Южнокорейской компании SK hynix удалось стать крупнейшим поставщиком микросхем памяти семейства HBM именно благодаря сотрудничеству с Nvidia, которая использует такую память при производстве своих ускорителей вычислений для систем ИИ. Партнёр Nvidia убеждён, что распространение более доступных языковых моделей DeepSeek пойдёт ему на пользу, а не навредит.

Источник изображения: SK hynix

Когда выход языковых моделей DeepSeek стал откровением для тех, кто тратил внушительные средства и вычислительные ресурсы на обучение подобных систем искусственного интеллекта, часто стало звучать мнение о неизбежном спаде спроса на производительные ускорители вычислений. Многие поставщики компонентов, включая Nvidia, подобные настроения в силу понятных причин старались игнорировать и выступали с опровержениями, и SK hynix не стала исключением.

Глава SK hynix по мировым продажам и маркетингу Ли Сан Рак (Lee Sang-rak) пояснил, что появление DeepSeek в конечном итоге выгодно этому производителю памяти: «Это скорее всего окажет положительное влияние на средне- и долгосрочный спрос на микросхемы памяти для ИИ. С нашей точки зрения, мы не видим причин для снижения спроса на высокопроизводительные ускорители вычислений или HBM». Представитель компании также напомнил, что все квоты на поставку HBM на текущий год уже распроданы. В текущем полугодии SK hynix намерена заключить контракты на поставку памяти HBM в 2026 году. В этом году, по мнению руководства SK hynix, объёмы реализации HBM должны увеличиться более чем в два раза.

Опасения со стороны клиентов по поводу предстоящего в апреле повышения таможенных ставок на полупроводниковые компоненты в США до 25 %, по словам представителя SK hynix, подтолкнули их к опережающим закупкам памяти. Если учесть, что запасы продукции на стороне клиентов до этого сократились, для поставщиков это создало достаточно выгодные условия. SK hynix ожидает «взрывного роста» спроса на HBM в текущем году, как признался Ли Сан Рак.

Поскольку компания SK hynix уже созналась в начале поставок образцов микросхем памяти типа HBM4, было бы странно сохранять в тайне их характеристики. Представителям Computer Base удалось обобщить всю опубликованную в последние дни информацию о планах ведущих игроков рынка в сфере производства HBM4, и характеристики этой памяти интригуют.

Источник изображения: ComputerBase.de

Хотя SK hynix вчера объявила о начале поставки 12-ярусных стеков HBM4 объёмом 36 Гбайт со скоростью 8 Гбит/с. Но предельными эти показатели, конечно, не будут. Предсказуемо высота стеков сначала увеличится до 16 штук, а в перспективе достигнет и 20 штук, но последняя характеристика с высокой вероятностью будет присуща уже преемнице HBM4. SK hynix намерена предлагать 16-ярусные стеки HBM4 объёмом 48 Гбайт. Пропускной способностью в 8 Гбит/с тоже никто ограничиваться не собирается, поскольку та же Samsung Electronics намеревается поднять её до 9,2 Гбит/с.

Источник изображения: ComputerBase.de

В эти дни отметилась даже американская Micron Technology, лаконично заявив, что в больших количествах начнёт выпускать память типа HBM4 в 2026 году. Samsung попутно поясняет, что в 16-ярусном исполнении намерена предлагать и HBM4, и HBM4E, но если в первом случае предельный объём стека ограничится 36 Гбайт, то во втором он достигнет 64 Гбайт. Одновременно с 9,2 до 10 Гбит/с вырастет и пропускная способность памяти. При выпуске HBM4 и HBM4E, как поясняет Samsung, будет использоваться более сложная литография, присущая технологиям выпуска логических компонентов. Скорее всего, она потребуется для выпуска базового кристалла стека.

Компании Micron, Samsung и SK hynix анонсировали новые модули памяти SOCAMM на основе уложенных в стеки чипов LPDDR5X, ёмкость которых достигает 128 Гбайт. Технология ориентирована на серверы с низким энергопотреблением и на системы, использующие искусственный интеллект. Первые SOCAMM появятся в системах с Nvidia Grace Blackwell Ultra GB300 Superchip.

