления при том же уровне рабочего напряжения и скорости передачи должен быть ниже, чем у тех же 32-Гбит чипов памяти, где применяется монтаж двух 16-Гбит кристаллов друг на друга.

Новые 32-Гбит чипы памяти отрывают возможность производства 32-Гбайт модулей памяти, состоящих всего из восьми отдельных микросхем. На основе 32 таких чипов можно выпускать модули ОЗУ объёмом 128 Гбайт. При более плотном расположении чипов также теоретически возможно создание модулей памяти объём 1 Тбайт. На данный момент такие решения могут показаться чрезмерными, однако они безусловно найдут своё применение в таких сферах, как искусственный интеллект, Big Data и серверах баз данных. Такие модули памяти обеспечат наличие до 12 Тбайт ОЗУ DDR5 в составе однопроцессорного сервера с учётом поддержки CPU 12-канальной памяти.

Если говорить о памяти DDR5 в целом, то Micron ожидает, что в её структуре поставок объёмы производства новой памяти превысят объёмы выпуска DDR4 в начале 2024 года.

Южнокорейской компании SK hynix придётся отстаивать титул производителя самой быстрой в мире памяти типа HBM3E, поскольку этим летом компания Micron Technology объявила о разработке аналогичных микросхем со скоростью передачи информации более 1,2 Тбайт/с. Как поясняют представители американского производителя, образцы HBM3E этой марки сейчас проходят тестирование силами клиентов, а выручку от поставок серийных микросхем компания начнёт получать в следующем году.

Источник изображения: Micron Technology

По имеющимся данным, память типа HBM3E в исполнении Micron обладает восьмиярусной компоновкой и объёмом 24 Гбайт на стек, при этом она выпускается по технологии 1β и обладает выдающимися показателями энергоэффективности. Во всяком случае, при том уровне быстродействия, что предлагает эта память в исполнении Micron, по словам представителей компании, она настолько экономичнее предложений конкурентов, что некоторые из получивших образцы клиентов просто не верят полученным ими результатам тестирования. Коммерческие поставки этих микросхем Micron начнёт в следующем году, а сейчас проводит процедуру сертификации этой продукции на соответствие требованиям NVIDIA.

Если учесть, что память типа HBM (обобщённо) марки Samsung должна получить доступ к производственной инфраструктуре NVIDIA в этом году, то в следующем её поставщиками станут все три крупнейших производителя, включая Micron и SK hynix. Последняя в этом смысле является «старожилом» сегмента, но высокий спрос на ускорители NVIDIA явно обеспечит рынком сбыта продукцию конкурентов SK hynix. Едва выйдя на рынок памяти типа HBM3E, компания Micron уже в следующем году ожидает выручить от её реализации несколько сотен миллионов долларов США. Динамичное развитие этого сегмента рынка позволит Micron компенсировать слабый спрос на других направлениях. В следующем году компания вложит серьёзные средства в создание производственных линий по выпуску и упаковке микросхем HBM3E. Объёмы выпуска начнут наращиваться в начале следующего календарного года, и к концу августа выручка от реализации HBM3E уже достигнет значимых величин — тех самых сотен миллионов долларов США, по всей видимости.

Цикличность рынка памяти наглядно характеризуется итогами фискального года, который в календаре Micron Technology завершился 31 августа. За прошедший период компания выручила только $15,54 млрд, что примерно в два раза меньше итога предыдущего фискального года. Квартал был завершён с $4,01 млрд, продемонстрировав последовательный рост выручки на 6,9 %, но в годовом сравнении она упала на 40 %.

Источник изображения: Micron Technology

В минувшем квартале Micron 69 % всей выручки получила от реализации оперативной памяти типа DRAM, на этом направлении она последовательно выросла на 3 % до $2,8 млрд. В натуральном выражении поставки последовательно увеличились на 14–15 %, но средняя цена реализации упала на 8–9 %. По итогам всего года выручка от реализации DRAM составила 71 % совокупной выручки Micron, по сравнению с предыдущим фискальным годом она сократилась на 51 % до $11 млрд.

