Оставаясь крупнейшим в мире производителем микросхем памяти, южнокорейская компания Samsung Electronics дольше всех сопротивлялась кризису перепроизводства, который пришёл с завершением пандемии. Позже прочих участников рынка она приступила к снижению объёмов выпуска памяти типа NAND, но теперь источники сообщают, что она готова инициировать повышение цен на свою продукцию этого типа.

Источник изображения: Samsung Electronics

По крайней мере, ресурс Business Korea со ссылкой на собственные отраслевые источники сообщает, что в текущем квартале Samsung Electronics собирается поднять контрактные цены на память типа NAND на величину более 10 %, и новые цены начнут действовать уже в этом месяце для клиентов, заключивших новые контракты. В этой сфере ценовая политика производителей учитывает и потенциальную выгоду от будущих поставок в рамках контракта, а потому им приходится действовать с некоторым опережением, чтобы не упустить выгоду в случае последующего роста цен на рынке в целом.

Напомним, с января по апрель Samsung в несколько этапов предпринимала меры по сокращению объёмов выпуска микросхем памяти. По некоторым оценкам, аналогичные действия осуществлялись корейским гигантом и в текущем полугодии. На направлении памяти типа DRAM в текущем полугодии объёмы производства памяти марки Samsung сократились на 30 %, на направлении NAND — на 40 %. Подобная активность, по мнению представителей TrendForce, принесла свои плоды, и по итогам августа и сентября на контрактном рынке наблюдался рост цен на кремниевые пластины с микросхемами памяти типа NAND. По всей видимости, Samsung попытается ускорить процесс, не только сокращая объёмы производства памяти, но и приступив к повышению отпускных цен.

Цикличность рынка памяти наглядно характеризуется итогами фискального года, который в календаре Micron Technology завершился 31 августа. За прошедший период компания выручила только $15,54 млрд, что примерно в два раза меньше итога предыдущего фискального года. Квартал был завершён с $4,01 млрд, продемонстрировав последовательный рост выручки на 6,9 %, но в годовом сравнении она упала на 40 %.

Источник изображения: Micron Technology

В минувшем квартале Micron 69 % всей выручки получила от реализации оперативной памяти типа DRAM, на этом направлении она последовательно выросла на 3 % до $2,8 млрд. В натуральном выражении поставки последовательно увеличились на 14–15 %, но средняя цена реализации упала на 8–9 %. По итогам всего года выручка от реализации DRAM составила 71 % совокупной выручки Micron, по сравнению с предыдущим фискальным годом она сократилась на 51 % до $11 млрд.

Источник изображения: Seeking Alpha

Выпуск памяти типа NAND принёс Micron в четвёртом квартале $1,2 млрд, что на 19 % больше результата третьего фискального квартала. В структуре совокупной выучки данный вид деятельности формировал 30 %, в натуральном выражении поставки последовательно выросли более чем на 40 %, но средняя цена реализации снизилась на 14–15 %. По итогам фискального года выручка от реализации твердотельной памяти составила 27 % от совокупной, она снизилась на 46 % до $4,2 млрд по сравнению с предыдущим фискальным годом.

Источник изображения: Seeking Alpha

В мобильном сегменте Micron в минувшем квартале выручила $1,2 млрд, что на 48 % больше итогов предыдущего квартала, но на 20 % меньше по сравнению с аналогичным периодом предыдущего года. В целом по итогам фискального года выручка Micron в мобильном сегменте сократилась на 50 % до $3,6 млрд. В сегменте сетевых решений и вычислений выручка прошлого квартала последовательно выросла на 14 % до $1,2 млрд, но в годовом сравнении опустилась на 59 %. В целом за год она сократилась на 58 % до $5,7 млрд.

Источник изображения: Seeking Alpha

Сегмент встраиваемых решений в минувшем квартале принёс Micron только $860 млн выручки, что на 6 % меньше итогов предыдущего, а также на 34 % меньше итогов аналогичного периода прошлого года. По итогам всего фискального года профильная выручка сократилась на 31 % до $3,6 млрд. Наконец, в сегменте систем хранения данных выручка Micron по итогам квартала выросла последовательно на 18 % до $739 млн, но в годовом сравнении опустилась на 17 %. По итогам всего фискального года профильная выручка сократилась на 44 % до $2,6 млрд.

И квартал ($1,2 млрд), и весь фискальный год ($4,8 млрд) компания завершила с операционными убытками, а чистые убытки составили соответственно $1,2 млрд и $4,9 млрд. Отрицательной оказалась и норма прибыли: минус 9 % по итогам квартала и минус 8 % по итогам фискального года. Выручка компании падает уже пять кварталов подряд, но в текущем Micron рассчитывает переломить тенденцию.

