Южнокорейская компания Samsung официально представила доступный смартфон Galaxy A06 во Вьетнаме. В ближайшее время он также поступит на рынки других стран.

Источник изображений: Samsung

Разработчики оснастили новинку 6,7-дюймовым ЖК-дисплеем с поддержкой разрешения 1600 × 720 пикселей и частотой обновления 90 Гц. В верхней части экрана есть каплевидный вырез, в котором размещена 8-мегапиксельная фронтальная камера (f/2.0). Двойная основная камера сочетает в себе основной 50-мегапиксельный сенсор с датчиком глубины на 2 Мп. Поддерживается съёмка видео 1080p на скорости до 60 кадров в секунду.

Аппаратной основой Galaxy A06 стал восьмиядерный микропроцессор MediaTek Helio G85 (два ядра Cortex-A75 с частотой до 2,0 ГГц и шесть ядер Cortex-A55 с частотой до 1,8 ГГц). За обработку графики отвечает ускоритель Mali-G52 MC2. Смартфон будет доступен в версиях с 4 Гбайт оперативной памяти и накопителем на 64 Гбайт, а также с 6 Гбайт ОЗУ и 128 Гбайт ПЗУ. При необходимости место для хранения данных можно увеличить за счёт использования карты microSD.

В качестве источника питания в Galaxy A06 используется аккумулятор на 5000 мА·ч с поддержкой быстрой зарядки мощностью до 25 Вт. Для восполнения энергии предусмотрен интерфейс USB Type-C. Сканер отпечатков пальцев интегрирован в кнопку питания, которая находится на боковой поверхности корпуса.

Смартфон работает под управлением Android 14. Покупатели смогут выбирать между версиями устройства в синем, белом и золотом цветовых вариантах исполнения корпуса. Розничная стоимость Galaxy A06 с 4 Гбайт ОЗУ и 64 Гбайт ПЗУ составит €115, а за вариант с 6 Гбайт ОЗУ и 128 ПЗУ придётся заплатить €137.

Южнокорейская компания Samsung Electronics не только остаётся крупнейшим производителем памяти, но и не оставляет амбиций в сфере контрактного производства логических компонентов. Ради движения в ногу с прогрессом она собирается вслед за Intel получить к концу этого года литографический сканер ASML TwinScan EXE:5000, который позволяет работать с высоким значением числовой апертуры (High-NA).

Источник изображения: ASML

Intel является крупнейшим клиентом ASML на этом направлении и пытается выкупить все доступные для заказа на этот год подобные системы, но намерения Samsung показывают, что при определённой настойчивости корейская компания тоже может получить свою первую литографическую систему класса High-NA EUV к концу текущего года или в первом квартале следующего. Подобное оборудование должно позволить Samsung не только наладить выпуск чипов по технологиям «тоньше» 2 нм, но и делать это с более низкой себестоимостью. Правда, сам литографический сканер такого класса стоит не менее $380 млн, а ещё он занимает больше места, поэтому внедрение такого оборудования потребует не только высоких первоначальных затрат, но и смены подхода к планировке цехов.

Попутно южнокорейские СМИ сообщают, что Samsung призналась в наличии у неё средств инспекции фотомасок японской марки Lasertec, которые адаптированы к технологии High-NA EUV. Если всё пойдёт по плану, Samsung сможет наладить выпуск первых прототипов продукции на оборудовании такого класса к середине следующего года. Впрочем, в массовом производстве технология High-NA EUV будет освоена компанией ближе к 2027 году.

Samsung в сотрудничестве с Synopsys также внедряет иной «рисунок» элементов полупроводниковых чипов, который предполагает переход от прямых линий к кривым. Это позволит создавать более плотные структуры на чипах и продвинуться в освоении более «тонких» техпроцессов. Компания TSMC также рассчитывает получить до конца года от ASML свой первый литографический сканер класса High-NA EUV, но внедрить подобное оборудование в массовом производстве чипов по технологии A14 планирует не ранее 2028 года.

Данные берутся из публикации Обзор игрового QD-OLED WQHD-монитора Samsung Odyssey OLED G6 G60SD: движение в верном направлении?