Источник изображения: Seeking Alpha

Выпуск памяти типа NAND принёс Micron в четвёртом квартале $1,2 млрд, что на 19 % больше результата третьего фискального квартала. В структуре совокупной выучки данный вид деятельности формировал 30 %, в натуральном выражении поставки последовательно выросли более чем на 40 %, но средняя цена реализации снизилась на 14–15 %. По итогам фискального года выручка от реализации твердотельной памяти составила 27 % от совокупной, она снизилась на 46 % до $4,2 млрд по сравнению с предыдущим фискальным годом.

Источник изображения: Seeking Alpha

В мобильном сегменте Micron в минувшем квартале выручила $1,2 млрд, что на 48 % больше итогов предыдущего квартала, но на 20 % меньше по сравнению с аналогичным периодом предыдущего года. В целом по итогам фискального года выручка Micron в мобильном сегменте сократилась на 50 % до $3,6 млрд. В сегменте сетевых решений и вычислений выручка прошлого квартала последовательно выросла на 14 % до $1,2 млрд, но в годовом сравнении опустилась на 59 %. В целом за год она сократилась на 58 % до $5,7 млрд.

Источник изображения: Seeking Alpha

Сегмент встраиваемых решений в минувшем квартале принёс Micron только $860 млн выручки, что на 6 % меньше итогов предыдущего, а также на 34 % меньше итогов аналогичного периода прошлого года. По итогам всего фискального года профильная выручка сократилась на 31 % до $3,6 млрд. Наконец, в сегменте систем хранения данных выручка Micron по итогам квартала выросла последовательно на 18 % до $739 млн, но в годовом сравнении опустилась на 17 %. По итогам всего фискального года профильная выручка сократилась на 44 % до $2,6 млрд.

И квартал ($1,2 млрд), и весь фискальный год ($4,8 млрд) компания завершила с операционными убытками, а чистые убытки составили соответственно $1,2 млрд и $4,9 млрд. Отрицательной оказалась и норма прибыли: минус 9 % по итогам квартала и минус 8 % по итогам фискального года. Выручка компании падает уже пять кварталов подряд, но в текущем Micron рассчитывает переломить тенденцию.

В ушедшем году капитальные затраты Micron достигли $7 млрд, а в следующем слегка превысят эту сумму. Компания существенно пересмотрела долю средств, которые будут направлены на масштабирование производства памяти типа HBM, но соответствующим планам необходимо посвятить отдельную публикацию. По родственным причинам в два раза увеличатся расходы на создание линий по тестированию и упаковке чипов памяти. Компания рассчитывает получить от властей США субсидии на строительство предприятий в штатах Айдахо и Нью-Йорк.

Хотя руководство Micron рассчитывает на восстановление спроса на память в 2024 фискальном году, который уже начался, на производственных линиях с использованием зрелых техпроцессов степень загрузки конвейера будет ниже оптимальной даже на протяжении какой-то части 2024 календарного года. На передовых технологических направлениях спрос начнёт опережать производственные возможности Micron во второй половине следующего года. Часть оборудования, которое было задействовано при выпуске памяти по зрелым техпроцессам, удастся переоснастить для наращивания объёмов выпуска по более современным технологиям.

В целом, Micron связывает большие надежды даже не с 2024 годом, а с 2025-м, поскольку к тому времени компания рассчитывает получать рекордную выручку по мере роста спроса на компоненты для систем искусственного интеллекта, и память типа HBM3E в этом прогрессе будет играть важнейшую роль. Сейчас компания способна выпускать 232-слойную память типа 3D NAND, по графику идёт освоение более сложной компоновки. В календарном 2025 году будет освоен и выпуск памяти типа DRAM поколения 1-гамма с использованием EUV-литографии.