Источник изображения: Micron

Micron первой выпустит SOCAMM объёмом 128 Гбайт, используя свою технологию производства DRAM 1β (1-бета, пятое поколение 10-нм класса). Хотя компания не раскрывает точную скорость передачи данных, она заявляет поддержку скорости до 9,6 ГТ/с. В то же время представленный на конференции Nvidia GTC 2025 модуль SOCAMM от SK hynix работает на скорости до 7,5 ГТ/с. Дополнительно Tom's Hardware сообщает, что размер одного модуля SOCAMM составляет 14 × 90 мм, что примерно в три раза меньше стандартного модуля RDIMM, а внутри размещены до четырёх стеков по 16 микросхем памяти LPDDR5X.

Источник изображения: Tom's Hardware

Энергопотребление памяти является одним из ключевых факторов, влияющих на общую энергоэффективность серверов. В системах с терабайтами памяти DDR5 на сокет энергопотребление DRAM может превышать энергопотребление центрального процессора. Nvidia учла этот аспект при разработке своих процессоров Grace, ориентированных на использование энергоэффективной памяти LPDDR5X. Однако в машинах на базе GB200 Grace Blackwell компании пришлось использовать припаянные модули LPDDR5X, так как стандартные модули не могли обеспечить необходимую ёмкость.

Источник изображения: Tom's Hardware

SOCAMM от Micron решает эту проблему, предлагая стандартное модульное решение, способное вместить четыре 16-слойных стека LPDDR5X и обеспечивая тем самым высокую ёмкость. По словам представителей компании, их модули SOCAMM ёмкостью 128 Гбайт потребляют на треть меньше энергии, чем модули DDR5 R-DIMM такой же ёмкости. При этом пока неясно, станет ли SOCAMM отраслевым стандартом, поддерживаемым JEDEC, или останется проприетарным решением, разработанным Micron, Samsung, SK hynix и Nvidia для серверов на базе процессоров Grace и Vera.

В настоящее время Micron уже запустила массовое производство SOCAMM. Они появятся в системах на базе Nvidia GB300 Grace Blackwell Ultra Superchip во второй половине текущего года. Отметим, что модульная конструкция упрощает производство и обслуживание серверов, что, вероятно, положительно скажется на ценах на системы, в первую очередь, для нужд искусственного интеллекта.

Южнокорейская компания SK hynix за счёт своих контрактов на поставку микросхем памяти HBM разных поколений для нужд Nvidia сильно нарастила свою выручку и прибыль, а также заняла половину рынка в соответствующем сегменте. Не желая сбавлять темп, она на этой неделе заявила о досрочном начале поставок клиентам образцов HBM4.

Источник изображения: SK hynix

Как уточняется в пресс-релизе, речь идёт о 12-ярусных стеках HBM4, массовое производство которых будет запущено во второй половине текущего года. Примечательно, что SK hynix упоминает о «крупных клиентах» во множественном числе, говоря о начале отгрузки соответствующих образцов HBM4 для изучения ими. Подчёркивается, что поставки образцов начались раньше, чем планировалось изначально. Сертификация данной памяти клиентами скоро должна начаться. Ко второму полугодию всё должно быть готово для начала массового производства HBM4.

Пропускная способность на уровне 2 Тбайт/с открывает перед пользователями HBM4 новые возможности в скоростной обработке данных, увеличивая скорость на 60 % по сравнению с HBM3E. Один стек, состоящий из 12 ярусов, позволяет хранить до 36 Гбайт информации. Усовершенствованная технология упаковки MR-MUF позволяет улучшать теплопроводные свойства стека памяти, как поясняет SK hynix.

Сторонние источники накануне сообщили, что SK hynix удалось стать исключительным поставщиком 12-ярусных чипов HBM3E для производства ускорителей Nvidia семейства Blackwell Ultra. Впрочем, Micron Technology тоже претендует на благосклонность Nvidia, поскольку свои 12-ярусные чипы HBM3E американский производитель завершил разрабатывать ещё в сентябре 2024 года.