Ведущим производителем передовых версий памяти HBM остаётся компания SK hynix, которая в то же время уступает Samsung Electronics по общим масштабам производства. Необходимость переориентировать под выпуск HBM3 и HBM3E часть линий по производству DDR5 вынуждает участников рынка повышать цены на последний тип продукции. В результате SK hynix повысила цены на DDR5 на 15–20 %.

Источник изображения: SK hynix

Если бы рост цен осуществлялся за счёт более естественных факторов цикличного возвращения спроса на DRAM, то он не был бы таким заметным. Развитие систем искусственного интеллекта провоцирует рост спроса не только на микросхемы HBM, но и классическую DDR, поскольку требуются всё новые серверные мощности, которые за счёт одних только ускорителей вычислений с памятью HBM не масштабируются.

В этом году SK hynix рассчитывает переориентировать на выпуск HBM более 20 % своих мощностей по выпуску DRAM, тогда как Samsung Electronics готова пожертвовать 30 % существующих линий по выпуску DRAM. Правда, чтобы реализовать эти намерения с наибольшей отдачей, Samsung сначала должна заручиться крупными заказами от той же Nvidia, а пока из комментариев представителей южнокорейской компании понятно лишь то, что процесс сертификации данной продукции под требования этого заказчика всё ещё продолжается.

Профсоюз работников компании Samsung объявил о планах провести четырёхдневную забастовку, направленную на усиление давления на руководство компании с целью повышения заработной платы и выплаты дополнительных премий.

Источник изображения: Yonhap

По сообщению издания Yonhap News Agency, национальный профсоюз Samsung Electronics (NSEU) — крупнейший профсоюз южнокорейского технологического гиганта, сообщил о своём намерении провести забастовку с 15 по 18 августа. Бастующим членам профсоюза дано указание отказаться от работы в День освобождения и независимости Кореи, начиная с четверга и работать посменно до воскресенья.

С января этого года профсоюз и руководство компании провели несколько раундов переговоров, но не смогли преодолеть разногласия по вопросам повышения заработной платы, системы отпусков и бонусов. В настоящий момент NSEU, представляющий интересы 31 000 работников, что составляет около 24 % от 125 000 сотрудников компании, находится в состоянии полномасштабной забастовки уже с 8 июля.

Профсоюз требует повышения базовой заработной платы на 5,6 % для всех её членов, гарантированного выходного дня в день основания профсоюза и компенсации экономических потерь, вызванных забастовкой. Руководство Samsung, в свою очередь, предложило повышение заработной платы только на 5,1 %, подчёркивая свою приверженность построению взаимовыгодных отношений с профсоюзом.

Напомним, ранее в этом месяце члены профсоюза вернулись к работе после 25-дневной забастовки и пообещали перейти к «долгосрочному плану», включающему проведение «молниеносных» забастовок.

На фоне растущего рыночного спроса на высокопроизводительную память для ИИ компания Samsung решила возобновить инвестиции в создание производственной линии чипов памяти DRAM 6-го поколения на своём заводе P4 в Пхёнтхэке с целью начать массовый выпуск таких микросхем в июне 2025 года, пишет южнокорейское издание ETNews.

Источник изображения: TrendForce

Источник сообщает, что память DRAM 6-го поколения, также известная как «1c», будет производиться с использованием техпроцесса класса 10 нм. Помимо Samsung такую память также планирует массово производить её южнокорейский конкурент SK hynix.

По информации ETNews, Samsung хотела начать строительство нового цеха P4 на своём заводе в Пхёнтхэке в 2022 году и изначально собиралась запустить его в 2024 году. Однако, завершив строительство производственного объекта и его обеспечение необходимой инфраструктурой, компания не стала оснащать новую линию производственным оборудованием. Из-за снизившегося спроса на рынке полупроводников Samsung сократила расходы путём снижения количества доступных мощностей.

Во второй половине прошлого года рынок полупроводников начал восстанавливаться, поэтому к середине года Samsung вновь перешла к инвестициям в новые проекты. Компания начала установку оборудования для выпуска флеш-памяти NAND на ранее неиспользуемом объекте P4 и теперь подтвердила планы по инвестициям в производство памяти DRAM 6-го поколения, пишет ETNews.

