Компания Samsung Electronics начнёт массовое производство 290-слойных чипов флеш-памяти 9-го поколения 3D V-NAND уже в этом месяце, пишет южнокорейское издание Hankyung, ссылающееся на индустриальные источники. В следующем году производитель планирует выпустить 430-слойные чипы флеш-памяти NAND.

Источник изображений: Samsung

Чипы Samsung 3D V-NAND 9-го поколения с 290 слоями будут выпускаться с использованием технологии двойного штабелирования, которую Samsung впервые применила в 2020 году при производстве 176-слойных микросхем 3D NAND 7-го поколения. Метод подразумевает создание массива чипов 3D NAND на кремниевых пластин диаметром 300 мм, после чего две такие пластины накладываются друг на друга и спаиваются, а затем нарезаются на отдельные чипы, представляющие собой двойные стеки.

Ранее в полупроводниковой индустрии ходили разговоры, что производство чипов флеш-памяти NAND с количеством слоёв около 300 потребует укладки друг на друга трёх пластин из-за технологических ограничений метода двойного стека. Однако, как сообщается, Samsung усовершенствовала процесс двойного штабелирования и теперь будет использовать его для производства памяти NAND с 290–300 слоями.

Во второй половине следующего года компания собирается перейти к производству 10-го поколения флеш-памяти 3D V-NAND с 430 слоями. Именно здесь начнёт применяться укладка трёх пластин друг на друга, пишет южнокорейское издание, ссылающееся на данные исследовательской фирмы Tech Insights. Как отмечается, производитель собирается пропустить выпуск чипов памяти NAND с более чем 300 слоями и сразу перейти к производству 430-слойных микросхем.

Конкуренты Samsung тоже не сидят без дела. С начала следующего года SK hynix собирается начать массовый выпуск 321-слойных чипов флеш-памяти NAND, но будет для этого «спаивать» три пластины с чипами. Китайский производитель памяти YMTC, который в настоящий момент выпускает 232-слойную память NAND, планирует выйти на производство 300-слойных чипов памяти во второй половине текущего года.

Компания Kioxia планирует перейти к массовому производству чипов флеш-памяти 3D NAND с более чем 1000 слоёв к 2031 году. Об этом, как пишет издание Xtech Nikkei, на лекции в ходе 71-го весеннего собрания Общества прикладной физики в Токийском университете сообщил технический директор Kioxia Хидефуми Миядзима (Hidefumi Miyajima). В рамках своего выступления он затронул вопросы, связанные с техническими проблемами и способами их решения для создания 1000-слойных чипов 3D NAND.

Источник изображения: Kioxia

Увеличение количества активных слоёв в чипах флеш-памяти 3D NAND в настоящее время является лучшим способом повысить плотность записи на такие микросхемы. Все производители памяти 3D NAND стремятся увеличивать количество слоёв в составе чипов с помощью более передовых техпроцессов каждые 1,5–2 года. Каждый переход на новый техпроцесс сопряжён с рядом проблем, поскольку производителям 3D NAND приходится не только увеличивать количество слоев, но также сжимать ячейки NAND как по горизонтали, так и по вертикали. Это требует от производителей использования новых материалов, что является настоящей головной болью для специалистов их научно-исследовательских центров.

На сегодняшний день самыми передовыми чипами флеш-памяти 3D NAND в ассортименте Kioxia являются BiCS 3D NAND 8-го поколения с 218 активными слоями и скоростью передачи данных 3,2 Гбит/с. Они были представлены производителем в марте 2023 года. В этом поколении флеш-памяти представлена новая архитектура CBA (CMOS directly Bonded to Array), предлагающая отдельное производство пластин массива ячеек памяти 3D NAND и пластин CMOS ввода-вывода, а затем их последующее объединение с помощью наиболее подходящих для этих целей технологий. В результате получается продукт с повышенной битовой плотностью и улучшенной скоростью ввода-вывода NAND, на основе которого можно создавать одни из самых лучших твердотельных накопителей на рынке.

Компания Kioxia и её производственный партнёр Western Digital не раскрывают всех подробностей архитектуры CBA. Неизвестно, включают ли CMOS-платы ввода-вывода дополнительные периферийные схемы NAND, такие как страничные буферы, усилители считывания и зарядовые насосы. Однако применение метода раздельного производства ячеек памяти и периферийных схем позволяет производителям использовать для создания того или иного компонента памяти 3D NAND наиболее эффективные технологические процессы.