В прошлом квартале клиенты Micron существенно сократили складские излишки памяти, и сейчас объёмы поставок продукции со стороны производителя начинают более или менее точно соответствовать реальному уровню спроса на рынке. По крайней мере, в сегменте смартфонов и ПК ситуация со складскими запасами нормализовалась. Автомобильный рынок победил дефицит, а вот серверный пока страдает от излишков, но и здесь ситуация должна нормализоваться в начале 2024 календарного года. Тогда же серверный сегмент вернётся к росту спроса на микросхемы памяти.

В начале следующего года в структуре поставок продукции Micron микросхемы DDR5 начнут доминировать над DDR4, и в этом отношении компания опередит остальную отрасль. Образцы модулей типа DDR5 объёмом 128 Гбайт на основе чипов памяти с монолитным кристаллом уже поставляются клиентам компании.

По прогнозам Micron, в текущем календарном году объёмы поставок ПК сократятся на 11–12 %, а в следующем году увеличатся на 2–5 %. Компания верит, что в последующие пару лет стимулировать спрос в сегменте ПК будут новые платформы с поддержкой ускорения работы систем искусственного интеллекта. Как известно, AMD и Intel соответствующие наборы команд в свои процессоры уже внедряют.

Сегмент смартфонов по итогам этого года сократит поставки продукции на 4–5 %, но в следующем пропорционально их увеличит, как считают в Micron. Удельное содержание памяти в смартфонах увеличивается, поскольку спрос смещается в сторону более дорогих моделей, которые при этом эксплуатируются дольше. Примерно треть реализуемых сейчас смартфонов, по данным компании, оснащается 8 Гбайт ОЗУ и 256 Гбайт твердотельной памяти, что на 7 процентных пунктов больше, чем год назад.

В целом, как ожидает руководство Micron, степень загрузки линий по выпуску памяти типов DRAM и NAND будет оставаться ниже уровней 2022 года ещё достаточно долго. Соответственно, на простое расширение производственных мощностей компания в следующем году будет тратить меньше средств, чем в минувшем. В следующем году рынок NAND и DRAM будет восстанавливаться, а объёмы производства памяти будут отставать от темпов роста спроса, причём в сегменте DRAM это будет выражено сильнее. Уже сейчас цены на продукцию Micron вернулись к росту, и тенденция сохранится как минимум до конца текущего календарного года.

В текущем квартале Micron рассчитывает выручить от $4,2 до $4,6 млрд, при этом норма прибыли останется отрицательной, но по модулю сократится с нынешних 9 до 2 или 6 %. Публикация отчётности вызвала снижение курса акций компании на 3,61 % после закрытия основной торговой сессии.

Индийский промышленный конгломерат Tata проявляет живой интерес к организации производства электроники на территории страны, а потому сотрудничает не только с NVIDIA и Apple, но и собирается принять участие в строительстве предприятия Micron Technology по тестированию и упаковке чипов памяти в индийском штате Гуджарат. Оно должно быть запущено к концу следующего года.

Источник изображения: Micron Technology

Как сообщает издание The Hindu Business Line, подразделению Tata Projects удалось выиграть конкурс на строительство предприятия Micron в городе Сананд. Первая фаза проекта подразумевает создание «чистых комнат» общей площадью более 46 тыс. м². Совокупные затраты на строительство предприятия будут достигать $2,75 млрд, но сама Micron вложит в проект лишь около $825 млн, а остальную часть суммы покроют власти Индии и самого штата Гуджарат.

Строительство предприятия будет осуществляться в соответствии со строгими экологическими стандартами, на производстве изначально будут внедрены принципы сбережения водных ресурсов, а сброс отходов в жидком виде вообще будет исключён. По словам представителей Micron, выбор Tata Projects в качестве подрядчика был обусловлен хорошей репутацией компании с точки зрения соблюдения сроков строительства и бюджета проектов. Напомним, что Tata Group также задействована в развитии вычислительной инфраструктуры в Индии при поддержке NVIDIA, а индийское предприятие Wistron по выпуску Apple iPhone тоже должно было перейти под контроль Tata Group в этом квартале.