Пробные партии 1c DRAM компания Samsung собирается выпустить уже к концу текущего года, утверждает источник. Также сообщается, что производитель рассматривает возможность запуска производственной линии по выпуску микросхем памяти HBM4 с использованием технологии 1c DRAM во второй половине 2025 года.

Источник изображения: TrendForce

Аналитики TrendForce прогнозируют, что доходы отрасли производства памяти DRAM и NAND по итогам текущего года вырастут на 75 и 77 % соответственно, что объясняется стремительным ростом спроса на биты на фоне всеобщего бума ИИ. Эксперты также считают, что завод Samsung P4L станет ключевым источником выпуска микросхем памяти большой ёмкости. Согласно их оценкам, оборудование новой производственной линии для выпуска DRAM будет установлено к середине 2025 года, а массовое производство новых чипов начнётся в 2026-м.

На прошлой неделе информированные источники сообщили, что компании Samsung Electronics после неоднократных попыток удалось сертифицировать свои 8-слойные чипы памяти типа HBM3E под требования Nvidia, а потому их поставки для нужд этого заказчика начнутся в следующем квартале. Samsung не стала прямо комментировать данные слухи, но дала понять, что тестирование продукции ведётся в соответствии с намеченными ранее планами.

Источник изображения: Samsung Electronics

Редкий для подобных случаев комментарий представители южнокорейского производителя памяти дали ресурсу Seeking Alpha: «Samsung Electronics сейчас находится в процессе оптимизации наших продуктов за счёт тесного взаимодействия с различными клиентами, и тестирование осуществляется в соответствии с намеченными планами». Можно предположить, что под «оптимизацией» продукции Samsung подразумевает изменение технологии выпуска своих микросхем HBM3E, чтобы довести их характеристики до требований Nvidia.

На прошлой неделе также звучали опровержения от южнокорейских СМИ на тему получения Samsung долгожданного сертификата Nvidia, и заявления официальных представителей Samsung позволяют лишь убедиться, что сертификационная работа продолжается в соответствии с графиком, но судить о её результатах пока не представляется возможным. Не исключено, что тема будет обсуждаться на квартальном отчётном мероприятии Nvidia, которое намечено на конец текущего месяца.

Не секрет, что в условиях бума искусственного интеллекта производители памяти становятся одними из главных выгодоприобретателей наряду с разработчиками чипов для ускорителей вычислений. В первом квартале SK hynix увеличила выручку на 144,3 %, что позволило ей стать третьим по величине производителем чипов, Intel пока удерживает вторую позицию, а первую заняла компания Samsung Electronics, которая нарастила выручку на 78,8 %.

Источник изображения: Samsung Electronics

Тот факт, что Samsung долгое время не могла получить сертификат на соответствие своих микросхем памяти HBM3 и HBM3E требованиям Nvidia к компонентам для современных ускорителей вычислений, не отменяет возможности Samsung поставлять свою память HBM прочих поколений для нужд всех участников рынка. Во-вторых, восстановление спроса на память в целом благоприятно сказалось на выручке Samsung в первом квартале, а потому она выросла на 78,8 % до $14,9 млрд.

Источник изображения: IDC

Эксперты IDC отмечают, что высокие цены на микросхемы HBM также способствовали ускорению роста выручки производителей памяти. По сравнению с DRAM классической компоновки, микросхемы HBM стоят в четыре или пять раз дороже, а переориентация линий по выпуску DRAM на производство HBM дополнительно способствовало росту цен и на обычную DDR. В конечном итоге производители памяти извлекали выгоду из этих тенденций. В пятёрку крупнейших производителей чипов по итогам первого квартала попали три производителя памяти, включая Micron, которая заняла четвёртое место и продемонстрировала рост выручки на 57,7 % до $5,8 млрд. В денежном выражении производители памяти получили половину всей выручки десяти крупнейших производителей чипов. В статистику IDC вошли компании, которые сами и разрабатывают, и производят полупроводниковую продукцию.

