По данным TrendForce, поставщики флеш-памяти NAND начали сокращать объёмы производства в IV квартале 2024 года, и теперь эти меры начинают приносить эффект. В ожидании повышения пошлин в США производители потребительской электроники нарастили объёмы выпуска, что дополнительно усилило спрос. Одновременно в сегментах ПК, смартфонов и дата-центров происходит восстановление складских запасов. В результате во II квартале 2025 года ожидается стабилизация цен на флеш-память NAND и рост контрактных цен на кремниевые пластины и клиентские твердотельные накопители (SSD).

Источник изображения: Samsung

После трёх кварталов снижения объёмов запасов спрос на клиентские SSD начал восстанавливаться, поскольку OEM-производители досрочно возобновили выпуск продукции. Ожидается, что завершение поддержки Windows 10 и выпуск процессоров нового поколения вызовут волну обновления ПК. Эффект от внедрения передовой ИИ-модели DeepSeek ускоряет развитие ИИ и дополнительно стимулирует спрос на клиентские SSD. С учётом сокращения производства и корректировки объёмов поставок, контрактные цены на клиентские SSD, по прогнозу, вырастут на 3–8 % по сравнению с предыдущим кварталом.

В Китае ИИ-технологии, такие как DeepSeek, значительно снизили издержки на обучение ИИ-моделей, что вызвало рост спроса на высокопроизводительные решения в сфере хранения данных. В Северной Америке спрос остаётся поляризованным: заказы от серверных брендов оказались ниже ожиданий, тогда как облачные провайдеры увеличивают объёмы закупок в связи с началом поставок графических ускорителей с архитектурой Blackwell компании Nvidia.

В I квартале 2025 года некоторые поставщики снизили цены на PCIe 4.0 SSD более чем на 20 % с целью ликвидации избыточных запасов. Производители скорректировали производственные мощности, чтобы стабилизировать рынок. Отдельные компании, закупающие серверное оборудование, разместили заказы раньше запланированного срока, что поддержало рыночную активность. В совокупности все эти факторы обеспечат умеренный рост объёмов заказов на корпоративные SSD во II квартале 2025 года.

Источник изображения: TrendForce

TrendForce отмечает, что во II квартале 2025 года ожидается рост поставок смарт-ТВ, планшетов и ноутбуков класса Chromebook. Одновременно фиксируется увеличение заказов на чипы eMMC благодаря устойчивому спросу на смартфоны среднего и бюджетного сегмента в развивающихся странах, а также государственным субсидиям в Китае. Ранее наблюдавшийся переизбыток флеш-памяти NAND и падение цен привели к убыткам, что вынудило поставщиков сократить объёмы производства.

С целью выхода из убытков производители повысили цены на пластины NAND, реализуемые сборщикам модулей. В результате модульные производители оказались не в состоянии удерживать низкий уровень цен, что ослабило ценовую конкуренцию и снизило давление на исходных поставщиков. Это способствовало стабилизации рынка, и, согласно прогнозу, контрактные цены на eMMC во II квартале 2025 года останутся без изменений.

Спрос на флеш-память стандарта UFS остаётся стабильным, чему способствуют продажи флагманских смартфонов и рост требований к памяти в автомобильных системах. На фоне сокращения производственных мощностей общее предложение флеш-памяти UFS снизилось, и, по оценке TrendForce, контрактные цены останутся без изменений по сравнению с предыдущим кварталом.

Цены на пластины флеш-памяти NAND достигли нижней точки. Модульные производители и OEM-компании увеличивают объёмы закупок. Одновременно рост интереса к корпоративным SSD усиливает спрос на продукцию верхнего ценового сегмента. Сокращение поставок пластин и пересмотр ценовой политики на многослойную флеш-память NAND обусловили рост контрактных цен. По прогнозу TrendForce, во II квартале 2025 года цены на кремниевые пластины вырастут на 10–15 %.

