До сих пор перспективы сотрудничества Nvidia и Samsung в сфере использования памяти типа HBM3 или HBM3E в основном обсуждались на уровне слухов, но основатель первой из них, Дженсен Хуанг (Jensen Huang), на недавней пресс-конференции подчеркнул, что Nvidia готова сотрудничать как с SK hynix, так и с Samsung, и сейчас проводит сертификацию памяти последней.

Источник изображения: Samsung Electronics

По данным Nikkei Asian Review, Дженсен Хуанг пояснил, что HBM является очень сложным в производстве видом памяти, но её ценность высока. По его словам, Nvidia тратит много денег на закупку HBM. «Samsung является очень, очень хорошей компанией», — высказался основатель Nvidia. Микросхемы класса HBM этой марки, по его словам, Nvidia уже подвергает сертификации, и в будущем начнёт их использовать. До этого SK hynix была основным поставщиком современных типов памяти HBM для нужд Nvidia, как уже не раз отмечалось.

Назвав микросхемы HBM «технологическим чудом», глава Nvidia пояснил, что они позволяют улучшить энергоэффективность центров обработки данных, потребляя меньше электроэнергии в удельном выражении по сравнению с классической DRAM. Представители SK hynix подтвердили, что микросхемы HBM3E этой марки будут использоваться при оснащении ускорителей вычислений Nvidia семейства Blackwell. Производство HBM3E компания SK hynix уже освоила, и к поставкам профильных изделий приступит в ближайшее время.

«Есть невероятный потенциал модернизации для Samsung и SK hynix», — заявил глава Nvidia. Обе компании будут расти синхронно с бизнесом самой Nvidia, по его словам. Сотрудничеством с Samsung и SK hynix Дженсен Хуанг очень дорожит, как он признался на пресс-конференции.

Южнокорейская компания SK hynix с момента выпуска памяти HBM первого поколения оставалась основным поставщиком соответствующих микросхем для нужд AMD и Nvidia, а уже после сегодняшнего анонса ускорителей Nvidia B200 решила не скрывать своих намерений начать массовые поставки микросхем HBM3E, которые уже относятся к пятому поколению. В конце этого месяца крупный клиент SK hynix начнёт получать от компании микросхемы HBM3E.

Источник изображения: SK hynix

Легко догадаться, что этим клиентом будет Nvidia, хотя прямых ссылок на этого партнёра в тексте пресс-релиза SK hynix нет. Зато корейский производитель упоминает о той самой технологии MR-MUF (массовой оплавки изоляционного слоя с частичным заполнением формы), которая позволяет на 10 % улучшить условия теплоотвода от микросхем HBM3E и повысить уровень выхода годной продукции по сравнению с альтернативной технологией NCF, подразумевающей использование изолирующей плёнки для разделения кристаллов памяти в стеке. Напомним, что Samsung интересуется внедрением первой из этих технологий при производстве памяти HBM3E своими силами, поскольку рассчитывает за счёт этого не только увеличить объёмы выпуска продукции, но и завоевать благосклонность Nvidia на этапе сертификации своей памяти.

Память HBM3E, которую начала массово выпускать компания SK hynix, способна передавать информацию со скоростью 1,18 Тбайт в секунду. По данным SK hynix, эта компания первой в мире освоила серийное производство микросхем памяти типа HBM3E. Память четвёртого поколения (HBM3) она тоже начала выпускать первой. Предметом особой гордости SK hynix является тот факт, что разработку HBM3E она анонсировала только семь месяцев назад, и в сжатые сроки смогла наладить массовое производство одноимённых микросхем.

Доминирующее положение SK hynix на рынке памяти HBM не даёт покоя Samsung Electronics, которая в целом является крупнейшим производителем микросхем памяти. По некоторым данным, Samsung готова последовать примеру конкурента, переняв у него одну из технологий, применяемых при упаковке микросхем HBM3 и HBM3E, чтобы добиться благосклонности Nvidia и увеличить объёмы поставок своей продукции для нужд этого клиента.