В целом на нужды сектора вычислительных решений в первом квартале пришлось 35 % выручки десяти крупнейших производителей чипов, за год эта доля выросла сразу на шесть процентных пунктов. Следом идёт сегмент телекоммуникационных решений. Автомобильный сегмент сейчас пытается предотвратить затоваривание складов, поскольку всплеск активности на этом направлении после порождённого пандемией дефицита натолкнулся на некоторое охлаждение спроса. Не исключено, что автомобильный сегмент в сочетании с рынком компонентов для средств промышленной автоматизации в третьем квартале продемонстрирует некоторое оживление спроса, как поясняют представители IDC. На протяжении всего текущего года лидирующие позиции на рынке IDM с точки зрения динамики изменения выручки будут занимать производители памяти, по мнению экспертов IDC.

За высокой динамикой операционной прибыли Samsung Electronics во втором квартале, как считают некоторые источники, скрывались неприглядные результаты деятельности контрактного подразделения компании. По их мнению, второй квартал был убыточным для бизнеса Samsung по выпуску чипов, не имеющих отношения к сегменту памяти. Контрактное подразделение могло потерять до $220 млн.

Источник изображения: Samsung Electronics

Напомним, совокупная операционная прибыль Samsung во втором квартале выросла в годовом сравнении в 15 раз до $7,6 млрд, а выручка увеличилась на 23 % до $53,5 млрд. Компания не делит эту отчётность на каждое из подразделений, но отметила, что по итогам второго квартала активный рост прибыли произошёл благодаря высокому спросу на HBM, классические микросхемы DRAM и твердотельную память для серверных SSD. Контрактное подразделение полупроводникового бизнеса Samsung в этом контексте не упоминалось, поэтому тайваньские СМИ со ссылкой на южнокорейские источники сообщили, что на контрактном направлении компания могла понести операционные убытки в размере до $220 млн.

По оценкам Samsung Securities, за пределами рынка памяти полупроводниковый бизнес компании по итогам второго квартала понёс операционные убытки в размере $346 млн. Гармоничному развитию контрактного бизнеса Samsung по выпуску чипов, как считается, мешает отсутствие достаточного количества крупных клиентов. Высокий спрос на услуги TSMC в сфере выпуска 3-нм чипов, с одной стороны, открывает для Samsung определённые возможности. С другой стороны, Samsung необходимо затачивать свои передовые техпроцессы под нужды сегмента высокопроизводительных вычислений. Например, Samsung ещё только предстоит внедрить технологию подвода питания с оборотной стороны кремниевой пластины, и если всё пойдёт по плану, она сделает это к моменту освоения 2-нм техпроцесса в 2025 году.

Samsung анонсировала на конференции The Future of Memory and Storage (ранее Flash Memory Summit) несколько твердотельных накопителей: новая линейка PM1753 обещает рекордные скорости PCIe 5.0, а BM1743 вскоре получит 128-Тбайт модель. В потребительском сегменте скоро дебютирует PM9E1 с PCIe 5.0.

Источник изображения: samsung.com

Максимальные скорости в существующем ассортименте Samsung — это серия PM1743, но она существует уже несколько лет, и настало время выхода её преемника. Новый Samsung PM1753 также подключается по PCIe 5.0 x4, но практически полностью использует потенциал интерфейса. Если у PM1743 скорость последовательного чтения составляет до 14 Гбайт/с, то у PM1753 это уже 14,8 Гбайт/с, а скорость записи увеличилась с 6 до 11 Гбайт/с. Производительность случайных операций выросла до 3,4 млн IOPS. Накопитель нового поколения комплектуется 16-канальным контроллером, памятью TLC-NAND ёмкостью до 32 Тбайт и предлагается в формфакторах U.2 и E3.S.

Свой первый SSD ёмкостью 128 Тбайт Samsung показала семь лет назад, и с тех пор он кочевал по выставкам в качестве демонстрационного экземпляра. На рынок модель такой ёмкости выйдет в серии BM1743. Весной корейский производитель обновил серию моделью на 64 Тбайт (61,44 Тбайт) и обмолвился, что этот показатель может удвоиться — теперь компания официально анонсировала SSD BM1743 ёмкостью 128 Тбайт (122,88 Тбайт), но пока не объявила дату её выхода в продажу. Накопитель оснащён памятью QLC от Samsung и предлагает скорость чтения 7,5 Гбайт/с, записи — 3,5 Гбайт/с и до 1,6 млн IOPS для случайных операций.