Рынок микросхем памяти характеризуется цикличностью, поэтому производители стараются регулировать предложение через объёмы выпуска продукции, а спрос через ценовую политику. Китайская компания YMTC, как ожидается, с апреля текущего года намерена поднять цены на свою память типа NAND как минимум на 10 %, подражая зарубежным конкурентам.

Источник изображения: YMTC

По информации South China Morning Post, о грядущем росте цен на твердотельную память уже уведомили своих клиентов компании YMTC, Sandisk и Micron Technology. Минимальный прирост цен составит 10 %, как сообщают многочисленные китайские источники. Скорее всего, как ожидает DigiTimes, примеру перечисленных игроков рынка последуют также южнокорейские компании Samsung Electronics и SK hynix.

Данные инициативы свидетельствуют о том, что в текущем году цены на флеш-память действительно вырастут, как предсказывали аналитики. С конца прошлого года к сокращению объёмов выпуска продукции данного типа прибегали Micron, Samsung и SK hynix. Эти меры были призваны замедлить снижение цен на продукцию. В случае с Sandisk рост цен на память также будет продиктован и повышением таможенных пошлин в США. С этой точки зрения Micron Technology окажется в привилегированном положении, поскольку у неё есть предприятия на территории США.

Компания SanDisk увеличит стоимость флеш-памяти NAND более чем на 10 % с 1 апреля. Об этом производитель сообщил в письме своим ключевым клиентам. Американская компания объясняет предстоящий рост цен изменяющейся динамикой на рынке, ожидаемым восстановлением спроса на флеш-память NAND, а также повышением экспортных тарифов.

Источник изображений: SanDisk

По данным аналитического агентства TrendForce, с начала года крупнейшие поставщики флеш-памяти NAND, южнокорейские компании Samsung и SK hynix, начали снижать объёмы выпуска данного вида продукции. Отчёты аналитиков показывают, что объёмы производства флеш-памяти NAND у обоих производителей окажутся в первом квартале этого года более чем на 10 % ниже по сравнению со второй половиной прошлого года.

Производители пошли на снижение объёмов выпуска памяти NAND, чтобы стимулировать восстановление баланса спроса и предложения на рынке и заложить основу для восстановления цен. Согласно оценкам TrendForce, восстановление этого баланса ожидается во второй половине 2025 года.

Компания SanDisk в свою очередь в письме своим клиентам отметила, что её возможности для ответа на незапланированный рост спроса ограничены.

В четвёртом квартале прошлого года, по данным TrendForce, рынок памяти типа NAND находился под давлением из-за продолжающихся попыток производителей ПК и смартфонов оптимизировать свои складские остатки. Средние цены на флеш-память в прошлом квартале последовательно снизились на 4 %, а объёмы поставок упали на 2 %. Это привело к снижению выручки участников рынка на 6,2 % до $16,52 млрд.

Источник изображения: Micron Technology

Первый квартал традиционно является низким сезоном для рынка твердотельной памяти, и текущий год не является исключением даже с учётом усиленных попыток производителей сократить объёмы поставок своей продукции. Пополнение складских запасов замедлилось на большинстве ключевых рынков, включая серверный сегмент. По итогам первого квартала выручка поставщиков флеш-памяти может последовательно упасть на 20 %. О восстановлении рынка памяти типа NAND можно будет говорить только по итогам второй половины текущего года, если всё пойдёт по плану.

Лидером рынка NAND остаётся компания Samsung Electronics, которая последовательно сократила выручку по итогам прошлого квартала на 9,7 % до $5,6 млрд, в основном из-за сегмента бытовой электроники. В дальнейшем компания планирует сосредоточиться на продвижении твердотельных накопителей в корпоративном секторе. В любом случае, Samsung до сих пор контролирует 33,9 % мирового рынка NAND.

На втором месте расположилась SK Group, которая объединяет классический бизнес SK hynix и доставшиеся от Intel активы, которые теперь присутствуют на рынке под маркой Solidigm. Надежды на рост поставок в прошлом квартале у этого производителя не оправдались, в результате чего выручка последовательно упала на 6,6 % до $3,39 млрд. Для этого южнокорейского поставщика приоритетом является обслуживание потребностей сегмента ИИ-инфраструктуры.