Южнокорейская SK hynix захватила примерно половину мирового рынка памяти класса HBM, и уступать свою дролю конкурентам она не собирается, а потому активно осваивает производство микросхем поколения HBM4. Свежие сообщения из Южной Кореи указывают, что на стадии тестирования удалось добиться 70-процентного уровня выхода годной продукции при выпуске 12-слойных микросхем HBM4.

Источник изображения: SK hynix

Об этом сообщило южнокорейское издание ETNews, которое подобный показатель качества продукции считает весьма высоким для предварительной стадии подготовки чипов HBM4 к производству. В конце прошлого года предыдущий этап тестового производства HBM4 демонстрировал уровень выхода годной продукции в 60 %. Отчасти быстрый прогресс в качестве изделий обеспечивается использованием пятого поколения 10-нм техпроцесса (1b) для выпуска кристаллов DRAM, формирующих стек HBM4. Данный техпроцесс уже применяется и при выпуске кристаллов памяти для HBM3E.

Ожидается, что поставки образцов HBM4 для нужд Nvidia компания SK hynix начнёт в июне текущего года, а к концу третьего квартала они достигнут серийных масштабов. Благодаря этому Nvidia сможет представить свои ускорители поколения Rubin с памятью HBM4 уже во второй половине текущего года. Конкурирующая Micron Technology выпуск HBM4 в массовых объёмах рассчитывает освоить не ранее 2026 года. Samsung надеется сделать это до конца текущего года, но ей приписывают проблемы с высоким уровнем брака продукции.

На фоне проблем Samsung Electronics в обеспечении компании Nvidia передовой памятью типа HBM3E, успехи американской Micron Technology в этой сфере позволяют ей претендовать на статус второго по величине поставщика Nvidia. В ближайшее время Micron начнёт снабжать этого клиента 12-ярусными стеками HBM3E, которые разработала к сентябрю прошлого года.

Источник изображения: Micron Technology

Естественно, SK hynix в этой сфере обгоняет обоих конкурентов, но в наличии нескольких поставщиков HBM3E заинтересована сама Nvidia, поскольку это позволяет ей повысить надёжность цепочек поставок и получить некоторые рычаги для торга с поставщиками. На мероприятии Wolfe Research, как сообщает Business Korea, финансовый директор Micron Technology Марк Мёрфи (Mark Murphy) рассказал о преимуществах 12-ярусных стеков HBM3E, предлагаемых компанией. По сравнению с 8-ярусными чипами HBM3E конкурентов, они обеспечивают увеличение ёмкости на 50 % и снижение энергопотребления на 20 %.

Напомним, Samsung в это время лишь договорилась о снабжении Nvidia своими 8-ярусными стеками HBM3E, которые будут применяться для производства ускорителей вычислений, предлагаемых на китайском рынке. Образцы 12-ярусной памяти HBM3E компания Samsung отправит Nvidia к концу текущего месяца, но не факт, что соответствующая продукция устроит клиента по своим характеристикам и качеству.

Как сообщалось ранее, SK hynix и Samsung стараются опередить друг друга в выводе на рынок микросхем памяти HBM4, намереваясь предложить их Nvidia в течение года. Micron Technology собирается начать поставки HBM4 в следующем году, поэтому конкуренция за соответствующие заказы Nvidia будет очень острой.

Южнокорейская компания SK hynix остаётся ведущим поставщиком памяти класса HBM, это позволило ей по итогам прошлого квартала не только увеличить выручку на 75 % до $13,7 млрд, но и поднять операционную прибыль в 23 раза до $5,6 млрд. Это позволило SK hynix впервые в истории обойти по операционной прибыли компанию Samsung Electronics, которая остаётся крупнейшим производителем памяти.

