Заметная часть средств на общую сумму $230 млрд, которые Samsung Electronics собирается потратить за последующие 20 лет на развитие бизнеса, будет использована для привлечения в Южную Корею поставщиков технологического оборудования для производства чипов. В этом отношении Samsung повторяет путь компании TSMC, который та проделала на Тайване.

Источник изображения: Samsung Electronics

В марте Samsung Electronics объявила о намерениях вложить в развитие технологического кластера к югу от Сеула $230 млрд за последующие двадцать лет. Власти Южной Кореи собираются способствовать реализации этого плана, предоставляя налоговые льготы и субсидии, которые позволят привлечь в регион зарубежных поставщиков литографического оборудования. Актуальность географической концентрации производств был подчёркнута пандемией, да и геополитическое обособление экономических блоков подталкивает участников рынка к подобным шагам.

По крайней мере, как поясняет Nikkei Asian Review, поставщикам оборудования, которые теряют возможность вести бизнес в Китае, южнокорейский рынок позволит компенсировать соответствующие потери. Аналогичными соображениями руководствуются и корейские компании, поскольку рано или поздно Samsung и SK hynix утратят возможность эффективно расширять производство памяти на территории КНР. Развитие домашнего производства является для них разумной альтернативой.

По данным первоисточника, многие поставщики оборудования уже выразили свою заинтересованность в локализации подразделений на территории Южной Кореи. Основная часть экономической активности будет сконцентрирована в самой густонаселённой провинции страны Кёнгидо, окружающей столицу. Здесь через несколько лет собирается запустить свой исследовательский центр американская компания Applied Materials, поставляющая литографическое оборудование. Нидерландская ASML намерена построить в регионе сборочное предприятие и учебный центр, которые начнут функционировать уже в следующем году. Помимо подготовки специалистов для корейских компаний, ASML сможет использовать эту площадку для проведения оперативного ремонта собственного оборудования.

Японские компании тоже с воодушевлением смотрят на перспективы локализации своих мощностей в Южной Корее. Построить «чистые комнаты» в этой стране готовы Tokyo Electron, Ulvac, Kokusai Electric и Hitachi High-Tech. Наличие локальных лабораторий позволит компаниям быстрее внедрять новые технологии на производственных линиях южнокорейских клиентов. В свою очередь, Samsung Electronics откроет исследовательский центр в Японии, чтобы ускорить взаимодействие с местными партнёрами.

Власти Южной Кореи призвали американских коллег пересмотреть правила выдачи субсидий для производителей полупроводников по «Закону о чипах», поскольку данный закон США может негативно сказаться на южнокорейском бизнесе в Китае.

Источник изображения: Samsung

Американский «Закон о чипах» предусматривает выделение в общей сложности $52 млрд субсидий производителям чипов, инвестирующим в строительство полупроводниковых заводов в США. При этом в нём предусмотрены ограничения для тех, кто будет получать выделяемые средства. В частности, лимитированы возможности создания и модернизации производства на территории Китая в следующие 10 лет после получения средств.

Проблема в том, что южнокорейские компании вроде Samsung и SK hynix претендуют на эти субсидии, в то же время имея развитый бизнес в Китае, который они явно захотят и дальше обновлять и улучшать. На этом фоне власти Южной Кореи просят США пересмотреть некоторые определения, включая, например, «устаревшие полупроводники», а также другие ключевые понятия и термины. в Корее надеются, что вводимые ограничение не создадут чрезмерную нагрузку на компании, инвестирующие в Соединённые Штаты.

Также Южная Корея попросила разъяснить порядок введения ограничений, предусматривающий возврат получателями американских средств, если те сознательно были вовлечены в совместные исследования и лицензирование продуктов совместно с «иностранными структурами, вызывающими озабоченность» в США.

Компания Samsung, являющаяся крупнейшим производителем модулей памяти в мире, уже строит в США завод стоимость 17 млрд долларов, а SK Hynix планирует построить в стране завод по упаковке полупроводников. Компании стали заложницами вводимых США ограничений, что угрожает их конкурентоспособности в Китае. Согласна предложенным в марте правил в рамках американского «Закона о чипах», компании не должны расширять производство передовых полупроводников в Китае более чем на 5% за десятилетие. В Корее хотят, чтобы эта цифра была увеличена до 10%. Южнокорейские производители выпускают очень много памяти DRAM- и NAND-типов на китайских заводах. В частности, Samsung выпускает в стране около 40% NAND-памяти, а SK Hynix — около половины своей DRAM-памяти.