Бизнес занимающей третье место компании Kioxia продемонстрировал относительную стабильность по итогам четвёртого квартала, поскольку неудачи в сегменте ПК и смартфонов были компенсированы высоким спросом на корпоративные SSD. Выручка компании по итогам периода сократилась последовательно всего на 0,2 % до $2,66 млрд. Доля рынка Kioxia при этом вообще выросла с 15,1 до 16,1 %.

В случае с Micron Technology высокий спрос на корпоративные SSD не позволил уравновесить спад на потребительском направлении, выручка этой компании последовательно сократилась на 9,3 % до $2,28 млрд. При этом по доле рынка Micron отстаёт от Kioxia не столь значительно: 13,8 против 16,1 %. В текущем году Micron намеревается сократить капитальные затраты в сегменте NAND и сосредоточиться на выпуске твердотельных накопителей объёмом более 60 Тбайт для корпоративных клиентов.

Western Digital со своей маркой SanDisk удалось сохранить выручку примерно на уровне третьего квартала прошлого года, поскольку твердотельная память для потребительских SSD продавалась лучше ожиданий в четвёртом квартале. Даже в условиях падения цен выручку удалось сократить всего на 0,4 % до $1,9 млрд. В этом году SanDisk может укрепить свои позиции на рынке SSD для ПК, пока сообща с Western Digital данный поставщик занимает 11,4 % рынка NAND. На долю прочих производителей твердотельной памяти за пределами первой пятёрки приходится не более 4,4 % мирового рынка в показателях выручки.

В этом месяце Kioxia анонсировала 332-слойную память 3D NAND, поэтому корейская SK hynix не может претендовать на рекорд, хотя в ноябре уже наладила выпуск 321-слойной памяти, не говоря уже о китайской YMTC с её 294 слоями. Теперь стало известно, что как Samsung, так и SK hynix для производства 400-слойной памяти 3D NAND придётся лицензировать технологии YMTC.

Источник изображения: Samsung Electronics

По крайней мере, так утверждает ресурс ZDNet Korea, который сообщил об удачном завершении переговоров между Samsung Electronics и YMTC. Китайский производитель обеспечит корейского лицензионными правами на производство памяти 3D NAND десятого поколения с применением технологии гибридного сращивания, которая в терминологии YMTC именуется Xtacking и была запатентована ранее. Точнее говоря, сама YMTC получила лицензию на использование данного метода объединения двух кремниевых пластин от компании Xperi ещё в 2021 году, и первой среди производителей флеш-памяти начала её применять на практике.

Samsung Electronics рассчитывает использовать данную технологию при производстве собственных микросхем памяти 3D NAND с количеством слоёв более 400 штук со второй половины текущего года, поэтому соответствующее лицензионное соглашение с YMTC и было подписано заранее.

Конкурирующая SK hynix наладить выпуск 400-слойной памяти собирается не ранее следующего года, но она уже в ноябре прошлого года приступила к выпуску 321-слойных чипов, так что в данный момент она опережает Samsung с её 286-слойной памятью. Как ожидается, корейским производителям для увеличения количества слоёв до более чем 400 штук потребуется лицензирование технологий у YMTC.

В настоящий момент рынок флеш-памяти (NAND) страдает от избыточного предложения, что приводит к снижению цен и финансовым затруднениям поставщиков. Тем не менее аналитическая компания TrendForce ожидает значительного улучшения баланса спроса и предложения во второй половине года. Ключевыми факторами, по мнению TrendForce, являются сокращение производства микросхем NAND, снижение складских запасов в секторе смартфонов и растущий спрос, вызванный развитием ИИ.

Источник изображения: unsplash.com

Производители флеш-памяти за последние два года осознали серьёзное влияние избыточного предложения на отрасль, особенно с учётом того, что годовые темпы роста спроса на флеш-память были пересмотрены с 30 % до 10–15 %. В результате они были вынуждены скорректировать свои производственные стратегии, чтобы смягчить столь длительное снижение цен.