Следует напомнить, что компания Samsung ещё в 2022 году подтвердила планы начать выпуск 1000-слойной флеш-памяти 3D NAND к 2030 году.

После роста в конце прошлого и начале текущего года, в последнее время спотовые цены на память DRAM стали снижаться, и этот процесс наблюдается уже не первую неделю, сообщает аналитическая компания TrendForce. В сегменте NAND торги остаются вялыми из-за чрезмерных объёмов запасов.

Источник изображения: samsung.com

Текущее снижение спотовых цен на память DRAM является одной из причин относительно консервативного прогноза TrendForce. Производителям продукции противостоят слабый спрос на каналах продаж и постоянный рост уровня запасов. Из-за этого у спотовых трейдеров начало возникать ощущение необходимости распродавать свои активы. Сокращение денежного потока становится все более заметным, и продавцы продолжают снижать цены, чтобы стимулировать продажи.

Источник изображения: trendforce.com

Разрыв между спотовыми и контрактными ценами на модули памяти будет увеличиваться, прогнозируют аналитики TrendForce. Спотовые цены служат опережающим индикатором общего ценового тренда, и такое развитие событий оказывается вредным для рынка. Средняя спотовая цена на основные чипы (DDR4 1Gx8 2666 МТ/с) снизилась на 0,26 %: на минувшей неделе она была $1,921, а на этой стала $1,916.

Источник изображения: trendforce.com

В сегменте NAND трейдеры накопили чрезмерный объём запасов, из-за чего операции здесь проходят довольно вяло. После Китайского Нового года их традиционно агрессивного пополнения не произошло, что заставило некоторых спотовых трейдеров задуматься о возможности сокращения запасов. Цены на пластины TLC ёмкостью 512 Гбит в течение недели не менялись, сохраняя уровень $3,764.

Эволюция флеш-памяти с точки зрения плотности хранения информации подразумевает, что чем больше зарядов (бит) хранятся в ячейке, тем ниже эксплуатационный ресурс такой памяти. Китайская компания YMTC не согласна с этим и утверждает, что её микросхемы 3D NAND типа QLC по своей долговечности способны превосходить ячейки памяти типа TLC.

Источник изображения: YMTC

Память QLC в одной ячейке способна хранить четыре бита информации, а TLC — только три, и исторически считалось, что последняя выигрывает с точки зрения своей долговечности по количеству циклов перезаписи. По информации ресурса ITHome, на которую ссылается Tom’s Hardware, компания YMTC заявляет для своих 128-слойных микросхем X3-6070 типа 3D QLC NAND ресурс в 4000 циклов перезаписи. Это как минимум сопоставимо с ресурсом микросхем TLC, достигаемым за счёт оптимизации на уровне контроллеров и применяемых при производстве памяти материалов.

Изначально было принято считать, что память типа QLC способна переносить от 100 до 1000 циклов перезаписи, но и здесь усилия крупных производителей привели к тому, что этот показатель заметно увеличился. YMTC сочла нужным акцентировать внимание на своих достижениях в этой области, хотя очевидно, что они не столь уж уникальны. Память YMTC данной серии уступает конкурирующим решениям по количеству слоёв, поскольку соперники предлагают 176-слойные и более продвинутые микросхемы QLC.

В составе твердотельного накопителя PC41Q потребительского класса YMTC использует 128-слойную память QLC серии X3-6070, предлагая скорости передачи информации до 5000 Мбайт/с и способность хранить информацию при температуре 30 градусов Цельсия на протяжении не менее чем одного года. Время наработки на отказ составит 2 млн часов. Данные показатели отстают от показателей современных SSD на памяти TLC. Тем не менее, компания YMTC даже готова использовать микросхемы QLC в твердотельных накопителях корпоративного класса, где важна надёжность и долговечность.

Обновлено: стоит отметить, что память TLC демонстрировала ресурс в 3000 циклов перезаписи ещё в 2018 году, а к настоящему моменту производители смогли добиться от неё значительно более высокой выносливости, вплоть до 10 тыс. циклов перезаписи.