Источник изображения: SK hynix

Как сообщает Reuters, в текущем году SK hynix будет контролировать более 80 % поставок памяти класса HBM3 и HBM3E для нужд Nvidia, и это с учётом способности Micron наладить поставки своих микросхем HBM3E для ускорителей Nvidia H200 заставляет Samsung Electronics сильно нервничать. Как и SK hynix, компания Samsung уже способна создавать 12-слойные стеки HBM3E, но первая с 2021 года применяет технологию массовой оплавки с частичным заполнением формы (MUF) для создания изолирующих слоёв между кристаллами памяти в стеке, тогда как Samsung до сих пор полагалась на использование термокомпрессионной непроводящей плёнки (NCF), обеспечивающей худшие условия теплоотвода.

Кроме того, на конвейере SK hynix уровень выхода годных чипов HBM3 колеблется в пределах 60–70 %, как считают некоторые эксперты, а у Samsung он едва достигает 10–20 %, поэтому последняя заинтересована в улучшении технологии производства микросхем памяти этого типа. Для этого она собирается перейти на использование метода MUF для изоляции кристаллов памяти в стеке, пусть и постепенно. Компания закупает необходимое оборудование и расходные материалы, но к массовому выпуску памяти по технологии MUF будет готова только к следующему году. Предполагается, что сейчас и на протяжении некоторого времени в дальнейшем Samsung будет комбинировать на своих предприятиях технологии NCF и MUF. По крайней мере, официально Samsung считает технологию NCF оптимальным решением для выпуска чипов памяти HBM3E.

Как отмечают аналитики TrendForce, память типа HBM3 для нужд Nvidia компания Samsung поставляет с конца прошлого года, но в текущем квартале ей удалось стать поставщиком данных микросхем для ускорителей AMD Instinct MI300, поэтому дальнейшая экспансия бизнеса Samsung в этой сфере не будет зависеть исключительно от Nvidia. В текущем году также ожидается планомерное увеличение рыночной доли памяти типа HBM3E, в этом случае Samsung свою продукцию такого типа сертифицирует к концу текущего квартала, почти догнав основных конкурентов в лице SK hynix и Micron. Последняя свои микросхемы HBM3E начнёт поставлять Nvidia как раз в конце этого квартала, лишь слегка опередив Samsung. Корейский гигант сможет значительно укрепить свои позиции в сегменте HBM3E к концу этого года, как считают представители TrendForce.

Не раз при обсуждении причин успеха китайской полупроводниковой промышленности в условиях усиливающихся санкций США и их союзников звучало мнение, что китайские производители чипов могут получать необходимое оборудование на вторичном рынке. Южнокорейские производители Samsung и SK hynix приостановили его продажу, опасаясь возникновения у властей США желания применить к ним санкции из-за попадания этого оборудования «не в те руки».

Источник изображения: SK hynix

Об этом сообщило издание Financial Times, пояснив, что Samsung Electronics и SK hynix начали накапливать бывшее в употреблении оборудование для выпуска чипов памяти на своих складах, тогда как ранее оно передавалось трейдерам для реализации на вторичном рынке. Корейские производители обеспокоены тем, что реализуемое ими оборудование может попасть к покупателям, нежелательным с точки зрения американских санкций, и это будет иметь неприятные последствия для корейских компаний.

Как отмечается, корейские производители чипов начали накапливать бывшее в употреблении оборудование с 2022 года, когда США стали ужесточать правила экспортного контроля в сфере выпуска полупроводниковой продукции. Один из трейдеров в Южной Корее заявил, что отдельные китайские покупатели подержанного оборудования начали переправлять его в Россию, поэтому корейские владельцы такого оборудования воздерживаются от его продажи из-за опасения введения вторичных санкций США. Тем более, что Samsung и SK hynix фактически удалось получить послабления в отношении поставок нового оборудования на свои китайские предприятия, тогда как всем прочим компаниям в этом случае необходимо получать в Министерстве торговли США экспортные лицензии.

Samsung и SK hynix довольно часто обновляют парк технологического оборудования, поэтому они ранее продавали высвободившиеся средства производства чипов в больших количествах. Такое оборудование охотно приобретали китайские компании, которым оно подходило для выпуска электронных компонентов по зрелым техпроцессам. После ремонта и модернизации даже десятилетнее оборудование может быть приспособлено для выпуска чипов по относительно современной технологии, как пояснили участники рынка.