На рубеже 2025 года производители NAND приняли более решительные меры по сокращению производства, которые призваны оперативно снизить рыночный дисбаланс и заложить основу для восстановления цен. Кроме того, продолжающаяся политика субсидирования замены смартфонов в Китае эффективно стимулирует их продажи и ускоряет истощение запасов памяти NAND.

Источник изображения: TrendForce

Nvidia намерена нарастить поставки своей продукции серии Blackwell во второй половине года, что значительно увеличит спрос на корпоративные SSD. Кроме того, достижения DeepSeek в снижении затрат на развёртывание серверов ИИ позволят предприятиям малого и среднего бизнеса активнее интегрировать ИИ, повышая свою конкурентоспособность. Ожидается, что SSD-накопители ёмкостью более 30 Тбайт станут предпочтительным решением для хранения данных благодаря их высокой производительности и низкой совокупной стоимости владения.

Дополнительно появление ПК и рабочих станций с поддержкой ИИ будет способствовать более широкой интеграции искусственного интеллекта в повседневные приложения, что потенциально приведёт к долгосрочному росту ёмкости клиентских SSD для ПК. Снижение требований к вычислительной мощности, вероятно, ускорит проникновение на рынок бюджетных смартфонов с поддержкой ИИ, что дополнительно оживит спрос на флеш-память.

Когда технология памяти 3D NAND находилась на заре своего развития, слоёв в кристаллах было значительно меньше, а отверстия металлизации были толще. Сегодня число слоёв перевалило за 200 и обещает подняться до 400 и более. Это сильно снижает скорость обработки пластин с памятью, поскольку травление отверстий металлизации на всю глубину разбухшего кристалла сильно тормозит процесс производства чипов и не позволяет снизить их себестоимость. Учёные из США попытались помочь с этим и добились результата.

Источник изображения: ИИ-генерация DALL·E/3DNews

Отчасти проблему длительного времени травления кремниевых подложек на большую глубину производители 3D NAND решают «склеиванием» друг с другом кристаллов с меньшим числом слоёв, получая в итоге условно монолитный чип с сотнями слоёв. Но это также требует дополнительного времени и ресурсов на каждый отдельный техпроцесс, что выливается в немалые затраты, а они становятся дополнительным слогаемым в себестоимости чипов памяти.

Исследователи из Lam Research, Университета Колорадо в Боулдере (CU) и Принстонской лаборатории физики плазмы (PPPL) для оптимизации процесса травления разработали новый подход. Для протравливания отверстий они использовали криогенную плазму с фтористым водородом. В ходе экспериментов скорость травления увеличилась более чем в два раза: с 310 нм/мин при старом методе до 640 нм/мин при новом подходе. Они также обнаружили, что протравленные отверстия стали аккуратнее.

В ходе дальнейших экспериментов с добавками в плазму при травлении также были испытаны другие «присадки», в частности трифторид фосфора и фторсиликат аммония и другие. С некоторыми ингредиентами скорость травления возрастала ещё больше, что обещает привести к новым достижениям. Команда ученых подробно изложила свои выводы в исследовании, опубликованном в журнале Journal of Vacuum Science & Technology.

Пока ещё слишком рано говорить о том, приведёт ли это к удешевлению или повышению плотности чипов NAND для потребителей. Необходимо доказать коммерческую жизнеспособность технологии и возможность её масштабирования для массового производства. Даже если производители внедрят этот процесс, нет никакой гарантии, что потребители ощутят какую-либо экономию собственных средств на соответствующие покупки.

Пресс-релиз, предваряющий проведение компанией Western Digital мероприятия для инвесторов на этой неделе, начинался с заявления о намерениях завершить реструктуризацию по отделению NAND-бизнеса к 21 февраля текущего года. Процесс должен был завершиться ещё в прошлом году, но возникла задержка.