По мнению специалистов TrendForce, во втором квартале контрактные цены на микросхемы NAND вырастут сразу на 13–18 %, и сильнее всего это скажется на стоимости твердотельных накопителей корпоративного класса. Из производителей NAND сейчас активнее всего наращивают объёмы выпуска Kioxia и Western Digital, остальные пока придерживаются консервативной стратегии. В первом квартале цены должны вырасти на 23–28 %.

Источник изображения: SK hynix

В этом отношении снижение темпов роста контрактных цен на флеш-память можно объяснить снижением спроса во втором квартале, но оно будет не столь существенным, чтобы переломить общую тенденцию к росту цен. Контрактные цены на микросхемы eMMC в первом квартале могут вырасти на 25–30 %, во втором квартале они вырастут ещё на 10–15 %, поскольку китайские производители смартфонов после опустошения складских запасов возобновляют закупку этих модулей памяти.

Память типа UFS востребована производителями смартфонов, реализующих свою продукцию на территории Индии и Юго-Восточной Азии, поэтому и её контрактная стоимость вырастет во втором квартале на 10–15 %. Цены на твердотельные накопители в корпоративном и потребительском сегменте в первом квартале выросли на 23–28 %, но во втором квартале именно корпоративный сегмент сохранит более высокую динамику цен на SSD, в диапазоне от 20 до 25 %. Это связано с тем, что клиенты в этом сегменте рынка стараются сформировать увеличенные запасы накопителей ко второму полугодию, когда они им понадобятся. В клиентском сегменте снижается спрос на SSD в связи с сезонными явлениями, цены во втором квартале вырастут от силы на 10–15 %.

Цены на кремниевые пластины с микросхемами 3D NAND в первом квартале выросли на 23–28 %, как считают аналитики TrendForce, а во втором спрос и предложения будут лучше сбалансированы, из-за чего рост цен на кремниевые пластины ограничится 5–10 %, во многом из-за снижения спроса на розничном рынке.

Пока в прошлом году рынок твердотельной памяти страдал от излишков готовой продукции, производители не стремились вводить в строй новые линии, а имеющиеся загружали работой меньше, чем обычно. Поскольку фиксированные расходы никуда не делись, на себестоимости продукции частичная загрузка сказывается негативно. По прогнозам TrendForce, компании Western Digital и Kioxia к увеличению степени загрузки своих предприятий приступят со второго квартала.

Источник изображения: Kioxia

По мнению экспертов TrendForce, если в первом квартале текущего года степень загрузки конвейеров обеих компаний не превышала 75 %, то со второго квартала она будет увеличена до 88 %, и этому примеру ко второму полугодию могут последовать и прочие производители памяти типа NAND. Сейчас ситуация такова, что Western Digital и Kioxia располагают небольшими складскими запасами продукции на фоне конкурентов, а наращивать они сейчас будут выпуск преимущественно 112-слойной памяти и микросхем NAND, использующих планарную компоновку (2D). Эти меры позволят обеим компаниям до конца года вернуться к прибыльности, и в какой-то мере поспособствовать росту объёмов поставок памяти NAND на мировой рынок, который по итогам текущего года способен достичь 10,9 %.

Если Micron и Samsung к концу текущего года доведут долю микросхем 3D NAND с количеством слоёв более 200 штук до 40 % в структуре своих поставок, то Kioxia и Western Digital в этом году будут сосредоточены на выпуске 112-слойной памяти, и перейдут на активный выпуск 218-слойных микросхем 3D NAND только в следующем году. Японская компания Kioxia в перспективе готова наладить и выпуск памяти с 300 и более слоями.

При всём этом темпы экспансии объёмов производства NAND в этом году будут сдержанными, поскольку бум искусственного интеллекта не особо влияет на этот сегмент рынка, от силы подогревая интерес некоторой части клиентов к покупке твердотельных накопителей корпоративного класса. Контрактные цены на рынке NAND по этой причине во втором квартале вырастут на 10–15 %, а в третьем уже могут опуститься на величину от 0 до 5 %, по мнению представителей TrendForce.

Western Digital представила твердотельные накопители PC SN5000S на базе чипов флеш-памяти QLC, которые демонстрируют более высокую производительность по показателям скорости чтения и записи, чем предшественники на базе заведомо более скоростной памяти TLC.