Как известно, в октябре США вели очередные антикитайские санкции, пытаясь замедлить развитие в Китае полупроводниковой промышленности. В частности, компаниям запрещено поставлять в Поднебесную технологии для производства DRAM-чипов, выполняемых в соответствии с техпроцессами современнее 14 нм и NAND-памяти в 128 слоёв или более. Samsung и SK hynix получили отсрочки на год и пока что могут поставлять санкционное оборудование на свои фабрики. Компании рассчитывают на продление этих отсрочек. Тем не менее эксперты считают, что южнокорейским компаниям будет трудно значительно обновить производственные линии в стране или расширить их, что скажется на их конкурентоспособности в Поднебесной. По мнению экспертов, компании пока пытаются просто купить время, надеюсь на лучшее, но готовясь к худшему.

Буквально вчера стало известно о намерениях китайских властей запретить использование продукции Micron Technology в оборудовании, используемом в критически важной информационной инфраструктуре КНР. Эти известия подтолкнули к росту котировки акций не только южнокорейских, но и китайских конкурентов американского производителя памяти.

Источник изображения: Micron Technology

На биржевой площадке в Южной Корее торги уже начались, причём ценные бумаги SK hynix продемонстрировали рост курса на 1,1 %, как отмечает Reuters, а стоимость акций Samsung Electronics увеличилась на 0,7 %. Оба корейских производителя памяти не только активно продают микросхемы памяти на территории Китая, но и выпускают там существенную часть своей продукции. Следует учитывать, что у SK hynix и Samsung возникли проблемы на фоне введённых в октябре прошлого года властями США санкций, которые ограничили бы их в возможности поставлять оборудование для производства определённого ассортимента микросхем памяти в КНР, но властям Южной Кореи удалось добиться освобождения от действия этих ограничений на год. Поскольку октябрь не за горами, корейские чиновники уже сейчас выражают уверенность, что компаниям удастся получить вторую отсрочку.

По информации Reuters, неделю ростом котировок акций начали и китайские производители, так или иначе связанные с сегментом выпуска микросхем памяти. Курс акций Gigadevice Semiconductor, Ingenic Semiconductor и Shenzhen Kaifa Technology вырос в понедельник на величину от 3 до 8 %. Данное движение было спровоцировано сигналом к возможному сокращению доли Micron на китайском рынке памяти из-за возникших у местных регуляторов претензий к этой американской компании.

Аналитики Bernstein заявили, что китайские компании не могут соперничать с Micron Technology ни по уровню технологического развития, ни по масштабам производства, поэтому запрет на использование продукции этого производителя в Китае для ряда клиентов вынудит их обратиться к изделиям Samsung, SK hynix, Kioxia и Western Digital.

В октябре прошлого года вступили в силу новые правила экспортного контроля США, которые ограничили поставку в КНР определённых типов оборудования для выпуска чипов, и компании Samsung и SK hynix были вынуждены требовать отсрочки вступления санкций в отношении своей деятельности на один год. Власти Южной Кореи теперь намереваются добиться увеличения срока действия этих исключений.

Источник изображения: Samsung Electronics

Следует напомнить, что у Samsung Electronics и SK hynix на территории КНР расположены крупные предприятия по выпуску микросхем памяти, которые в среднем определяют до 40 % структуры поставок этих производителей. Обе компании являются крупными игроками на мировом рынке памяти, поэтому потребители в США тоже заинтересованы в том, чтобы поставки микросхем памяти этих марок осуществлялись без перебоев из-за вводимых санкционных ограничений. Как недавно уже сообщалось, SK hynix всё же попытается переориентировать своё предприятие в китайском Уси на выпуск более зрелых микросхем оперативной памяти типа DDR4, а модернизацию производства осуществлять за пределами Китая.