В ушедшем году капитальные затраты Micron достигли $7 млрд, а в следующем слегка превысят эту сумму. Компания существенно пересмотрела долю средств, которые будут направлены на масштабирование производства памяти типа HBM, но соответствующим планам необходимо посвятить отдельную публикацию. По родственным причинам в два раза увеличатся расходы на создание линий по тестированию и упаковке чипов памяти. Компания рассчитывает получить от властей США субсидии на строительство предприятий в штатах Айдахо и Нью-Йорк.

Хотя руководство Micron рассчитывает на восстановление спроса на память в 2024 фискальном году, который уже начался, на производственных линиях с использованием зрелых техпроцессов степень загрузки конвейера будет ниже оптимальной даже на протяжении какой-то части 2024 календарного года. На передовых технологических направлениях спрос начнёт опережать производственные возможности Micron во второй половине следующего года. Часть оборудования, которое было задействовано при выпуске памяти по зрелым техпроцессам, удастся переоснастить для наращивания объёмов выпуска по более современным технологиям.

В целом, Micron связывает большие надежды даже не с 2024 годом, а с 2025-м, поскольку к тому времени компания рассчитывает получать рекордную выручку по мере роста спроса на компоненты для систем искусственного интеллекта, и память типа HBM3E в этом прогрессе будет играть важнейшую роль. Сейчас компания способна выпускать 232-слойную память типа 3D NAND, по графику идёт освоение более сложной компоновки. В календарном 2025 году будет освоен и выпуск памяти типа DRAM поколения 1-гамма с использованием EUV-литографии.

В прошлом квартале клиенты Micron существенно сократили складские излишки памяти, и сейчас объёмы поставок продукции со стороны производителя начинают более или менее точно соответствовать реальному уровню спроса на рынке. По крайней мере, в сегменте смартфонов и ПК ситуация со складскими запасами нормализовалась. Автомобильный рынок победил дефицит, а вот серверный пока страдает от излишков, но и здесь ситуация должна нормализоваться в начале 2024 календарного года. Тогда же серверный сегмент вернётся к росту спроса на микросхемы памяти.

В начале следующего года в структуре поставок продукции Micron микросхемы DDR5 начнут доминировать над DDR4, и в этом отношении компания опередит остальную отрасль. Образцы модулей типа DDR5 объёмом 128 Гбайт на основе чипов памяти с монолитным кристаллом уже поставляются клиентам компании.

По прогнозам Micron, в текущем календарном году объёмы поставок ПК сократятся на 11–12 %, а в следующем году увеличатся на 2–5 %. Компания верит, что в последующие пару лет стимулировать спрос в сегменте ПК будут новые платформы с поддержкой ускорения работы систем искусственного интеллекта. Как известно, AMD и Intel соответствующие наборы команд в свои процессоры уже внедряют.

Сегмент смартфонов по итогам этого года сократит поставки продукции на 4–5 %, но в следующем пропорционально их увеличит, как считают в Micron. Удельное содержание памяти в смартфонах увеличивается, поскольку спрос смещается в сторону более дорогих моделей, которые при этом эксплуатируются дольше. Примерно треть реализуемых сейчас смартфонов, по данным компании, оснащается 8 Гбайт ОЗУ и 256 Гбайт твердотельной памяти, что на 7 процентных пунктов больше, чем год назад.

В целом, как ожидает руководство Micron, степень загрузки линий по выпуску памяти типов DRAM и NAND будет оставаться ниже уровней 2022 года ещё достаточно долго. Соответственно, на простое расширение производственных мощностей компания в следующем году будет тратить меньше средств, чем в минувшем. В следующем году рынок NAND и DRAM будет восстанавливаться, а объёмы производства памяти будут отставать от темпов роста спроса, причём в сегменте DRAM это будет выражено сильнее. Уже сейчас цены на продукцию Micron вернулись к росту, и тенденция сохранится как минимум до конца текущего календарного года.

В текущем квартале Micron рассчитывает выручить от $4,2 до $4,6 млрд, при этом норма прибыли останется отрицательной, но по модулю сократится с нынешних 9 до 2 или 6 %. Публикация отчётности вызвала снижение курса акций компании на 3,61 % после закрытия основной торговой сессии.

На фоне сокращения производства крупнейшими компаниями и ликвидации складских запасов начинают восстанавливаться цены на флэш-память NAND, за которыми могут последовать цены на DRAM, сообщают аналитики TrendForce со ссылкой на данные тайваньского издания TechNews.

Источник изображения: samsung.com

Чтобы сократить потери, поставщики флеш-памяти NAND в 2023 году неоднократно докладывали о сокращении производства — мера призвана остановить дальнейшее снижение цен и задать тренд к их росту. Эта стратегия уже начала приносить результаты: в августе участились сообщения о повышении контрактных цен на пластины для памяти NAND, в сентябре цены продолжили рост, в результате чего сегмент DRAM оказался в положении догоняющего.