Источник изображений: Western Digital

PC SN5000S — новейшая серия потребительских твердотельных накопителей объёмом до 2 Тбайт, выпускающихся компанией в полноразмерном формате M.2 2280 и компактном формате M.2 2230. Серия пришла на замену накопителям PC SN740, предлагающимся в тех же объёмах и разъёмах.

Модель Western Digital PC SN5000S объёмом 2 Тбайт с памятью QLC по скорости записи до 16,5 %, а по скорости чтения до 15,5 % быстрее по сравнению с моделью SN740 того же объёма, но с памятью TLC. Модель SN740 объёмом 1 Тбайт по-прежнему чуть быстрее по записи, чем SN5000S, но по скорости чтения отстаёт от новинки на 14,3 %. Преимуществом накопителя SN5000S объёмом 2 Тбайт над предшественником также является на 100 TBW (терабайт перезаписанной информации) более высокий запас ресурса работы. Однако ресурс нового SSD объёмом 1 Тбайт на 100 TBW ниже (300 TBW против 400 TBW у SN740 того же объёма). Недостатком новой серии SSD также можно считать чуть более высокий показатель энергопотребления.

Источник изображения: Tom's Hardware

Как правило, накопители на базе флеш-памяти NAND QLC отстают от SSD на базе других типов флеш-памяти. Объясняется это тем, что память QLC хранит четыре бита информации в одной ячейке, что сказывается на итоговой производительности не в лучшую сторону. Напомним, что флеш-память SLC хранит один бит информации на ячейку, MLC-память — два бита информации, а TLC — три бита. Чем меньше битов хранится в ячейке, тем она быстрее и долговечнее. Хотя возможность хранения большего количества битов на ячейку увеличивает плотность памяти, необходимость чтения и записи большего количества битов приводит к снижению производительности и в целом повышает износ памяти NAND.

Для улучшения производительности накопителей на базе памяти QLC и других многоразрядных типов памяти NAND существует несколько способов. Пожалуй, самым очевидным является использование кеш-памяти SLC в составе накопителя. Хотя QLC, как уже говорилось выше, хранит четыре бита информации в ячейке, накопителю при наличии кеш-памяти SLC необязательно заполнять все четыре бита информации при записи. SSD будут работать гораздо лучше, если обозначить часть ячеек памяти в качестве псевдо-SLC. Правда, для этого занимаются пустые ячейки, что в конечном итоге сокращает доступный объём самого SSD.

Несмотря на недостатки памяти QLC и других многоразрядных типов флеш-памяти NAND некоторые производители, например, Samsung, заинтересованы в дальнейшем развитии этой технологии. Так как обычным потребителям не всегда нужна лучшая производительность и надёжность, а при выборе SSD предпочтение чаще отдаётся исходя из цены и объёма накопителя, модели SSD на базе памяти QLC обычно являются наиболее экономичным выбором покупателя. В свою очередь, накопители на памяти SLC с низкой плотностью лучше подходят для серверов, где высокая производительность и надёжность оказываются гораздо полезнее.

Благодаря эффективному сокращению производства в прошлом году цены на компьютерную память начали расти, и рынок стал демонстрировать признаки восстановления. С точки зрения динамики рынка и коррекции спроса сегмент NAND как одного из двух направлений компонентов памяти переживает новый виток изменений, уверены аналитики TrendForce.

Источник изображения: samsung.com

С III квартала 2023 года цены на чипы NAND пошли в рост — аналитики уверены, что в 2024 году при условии консервативных перспектив рыночного спроса динамика цен на чипы будет зависеть от загрузки мощностей у производителей. Гендиректор производителя контроллеров памяти Silicon Motion Уоллес Коу (Wallace C. Kou) заявил, что цены на память NAND на II квартал уже установились, и их рост составит 20 %; некоторые поставщики вышли на прибыльность в I квартале, а большинство достигнет этого результата после II квартала. Глава другого производителя контроллеров Phison Пуа Кхейн Сенг (Pua Khein Seng) опасается, что дальнейшее повышение цен на SSD способно существенно снизить спрос на рынке: если цены слишком высокие, спрос снова может начать колебаться. Он предлагает производителям чипов NAND прекратить сокращать производство и начать удовлетворять спрос вместо того, чтобы поднимать цены за счёт низкого предложения и высокого спроса.