По всей видимости, подобных мер может оказаться недостаточно для компенсации воздействия санкций США на бизнес южнокорейских производителей, поэтому власти страны лоббируют продление отсрочек, благодаря чему Samsung и SK hynix смогут поставлять в Китай всё необходимое для осуществления деятельности местных предприятий технологическое оборудование. По информации Bloomberg, министр труда, промышленности и энергетики Ли Чанг Ян (Lee Chang-yang) вчера выразил надежду на значительное увеличение отсрочек. Скорее всего, такой уверенности чиновнику придал недавний визит президента Южной Кореи в США, в ходе которого соответствующий вопрос просто не мог быть не затронут.

Корейские компании также заинтересованы в том, чтобы оснащаемые их тяговыми батареями электромобили на рынке США попадали под действие государственной программы субсидирования, но пока все машины корейских марок с этим типом силовой установки поставляются в США из Южной Кореи, что не даёт им права на участие в этой программе.

Производители полупроводниковых компонентов типа той же Samsung Electronics заинтересованы и в снятии ограничений на инвестиции в Китае, которые накладываются на получателей государственных субсидий в США, направляемых на строительство локальных предприятий. Компании, согласившиеся на субсидирование таких проектов со стороны властей США, будут лишены права существенно расширять своё производство чипов на территории КНР. Пока сложно судить о том, удалось ли корейским чиновникам добиться привилегий для отечественных компаний в этой сфере.

Южнокорейская компания SK hynix планирует расширить мощности по производству микросхем оперативной памяти старых поколений — DDR3 и DDR4 — на своём заводе в китайском Уси, сообщила аналитическая компания TrendForce.

Источник изображения: SK hynix

В октябре прошлого года Министерство торговли США ввело ограничения на импорт полупроводникового оборудования в Китай для техпроцессов 18 нм и ниже. Фабрике SK hynix в Уси была предоставлена годовая лицензия и она могла и дальше ввозить необходимое оборудование. Однако геополитические риски и слабый спрос побудили компанию сократить выпуск чипов примерно на 30 % в месяц во 2 квартале 2023 года.

Изначально SK hynix планировала сделать основным техпроцессом на своей фабрике в Уси 1z вместо 1y, уменьшив производство на более старых техпроцессах. Однако из-за ограничений, наложенных санкциями США, компания вместо этого решила расширить свои 21-нм производственные линии, сосредоточившись на чипах памяти DDR3 и DDR4 малого объёма (4 Гбит). Долгосрочная стратегия SK hynix предполагает расширение производственных мощностей в Южной Корее, в то время как завод в Уси будет обслуживать внутренний спрос в Китае, а также удовлетворять спрос на память DRAM, выполненную по менее тонким техпроцессами.

В долгосрочной перспективе увеличение производства на фабрике в Уси может оказать дополнительное давление на поставщиков, что ещё больше затруднит восстановление потребительских цен на DRAM.

Для второго по величине производителя памяти, компании SK hynix, первый квартал этого года характеризовался сохранением избытка продукции на рынке в результате ухудшения макроэкономической ситуации. Спрос на память оставался низким, цены продолжали падать, поэтому в отчётном периоде операционные убытки достигли рекордных $2,54 млрд.

Источник изображения: SK hynix

Результат оказался сопоставимым с ожиданиями аналитиков, операционные убытки такой величины компания получила впервые с 2012 года, когда SK Group купила тогда ещё независимую Hynix. Это уже второй подряд квартал, когда SK hynix получает операционный убыток. Выручка компании в годовом сравнении снизилась на 58 % до $3,8 млрд.

Самое интересное, что по итогам публикации квартального отчёта акции компании выросли в цене на пару процентов, поскольку представители руководства пояснили, что рынок памяти достиг дна в первом квартале, и во втором полугодии начнётся его восстановление. Уже в текущем квартале спрос на память начнёт расти вместе с ценами, по мнению представителей SK hynix.

Серия сокращений объёмов производства памяти привела к тому, что в первом квартале складские запасы продукции на стороне клиентов снижались. Отчасти фондовый рынок отыграл и раннюю новость о решении конкурирующей Samsung Electronics сократить объёмы выпуска памяти. Надо сказать, что представители SK hynix и ранее говорили о способности рынка памяти начать восстановление во втором полугодии.