Компания снова решила заглянуть в будущее. SSD ёмкостью 256 Тбайт появится в период с 2024 по 2026 год, модели на 1 Пбайт едва ли стоит ожидать до 2035 года, а SSD формфактора M.2 ёмкостью 16 Тбайт Samsung выпустит лишь в 2027 году. Корейский производитель также рассказал о модели PM9E1 для потребительских систем — она появится как OEM-продукт с PCIe 5.0, ёмкостью до 4 Тбайт и предложит скорости 14,5 Гбайт/с на чтение и 13 Гбайт/с на запись.

Компания Microsoft работает над созданием потребительской гарнитуры смешанной реальности (MR), ориентированной на взаимодействие с медиаконтентом и играми. В рамках этого проекта софтверный гигант сотрудничает с Samsung Display, которая разработает и поставит для гарнитуры дисплеи OLEDoS (OLED на кремнии). Ожидается, что MR-гарнитура Microsoft выйдет на рынок в 2026 году.

Источник изображения: tweaktown.com

По данным источника, Samsung поставит Microsoft сотни тысяч дисплеев OLEDoS для серийного производства гарнитур смешанной реальности. Ожидается, что гарнитура Microsoft будет выпускаться массово только после того, как будут окончательно определены спецификации новых дисплеев OLEDoS. Отмечается, что коммерческий запуск устройства состоится «самое раннее» в 2026 году.

В прошлом году Samsung организовала новое подразделение под названием M Project, которое занимается разработкой панелей OLEDoS. Руководит подразделением вице-президент Samsung Display Джебом Чой (Jaebeom Choi), который также возглавляет команду Micro Display в Samsung Display. Также известно, что компоненты для дисплеев OLEDoS разрабатывает подразделение Samsung System LSI.

Любопытно, что мобильное подразделение Samsung MX Business уже получило образцы панелей OLEDoS от Samsung Display для своего собственного устройства смешанной реальности, но выбрало Sony в качестве поставщика таких дисплеев. По данным источника, это оказало серьёзное давление на подразделение Samsung Display, которое стремится добиться успеха в партнёрстве с Microsoft и рассчитывает, что Samsung MX Business всё же заинтересуется их панелями OLEDoS.

Данные берутся из публикации Обзор гибкого смартфона Samsung Galaxy Z Fold6: победа консерваторов

Новейшая память HBM3E компании Samsung Electronics длительное время не могла попасть в цепочки поставок Nvidia, поскольку не проходила сертификационные тесты, и теперь осведомлённые источники сообщает, что 8-слойные микросхемы Samsung этого типа наконец-то прошли сертификацию крупнейшего разработчика чипов для систем искусственного интеллекта.

Об этом сообщило агентство Reuters со ссылкой на три независимых источника. Формально, данный этап открывает перед продукцией Samsung этого типа путь к долгожданному сотрудничеству с Nvidia, поскольку до сих пор из трёх существующих производителей HBM3E только Samsung не могла похвастать наличием необходимых сертификатов. Лидирующим поставщиком HBM3E для нужд Nvidia, как известно, является SK hynix, которая контролирует около половины рынка микросхем этого типа.

Samsung при этом только предстоит пройти сертификацию Nvidia для микросхем HBM3E с 12 ярусами, поэтому южнокорейский гигант всё равно остаётся в положении догоняющего по сравнению со своими конкурентами. В случае с 8-ярусными стеками HBM3E компания Samsung ещё только должна подписать контракт с Nvidia, чтобы приступить к их поставкам этому клиенту в четвёртом квартале текущего года. Считается, что ради соответствия требованиям Nvidia компании Samsung пришлось внести серьёзные изменения в конструкцию и технологию изготовления микросхем памяти типа HBM3E.