Источник изображения: Sandisk

Напомним, о своём решении разделить бизнес по выпуску жёстких магнитных дисков и твердотельной памяти Western Digital заявила ещё 30 октября 2023 года, и первоначально считалось, что реструктуризация завершится во второй половине 2024 года. Тем не менее, в ноябре прошлого года обязанности по технической поддержке твердотельной продукции марок Western Digital, HGST и G-Technology перешли к SanDisk. Данная компания была поглощена Western Digital в 2016 году, но теперь их пути снова должны разойтись.

У руля независимой SanDisk встанет нынешний генеральный директор Western Digital Дэвид Геклер (David Goeckeler), тогда как «классический» бизнес компании продолжит развиваться под управлением нынешнего исполнительного вице-президента по глобальным операциям Ирвинга Тана (Irving Tan). В декабре SanDisk представила новый логотип и определила новую форму написания своего наименования — «Sandisk». Судя по всему, в этом месяце будут улажены последние формальности, необходимые для окончательного разделения Western Digital.

SanDisk скоро обретёт независимость от Western Digital, и у неё большие планы на будущее. Компания, в частности, намеревается заняться развитием технологии HBF (High Bandwidth Flash), которая обеспечит ускорители искусственного интеллекта значительно бо́льшим объёмом памяти, чем позволяет применяемая сегодня HBM (High Bandwidth Memory).

Источник изображений: SanDisk

Идея может показаться абсурдной, потому что флеш-память NAND традиционно значительно медленнее, чем DRAM, которая лежит в основе HBM. HBF призвана решить эту проблему и стать оптимальным решением при задачах, связанных с запуском уже обученных моделей (инференсом), а не обучением нейросетей. Со сменой поколений HBM увеличивается и доступный объём памяти — сегодня ускорители от AMD и Nvidia предлагают по 192 Гбайт. SanDisk уверяет, что HBF поможет увеличить этот показатель в восемь, а то и в 16 раз при сопоставимой цене.

Компания предлагает два сценария в сравнении с традиционной конфигурацией с восемью стеками HBM общим объёмом 192 Гбайт. Первый вариант — шесть чипов HBF и два HBM. В этом случае общий объём памяти вырастает до 3120 Гбайт или около 3 Тбайт. Во втором сценарии рассматривается полная замена HBM на HBF, что даст ускорителю 4096 Гбайт (4 Тбайт) памяти. В такой объём можно целиком поместить большую языковую модель Frontier с 1,8 трлн параметров и размером 3,6 Тбайт. В приведённых примерах ёмкость одного стека HBM принята за 24 Гбайт, а HBF — 512 Гбайт (более чем в 21 раз выше), потому что у флеш-памяти NAND более высокая плотность.

На схеме HBF кристаллы флеш-памяти NAND устанавливаются друг на друга и размещаются над логическим кристаллом. Стек HBF, как и HBM, устанавливается на интерпозере рядом с графическим, центральным или тензорным процессором в зависимости от того, где требуется память; интерфейс потребует лишь «незначительных изменений протокола». Главное, что HBF, по версии SanDisk, предлагает ту же пропускную способность, что и HBM.

В традиционном варианте NAND действительно приближается к DRAM по пропускной способности, но отчаянно проигрывает по времени доступа. Эту проблему в SanDisk решили специальной архитектурой NAND, поделив компонент на несколько областей с бо́льшим количеством линий данных, что означает ускорение доступа и более высокую производительность.

Архитектуру HBF разработали в компании в прошлом году под «влиянием крупных игроков в области ИИ». Далее будет сформирован технический консультативный совет, в который войдут партнёры компании и лидеры отрасли; затем появится открытый стандарт. В 2019 году японские учёные предложили концепцию HBN (High Bandwidth NAND), и не исключено, что у HBF есть с ней нечто общее. SanDisk тем временем уже подготовила «дорожную карту», в которой описываются новые поколения памяти этого типа — увеличиваться будут и ёмкость, и производительность.