По данным источников, недавно SK hynix возобновила продажу части накопленного подержанного оборудования, поскольку у неё банально закончились свободные складские площади. Тем не менее, компания всё ещё воздерживается от реализации бывшего в употреблении технологического оборудования американского производства, чтобы обезопасить себя от возможных санкций. Корейские производители также придерживают бывшее в употреблении оборудование на территории Китая на случай, если оно понадобится им самим после вероятного ужесточения правил экспортного контроля США, которое лишит их возможности импортировать в Китай более современное оборудование для собственных нужд. По словам очевидцев, сейчас на складах корейских производителей памяти накопились сотни и даже тысячи единиц подержанного оборудования, которые в совокупности стоят несколько миллионов долларов США.

Желая сохранить лидирующие позиции на рынке памяти типа HBM, которая стала крайне востребована на волне ИИ-бума, южнокорейская компания SK hynix в этом году вложит в расширение мощностей по её тестированию и упаковке в родной стране более $1 млрд. По оценкам сторонних экспертов, общая величина капитальных затрат SK hynix в этом году достигнет $10,5 млрд.

Источник изображения: SK hynix

Поскольку на упаковку памяти будет направлена одна десятая часть этого бюджета, то данное направление деятельности можно признать приоритетным, как поясняет Bloomberg. Руководит данным бизнесом Ли Кан-ук (Lee Kang-Wook), который ранее занимался подобной работой в Samsung Electronics. Комбинация различных полупроводниковых материалов и разработка новых методов соединений являются сферами специализации этого бывшего инженера Samsung. По его мнению, первые 50 лет развития полупроводниковой отрасли были посвящены начальным этапам создания компонентов, связанных с обработкой кремния, а последующие 50 лет будут посвящены технологиям упаковки чипов.

Непосредственно Ли Кан-ук принимал участие в разработки методов упаковки чипов памяти типа HBM2E, именно эти ноу-хау позволили SK hynix стать главным поставщиком подобной памяти для нужд NVIDIA с конца 2019 года. Будучи инженером Samsung, он с 2002 года руководил разработкой межслойных соединений в многоярусных полупроводниковых компонентах. Эта технология в дальнейшем легла в основу создания микросхем памяти HBM, которые в последнем поколении насчитывают по 12 ярусов, соединяемых между собой вертикально. Когда в 2013 году SK hynix и AMD первыми начали применять HBM в серийных продуктах, никто из конкурентов не мог последовать их примеру на протяжении двух лет, пока к концу 2015 года Samsung не представила HBM2. Ли Кан-ук перешёл на работу в SK hynix тремя годами позднее.

Сейчас SK hynix сотрудничает с японскими компаниями в разработке более совершенной технологии формирования вертикальных межсоединений в микросхемах памяти HBM. В конце февраля Samsung объявила о завершении разработки микросхем HBM3E с 12 слоями, которые могут обеспечить объём памяти до 36 Гбайт в одном стеке. Micron Technology в то же время объявила о начале выпуска 8-слойной памяти HBM3E, которая может предложить объём до 24 Гбайт в одном стеке. Считается, что NVIDIA будет получать такие микросхемы от обоих конкурентов SK hynix. Помимо развития предприятий по упаковке HBM на территории Южной Кореи, SK hynix готовится вложить несколько миллиардов долларов в реализации профильного проекта на территории США.

Пока SK hynix удаётся удерживать статус основного поставщика микросхем HBM3 для компании NVIDIA, которая оснащает ею свои востребованные на рынке ускорители вычислений. Несмотря на планы SK hynix в текущем году удвоить объёмы выпуска памяти HBM, вся производственная программа на 2024 год уже распродана, как признаёт руководство компании.

Источник изображения: SK hynix

Соответствующие заявления сделал на страницах ресурса Korea IT Times вице-президент SK hynix по продажам и маркетингу Ким Ги Тхэ (Kim Ki-Tae). По его словам, компания была пионером в производстве HBM, предвидев развитие тех сегментов рынка, которые нуждаются в скоростной памяти, но и в этом году она сделает всё возможное для защиты своих лидирующих позиций. Разработка, выпуск и продажи HBM теперь курируются в составе SK hynix специальным подразделением, работу которого курирует как раз Ким Ги Тхэ. По его словам, спросом в текущем году будет пользоваться не только HBM3E, но и оперативная память типов DDR5 и LPDDR5T.

Все производственные квоты на выпуск HBM компания уже распродала до конца текущего года, и уже сейчас готовится к выполнению заказов в 2025 году, рассчитывая сохранить за собой лидирующие позиции на рынке и в следующем году. По прогнозам аналитиков, операционная прибыль SK hynix в этом году достигнет $7,5 млрд. На фоне прошлогодней выручки в размере $24,5 млрд это будет весьма достойным результатом, особенно с учётом необходимости нести расходы на кратное увеличение объёмов выпуска памяти типа HBM.