Расположенный в китайском Сиане завод Samsung по производству чипов NAND во второй половине 2023 года снизил свою производительность до 20–30 %, а к настоящему моменту восстановил её примерно до 70 %. Этот завод — единственное расположенное за пределами Кореи предприятие Samsung по выпуску чипов памяти. Его мощность составляет 200 тыс. 300-мм пластин в месяц или 40 % от общего объёма NAND у Samsung. Компания планирует модернизировать этот завод для выпуска 236-слойных чипов NAND и начать масштабное расширение — необходимое оборудование здесь начнёт развёртываться уже в этом году. Kioxia недавно заявила, что пересмотрит план сокращения производства флеш-памяти, реализуемый с 2022 года, и начнёт наращивать выпуск. Уже в марте компания намеревается загрузить мощности примерно на 90 % — точный показатель будет зависеть от спроса.

Крупнейшие производители NAND в IV квартале 2023 года. Источник изображения: samsung.com

Аналитики уверены, что за I квартал 2024 года контрактные цены на чипы NAND вырастут на 20–25 %. Общий прогноз спроса на II квартал остаётся консервативным, тем более, что некоторые клиенты уже начали пополнять свои запасы в I квартале — в итоге рост цен во II квартале составит 10–15 %.

На рынке NAND доминируют пять крупнейших производителей, но львиная доля принадлежит Samsung (36,6 % в IV квартале 2023 года) и SK hynix (21,6 %). За ними следуют Western Digital (14,5 %), Kioxia (12,6 %) и Micron (9,9 %). Western Digital планирует осуществить слияние с Kioxia ещё с 2021 года, но две компании по разным причинам ещё не смогли реализовать этот план — стороны, вероятно, возобновят переговоры в конце апреля. Если они договорятся, то новая объединённая компания будет контролировать более 30 % рынка NAND, что существенно изменит его ландшафт. Недавно Western Digital сообщила, что намеревается отделить бизнес по производству флеш-памяти, а под своим старым наименованием она будет выпускать только жёсткие диски.

По итогам IV квартала 2023 выручка всей отрасли NAND составила $11,49 млрд, что на 24,5 % больше, чем кварталом ранее. Несмотря на значительное увеличение уровня запасов в цепочке поставок и продолжающийся рост цен, клиенты продолжат увеличивать объёмы заказов во избежание возникновения дефицита поставок и роста затрат. Таким образом, несмотря на традиционное межсезонье, аналитики TrendForce прогнозируют, что за I квартал рост выручки по отрасли составит 20 %, а контрактные цены на чипы NAND в среднем поднимутся на 25 %.

Выручка всей мировой индустрии производства флеш-памяти NAND по итогам IV квартала 2023 года продемонстрировала рост на 24,5 % по сравнению с предыдущим кварталом и достигла $11,49 млрд. Благодаря рекламным акциям спрос на продукцию в конце года стабилизировался, а на рынке компонентов увеличилось число заказов.

Источник изображения: samsung.com

В I квартале 2024 года, несмотря на традиционно слабые сезонные показатели, ожидается дальнейший рост выручки в сегменте чипов NAND на 20 %, уверяют аналитики TrendForce. Чтобы избежать дефицита поставок и связанного с ним роста затрат, клиенты увеличивают объёмы заказов, а цены на продукцию продолжают расти. Контрактные цены на чипы NAND, как ожидается, в среднем поднимутся на 25 %.

Лидером сегмента чипов NAND осталась Samsung в первую очередь из-за резкого роста спроса на серверы, ноутбуки и смартфоны. Корейский производитель выполнил клиентские заказы не в полной мере, но нарастил поставки в битах на 35 % кварта к кварталу, а средняя цена продажи (ASP) увеличилась на 12 % — в результате выручка компании по сегменту достигла $4,2 млрд, и это рост на 44,8 % по сравнению с предыдущим кварталом. SK Group (SK hynix и Solidigm) добилась роста выручки на 33,1 % до $2,48 млрд.

Источник изображения: trendforce.com

Объёмы поставок Western Digital снизились на 2 %, но ASP увеличилась на 10 %, в результате чего доход подразделения по производству NAND вырос на 7 % до $1,67 млрд. На розничном рынке SSD отметился значительный рост поставок, из-за которого уровень запасов сократился до четырёхлетнего минимума. Kioxia помогли заказы клиентов в сегментах ПК и смартфонов — выручка увеличилась на 8 % до $1,44 млрд в IV квартале.