Вся активность предыдущих трёх лет, направленная на ограничение властями США доступа китайских производителей памяти к передовым технологиям их производства, в итоге привела к сохранению конкуренции со стороны китайских компаний. Во всяком случае, по неофициальным данным южнокорейская Samsung вынуждена увеличивать количество слоёв выпускаемой в Китае памяти 3D NAND до 286 штук, чтобы не отставать от китайской компании YMTC.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как известно, китайская компания YMTC недавно освоила массовое производство памяти типа 3D NAND, которая по своей компоновке эквивалентна 294-слойной. У южнокорейской компании Samsung Electronics в китайском Сиане расположено крупнейшее предприятие по производству твердотельной памяти, оно обеспечивает до 40 % объёмов выпуска продукции данной марки. Первоначально Samsung рассчитывала модернизировать мощности данного предприятия в Китае, чтобы перейти от выпуска 128-слойной памяти к 236-слойной, но теперь рассчитывает продвинуться сразу на шаг дальше, и освоить выпуск 286-слойной памяти. Тем самым, будет условно достигнут теоретический паритет с китайской YMTC.

В принципе, за пределами Китая Samsung готова выпускать и более современную память. На передовом южнокорейском предприятии в Пхёнтхэке она намерена наладить серийный выпуск 400-слойной памяти 3D NAND уже в следующем полугодии. В Сиане к тому времени планируется наладить выпуск от 2000 до 5000 кремниевых пластин с 286-слойной памятью 3D NAND в месяц. Договорённости с властями США позволяют Samsung выпускать на территории Китая микросхемы памяти с количеством слоёв более 200 штук, но та же YMTC в этом случае попадает под экспортные ограничения, не имея доступа к соответствующим технологиям и оборудованию.

Примечательно, что намеченная модернизация технологий производства памяти всё равно вынуждает Samsung снижать объёмы выпуска NAND. В первом квартале ежемесячный объём производства компания сократит на четверть до 420 000 чипов NAND. В целом спрос на рынке твердотельной памяти оставляет желать лучшего, но более современные и ёмкие чипы будут востребованы в специфических сегментах рынка типа систем искусственного интеллекта.

Исследователи из Университета Линчепинга (Linköping University) получили патент на технологию улучшенной металлизации отверстий при производстве многослойной памяти, в частности 3D NAND. Благодаря их разработке заполнение отверстий материалом будет происходить равномерно по всей глубине, что также позволит увеличить плотность их расположения и, следовательно, количество ячеек памяти, создаваемых вокруг них в каждом слое чипа..

Источник изображения: Linköping University

Актуальность и масштабы проблемы учёные наглядно поясняют на примере самого высокого здания в мире — 828-метрового небоскрёба Бурдж-Халифа в Дубае. Если учесть, что соотношение диаметра отверстия для металлизации у многослойной памяти к его глубине составляет 1:100 (диаметр — 100 нм, глубина — 10 000 нм), то основание Бурдж-Халифа в аналогичном масштабе должно быть всего 8 метров. На практике же оно 191 метр, но сложность задачи понятна — необходимо заполнить чрезвычайно глубокое отверстие равномерно по всей длине, поскольку в каждом месте его контакта с очередным слоем создаётся ячейка памяти, и брак здесь недопустим.

Самым простым способом добиться равномерного заполнения отверстий материалом было снижение температуры в момент его осаждения в паровой фазе, что могло привести к браку. Однако финские учёные предложили другой подход: на этом (начальном) этапе они добавили в среду тяжёлый нейтральный газ ксенон. Сообщается, что результат превзошёл ожидания. Благодаря ксенону не пришлось снижать температуру, а его тяжёлые молекулы помогли равномерно заполнить отверстия материалом до самого их дна. В этом заключается очевидный потенциал для дальнейшего увеличения плотности ячеек памяти.

«Мы пока точно не знаем, как это на самом деле работает. Мы считаем, что газообразный ксенон помогает “проталкивать” молекулы в отверстие. Это был гениальный ход моего аспиранта Аруна Харидаса Чулаккала (Arun Haridas Choolakkal). Он изучил некоторые базовые формулы движения газов и выдвинул гипотезу, что это должно сработать. Вместе мы провели ряд экспериментов, чтобы проверить это, и это действительно сработало», — рассказал руководитель проекта Хенрик Педерсен (Henrik Pedersen).