В конце декабря прошлого года нидерландская компания ASML отгрузила первый экземпляр литографического сканера поколения EUV High-NA, который характеризуется высоким значением числовой апертуры и повышает разрешающую способность оборудования при производстве полупроводниковых компонентов. Получателем этой установки стала компания Intel, но руководство SK hynix утверждает, что этот корейский производитель памяти тоже интересуется таким оборудованием.

Источник изображения: SK hynix

Отметим, что производители памяти в целом достаточно долго тянули с переходом на так называемую EUV-литографию, и та же SK hynix начала применять профильное оборудование только в 2021 году при производстве микросхем памяти типа DRAM. По информации Business Korea, генеральный директор SK hynix Квак Но Чон (Kwak Noh-jung) на мероприятии Ассоциации производителей полупроводниковой продукции Южной Кореи поделился некоторыми планами компании относительно развития бизнеса.

Во-первых, он заявил, что не может комментировать слухи о готовности SK hynix построить предприятие по упаковке чипов HBM непосредственно в штате Индиана. По его словам, все американские штаты являются потенциальными кандидатами на размещение подобного предприятия.

Во-вторых, глава SK hynix опроверг возобновление переговоров между Western Digital и Kioxia о покупке бизнеса последней. Как известно, именно SK hynix своими возражениями сорвала эти переговоры в прошлом году. Неизменной остаётся позиция SK hynix по этому вопросу и сейчас, как отметил глава компании. Впрочем, он добавил, что если Kioxia готова к взаимовыгодному сотрудничеству с SK hynix, то последняя всегда готова рассмотреть соответствующие предложения.

Наконец, глава SK hynix признался, что компания готовится получить от ASML оборудование для производства чипов памяти с использованием EUV-литографии с высоким значением числовой апертуры. При этом он отказался пояснять, когда данное оборудование начнёт применяться компанией в условиях массового производства, но дал понять, что это произойдёт в нужный момент.

Японский производитель микросхем 3D NAND Kioxia предложил своему инвестору, компании SK Hynix, производственные линии в Японии для выпуска памяти, надеясь тем самым изменить его мнение о слиянии с Western Digital, чтобы возобновить переговоры по этому поводу, сообщил в пятницу ресурс Reuters со ссылкой на информационное агентство Jiji.

Источник изображения: Kioxia

Как сообщается, переговоры между Kioxia и Western Digital, проходившие в прошлом году, зашли в тупик из-за несогласия SK Hynix, опасающейся появления крупного конгломерата на рынке энергонезависимой памяти, с которым ей было бы сложно конкурировать. Kioxia надеется добиться одобрения сделки со стороны SK Hynix в обмен на предоставление ей возможности производить чипы на японских заводах, управляемых совместно Kioxia и Western Digital, пишет Jiji.

Реализация этого предложения позволила бы SK Hynix значительно увеличить объёмы производства памяти 3D NAND, не инвестируя в расширение своих мощностей или создание новых линий. Финансовая сторона возможной сделки между Kioxia и Western Digital пока неизвестна. И на данный момент ни одна из сторон не подтвердила существования такого предложения.

Источник изображения: TrendForce

Согласно данным аналитиков TrendForce за III квартал 2023 года, в случае объединения Kioxia и Western Digital образовавшийся конгломерат будет контролировать примерно треть (31,4 %) мирового рынка 3D NAND по выручке. Это значительно выше доли SK Hynix (20,2 %) и сопоставимо с долей Samsung (31,4 %). Вместе с тем, если даже часть производственных мощностей Kioxia перейдёт к SK Hynix, новая компания, скорее всего, всё же будет крупнее южнокорейского производителя памяти, что объясняет, почему он всё равно будет считать это слияние серьёзной угрозой.

Стандарт HBM4, как ожидается, благодаря 2048-битному интерфейсу значительно увеличит пропускную способность памяти, что благотворно скажется на работе ИИ-ускорителей и компонентов высокопроизводительных вычислений (HPC). Но эта технология потребует многочисленных изменений в механизмах интеграции памяти, а значит, и более тесного сотрудничества между производителями памяти и производителями логики. Поэтому TSMC и SK hynix сформировали альянс для совместного производства HBM4.