Источник изображения: SK hynix

Последовательно выручка SK hynix выросла на 12 %, а операционная прибыль увеличилась на 15 % до рекордных $5,6 млрд. Ожидания аналитиков по выручке оказались выше, но операционная прибыль превысила прогнозы. К слову, это не помогло курсу акций SK hynix, которые подешевели примерно на 3 % после публикации отчёта, поскольку инвесторов огорчили прогнозы по спросу на микросхемы памяти в сегментах смартфонов и ПК. В текущем квартале поставки микросхем типа DRAM и NAND сократятся последовательно на величину от 10 до 20 %. Кроме того, представители SK hynix не ожидают улучшения ситуации со спросом на память в этих сегментах ранее второй половины текущего года. К тому времени, как ожидается, появится спрос на устройства с функциями искусственного интеллекта. Пока же на рынке ПК и смартфонов до сих пор наблюдается коррекция складских запасов. Неопределённости в прогнозах на текущий год добавляют геополитические факторы и стремление властей некоторых стран к торговому протекционизму.

При этом с начала текущего года курс акций SK hynix вырос на 30 %, поэтому публикация квартальной отчётности вызвала небольшую коррекцию. Выручка компании от реализации DRAM в прошлом квартале на 40 % определялась реализацией микросхем HBM. В текущем году объёмы продаж HBM производитель намеревается увеличить в два раза, как минимум, а в прошлом они увеличились более чем в четыре раза. При этом в связи с опережающим ростом спроса будет сохраняться дефицит памяти данного типа. Капитальные затраты SK hynix в этом году немного вырастут, она готова потратить $15 млрд на расширение своих предприятий в Южной Корее и $3,9 млрд на строительство предприятия по упаковке памяти и исследовательского центра в США.

Поставлять HBM4 в 16-ярусном исполнении компания начнёт во второй половине следующего года, но уже сейчас ведёт переговоры с потенциальными клиентами. Китайские конкуренты, по словам представителей SK hynix, будут испытывать проблемы с разработкой передовой памяти из-за экспортных ограничений США. К поставкам 12-ярусных чипов HBM3E компания уже приступила в прошлом квартале. Более чёткое представление о потребностях рынка в памяти HBM на 2026 год у руководства SK hynix появится в текущем полугодии.

Год едва начался, а осведомлённые источники уже сообщают о дальнейших планах SK hynix расширять ассортимент предлагаемой памяти для ускорителей вычислений. В июне текущего года эта южнокорейская компания намеревается начать поставки образцов HBM4 для нужд Nvidia, а к концу третьего квартала готовится развернуть серийное производство такой памяти.

Источник изображения: SK hynix

Как уже отмечалось, взятые на себя SK hynix обязательства ускорить внедрение HBM4 примерно на полгода позволили Nvidia сдвинуть сроки анонса ускорителей вычислений семейства Rubin, которым нужна такая память в 12-ярусном исполнении, с 2026 года на вторую половину текущего. Цифровые проекты чипов HBM4 у специалистов SK hynix были готовы уже к концу прошлого квартала, и теперь они приступают к плотному взаимодействию с коллегами из Nvidia по вопросу внедрения HBM4 в массовое производство. Каждый ускоритель Rubin потребует по восемь стеков HBM4, а более поздняя версия Rubin Ultra будет использовать 12 стеков HBM4.

Конкурирующая Samsung Electronics постарается завершить разработку HBM4 к середине текущего года, причём рассчитывает выпускать чипы DRAM для соответствующих стеков по более продвинутой технологии 10-нм класса, чем это собираются сделать SK hynix и Micron. Последняя намеревается наладить выпуск HBM4 только в 2026 году. В случае с выпуском HBM3E для нужд Nvidia лидером рынка остаётся SK hynix, но конкуренты постараются хоть в чём-то её опередить для получения выгодных заказов от крупнейшего разработчика ускорителей вычислений.

Недавние откровения руководства SK hynix позволили понять, что компания якобы по собственной инициативе ускорила разработку HBM4, но южнокорейские СМИ сегодня пояснили, что Nvidia как минимум не возражала против этого, поскольку собирается представить ускорители Rubin с памятью данного типа уже в третьем квартале. Samsung также ускорилась, и теперь готовится завершить подготовку HBM4 к массовому производству в текущем полугодии.