Разработчики получили патент на своё открытие в Финляндии и продали его одной из местных компаний, которая уже приступила к получению международных патентов.

Компания YMTC развивалась семимильными шагами, пока американские власти не захотели замедлить этот прогресс, введя санкции против полупроводникового сектора Китая в целом. Как отмечают эксперты TechInsights, даже в условиях санкций YMTC продолжила совершенствовать технологии производства памяти 3D NAND, и недавно освоила дизайн микросхем, предусматривающий наличие около 270 активных слоёв.

Источник изображения: YMTC

Как поясняет South China Morning Post со ссылкой на отчёт канадской компании TechInsights, которая специализируется на «разоблачении» китайских производителей чипов, в составе твердотельного накопителя ZhiTai TiPro9000 её специалистам удалось обнаружить новые микросхемы 3D NAND высокой плотности, использующие двухъярусную компоновку слоёв. Первый ярус содержит 150 затворов, второй 144 затвора, что в итоге обеспечивает наличие 294 затворов. При этом две кремниевые пластины сращиваются для обеспечения подобной компоновки.

Ранее YMTC могла размещать на одном ярусе не более 180 затворов, новый подход увеличивает их количество на 114 штук. Более того, такие микросхемы памяти позволяют обеспечить плотность хранения информации более 20 Гбит на квадратный миллиметр, чего не может предложить ни одна другая память из существующих на рынке. Если ранее пределом для YMTC был выпуск 160-слойных микросхем памяти 3D NAND, то теперь количество слоёв увеличивается до 270 штук. Технология компоновки Xtacking 4.0 позволила компании добиться прогресса в характеристиках памяти в условиях ограничений со стороны западных поставщиков оборудования.

Аналитики TrendForce ко второй половине января оказались готовы делать прогнозы относительно динамики рынка флеш-памяти в текущем году. По их мнению, сегмент продолжит испытывать давление из-за низкого спроса и перепроизводства. Крупнейшие игроки рынка на этом фоне начнут сокращать объёмы выпуска продукции и создадут благоприятные для дальнейшей консолидации условия.

Источник изображения: Samsung Electronics

Технически, данные меры будут выражаться в снижении уровня загрузки имеющихся производственных линий и отсрочке перехода на более современные техпроцессы. Спрос на новые смартфоны и ноутбуки не так высок, а в корпоративном сегменте также наблюдается охлаждение спроса на твердотельные накопители. Во-вторых, цены на микросхемы NAND снижаются с третьего квартала прошлого года, и поставщики придерживаются пессимистичных взглядов на их динамику в первой половине 2025 года. Низкие цены, сохраняющиеся на рынке, сокращают прибыль производителей, вынуждая их уменьшать объёмы выпуска продукции.

Добавляют проблем глобальному рынку и активность китайских производителей памяти, которые стремительно наращивают объёмы выпуска продукции на фоне национальной политики импортозамещения. Продукция китайских производителей NAND оказывается дешевле зарубежной, это также сбивает цены на глобальном рынке.

Многие производители флеш-памяти мирового масштаба готовятся снижать объёмы выпуска продукции. Micron соответствующее решение уже приняла, Kioxia и Western Digital (SanDisk) вот-вот последуют её примеру. Долго сопротивлявшаяся снижению объёмов выпуска Samsung под нажимом китайских конкурентов также будет вынуждена пойти на соответствующий шаг в текущем году. SK hynix и родственная компания Solidigm неплохо противостояли кризисным явлениям в прошлом году за счёт корпоративного сегмента, но в этом им тоже придётся пересмотреть производственные планы.

Эксперты TrendForce считают, что подобные явления будут увеличивать риски ухода с рынка определённых поставщиков. Ради выживания производителям NAND придётся осваивать более выгодные технологии выпуска памяти и дифференцировать продуктовую линейку, пытаясь найти специфические ниши с меньшим уровнем конкуренции.