Цены на микросхемы DRAM в этом квартале, по оценкам аналитиков Yuanta Securities, продолжат снижение. В первом квартале они упали на 20 %, а в четвёртом до этого — более чем на 30 %. Скорому восстановлению доходов SK hynix могут помешать американские санкции в отношении Китая, ведь власти первой из стран не только не приветствуют расширение производства памяти в КНР, но и пытаются удержать корейских производителей от расширения поставок памяти на китайский рынок в случае бойкота продукции Micron властями КНР под предлогом её небезопасности. SK hynix на территории Китая выпускает от одной трети до половины всей памяти типа DRAM, поставляемой на мировой рынок.

В декабре 2021 года корпорация Intel договорилась о продаже бизнеса по производству флеш-памяти на территории Китая. Покупателем стала южнокорейская SK hynix, которая на тот момент рассчитывала превратить Далянь в свою главную производственную площадку по этому типу продукции (3D NAND). Теперь обстоятельства изменились, и второе предприятие компании в Даляне может так и не начать функционировать.

Источник изображения: SK hynix

Первоначально планировалось, что рядом с унаследованным от Intel предприятием Fab 68 в этом китайском городе со временем будет построено ещё одно, специализирующееся на аналогичном виде продукции. В конце прошлой недели южнокорейское издание The Elec сообщило, что необходимость снизить капитальные затраты на 50 % в текущем году и санкционное давление США на Китай вынуждают SK hynix задуматься о продаже корпусов строящегося предприятия в Даляне без оснащения его оборудованием для производства памяти. Строительство началось в мае прошлого года и должно было продлиться около двенадцати месяцев. Если бы всё шло по плану, то уже к маю текущего года SK hynix начала бы оснащать предприятие оборудованием.

Новые требования властей США к получателям субсидий на строительство локальных предприятий и экспортные ограничения, запрещающие поставку в Китай оборудования для производства памяти 3D NAND с количеством слоёв более 128 штук, вынуждают SK hynix задуматься о будущем всего своего китайского бизнеса. Пока компания получила освобождение от этих ограничений до октября текущего года. Если она всё же решит оснастить построенное предприятие в Даляне современным оборудованием, то ей придётся сделать это до октября. Если учесть, что переговоры с поставщиками на эту тему даже не ведутся, то сделать это в указанные сроки не удастся. Более того, функционирование китайского предприятия в будущем при условии сохранения санкций со стороны США будет осложнено, поэтому продажа производственных корпусов без установленного оборудования может стать для SK hynix разумной альтернативой.

Выпуск микросхем памяти не требует таких серьёзных ноу-хау, как разработка и производство логических микросхем, поэтому китайские производители в первом из сегментов рынка за последние годы неплохо продвинулись на мировой арене. Эксперты TrendForce подсчитали, что южнокорейским конкурентам в результате введения санкций США против Китая удастся отыграть утраченные позиции на рынке памяти.

Источник изображения: Bloomberg

На протяжении нескольких лет, как утверждается в публикации Bloomberg, доля корейских компаний на рынке микросхем оперативной памяти (DRAM) оставалась на одном уровне, поскольку прогрессу в этом смысле препятствовали китайские соперники, но по мере усиления санкций со стороны США у Южной Кореи появляется шанс в этом году увеличить свою долю рынка до 64 %. При этом доля китайских компаний, главной из которых остаётся CXMT, по итогам текущего года сократится до 14 % и продолжит падать как минимум до 2025 года включительно.

Конечно, определённые неудобства для корейских производителей американские санкции против Китая всё же несут. Та же SK hynix половину своих микросхем типа DRAM производит на собственных предприятиях в Китае. К 2030 году эта доля снизится до 40 %, как ожидают специалисты Bloomberg Intelligence. До сих пор корейским производителям удавалось получить отсрочку на реализацию санкций против Китая, но для этого пришлось вести переговоры с властями США на высшем уровне.

Со временем Южная Корея укрепит свои позиции и на рынке твердотельной памяти типа NAND, поскольку американские санкции будут угнетать бизнес ведущего китайского производителя YMTC. Доля китайских производителей на мировом рынке микросхем типа NAND по итогам текущего года достигнет пикового значения в 31 %, но потом будет падать. Южнокорейские же компании в лице Samsung и SK hynix в этом году займут 33 % мирового рынка, но к 2025 году увеличат свою долю до 43 %.