После проблем, связанных с избытком предложения в 2023 году, цены в IV квартале выросли почти на 10 %. Чтобы повысить прибыльность, Micron на 10 % сократила поставки в битах, и выручка в сравнении с предыдущим кварталом уменьшилась на 1,1 % до $1,14 млрд. В этом году американская компания ожидает роста спроса на память NAND на 15–20 %, подчёркивая необходимость постоянного контроля мощностей для достижения баланса между спросом и предложением для поддержания прибыльности в отрасли.

Компания Micron представила на выставке MWC 2024 самые компактные микросхемы флеш-памяти стандарта UFS 4.0, предназначенные для смартфонов, планшетов и других мобильных устройств. Размеры упаковки чипа составляет всего 9 × 13 мм. Они будут выпускаться в объёмах до 1 Тбайт и предложат скорости последовательного чтения и записи до 4300 и 4000 Мбайт/с соответственно.

Источник изображений: Micron

Новые микросхемы памяти Micron UFS 4.0 построены на базе 232-слойных чипов 3D TLC NAND. Сокращение размеров микросхем компания объясняет потребностью производителей смартфонов и других мобильных устройств в оснащении своих продуктов более крупными батареями. Новые микросхемы памяти стандарта UFS 4.0 от компании Micron являются результатом совместных усилий специалистов компании из лабораторий в США, Китае и Южной Корее.

Площадь новых микросхем сократилась на 20 % по сравнению с чипами UFS производителя, выпущенных в июне прошлого года. Компания заявляет, что сокращение размера микросхем также привело к снижению их энергопотребления, но без потери в общей производительности. В новых чипах памяти Micron используется новая проприетарная технология HPM (High-Performance Mode), которая оптимизирует производительность памяти при интенсивном использовании смартфона и повышает её скорость работы на 25 %.

Micron сообщила, что уже начала поставки образцов памяти UFS 4.0 OEM-производителям устройств. Компания предлагает микросхемы ёмкостью 256 и 512 Гбайт, а также объёмом 1 Тбайт.

Цены на твердотельную память растут с октября, и в декабре прошлого года они последовательно увеличились на 8,87 %, прервав многомесячный тренд падения. Тем не менее, крупнейший производитель памяти в лице Samsung Electronics считает нужным продолжать сокращение объёмов выпуска NAND ради дальнейшей стабилизации ситуации на рынке.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом сообщило южнокорейское издание The Chosun Daily со ссылкой на представителей полупроводниковой отрасли. Профильные мощности Samsung по выпуску памяти типа NAND сейчас загружены лишь на 50 %, и компания не считает нужным прекращать сокращение объёмов выпуска такой продукции в текущих условиях. По словам представителей Samsung, взятый на снижение объёмов производства флеш-памяти курс пока остаётся неизменным.

Как поясняют эксперты, проблема заключается в сохраняющейся высокой концентрации владельцев серверных систем на приобретении компонентов, которые нужны для повышения производительности систем искусственного интеллекта. К ним в первую очередь относятся память типа HBM и DDR, ускорители вычислений и центральные процессоры. Накопители как таковые для модернизации серверного парка сейчас закупаются по остаточному принципу. Многие компании даже предпочитают в этом случае отказаться от твердотельных накопителей в пользу более медленных, но более вместительных жёстких дисков на магнитных пластинах.

Данные берутся из публикации NAND/DRAM, почему стоим? или Микросхемы памяти у предела миниатюризации

Японский производитель микросхем 3D NAND Kioxia предложил своему инвестору, компании SK Hynix, производственные линии в Японии для выпуска памяти, надеясь тем самым изменить его мнение о слиянии с Western Digital, чтобы возобновить переговоры по этому поводу, сообщил в пятницу ресурс Reuters со ссылкой на информационное агентство Jiji.

Источник изображения: Kioxia

Как сообщается, переговоры между Kioxia и Western Digital, проходившие в прошлом году, зашли в тупик из-за несогласия SK Hynix, опасающейся появления крупного конгломерата на рынке энергонезависимой памяти, с которым ей было бы сложно конкурировать. Kioxia надеется добиться одобрения сделки со стороны SK Hynix в обмен на предоставление ей возможности производить чипы на японских заводах, управляемых совместно Kioxia и Western Digital, пишет Jiji.