Рынок памяти подвержен цикличным колебаниям цен, которые определяют политику производителей. Крупнейшим из них остаётся южнокорейская Samsung Electronics, а её крупнейшей базой по производству микросхем памяти NAND является предприятие в китайском Сиане. Из-за неблагоприятной конъюнктуры рынка оно в этом году вынуждено будет сократить объёмы выпуска флеш-памяти примерно на 15 %.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом сообщают южнокорейские СМИ, знакомые с планами компании. На рынке NAND, как уточняют они, в этом году назревает очередной кризис перепроизводства, поэтому цены на соответствующие микросхемы будут падать. Чтобы не увеличивать убытки, Samsung предпочитает сократить объёмы выпуска NAND. Если в прошлом году компания выпускала в месяц на предприятии в Сиане около 200 000 кремниевых пластин с чипами NAND, то в этом объёмы выпуска могут быть снижены до 170 000 штук в месяц. Более того, предприятия Samsung в корейском Хвасоне также сократят объёмы выпуска NAND.

До этого в подобных условиях Samsung приходилось снижать объёмы выпуска памяти в 2023 году, причём почти двукратно. После нормализации ситуации с ценами на микросхемы NAND, компания увеличила объёмы её выпуска до 450 000 кремниевых пластин в месяц, если учитывать все имеющиеся у неё площадки. В четвёртом квартале прошлого года наметилась было тенденция роста цен на твердотельные накопители серверного класса на волне бума ИИ на величину до 5 %, но в текущем квартале они должны пропорционально снизиться, как считают аналитики TrendForce.

Интересно, что SK hynix в таких условиях готовится нарастить объёмы выпуска NAND. Если учесть, что Samsung предпочтёт сокращать объёмы поставок памяти, то у более мелкого конкурента появится возможность укрепить свои рыночные позиции, пусть и в ущерб прибыльности. Высокие доходы в сфере поставок HBM позволяют SK hynix пойти на риск в сегменте NAND.

Стало известно о готовящемся докладе инженеров компании Samsung на конференции IEEE International Solid-State Circuits Conference 2025. Это произойдёт 19 февраля. Специалисты расскажут о будущей 400-слойной памяти 3D NAND, которой пока нет ни у одного производителя в мире.

Источник изображения: blocksandfiles.com

Согласно данным о документе, у будущей памяти Samsung число рабочих слоёв будет более 400. Кристаллы с отдельными наборами слоёв будут стыковаться друг с другом в процессе производства (технология WF-Bonding или подложка к подложке), что позволяет упростить выпуск многослойных микросхем памяти.

Сегодня память с наибольшим количеством слоёв производят массово или в виде образцов компании SK Hynix (321 слой), Samsung (286), Micron (276), Western Digital и Kioxia (218) и SK Hynix Solidigm (192). При этом Western Digital, Kioxia и YMTC разрабатывают 300-слойную память, которую представят в наступающем году. Основная борьба за первенство разгорелась между SK Hynix и Samsung, которые готовы штурмовать рубежи памяти с 400 слоями и более.

Ожидаемый к представлению 400-слойный чип Samsung будет объёмом 1 Тбит с плотностью 28 Гбит/мм². В каждую ячейку будут записываться по три бита данных. Заявленная скорость обмена по каждому контакту будет достигать 5,6 Гбит/с, что на 75 % больше, если сравнивать с актуальными чипами памяти Samsung 9-го поколения (400-слойная память будет относиться к 10-му поколению V-NAND Samsung). Очевидно, что такая память подойдёт как для изготовления SSD с шиной PCIe 5.0, так и PCIe 6.0.

Более плотная память Samsung может подтолкнуть производителей к выпуску SSD объёмом 256 Тбайт и даже 512 Тбайт. Возможно это будет через год или через два. Подождём февральского доклада и более чётких позиций руководства Samsung в отношении производства новой памяти.