Источник изображения: Samsung Electronics

Первоначально планировалось, что в первой половине текущего года Samsung наконец-то приступит к отгрузке микросхем HBM3E для нужд Nvidia, а во втором полугодии представит HBM4, но теперь последний этап планируется ускорить почти на шесть месяцев. По меньшей мере, это позволит в случае необходимости обеспечить Nvidia вторым источником поставок памяти типа HBM4 к моменту анонса ускорителей семейства Rubin в третьем квартале. Изначально Nvidia рассчитывала представить Rubin в 2026 году, но теперь при наличии доступа к памяти типа HBM4 может ускориться.

Как отмечалось ранее, одной из особенностей памяти типа HBM4 является наличие базового кристалла, чьи функциональные особенности подгоняются под нужды конкретного заказчика. Samsung такие кристаллы для HBM4 рассчитывает выпускать собственными силами по 4-нм технологии, тогда как SK hynix будет зависеть в этой сфере от TSMC. Впрочем, это даёт SK hynix возможность получить от TSMC сразу 3-нм базовые кристаллы, тогда как Samsung будет зависеть от успехов своего контрактного подразделения в освоении передовых техпроцессов.

Разработка высокопроизводительной памяти HBM4 компанией SK hynix идёт быстрее, чем об этом просил главный потребитель такой памяти, компания Nvidia. Об этом в разговоре с журналистами заявил председатель SK Group Чей Тэ Вон (Chey Tae-won), пишет южнокорейское издание The Elec.

Источник изображения: SK hynix

Председатель SK Group рассказал, что встретился с генеральным директором Nvidia Дженсеном Хуангом (Jensen Huang) в кулуарах международной выставки электроники CES 2025 и поделился последними достижениями в области разработки памяти HBM4.

SK hynix, являющаяся самым ценным активом SK Group, занимается разработкой и производством микросхем памяти. Ранее сообщалось, что скорость разработки нового поколения чипов памяти HBM для задач, связанных с искусственным интеллектом, не удовлетворила руководство Nvidia, с которой SK hynix поддерживает тесное сотрудничество. После этого компания пообещала ускорить процесс. Во время пресс-конференции на стенде SK Group в Лас-Вегасе председатель SK Group Чей Тэ Вон заявил, что сейчас разработка новой памяти HBM4 ведётся ещё быстрее, чем того требовала Nvidia. Однако он добавил, что в будущем ситуация может измениться.

Чей Тэ Вон также отметил, что обсудил с Хуангом последние достижения Nvidia в области разработки новой платформы Cosmos, предназначенной для создания человекоподобных роботов, презентация которой состоялась ранее на этой неделе. По словам председателя SK Group, глава Nvidia подчеркнул, что Южная Корея обладает сильными позициями в производственной сфере и большим опытом в этой области.

SK hynix в настоящее время является основным поставщиком памяти HBM для Nvidia, которая использует её в своих ускорителях искусственного интеллекта.

Память семейства HBM оказалась востребована в сегменте ускорителей вычислений для систем искусственного интеллекта, и немногочисленные поставщики стараются укрепить свои позиции в этом прибыльном сегменте рынка. Samsung очевидным образом отстала от SK hynix в этой сфере, но постарается наверстать упущенное в рамках подготовки к массовому выпуску микросхем типа HBM4.

По крайней мере, на это указывает публикация южнокорейского ресурса The Chosun Daily, который ссылается на источники, знакомые с планами Samsung Electronics. По имеющейся информации, Samsung уже завершила разработку базовых кристаллов для HBM4, и поручила их производство по 4-нм технологии собственному контрактному подразделению. Тем самым Samsung надеется быстрее получить готовые образцы микросхем HBM4 и направить их потенциальным клиентам, которые в итоге могут переметнуться от SK hynix в случае успеха инициативы.

Характерной особенностью стеков HBM4 является наличие у них базового кристалла с логикой, функции которой могут отличаться от клиента к клиенту. Необходимость подобной адаптации в сочетании с ориентацией на снижение энергопотребления вынуждает SK hynix поручить производство таких базовых кристаллов тайваньской TSMC. Первоначально считалось, что они для SK hynix будут выпускаться по 5-нм технологии, и на этом фоне решение Samsung применить в аналогичных целях свой 4-нм техпроцесс выглядело более выигрышным, но некоторое время назад появилась информация о намерениях SK hynix заказать TSMC выпуск базовых кристаллов по более совершенной 3-нм технологии.