Samsung как ведущий игрок продолжила сокращение производства — оно преимущественно коснулось продукции на чипах с числом слоёв менее 128. Только в сентябре её выпуск сократился почти на 50 %, что побудило последовать этому примеру и других производителей, а также привело к корректировке запасов. В IV квартале цены на память NAND продолжат расти, считают эксперты. По версии TrendForce, за последние три месяца 2023 года рост составит 3–8 %, хотя первоначально планировались 0–5 %.

Ценовая динамика в сегменте DRAM отстаёт от показателей NAND, но стратегия сокращения производства и ликвидации запасов в IV квартале поможет переломить ситуацию. Дополнительным позитивным фактором здесь обещает стать рынок систем искусственного интеллекта, где спрос пока остаётся высоким. Высокий спрос также отмечается в сегментах DDR5 и DDR3, хотя от последнего крупные игроки постепенно отказались. Самым массовым является DDR4 — здесь активно ликвидируются запасы, но этому процессу угрожает грядущее семейство процессоров Intel Meteor Lake, которые поддерживают только DDR5.

Компания SK hynix, как владелец бывшего подразделения Intel по производству флеш-памяти 3D NAND, представила интересную новинку — твердотельный накопитель Solidigm D7-P5810 на памяти SLC для интенсивных нагрузок записью. Нюанс в том, что память SLC не производится около пяти лет и компании пришлось пойти на хитрость, чтобы выпустить SSD с характеристиками, свойственными SSD на флеш-памяти с одноуровневой записью.

Источник изображений: Solidigm

Флеш-память с одноуровневой записью позволяла рекордного много перезаписывать каждую ячейку памяти и давала делать это максимально быстро, поскольку контроллер не был обременён расчётами, связанными с оценкой нескольких уровней заряда в ячейке, как это происходит в случае TLC- или QLC-памяти с тремя и четырьмя уровнями напряжения (заряда). После отказа от выпуска SLC-памяти, которая по цене и плотности записи не могла конкурировать с памятью TLC и QLC, компания Intel попыталась заменить память SLC решениями в виде буферов на памяти 3D XPoint (продукция Optane). Но Optane умер, а определённая потребность в быстрой флеш-памяти никуда не делась.

Для решения вопроса повышения скорости записи и для увеличения ресурса по количеству циклов перезаписи производитель «оптимизировал» выпускаемую ранее 144-слойную память QLC и превратил её в память SLC, что технологически сделать несложно. Ресурс памяти и накопителя автоматически повысился, а работа контроллера и всех операций ускорилась. На такой памяти накопитель SSD D7-P5810 способен вести журналы и поддерживать критически важные для скорости выполнения операции, в частности, связанные с записью данных на флеш-носители.

В своём стремлении представить скоростной накопитель на псевдо памяти SLC, способный заменить накопители Optane, Solidigm не одинока. Ранее такую же «оптимизацию» со 176-слойной памятью 3D NAND проделала компания Micron, начав поставки SLC-накопителя XTR NVMe (конкурент A в таблице со сравнительными характеристиками) и компания Kioxia (конкурент B в таблице со сравнительными характеристиками), выпустившая SLC-накопитель FL6. Та или иная оптимизация микрокода прошивки обеспечивает накопителям набор необходимых характеристик. Например, SSD XTR NVMe Micron нацелен на работу с обработкой тяжёлых данных, а SSD D7-P5810 Solidigm решает задачи кеширования и аналогичные, когда операции записи становятся наиболее критичными.

Solidigm D7-P5810 представлен 800-Гбайт накопителем в форм-факторе U.2 с интерфейсом NVMe (PCI Express 4.0 x4). Модель ёмкостью 1,6 Тбайт выйдет в первой половине 2024 года. Заявленные линейные скорости чтения и записи соответственно достигают 6400 и 4000 Мбайт/с. На случайных операциях при максимальной глубине запроса производительность при чтении достигает 865 тысяч IOPS, а при записи — 495 тысяч. В последнем случае задержки лежат пределах 10–15 мкс, а при случайном чтении они не выше 53 мкс.

Накопитель D7-P5810 Solidigm допускает 50 полных перезаписей ёмкости в сутки. По подсчётам производителя, это оптимальное предложение, способное быть альтернативой продукции Optane, ресурсы которой обычно были не востребованы в полном объёме. Это же касается заявленной производительности D7-P5810 Solidigm. Иными словами, новый накопитель для кеширования, ведения логов и других буферных задач не предложит ничего лишнего при сбалансированных характеристиках и относительно небольшой стоимости.

В октябре прошлого года санкции США ограничили поставки в КНР оборудования, позволяющего выпускать твердотельную память с количеством слоёв более 128 штук, а представившая за два месяца до этого свои 232-слойные чипы 3D NAND китайская компания YMTC для поддержания производственной деятельности теперь вынуждена искать замену американскому оборудованию и специалистам, которые его обслуживают.