По прогнозам аналитиков Bloomberg Intelligence, китайским компаниям потребуется от пяти до десяти лет, чтобы наладить выпуск передовой памяти типа DRAM с использованием исключительно отечественного оборудования. Сейчас китайские компании в этой сфере зависят от импортируемого оборудования, и на него как раз и распространяются экспортные ограничения США, принятые в октябре прошлого года.

Компания SK hynix представила первые в индустрии стеки высокоскоростной памяти HBM3, состоящие из 12 микросхем. Они обладают объёмом 24 Гбайт. Производитель отмечает, что уже начал рассылать образцы новых стеков своим партнёрам для тестов.

Источник изображений: SK hynix

«Компания разработала новые 24-гигабайтные чипы памяти HBM3, ёмкость которых на 50 % больше, чем у предыдущего продукта, чьи массовые поставки начались в июне прошлого года. Мы сможем начать поставки новых чипов памяти во второй половине текущего года и будем готовы обеспечить спрос на высокоскоростную память на фоне роста популярности технологий специальных чат-ботов на базе ИИ», — говорится в пресс-релизе производителя.

Для производства 12-слойных стеков памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт компания SK hynix применяет технологию Advanced Mass Reflow Molded Underfill, представляющую собой метод объединения нескольких чипов памяти на одной подложке посредством спайки, а также технологию сквозных соединений Through Silicon Via (TSV). Она позволяет сократить толщину одного стека памяти на 40 % и в итоге получить чип такой же высоты, как и у 16-гигабайтных стеков HBM3.

SK hynix представила первое поколение высокоскоростной памяти HBM в 2013 году. Эти микросхемы памяти чаще всего используются в системах для высокопроизводительных вычислений (HPC). Новейший стандарт памяти HBM3 считается наиболее оптимальным решением для быстрой обработки больших объёмов данных и поэтому пользуется высоким спросом со стороны ведущих технологических компаний.

Оценка производительности новых 12-слойных стеков высокоскоростной памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт продолжается. В то же время компания отмечает, что заинтересованные в новом продукте клиенты уже получили его образцы.

Южнокорейский производитель полупроводников SK hynix привлёк средства в объёме $1,7 млрд в ходе первой продажи конвертируемых облигаций за текущее десятилетие — второй по величине производитель чипов памяти в мире готовится к росту квартальных потерь в связи с падением спроса на чипы в мире. Впрочем, компания вовсе не намерена сдаваться.

Источник изображения: SK hynix

Это первая сделка подобного рода для компании с тех пор как она была куплена SK Group в 2012 году. По данным производителя, средства будут потрачены на покупку материалов для производства чипов и прочие операции схожего характера. По мнению экспертов, поступление средств позволит развеять сомнения, связанные с краткосрочным кризисом ликвидности.

К привлечению средств пришлось прибегнуть после того, как SK hynix отчиталась о рекордных операционных убытках в размере $1,4 млрд в последнем квартале прошлого календарного года. По мнению экспертов, в первом квартале 2023 календарного года ожидаются новые потери и только во второй половине года индустрия чипов памяти начнёт постепенно восстанавливаться.

Единственным букраннером сделки стал Bank of America. Сделка стала крупнейшей за год продажей конвертируемых бондов в Азиатско-Тихоокеанском регионе (за исключением Японии). Известно, что изначально компания планировала привлечь $1,5 млрд, но позже увеличила предложение до $1,7 млрд из-за большой востребованности покупателями. По некоторым данным, спрос на бонды был четверо выше объёма продаж, причём аппетиты инвесторов не пострадали из-за недавней волатильности на мировом финансовом рынке.

По словам вице-председателя SK hynix Пака Чон Хо (Park Jung-ho), недавно выступившего в штаб-квартире компании, производитель не намерен дополнительно сокращать производство, поскольку во второй половине года ожидается улучшение рыночной ситуации. Кроме того, компания намерена построить завод по упаковке чипов в США, как уже сообщалось ранее.