По замыслу Samsung, выпуск базовых кристаллов собственными силами позволит компании быстрее реагировать на запросы клиентов, поэтому компания рассчитывает на укрепление своих рыночных позиций после выхода на рынок своих микросхем типа HBM4. Во-вторых, Samsung рассчитывает использовать для производства кристаллов DRAM в стеке более совершенный техпроцесс 10-нм класса шестого поколения, тогда как SK hynix приписывается 10-нм техпроцесс пятого поколения. Плотно скомпонованные в стеке, насчитывающем до 16 ярусов, микросхемы могут выделять существенное количество тепла, поэтому техпроцесс их изготовления обретает особую важность.

Наконец, Samsung при производстве HBM4 рассчитывает внедрить как более прогрессивный гибридный метод формирования межслойных соединений с использованием меди, так и более современную технологию упаковки чипов TC-NCF. К массовому производству HBM4 компания намеревается приступить в этом году.

Компания Solidigm была образована в 2021 году в результате первой фазы сделки SK hynix по покупке бизнеса Intel, связанного с выпуском твердотельной памяти на территории Китая. К концу прошлого года Solidigm приняла решение свернуть поставки двух моделей своих SSD потребительского класса и сосредоточиться на серверных решениях.

Источник изображения: Solidigm

Примечательно, что вторая фаза сделки между SK hynix и Intel формально завершится только в марте этого года, когда последняя полностью передаст покупателю все активы и переведёт в его штат всех сотрудников, занятых в этом бизнесе. SK hynix интегрировала бывшие активы Intel в свою структуру в виде дочерней компании Solidigm. Представители последней подтвердили Tom’s Hardware, что снимаемые с производства накопители P41 Plus и P44 Pro окажутся последними SSD марки для потребительского сегмента. Продукты подобного назначения отныне нужно будет искать только в ассортименте изделий SK hynix. Сама Solidigm отныне сосредоточится на серверном сегменте, где ей удалось стать лидером по выпуску накопителей большой ёмкости, которые находят применение в инфраструктуре систем искусственного интеллекта. Напомним, что недавно Solidigm выпустила твердотельный накопитель объёмом 122 Тбайт.

Расстаться с амбициями по освоению потребительского рынка Solidigm решила ещё в октябре 2023 года, поскольку уже тогда сократила значительное количество сотрудников, занятых на данном направлении деятельности. Кстати, это не помешает компании поставлять «старожилов» Intel 660p и 670p до октября текущего года. Позапрошлый год в целом не был удачным для производителей твердотельных накопителей потребительского класса, поскольку цены сильно снизились. Возможно, тогда Solidigm и поняла, что нет смысла расходовать ресурсы на рыночный сегмент с весьма скромной финансовой отдачей.

Канадские эксперты TechInsights продолжают анализировать компонентную базу представленных осенью уходящего года смартфонов Huawei семейства Mate 70, их очередным открытием стало обнаружение микросхем DRAM и NAND производства SK hynix в составе Mate 70 Pro и Mate 70 Pro Plus, хотя американские санкции теоретически должны были ограничить доступ китайского гиганта к таким чипам памяти.

Источник изображения: Huawei Technologies

Во всяком случае, как сообщает South China Morning Post, внутри смартфона Mate 70 Pro исследователи обнаружили микросхему DRAM производства SK hynix объёмом 12 Гбайт, а также чип флеш-памяти NAND объёмом 512 Гбайт той же марки. В составе более дорогого смартфона Mate 70 Pro Plus аналогичный чип флеш-памяти сочетался с 16-гигабайтной микросхемой DRAM производства SK hynix.