Источник изображения: Handout

Об этом со ссылкой на собственные источники рассказывает ресурс South China Morning Post, напоминая, что в декабре прошлого года торговые санкции США распространились адресно на саму компанию YMTC. В совокупности с октябрьскими санкциями, введёнными ранее, это привело к тому, что китайский производитель памяти начал терять доступ к оборудованию американской марки Lam Research, а также специалистам с американским гражданством, которые это оборудование на предприятиях YMTC ранее могли обслуживать. Компании пришлось сократить объёмы поставок продукции и задержать введение в строй второго предприятия по обработке кремниевых пластин в Ухане.

В марте текущего года YMTC получила от государственного фонда КНР около $7 млрд капитала, которые смогла направить на снижение степени зависимости от американского оборудования и специалистов. Сейчас компания активно ищет китайских поставщиков оборудования, которое смогло бы компенсировать американские санкции, а также пытается наладить схему привлечения специалистов необходимой квалификации к обслуживанию уже имеющегося оборудования. Помимо прочего, YMTC ищет поставщиков электростатических захватов, которые используются для переноса кремниевых пластин в процессе их обработки. Одна из пекинских компаний, имя которой не раскрывается, станет партнёром YMTC по разработке «импортозамещаемого» оборудования для производства флеш-памяти. К обслуживанию эксплуатируемого оборудования YMTC пытается привлечь компании из-за пределов США.

Рынок флеш-памяти NAND во втором квартале так и не смог одержать победу над слабым спросом, который продолжает отставать от предложения. Тем не менее, объёмы поставок выросли на 19,9 % по сравнению с предыдущими тремя месяцами, а выручка производителей последовательно выросла на 7,4 % и достигла $9,338 млрд, подсчитал аналитики TrendForce.

Источник изображения: skhynix.com

Samsung во II квартале начала сокращать объёмы производства, и в текущем продолжит это делать. Объёмы складских запасов будут снижаться, а на горизонте уже маячит рост цен, который поможет избавиться от хронического дисбаланса спроса и предложения. Но не исключено, что некоторые игроки, столкнувшись с избыточными запасами, продолжат агрессивные продажи в III квартале. Средняя цена продажи (ASP) продуктов на базе флеш-памяти NAND замедлит падение до значения в 5–10 %. Объёмы поставок будут расти, и в III квартале выручка производителей увеличится более чем на 3 %.

Для Micron минувший квартал оказался рекордным — компания продемонстрировала рост на 27,6 % и заработала $1,21 млрд. Это стало возможным благодаря сокращению запасов на рынках ПК и мобильных устройств, а также увеличению средней ёмкости потребительского SSD — Micron удалось поставить рекорд по объёмам поставок в битах памяти за квартал. Большинство игроков отрасли сокращает производство, но в случае американского производителя наблюдается более сбалансированная картина по спросу и предложению.

Источник изображения: trendforce.com

SK Group (SK hynix и Solidigm) и Western Digital сумели выиграть на сокращении запасов SSD и увеличении ёмкости накопителей в бытовой электронике — обе компании нарастили поставки в битах, а с ними и доходы во II квартале. При этом SK Group продемонстрировала поквартальный рост на 26,6 %, а Western Digital — на 5,4 %.

Samsung и Kioxia оказались единственными крупными игроками в отрасли, чьи доходы сократились. Против них сыграл тот факт, что при росте спроса на серверы для систем искусственного интеллекта наибольшее влияние на спрос на флеш-память NAND всё ещё оказывают серверы общего назначения, и в результате доходы от реализации компонентов NAND бум ИИ не затронул. В итоге у Samsung выручка упала на 1 % и составила $2,9 млрд, а у Kioxia — на 1,3 % до $1,83 млрд.

По прогнозам TrendForce, падение цен на флеш-память NAND может остановиться к концу года. Правда для этого производителям придётся пойти на крайние меры. В качестве примера аналитики приводят компанию Samsung, которая с сентября решила резко сократить производство некоторых видов флеш-памяти на 50 %, сообщает TrendForce.

Источник изображения: Samsung

Отмечается, что Samsung сосредоточится на выпуске флеш-памяти NAND с количеством слоёв до 128, минимизировав производство более многослойных микросхем. Другие производители флеш-памяти NAND, вероятно, последуют примеру южнокорейского гиганта в четвёртом квартале этого года. В результате это или остановит падение, или даже приведёт к росту средних цен флэш-памяти NAND на величину до 5 %. Что касается третьего квартала, то эксперты TrendForce прогнозируют падение стоимости NAND на 5–10 %.