Источник изображения: skhynix.com

Новая организация получила название AI Semiconductor Alliance — инициатива поможет TSMC и SK hynix объединить свои сильные стороны и согласовать действия по принципу «стратегии единой команды», пишет Maeil Business News Korea. TSMC возьмёт на себя проработку «некоторых процессов HBM4» — вероятно, имеется в виду выпуск кристаллов с использованием одной из своих передовых технологий, которых нет в арсенале SK hynix. По неподтвержденной информации, речь идёт о нормах 12 нм; ранее также стало известно, что SK hynix и NVIDIA работают над технологией, которая позволит размещать память HBM прямо на графических процессорах без подложки.

TSMC одновременно является членом сообщества 3DFabric Memory Alliance вместе со всеми тремя производителями HBM: Micron, Samsung и SK hynix. С последней тайваньский подрядчик также сотрудничает в области разработки упаковки CoWoS для HBM3 и HBM4, совместной оптимизации технологий проектирования (DTCO) HBM и даже чиплетного интерфейса UCIe для HBM. Тесное сотрудничество TSMC и SK hynix позволит гарантировать, что память HBM3E и HBM4 от SK hynix будет работать с чипами производства TSMC. Это важно, поскольку SK hynix лидирует на рынке HBM, а TSMC — крупнейший в мире полупроводниковый подрядчик.

Корейское издание обмолвилось, что альянс также направлен на создание «единого фронта против Samsung Electronics» — это конкурент одновременно и для TSMC, и для SK hynix, но, возможно, не стоит излишне доверять таким заявлениям. И правда, трудно представить, чтобы TSMC намеренно ограничила совместимость своей упаковки только продукцией SK hynix — вероятно, в действительности тайваньский подрядчик будет просто плотнее сотрудничать с SK hynix, чем с Samsung.

Южнокорейская компания SK hynix объявила, что приступит к массовому производству оперативной памяти с высокой пропускной способностью следующего поколения — HBM4 — к 2026 году. Ранее компания сообщила, что начнёт разработку HBM4 уже в этом году.

Источник изображения: Wccftech

До этого момента о планах по разработке и внедрению памяти HBM4 высказывались только компании Micron и Samsung. Оба производителя планируют выпустить новое поколение памяти где-то в 2025–2026 годах. Теперь и SK hynix более точно определилась с планом по своему будущему продукту. Со стремительным развитием ИИ-технологий на рынке возрастает спрос на более высокопроизводительные решения, необходимые для решения этих задач. Память типа HBM сыграла значительную роль в развитии этой сферы и является важным компонентом в производстве передовых специализированных ускорителей ИИ-вычислений. И на данный момент SK hynix является главным поставщиком самой скоростной HBM — памяти HBM3E — для ИИ-ускорителей.

На мероприятии SEMICON Korea 2024 вице-президент SK hynix Ким Чун Хван (Kim Chun-hwan) сообщил о намерении компании начать массовое производство памяти HBM4 к 2026 году. Он добавил, что новое поколение памяти будет способствовать стремительному росту рынка устройств для искусственного интеллекта. В то же время он отметил, что индустрия производства памяти HBM сталкивается с огромным спросом. Поэтому компании очень важно создать решения, которые позволили бы обеспечить бесперебойную поставку такого типа памяти. По мнению топ-менеджера SK hynix, к 2025 году рынок памяти HBM вырастет до 40 %, поэтому компании необходимо заранее подготовился к тому, чтобы извлечь из этого максимальную выгоду.

Источник изображения: TrendForce

Согласно недавно опубликованной аналитиками TrendForce сборной диаграммы с планами по выпуску продуктов различных производителей, организация JEDEC планирует принять окончательные характеристики памяти HBM4 во второй половине 2024 или начале 2025 года. Пока известно, что новая память будет выпускаться в стеках объёмом до 36 Гбайт, а первые образцы ожидаются в 2026 году.

На данный момент неизвестно, какие именно ИИ-ускорители будут использовать новый тип памяти. Предполагается, что одними из первых таких продуктов могут стать решения NVIDIA, которые компания выпустит после специализированных ИИ-ускорителей Blackwell, поскольку последние будут использовать память HBM3E.