Недавно сообщалось, что менее современная память HBM3 марки Samsung была сертифицирована Nvidia для использования в составе ускорителей вычислений, ориентированных на китайский рынок. По оценкам TrendForce, микросхемы поколения HBM3E по итогам текущего года станут доминирующим типом HBM, основной объём их поставок придётся на второе полугодие. Непосредственно Samsung рассчитывает довести долю HBM3E до 60 % поставок в структуре чипов семейства HBM к концу этого года.

Компания Samsung объявила о запуске массового производства самых тонких в мире модулей памяти LPDDR5X ёмкостью 12 и 16 Гбайт. Их толщина составляет около 0,65 мм, что на 0,06 мм меньше стандартных решений. Новинки найдут применение в производительных мобильных устройствах, ориентированных на работу с ИИ.

Источник изображений: news.samsung.com

Этого результата удалось достичь за счёт формирования 4-слойных модулей на оптимизированной печатной плате с обработкой на обратной стороне пластины и применения эпоксидного формовочного компаунда (EMC). Благодаря этому улучшается циркуляция воздуха внутри смартфона и оптимизируется управление температурой на устройстве в целом — это важно для высокопроизводительных моделей. Новые 0,65-мм модули памяти LPDDR5X на 9 % тоньше аналогичных, а их термостойкость выше на 21,2 %, подсчитала Samsung.

Трудно сказать, какой вклад в снижение толщины смартфонов окажет память толщиной 0,65 вместо традиционных 0,71 мм. Производители гаджетов используют разные подходы для того, чтобы сделать их тоньше, и, очевидно, они готовы приветствовать оптимизацию любых компонентов: более тонкие защитные стекла, печатные платы и, конечно, аккумуляторы. В случае с новыми модулями памяти от Samsung выигрыш, вероятно будет выражаться не в геометрии устройства, а в улучшенной циркуляции воздуха, что благотворно скажется на его производительности.

Samsung намерена и далее совершенствовать компоненты LPDDR5X. На очереди 6-слойные модули ёмкостью 24 Гбайт и 8-слойные на 36 Гбайт, хотя значение их толщины компания пока не указала.

По слухам, власти США намереваются предпринять следующий шаг по ограничению доступа китайских разработчиков систем искусственного интеллекта к ускорителям вычислений и компонентам для их создания. Микросхемы памяти семейства HBM могут оказаться под запретом для отправки в Китай, а потому местные клиенты Samsung активно их закупали в прошлом полугодии.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом со ссылкой на собственные источники сообщило агентство Reuters, которое утверждает, что Huawei, Baidu и многочисленные китайские стартапы с начала текущего года резко увеличили закупки памяти семейства HBM у компании Samsung для собственных нужд. Китайское направление поставок по итогам первого полугодия сформировало на этом фоне около 30 % выручки Samsung от поставок HBM. На прошлой неделе сообщалось, что в этом месяце власти США предложат новые правила экспортного контроля, которые запретят поставки памяти HBM отдельных видов в Китай.

Если учесть, что во всём мире производством HBM занимаются всего три компании — SK hynix, Samsung Electronics и Micron Technology, ограничить её поставки в Китай будет достаточно просто, поскольку две первые имеют штаб-квартиры в лояльной по отношению к США Южной Корее, а третья и вовсе является американской. По всей видимости, китайские производители ускорителей пока не могут интегрировать передовую HBM3 или HBM3E в свои аппаратные решения, а потому основной объём поставок приходится на HBM2E. Эту память в своих ускорителях использует Huawei, являющийся одним из флагманов китайской полупроводниковой промышленности. Кроме того, такие микросхемы могут применяться при производстве спутникового оборудования.

Ранее сообщалось, что китайская CXMT пытается наладить самостоятельный выпуск HBM2, но соответствующая активность уже попала в поле зрения американских властей, которые готовят соответствующие адресные санкции против этой компании. Samsung с точки зрения поставок HBM в Китай сильнее всего пострадает от возможных американских экспортных ограничений, поскольку Micron свою память этого типа в Китай не поставляет, а SK hynix предпочитает сосредотачиваться на более выгодных в реализации поколениях памяти.