Источник изображения: TrendForce

В условиях сокращающейся маржинальности на рынке флеш-памяти NAND, цены на которую почти сравнялись с себестоимостью её производства, поставщикам ничего не остаётся, как значительно сократить её выпуск, в надежде стабилизировать рынок. Производители памяти надеются, что с учётом сокращения производства накопленные у клиентов запасы памяти NAND начнут наконец истощаться, что в конечном итоге приведёт к повышению спроса и росту цен на микросхемы. Однако для продолжения этой динамики в 2024 году решающее значение будет иметь устойчивое сокращение производства с одновременным устойчивым ростом заказов на корпоративные твердотельные накопители.

Хотя сегмент флеш-памяти NAND отличается более гибкой ценовой политикой по сравнению с рынком памяти DRAM, спрос на память NAND в течение всего 2023 года постоянно снижался. Отчасти это связно с тем, что в этом году наблюдается значительный рост спроса на серверы, оптимизированные для ИИ, которые вытесняют системы общего назначения, отмечают в TrendForce.

Аналитическое агентство TrendForce ожидает, что страдающие от кризиса перепроизводства поставщики памяти в 2024 году продолжат стратегию сокращения производства как DRAM, так и NAND. Рост спроса на бытовую электронику в первом полугодии 2024 года маловероятен, а затраты на серверы общего назначения снизятся из-за давления со стороны серверов ИИ. В результате темпы роста спроса на DRAM и NAND в 2024 году прогнозируются на уровне 13 % и 16 % соответственно.

Источник изображений: unsplash.com

В секторе ПК годовой темп роста средней ёмкости DRAM прогнозируется примерно на уровне 12,4 %, в основном за счёт новых процессоров Intel Meteor Lake, которые поступят в массовое производство в конце года. Эксклюзивность DDR5 и LPDDR5 этой платформы, вероятно, сделает DDR5 основным направлением роста во второй половине 2024 года.

Темпы роста объёмов клиентских SSD для ПК прогнозируются в районе 8–10 %. Интерес потребителей всё больше смещается в сторону облачных решений, а спрос на ноутбуки с большой ёмкостью памяти снижается. Несмотря на то, что модели с накопителями ёмкостью 1 Тбайт становятся все более доступными, преобладающим вариантом конфигурации остаётся 512 Гбайт.

Поставщики стараются поддерживать стабильность цен за счёт значительного сокращения производства, в результате чего OEM-производители ПК могут столкнутся с повышенными затратами на твердотельные накопители. Это в сочетании с повышением Microsoft лицензионных сборов за установки Windows на диски ёмкостью от 1 Тбайт, вероятно, замедлит дальнейший рост средней ёмкости SSD.

Ежегодный темп роста средней ёмкости серверной DRAM оценивается в 17,3 %. Этот всплеск в первую очередь вызван сменой поколений серверных платформ, потребностями облачных провайдеров и высокими требованиями серверов ИИ.

Предполагаемый годовой темп роста средней ёмкости корпоративных SSD составляет 14,7 %. Что касается поставщиков облачных решений, внедрение процессоров с поддержкой PCle 5.0 скорее всего приведёт к увеличению закупок накопителей ёмкостью 8 Тбайт. При этом вклад серверов ИИ в этот рост останется весьма ограниченным.

Ежегодный темп роста производства смартфонов в 2024 году оценивается на уровне скромных 2,2 %, что во многом обусловлено глобальным экономическим спадом. Согласно прогнозам, в 2023 году средний объем памяти DRAM в смартфонах вырастет примерно на 14,3 %. Эксперты полагают, что в течение 2024 года эта тенденция сохранится и приведёт к росту средней ёмкости памяти мобильных устройств ещё на 7,9 %.

Источник изображения: Trendforce

Ожидается, что растущий спрос на хранение мультимедийных файлов и рост проникновения 5G приведут к увеличению средней ёмкости накопителей в смартфонах. Однако сокращение производства флеш-памяти и осторожность производителей смартфонов в управлении затратами в 2024 году может привести к уменьшению количества моделей среднего и низкого уровня с хранилищем размером более 1 Тбайт. Учитывая отсутствие в настоящее время у Apple, на которую традиционно ориентируются другие производители смартфонов, планов по выпуску моделей iPhone с накопителями ёмкостью более 1 Тбайт, TrendForce ожидает, что средняя ёмкость хранилища смартфонов вырастет в пределах 13 % в 2024 году.

Издание DigiTimes со ссылкой на Seoul Economic Daily сообщает, что компания Samsung Electronics будет готова со следующего года начать массовое производство трёхмерной флеш-памяти 9-го поколения с архитектурой двойного стека. Для сравнения, в 321-слойных микросхемах 3D NAND компании SK hynix, старт массового производства которых запланирован на первую половину 2025 года, используется архитектура тройного стека.