Реализация этого предложения позволила бы SK Hynix значительно увеличить объёмы производства памяти 3D NAND, не инвестируя в расширение своих мощностей или создание новых линий. Финансовая сторона возможной сделки между Kioxia и Western Digital пока неизвестна. И на данный момент ни одна из сторон не подтвердила существования такого предложения.

Источник изображения: TrendForce

Согласно данным аналитиков TrendForce за III квартал 2023 года, в случае объединения Kioxia и Western Digital образовавшийся конгломерат будет контролировать примерно треть (31,4 %) мирового рынка 3D NAND по выручке. Это значительно выше доли SK Hynix (20,2 %) и сопоставимо с долей Samsung (31,4 %). Вместе с тем, если даже часть производственных мощностей Kioxia перейдёт к SK Hynix, новая компания, скорее всего, всё же будет крупнее южнокорейского производителя памяти, что объясняет, почему он всё равно будет считать это слияние серьёзной угрозой.

Недавнее включение китайской компании YMTC в так называемый список 1260H американским военным ведомством определённо создаст крупнейшему производителю твердотельной памяти в КНР определённые трудности, но свою причастность к поддержке китайской армии он всячески отрицает и считает шаги американской стороны несправедливыми и безосновательными.

Источник изображения: YMTC

Как отметило издание South China Morning Post, представители YMTC не только опровергли любую причастность компании к выполнению оборонных заказов в Китае, но и заявили о своей готовности вести переговоры с Вашингтоном об исключении этого производителя памяти из злополучного списка 1260H. Для самой компании появление её имени в данном перечне стало полнейшим сюрпризом, и в YMTC подчёркивают, что её продукция не годится для применения в оборонной сфере в принципе. Никто из клиентов YMTC никогда не декларировал использование памяти этой марки для создания техники оборонного назначения.

Более того, YMTC подчёркивает, что является частной компанией без каких-либо связей с оборонным ведомством КНР, и все обвинения в наличии угрозы с её стороны для американской национальной безопасности считает беспочвенными. Включение в список 1260H, как поясняет источник, потенциально грозит YMTC не только отказом американских клиентов от сотрудничества в оборонной сфере, но и блокировкой финансовых операций за пределами Китая со стороны профильных органов власти США.

С декабря 2022 года YMTC находится под санкциями США, касающимися экспорта из страны технологий и оборудования для производства памяти. В условиях таких ограничений компании пришлось активнее приобретать оборудование китайского производства. Скорее всего, поводом для новых санкций со стороны США стали крупные инвестиции в капитал YMTC, якобы полученные от поддерживаемых государством фондов в Китае.

Помимо рассказа о чипах памяти GDDR7 со скоростью 37 Гбит/с на контакт компания Samsung Electronics на конференции 2024 IEEE-SSCC в феврале также раскроет подробности и о других инновационных продуктах в области разработки микросхем памяти. Например, компания расскажет о будущих 280-слойных чипах флеш-памяти 3D QLC NAND объёмом 1 Тбит. В перспективе они будут использоваться в потребительских твердотельных накопителях и смартфонах.

Источник изображения: TechPowerUp

Указанные чипы флеш-памяти Samsung предложат плотность 28,5 Гбит/мм² и скорость 3,2 Гбайт/с. Для сравнения, текущие самые быстрые чипы флеш-памяти 3D NAND, использующиеся в самых передовых NVMe-накопителях, обеспечивают скорость передачи данных до 2,4 Гбайт/с.

Samsung также расскажет на мероприятии о новом поколении чипов памяти DDR5 стандарта DDR5-8000 с ёмкостью 32 Гбит (4 Гбайт). В этих микросхемах используется симметричная мозаичная архитектура ячеек памяти. Сами чипы будут производиться с использованием 5-го поколения техпроцесса Samsung 10-нм класса.

На основе таких микросхем производители модулей оперативной памяти смогут в перспективе выпускать одноранговые планки памяти DDR5-8000 объём 32 и 48 Гбайт или двухранговые модули памяти объёмом 64 или 96 Гбайт.