Сперва пандемия с её нарушениями логистики, а затем и обострение геополитической ситуации в мире заставили американских разработчиков чипов задуматься о переносе площадок для их производства поближе к США. Следуя этой логике, южнокорейская SK hynix рассчитывает возвести в штате Индиана предприятие по упаковке чипов памяти HBM, которое позволило бы NVIDIA получать свои ускорители вычислений без отправки за границу.

Источник изображения: SK hynix

Правда, следует учитывать, что для перехода к «национальному производству» в Аризоне должны будут заработать предприятия TSMC, которые смогут наладить выпуск для NVIDIA собственно чипов ускорителей вычислений. Сейчас они производятся на Тайване компанией TSMC, она же упаковывает их по соседству с поступающими из Южной Кореи микросхемами памяти типа HBM, и только после этого партнёры NVIDIA получают возможность устанавливать чипы ускорителей с памятью на одной подложке на печатные платы.

Издание Financial Times сообщило, что SK hynix вынашивает план организации упаковки HBM и чипов NVIDIA на предприятии, которое будет построено в Индиане через несколько лет. Подобный проект имеет смысл при условии способности TSMC наладить выпуск чипов для NVIDIA в штате Аризона. Тогда из-за пределов США будут поставляться только микросхемы памяти HBM производства SK hynix, а их объединение в готовые изделия с чипом ускорителя NVIDIA будет осуществляться уже на территории США. Сейчас на территории страны оказывается не более 3 % услуг по упаковке чипов, но корпорация Intel пытается развивать профильный бизнес, и теперь достижению этой цели сможет способствовать и проект SK hynix. Официально представители компании данную ситуацию не комментируют, но дают понять, что рассматривают возможность инвестиций в экономику США.

Квартальная статистика южнокорейских производителей памяти указывала на то, что спрос на их продукцию начинает расти после затяжного кризиса прошлого года, который стал самым глубоким для рынка. Официальные органы статистики Южной Кореи подтверждают эту тенденцию своими данными, упоминая о значительном росте как объёма производства чипов, так и их поставок в декабре.

Источник изображения: Samsung Electronics

По информации Bloomberg, в прошлом месяце объёмы поставок полупроводниковых компонентов южнокорейскими производителями выросли на 113,7 % в годовом сравнении, на максимальное значение за период с 1997 года. При этом складские запасы чипов выросли на 11,6 %, что является минимальным значением с конца 2022 года, а объёмы производства выросли на 53,3 % по сравнению с аналогичным месяцем 2022 года, и это стало максимальным приростом с середины 2016 года.

Другими словами, всё указывает на то, что южнокорейская полупроводниковая промышленность переварила накопившиеся запасы продукции и приступает к наращиванию новых поставок и производству соответствующих изделий. Специфика местной отрасли такова, что основной экспортной продукции Южной Кореи является как раз память, поскольку страна обеспечивает две трети поставок данного вида товаров на мировой рынок. Аналитики Bloomberg предполагают, что в складывающихся условиях Южная Корея по итогам 2024 года сможет увеличить ВВП на 2,2 %.

Корпорация Intel давно занимается проблемой сращивания полупроводниковых решений для передачи информации с оптоволоконными каналами, эта сфера получила обозначение «кремниевой фотоники». Японское правительство готово субсидировать совместные изыскания оператора связи NTT, компаний Intel и SK hynix в данной сфере, выделяя на это $305 млн бюджетных средств.

Источник изображения: Intel

Агентство Nikkei сообщило о принятом властями Японии решении сегодня. Кремниевая фотоника обещает не только повысить скорость передачи информации, но снизить энергозатраты на обеспечение этого процесса. Министерство экономики, торговли и промышленности Японии выражает надежду, что за счёт прорыва на этом направлении страна сможет получить преимущество на международном рынке и возродить свою полупроводниковую промышленность. В свете бурного развития систем искусственного интеллекта спрос на технологии скоростной передачи информации будет только расти.

Кремниевая фотоника позволяет уйти от лишних преобразований оптических сигналов в электрические, тем самым повышая скорость обмена данными и снижая энергопотребление. Участие SK hynix в этих разработках определяется её специализацией на разработке микросхем памяти, сейчас эта южнокорейская компания до сих пор остаётся главным поставщиком памяти типа HBM для ускорителей вычислений NVIDIA, которые доминируют на рынке.