Источник изображения: Samsung

Чипы Samsung 3D V-NAND 9-го поколения с более чем 300 слоями будeт выпускаться с использованием метода двойного стекирования, который Samsung впервые применила в 2020 году при производстве 176-слойных микросхем 3D NAND 7-го поколения. Метод подразумевает создание одного стека 3D NAND на кремниевой пластине диаметром 300 мм, а затем последующее наслоение второго стека поверх первого. На основе чипов флеш-памяти высокой плотности с более чем 300-ми слоями производители смогут создавать недорогие твердотельные накопители или удешевлять SSD, уже представленные на рынке.

Что касается той же SK hynix, то компания ранее озвучила планы начать производство 321-слойной 3D NAND-памяти в 2025 году, используя архитектуру с тремя стеками. Производство этих микросхем отличается от метода Samsung и подразумевает соединение трёх отдельных наборов слоёв. С одной стороны, производство такой памяти будет требовать больше шагов и потребует больше материалов по сравнению с конкурентом, однако такой подход призван повысить уровень выхода годных чипов, поскольку производить стеки флеш-памяти с меньшим количеством слоёв проще.

Утечки дорожных карт Samsung предполагают, что компания после завершения цикла производства 3D NAND 9-го поколения может воспользоваться методом тройного стека для выпуска 430-слойных микросхем 3D NAND 10-го поколения. Некоторые эксперты в разговоре с изданием Seoul Economic Daily предположили, что производство чипов флеш-памяти 3D NAND с более чем 400 слоями потребует архитектуры тройного стека из-за возможных проблем с процентом выхода годных микросхем. Разумеется, это увеличит объёмы использующегося сырья и другие затраты в расчёте на одну пластину.

В 2022 году Samsung заявила, что рассчитывает выйти на производство 1000-слойных чипов флеш-памяти к 2030 году.

Исследовательская компания WebFeet Research прогнозирует, что в 2023 году рынок NAND составит $34,6 млрд, что на 43 % меньше, чем годом ранее. Причина кроется в одновременном падении спроса на серверы, ноутбуки и смартфоны. Хотя в этом уравнении остаётся ещё много неизвестных, например, не до конца ясно, какое влияние окажет ИИ-бум на рынок флеш-памяти. Аналитики ожидают стабилизации к концу года, но риск негативных сюрпризов сохраняется.

Источник изображения: unsplash.com

Несмотря на вялый спрос на ПК в первом полугодии 2023 года, поставщики NAND надеются, что предпринятые ими меры по сокращению производства помогут снизить высокие уровни складских запасов. Многие производители флеш-памяти находятся в тяжёлом положении из-за сильного падения доходов от NAND, несмотря на серьёзную поддержку со стороны своих государств.

Южная Корея, защищая национальные интересы, не допустит, чтобы Samsung или SK hynix пришли к краху в сегменте флеш-памяти. Kioxia находится под защитой Японии, а ещё сотрудничает с WD. Доходы Micron существенно упали и компания сократила производство памяти. YMTC столкнулась с санкциями на технологии, но добилась определённого прогресса с выпуском 232-слойной 3D NAND. Неизвестно, как долго будет продолжаться поддержка правительства Китая.

В романе Эрнеста Хемингуэя «И восходит солнце», Майка спрашивают, как он стал банкротом. «Двумя способами, — отвечает он. — Постепенно, потом внезапно». Возникает вопрос, постепенно ли отрасль скатывается в рецессию или следует ожидать внезапного обвала производства.

На саммите Flash Memory Summit (FMS) 2023 компания SK hynix первой в индустрии показала образец флеш-памяти с более чем 300 слоями. Так будет выглядеть будущее, когда интеллектуальные помощники станут вездесущими. Компания ещё не до конца завершила разработку новой и намного более плотной памяти, но обещает сделать это в течение следующего года, чтобы начать выпуск новинки в первой половине 2025 года.

Источник изображения: SK Hynix

Чипы 321-слойной флеш-памяти опираются на трёхбитовые ячейки памяти (TLC). Ёмкость одной микросхемы будет составлять 1 Тбит. Современная 238-слойная 3D NAND компании обладает вдвое меньшей ёмкостью — 512 Гбит. Переход от производства 238-слойной памяти к выпуску 321-слойной в пересчете на биты увеличит выход ёмкости с каждой кремниевой пластины на 59 %.

Первый доклад специалистов SK hynix о разработке 300-слойной памяти состоялся в марте этого года на конференции ISSCC 2023. Из представленных тогда документов следует, что 300-слойные микросхемы SK Hynix получат также улучшенную архитектуру, что неизбежно идёт за наращиванием числа слоёв и увеличением числа соединений, а также несколько видоизменённые сигналы управления и программирования. В своей совокупности это позволит увеличить пропускную способность памяти 3D NAND с 164 Мбайт/с до 194 Мбайт/с. Также возрастёт энергоэффективность решений за счёт более высокой плотности записи.