Сейчас американская компания Micron Technology является главным поставщиком микросхем памяти типа GDDR6 для видеокарт, поскольку именно её продукцию использует доминирующая в этом сегменте NVIDIA. В случае с переходом на GDDR7 фаворитами могут стать южнокорейские производители памяти, поскольку они обещают начать поставки таких микросхем раньше, чем Micron.

Источник изображения: Samsung Electronics

В прошлом месяце Samsung Electronics сообщила о завершении разработки памяти типа GDDR7 и начале поставок её образцов компании NVIDIA. Конкурирующая SK hynix намеревается последовать примеру Samsung до конца этого года. При этом Micron Technology свою память типа GDDR7 представит не ранее следующего полугодия. Учитывая расторопность Samsung в этой сфере, именно эта корейская компания может стать основным поставщиком микросхем памяти типа GDDR7 для нужд NVIDIA.

По прогнозам IGI, ёмкость рынка микросхем памяти семейства GDDR, используемой видеокартами, с 2018 по 2030 годы вырастет в полтора раза до $4,8 млрд, при этом среднегодовые темпы роста в сегменте самой производительной памяти такого типа будут измеряться двузначными величинами в процентах против средних по рынку 7,6 %. Всё это привлекает к выпуску памяти типа GDDR7 профильных производителей, и корейские компании в данном случае могут опередить своего американского производителя, занимающего сейчас доминирующее положение на рынке.

С мая этого года американский производитель микросхем памяти Micron Technology лишился возможности поставлять свою продукцию для использования в объектах критически важной национальной инфраструктуры Китая, поскольку местные регуляторы сочли её небезопасной. Американскому гиганту это грозит потерей более 10 % совокупной выручки, поэтому для более плотного взаимодействия с властями КНР был назначен директор по связям с правительственными структурами — Ли Синьмин (Li Xinming), в англоязычных источниках также известный как Джефф Ли (Jeff Li).

Источник изображения: Micron Technology

Отмечается, что Ли проработал в государственном секторе и промышленности более 30 лет в совокупности, сочетая опыт взаимодействия с китайскими государственными органами и глубокое понимание специфики полупроводниковой отрасли. Он получил образование уровня MBA в Австралии и обладает дипломом Пекинского университета иностранных языков.

Для Micron китайский рынок является третьим по величине, компания до введения санкций Пекином в мае этого года получала здесь до четверти всей выручки. Как ожидается, исключение доступа Micron к закупкам со стороны операторов критически важной национальной инфраструктуры лишит компанию примерно половины выручки в регионе. Это не помешало Micron в июне текущего года объявить о намерениях вложить $600 млн в модернизацию предприятия в Сиане по тестированию и упаковке микросхем памяти, а также выкупить местное предприятие тайваньского партнёра Powertech Technology. Появление в штате китайского подразделения Micron Technology специалиста по связям с правительственными структурами призвано нормализовать отношения компании с властями страны.

Заявки от желающих претендовать на получение субсидий компаний в рамках так называемого «Закона о чипах» в США уже начали приниматься, и недавно чиновники сообщили, что интерес к программе проявили около 460 компаний. Среди них, как можно судить по официальной документации, оказалась и Micron Technology, которая заблаговременно расписала масштабный бизнес-план, который только для одной площадки в Айдахо сулит капитальные вложения в $15 млрд за ближайшие десять лет.