Как поясняют авторы исследования, южнокорейская компания использовала 14-нм техпроцесс в сочетании с EUV-литографией при выпуске обеих микросхем DRAM. Принято считать, что подобную память SK hynix начала поставлять во второй половине 2021 года, девять месяцев спустя после вступления в силу экспортных ограничений США в отношении Huawei Technologies. В компании SK hynix факт сотрудничества с Huawei в указанный период всячески отрицают, но представители TechInsights при этом подчёркивают, что основная часть выпущенных Huawei в прошлом году флагманских смартфонов использовала именно чипы памяти SK hynix. В моделях попроще уже применяется память китайского производства: DRAM поставляет CXMT, а NAND выпускает YMTC. В силу каких-то причин Huawei до сих пор предпочитает комплектовать свои старшие модели смартфонов памятью производства SK hynix.

Сейчас в сфере производства передовой памяти HBM3E компании Nvidia и SK hynix тесно связаны, поскольку первая является доминирующим клиентом второй в этой сфере, и такое положение дел позволяет корейскому производителю лидировать в динамично развивающемся сегменте рынка. По слухам, в следующем году крупным получателем HBM3E от SK hynix станет и компания Broadcom.

Источник изображения: SK hynix

Как отмечает издание The Elec, Sk hynix к поставкам современных версий HBM для нужд Broadcom приступит во второй половине следующего года. Инициатором данных взаимоотношений выступила Broadcom. Принято считать, что она разрабатывает специализированные ускорители для систем искусственного интеллекта для нужд Apple или OpenAI. В отличие от решений Nvidia, они будут опираться на использование специализированных нейронных блоков, а потому смогут получить ограниченное применение.

Если изначально SK hynix рассчитывала к следующем году добиться возможности выпуска от 140 до 150 тысяч кремниевых пластин с чипами HBM в типоразмере 300 мм, то с учётом потребностей Broadcom она будет вынуждена увеличить объёмы выпуска до 160 или 170 тысяч кремниевых пластин. По итогам четвёртого квартала, как ожидает компания, выпуск HBM принесёт 40 % всей выручки SK hynix в сегменте DRAM. По мере появления в рядах клиентов компании Broadcom данная доля может увеличиться.

Broadcom в начале месяца заявила, что разработала новую технологию упаковки чипов, которая допускает интеграцию микросхем памяти типа HBM. Даже если последняя не пригодится сторонним клиентам типа OpenAI и Apple, то Broadcom может наладить выпуск серверных процессоров с такой памятью, подобных решениям Fujitsu.

Основная часть средств, предусмотренных «Законом о чипах» 2022 года на поддержку развития полупроводниковой отрасли США, уже распределена, но администрация Байдена продолжает подписывать профильные контракты с компаниями, которые заявлялись на получение субсидий. SK hynix должна получить $458 млн на строительство в США предприятия по тестированию и упаковке чипов.

Источник изображения: SK hynix

Данное предприятие будет построено в штате Индиана, об этом южнокорейская компания SK hynix заявила ещё в апреле текущего года. На реализацию проекта планируется потратить $3,87 млрд, часть мощностей будет отведена под тестирование и упаковку передовых чипов HBM, которые требуются для локального выпуска ускорителей вычислений. Важность данного типа компонентов для обеспечения суверенитета и безопасности США, по всей видимости, и обеспечила выделение $485 млн субсидий на реализацию проекта SK hynix.

Корейский производитель, который сейчас является лидирующим поставщиком HBM в мире, также может претендовать на $500 млн льготных кредитов. Выделение средств будет осуществляться поэтапно, по мере достижения проектом определённых вех в реализации. Планируется, что предприятие в Индиане обеспечит работой 1000 человек. Что характерно, конкурирующая Samsung Electronics до сих пор не получила гарантий по выделению тех $6,4 млрд, которые власти страны изначально пообещали предоставить ей на строительство новых предприятий в штате Техас. Все прочие крупные соискатели, включая TSMC, Intel и Micron, свои гарантии от властей США в этой сфере уже получили.

Подразделение корейского холдинга SK Group, в который входит SK hynix, носящее название Absolics, в этом месяце также получило гарантии властей США на предоставление $75 млн субсидий на строительство в штате Джорджия предприятия по выпуску материалов, востребованных в современной полупроводниковой промышленности.