Наконец, компания призналась, что параллельно с разработкой 300-слойной памяти начала проработку интерфейсов следующего поколения, а именно PCIe 6.0 и UFS 5.0. Последний, как нетрудно догадаться, будет также использоваться для накопителей на 300-слойных микросхемах и не только. Чуть больше подробностей по 300-слойным флеш-чипам SK Hynix можно прочесть в архиве наших новостей за март.

Американский производитель чипов для сетевого оборудования и других полупроводников MaxLinear неожиданно для всех отказался от приобретения американо-тайваньского поставщика контроллеров флеш-памяти NAND для твердотельных накопителей Silicon Motion Technology, несмотря на то, что сделка на сумму $3,8 млрд получила на этой неделе одобрение китайских регулирующих органов.

Источник изображения: Maxlinear

Причины отказа, скорее всего так и останутся неизвестными для широкой публики. В опубликованном в среду пресс-релизе базирующаяся в Карлсбаде (штат Калифорния) MaxLinear отметила, что некие условия соглашения о слиянии не были и не могут быть выполнены, Silicon Motion понесла «существенные неблагоприятные последствия» и нарушает соглашения, что даёт ей право расторгнуть сделку.

При этом MaxLinear не стала уточнять, в чём именно заключаются нарушения договорённости по сделке, о подготовке которой стало известно в мае 2022 года. Также не ясно, о каких неблагоприятных обстоятельствах для Silicon Motion идёт речь. Как указала MaxLinear, слияние должно было быть завершено к 23 мая 2023 года, то есть формально у неё было полное право отменить сделку в любом случае.

После публикации заявления Maxlinear её акции упали примерно на 12 %, а цена акций Silicon Motion снизилась ещё больше — на 25 %.

На очередном годовом саммите по флеш-памяти, который традиционно проходит в августе, компания NEO Semiconductor, разработчик технологий для производства флеш-памяти 3D NAND и оперативной памяти 3D DRAM, представит фирменные технологии во всём объёме. Глава компании лично выступит перед элитой производителей флеш-памяти, надеясь убедить их в назревших революционных изменениях.

Источник изображений: NEO Semiconductor

Американская компания NEO Semiconductor представила фирменную архитектуру и технологию производства многослойной флеш-памяти в 2020 году и аналогичную архитектуру для выпуска многослойной оперативной памяти DRAM в мае этого года. Компания имеет все необходимые патенты и технологии для организации массового выпуска чипов флеш-памяти и DRAM по её лицензии. Но у неё до сих пор нет клиентов и активное участие в работе Flash Memory Summit 2023 должно стать прорывом. У компании на мероприятии будет отдельный стенд и запланированы выступления перед аудиторией.

«Я с нетерпением жду возможности представить на Flash Memory Summit 2023 наши новые революционные архитектуры, которые создадут беспрецедентную ценность для полупроводниковых компаний, производящих продукты памяти, облачных провайдеров и корпоративных компаний, внедряющих решения для хранения данных, — сказал Энди Хсу (Andy Hsu), основатель и генеральный директор NEO Semiconductor и выдающийся изобретатель технологий, имеющий более 120 американских патентов. — Для преодоления проблем масштабирования срочно требуется новая структура DRAM, использующая 3D-дизайн. 3D X-DRAM — это высокоскоростное, высокоплотное, недорогое решение с низким уровнем брака, которое позволит создать новое поколение приложений и услуг будущего».

Многослойной памятью 3D NAND сегодня никого не удивишь. Наоборот, найти сегодня твердотельный накопитель с планарной флеш-памятью — это настоящее испытание. Но производители оперативной памяти не спешат с переходом на 3D. Поэтому на «флеш-саммите» NEO Semiconductor будет бить в 3D DRAM, явно выходя за рамки мероприятия.

Компания пока не раскрывает подробностей архитектуры многослойной оперативной памяти, говоря лишь об отказе от конденсаторов в ячейках и о переходе на технологию плавающего заряда FBC (floating body cell). Вероятно саммит внесёт больше ясности в этот вопрос. Но с чем точно не поспоришь, что планарная DRAM почти исчерпала варианты для наращивания плотности на единицу площади кристалла. В то же время приложения ИИ требуют кратного увеличения объёмов оперативной памяти и если мы не хотим, чтобы АЭС росли как грибы после дождя (а по другому сегодня мощнейшие центры по обработке данных питать нечем), то плотность чипов DRAM необходимо быстро увеличивать, что также сопровождается снижением потребления на единицу хранения данных.

Чтобы совсем не скатиться в тему оперативной памяти на саммите, представители NEO Semiconductor расскажут о преимуществах своей «многоэтажной» архитектуры для таких перспективных заменителей флеш-конструкций, как 3D NOR, 3D Ferroelectric RAM (FFRAM), 3D Resistive RAM (RRAM), 3D Magnetoresistive RAM (MRAM) и 3D Phase Change Memory (PCM). В любом случае, будет интересно.