Источник изображения: Micron Technology

Второй проект Micron Technology, реализуемый в штате Нью-Йорк, подразумевает на первом этапе инвестиции в сумме $20 млрд с перспективной преодоления планки в $100 млрд на протяжении последующих двадцати лет. Власти штата Нью-Йорк согласились выделить около $5,5 млрд субсидий, но если говорить о федеральном субсидировании, то его масштабы только предстоит определить по итогам рассмотрения заявки на участие Micron Technology в соответствующей программе. В конечном итоге Micron хотела бы до 40 % всей памяти типа DRAM выпускать на территории США, и предприятие в штате Нью-Йорк должно сыграть ключевую роль в этой трансформации.

Важно понимать, что непосредственно на строительство предприятий в США власти страны готовы выделить на всех соискателей не более $39 млрд сроком на ближайшие пять лет. По некоторым оценкам, самые важные для экономики США проекты в данной сфере смогут претендовать на покрытие за счёт субсидий от 5 до 15 % капитальных затрат, причём и эти деньги получат далеко не все. Достаточно вспомнить, что только строительство двух предприятий TSMC в Аризоне потребует до $40 млрд затрат, а компания Intel собирается к середине десятилетия потратить на строительство своих предприятий в Аризоне и Огайо не менее $50 млрд. Samsung Electronics тоже наверняка будет претендовать на получение субсидий при строительстве своего предприятия по контрактному производству чипов в штате Техас, затраты на возведение которого оцениваются в $25 млрд.

Другими словами, при удачном стечении обстоятельств Micron Technology от силы сможет претендовать на $5 млрд федеральных субсидий на реализацию двух своих проектов в Айдахо и штате Нью-Йорк. Возможно, что в отсутствие существенных государственных вливаний и на фоне циклического характера изменения спроса на память Micron на каком-то этапе будет вынуждена либо пересмотреть свои планы, либо изменить график их реализации.

Компания Phison продемонстрировала на мероприятии Flash Memory Summit 2023 самый быстрый, по её собственному утверждению, потребительский твердотельный накопитель в мире PS5026-E26 Max14um Gen5, демонстрирующий скорость последовательного чтения более 14 Гбайт/с. Устройство также получило передовой ультразвуковой блок охлаждения от Frore.

Источник изображений: Phison

Накопитель основан на чипах памяти Micron B58R 3D TLC NAND и контроллере Phison PC5026-E26 — их сочетание позволило добиться скоростей последовательного чтения в 14 175 Мбайт/с и последовательной записи в 12 471 Мбайт/с, а также 1,79 млн операций ввода-вывода в секунду при произвольном чтении и 1,74 млн при произвольной записи.

Твердотельный накопитель PS5026-E26 Max14um Gen5 оказался даже немного быстрее представленного месяц назад диска Sabrent с контроллером E26, которые предназначен для корпоративного сегмента. Чтобы добиться таких скоростей, Phison пришлось оптимизировать прошивку и установить модуль охлаждения — им стал ультразвуковой блок AirJet Mini от Frore Systems.

В Phison не уточнили, собирается ли компания поставлять своим партнёрам эталонные экземпляры PS5026-E26 Max14um Gen5, или им придётся разрабатывать решения такого уровня собственными силами.

В мае этого года китайские регуляторы запретили использовать микросхемы памяти Micron Technology в объектах критически важной информационной инфраструктуры. Считалось, что данные ограничения пойдут на пользу как корейским поставщикам памяти, так и китайским, но по итогам нескольких месяцев работы китайской промышленности в условиях этих ограничений можно утверждать, что в плюсе оказались именно корейские производители.

Источник изображения: AFP

Дело в том, как поясняет South China Morning Post, что к объектам критически важной инфраструктуры преимущественно относятся серверные системы, которые требуют передовых чипов памяти, не выпускаемых в настоящее время местными производителями. По этой причине спрос в этой сфере сместился в сторону продукции южнокорейских поставщиков. В частности, китайская CXMT хоть и занимает 21 % рынка в сегменте микросхем DRAM, способна предлагать только чипы поколения DDR4. Соответственно, выбывшие поставки Micron, которая до введения санкций властями КНР занимала около 15 % местного рынка, замещаются преимущественно продукцией южнокорейских конкурентов в лице Samsung Electronics и SK hynix.