К 2027 году перечисленные компании надеются вывести на рынок технологию, которая позволяет обрабатывать оптические сигналы на уровне кремниевых компонентов, а также технологию производства памяти, способной работать на терабитных скоростях. Intel, уже имеющая определённый опыт в этой сфере, будет специализироваться на приближении данных решений к условиям массового производства, хотя от своего профильного бизнеса она не так давно избавилась. В части энергопотребления стоит задача снизить его на 30–40 % по сравнению с традиционными полупроводниковыми компонентами. Японская NTT свои эксперименты в области кремниевой фотоники проводит с 2019 года и уже добилась определённых успехов на этапе изысканий, а также располагает экспериментальной площадкой для работы с прототипами соответствующих устройств.

На предстоящей конференции IEEE Solid State Circuit Conference (SSCC), которая состоится в феврале, не только компания Samsung собирается рассказать о новом поколении видеопамяти GDDR7. Аналогичную разработку собирается анонсировать компания SK hynix.

Источник изображения: SK hynix

Память GDDR7 от SK hynix предложит скорость 35,4 Гбит/с на контакт. Это меньше, чем у памяти Samsung, для которой заявляется скорость 37 Гбит/с. Однако в обоих случаях чипы будут обладать объёмом 16 Гбит. Благодаря этому при поддержке графическим процессором 256-битной шины памяти на одной стороне видеокарты можно будет разместить до 16 Гбайт памяти.

Далеко не все микросхемы нового поколения памяти GDDR7 предложат скорость 37 Гбит/с. Некоторые чипы будут медленнее, как в случае с SK hynix. Однако своё применение они тоже найдут несомненно. Как и Samsung, компания SK hynix использует в GDDR7 схему амплитудно-импульсную модуляция PAM3, а также собственную энергоэффективную архитектуру. Правда, компания не поясняет, какую именно и похожа ли она на четыре низкоскоростных состояния тактовой частоты, как в чипах Samsung.

Память GDDR7, как ожидается, будет активно использовать в новом поколении графических ускорителей, как в игровом, так и в профессиональном сегментах. Однако рынки ИИ-вычислений и HPC будут по-прежнему в значительной степени полагаться на высокопроизводительную память HBM3E. У SK hynix и здесь есть новинки. Производитель собирается рассказать о новых 16-слойных стеках памяти HBM3E объёмом 48 Гбайт, способных обеспечить скорость 1280 Гбайт/с. Графический процессор, оснащённый четырьмя такими стеками памяти общим объёмом 192 Гбайт, сможет обеспечить пропускную способность на уровне 5,12 Тбайт/с.

В составе нового стека памяти HBM3E от SK hynix реализована новая схема всестороннего питания TSV (через кремниевый переход) и 6-фазная схема RDQS. Производитель также собирается показать новую память LPDDR5T (LPDDR5 Turbo) для смартфонов, планшетов и тонких ноутбуков. Эти чипы обеспечивают скорость передачи данных до 10,5 Гбит/с на контакт и работают при напряжении 1,05 В.

Принято считать, что именно возражения SK hynix, являющейся номинальным инвестором в капитал Kioxia, осенью прошлого года стали основным препятствием на пути слияния этой японской компании с Western Digital. Последняя тогда решила просто реструктуризировать собственный бизнес во второй половине текущего года, но теперь появилась информация о наличии у Bain Capital интереса по возрождению сделки.

Источник изображения: Kioxia

Об этом на текущей неделе сообщило издание Kyodo, на которое ссылается Reuters. Напомним, что Bain Capital стояла за сделкой по выкупу бизнеса Toshiba по производству твердотельной памяти в 2018 году, которая и создала предпосылки для появления компании Kioxia, унаследовавшей профильные активы этого производителя. Интерес SK hynix в той сделке измерялся суммой около $2,67 млрд, давшей ей право претендовать на 15 % акций Kioxia в случае конверсии облигаций.

Сейчас, как сообщается, Bain Capital приступила к переговорам с SK hynix с целью возобновления процесса подготовки к сделке между Western Digital и Kioxia. Натолкнувшись на возражения по поводу поглощения Kioxia, американский производитель жёстких дисков принял в октябре прошлого года решение отделить бизнес по производству флеш-памяти в самостоятельную компанию. Реструктуризацию планируется завершить во второй половине текущего года. По всей видимости, Bain Capital свою альтернативу собирается предложить раньше этого срока. Слияние Western Digital и Kioxia, по предварительным расчётам, могло бы породить крупнейшего производителя твердотельной памяти в мире, которому по силам было бы бросить вызов даже Samsung Electronics.