Южнокорейская компания SK hynix на этой неделе отчиталась о результатах второго квартала, которые превзошли ожидания аналитиков. Выручка производителя памяти хоть и сократилась почти в два раза относительно аналогичного периода прошлого года до $5,7 млрд, оказалась выше прогнозируемой. Во втором полугодии SK hynix рассчитывает на некоторое восстановление спроса в отдельных сегментах рынка памяти.

Источник изображения: SK hynix

Операционные убытки компании во втором квартале достигли $2,2 млрд, что было несколько хуже ожиданий рынка. Год назад квартал завершился для SK hynix операционной прибылью в размере $3,3 млрд. По мнению некоторых отраслевых аналитиков, для рынка памяти в целом и SK hynix в отдельности худшее уже позади. Компания отметила резкий рост спроса на память для серверных систем, работающих с ИИ, во втором квартале, а также наблюдала рост цен в этом сегменте в последовательном сравнении.

Капитальные затраты в текущем году SK hynix сократит почти в два раза по сравнению с предыдущим, в текущем полугодии компания также продолжит уменьшать объёмы выпуска памяти типа NAND. Данные меры принесут свои плоды в этом полугодии, как считают представители компании. Спрос на память в серверном сегменте в целом будет слабым, в мобильном сегменте возможно некоторое оживление спроса в связи с сезонным фактором в виде предстоящего выхода новых моделей смартфонов крупных игроков рынка вроде Apple. В текущем квартале объёмы поставок флеш-памяти типа NAND останутся на существующем уровне за счёт складских запасов, а вот её производство SK hynix продолжит сокращать.

По данным Bloomberg Intelligence, во втором квартале спрос на производительную оперативную память серверного назначения марки SK hynix последовательно вырос более чем в два раза, что говорит о способности компании выиграть от ажиотажа вокруг систем искусственного интеллекта. Компания пообещала увеличивать производственные мощности по выпуску микросхем DDR5 высокой ёмкости и памяти типа HBM3. Так называемая графическая память, к которой относится и HBM3, во втором квартале формировала до 20 % выручки в сегменте DRAM. Такие микросхемы востребованы при производстве ускорителей вычислений.

Во втором полугодии, по мнению руководства SK hynix, начнёт восстанавливаться спрос на память со стороны корпоративных клиентов и в игровом сегменте. По крайней мере, в последовательном сравнении можно будет говорить о положительной динамике продаж.

Бренд Crucial компании Micron представил внешние твердотельные накопители Crucial X9 Pro и Crucial X10 Pro. От ранее выпущенных моделей X6 и X8 новинки отличаются использованием чипов флеш-памяти TLC NAND, а не QLC NAND. Хотя последние и характеризуются более низкой стоимостью, память TLC NAND является более долговечной.

Источник изображений: Crucial

Модели накопителей Crucial X9 Pro и Crucial X10 Pro будут выпускаться в объёмах на 1, 2 и 4 Тбайт. К сожалению, производитель не сообщает подробные характеристики новинок. Неизвестно, каким количеством слоёв обладает применяемая в них флеш-память TLC NAND, а также имеют ли накопители кеш-память DRAM или нет.

В то же время компания отмечает, что модели Crucial X10 Pro оснащаются разъёмом USB 3.2 Gen2x2 (20 Гбит/с) и обеспечивают скорость последовательного чтения до 2100 Мбайт/с, а скорость последовательной записи — до 2000 Мбайт/с. В свою очередь модели Crucial X9 Pro получили разъём USB 3.2 Gen2 (10 Гбит/с) и обладают скоростью последовательного чтения и записи до 1050 Мбайт/с.

Все накопители поддерживают 256-битную систему шифрования AES, совместимы с операционными системами Windows, Mac, Android, Linux планшетами iPad, ПК, а также игровыми приставками Microsoft Xbox Series X/S и Sony PlayStation 5. Кроме того, они собраны в металлическом корпусе с защитой от воды, пыли, песка (класс защиты IP55), а также падения с высоты до 2 метров. На накопители предоставляется пятилетняя гарантия производителя.

Размеры Crucial X10 Pro и Crucial X9 Pro равны 65 × 50 мм. Вес первых составляет 42 грамма, а вторых — 38 граммов.

Новинки уже поступили в продажу и доступны, например, на сайте производителя. Цены на модели Crucial X9 Pro объёмом 1, 2 и 4 Тбайт составляют $80 ($90 без скидки), $130 ($160 без скидки) и $240 ($290 без скидки). Модели Crucial X10 Pro того же объёма оценили в $120 ($130 без скидки), $170 ($210 без скидки) и $290 ($340 без скидки).