Китайская компания YMTC способна выпускать 232-слойную память типа 3D NAND, но на местном рынке она занимает не более 3 %, и санкции США против этого производителя неизбежно ограничат её возможности по выпуску самой продвинутой памяти. Правила экспортного контроля США в их действующей редакции допускают поставку в Китай только оборудования для производства микросхем памяти типа 3D NAND с количеством слоёв не более 128 штук.

Samsung завершила разработку микросхем памяти типа GDDR7, а в следующем году собирается удвоить объёмы производства памяти типа HBM. Компания SK hynix лидирует в последнем сегменте, контролируя примерно половину мирового рынка таких чипов памяти. Китайские производители память типа HBM вообще не предлагают, а именно она сейчас востребована системами искусственного интеллекта, построенными на специализированных ускорителях вычислений. Нет ничего удивительного в том, что в серверном сегменте китайские клиенты делают ставку на продукцию корейских поставщиков памяти.

По мнению аналитиков Counterpoint, если китайские власти продолжат настаивать на использовании отечественной памяти в объектах серверной инфраструктуры, то качественный состав серверов от этого неизбежно пострадает. Компаниям YMTC и CXMT будет трудно полагаться на китайских поставщиков оборудования для выпуска памяти в силу существенного отставания последних от западных конкурентов по уровню технологического развития.

Micron стала первым производителем модулей памяти DDR5 объёмом 24 Гбайт и первым же их поставщиком. Компания хочет сохранить за собой лидерство «первопроходца» и готовит к массовому производству первые на рынке 32-гигабитные чипы памяти DDR5, а также модули ОЗУ большой ёмкости. Старт производства этих продуктов запланирован на первую половину следующего года.

Источник изображений: Micron

Монолитные 32-гигабитные чипы памяти DDR5 будут производиться с использованием технологического процесса 1β (1-бета), являющегося самым продвинутым у производителя, а также последним техпроцессом Micron, в котором не применяется литография в экстремальном ультрафиолете. Компания пока не готова делиться информацией о пропускной способности будущих чипов памяти.

Одним из преимуществ современных технологий производства чипов DRAM является то, что с их помощью можно создавать монолитные микросхемы очень большой ёмкости. Те же 32-гигабитные чипы DDR5 окажутся очень полезными для производства серверных модулей ОЗУ большой ёмкости. Теоретически на базе 32-гигабитных модулей DDR5 можно будет создавать модули памяти объёмом до 1 Тбайт (на основе 32 8-стектовых 32-гигабитных чипов). Правда, сама Micron такие продукты анонсировать пока не спешит. Вместо них производитель планирует выпускать модули ОЗУ DDR5 объёмом 128, 192 и 256 Гбайт.

Отсутствие в дорожной карте будущих продуктов Micron модулей памяти DDR5 объёмом 512 Гбайт и 1 Тбайт может означать, что производитель пока рассматривает такие продукты очень нишевыми. Впрочем, это не исключает возможности, что компания в какой-то степени всё же рассматривает возможность выпуска таких модулей, но доступными они будут только для избранных клиентов.

В дорожной карте Micron также указано, что компания планирует с середины 2024 года начать массовое производство 16-гигабитных и 24-гигабитных чипов памяти GDDR7 со скоростью передачи данных 32 ГТ/с (гигатрансферов в секунду). Кроме того, она работает над памятью HBMNext. Это новое поколение высокопроизводительной памяти должно обеспечить полосу пропускания от 1,5 Тбайт/с до более чем 2 Тбайт/с на стек при ёмкости от 36 до 64 Гбайт. Ранее производитель представил память HBM3 Gen2 с пропускной способностью 1,2 Тбайт/с, которая на 44 % быстрее обычной HBM3.