В 2022 году в связи со снижением спроса SK hynix заявила, что снизит инвестиции в 2023 году на 50 % по сравнению с прошлым годом, а также сократит выпуск менее прибыльных продуктов. Тем не менее, на вопрос о возможных дополнительных сокращениях производства, Пак Чон Хо ответил буквально — «мы не будем». В ходе общения с акционерами он выразил надежду, что ситуация улучшится во второй половине 2023 года, чему будет способствовать развитие технологий вроде ChatGPT, требующих очень много памяти.

По информации Bloomberg, парламентарии Южной Кореи сегодня без лишних проволочек одобрили изменения в законодательные нормы, описывающие стимулирующие методы для развития на территории страны кластеров по выпуску полупроводниковой продукции. Налоговые льготы для участников подобной деятельности в новой редакции законов были увеличены.

Источник изображения: Samsung Electronics

Если власти США для развития отечественной полупроводниковой промышленности готовы предоставлять денежные субсидии, то власти Южной Кореи предпочитают стимулировать выделение капитала частными инвесторами за счёт предоставления налоговых вычетов. В частности, крупным производителям чипов, готовым расширять свои мощности на территории Южной Кореи, по новому закону предоставляется налоговый вычет в увеличенном с 8 до 15 % размере, а малые и средние компании могут рассчитывать на все 25 % вместо прежних 16 %.

За принятие новой редакции закона проголосовали 179 членов южнокорейского парламента, против были всего 13 человек. Почти сорок парламентариев воздержались от голосования, а 70 не смогли принять участие в голосовании. В итоге, поправки были приняты в первом чтении. Президент страны выразил свою готовность поддержать принятие этих изменений в законодательство. Напомним, что в середине марта власти Южной Кореи выступили с предложением выделить на развитие национальной полупроводниковой отрасли $422 млрд за ближайшие двадцать лет, причём основной объём инвестиций ожидается со стороны крупного бизнеса типа тех же Samsung Electronics и SK hynix. На долю первой выпадут $229 млрд из этой суммы, компания построит к 2042 году не менее пяти новых предприятий, включая мощности по контрактному изготовлению чипов для сторонних заказчиков.

Южнокорейская SK hynix попросит власти США ещё на год отложить введение ограничений в отношении полупроводникового производства компании, расположенного на территории Китая. Об этом сообщил глава компании Пак Чон Хо (Park Jung-ho).

Источник изображения: SK hynix

Осенью прошлого года США ввели новые санкции против технологического сектора Китая, и в частности усилили ограничения на поставки оборудования для выпуска чипов. Данные санкции касаются не только китайских компаний, но всех предприятий в Китае, в том числе принадлежащих иностранным компаниям. Производители памяти, Samsung и SK hynix, располагающие в Китае большими полупроводниковыми заводами, получили отсрочки сроком на год и пока что могут дальше ввозить оборудование в Китай и модернизировать свои производства, без получения специальных лицензий со стороны американских регуляторов.

По словам руководителя SK hynix, являющейся вторым по масштабам производителем чипов памяти в мире, после завершения разрешённого США «льготного» периода в октябре компания попросит отсрочку ещё на год. Об этом он заявил на собрании акционеров, проходившем в Южной Корее. По его словам, переговоры между властями США и Южной Кореи должны пройти успешно, а SK hynix необходимо выиграть время и оптимизировать систему управления. В итоге, после окончания периода, в котором для корейского производителя пока действуют санкционные послабления, будет подана новая заявка.

Ранее сообщалось, что США могут ограничить уровень, на который южнокорейские компании смогут расти в Китае. SK hynix претендует на значительные средства для развития бизнеса в США. В среду компания заявила, что намерена продолжить реализовать планы строительства новой передовой фабрики по упаковке чипов в Соединённых Штатах, после того как закончится процесс проверки местными регуляторами. Кроме того, компания рассматривает возможность подачи заявки о получении субсидий в рамках американского «Закона о чипах» (Chips Act).

Известно, что в прошлом месяце администрация президента США Джо Байдена (Joe Biden) завила, что потребует от компаний, которым будет выделено в совокупности $52,7 млрд в рамках этого закона, поделиться сверхприбылями и рассказать, как именно они намерены обеспечивать доступный уход за детьми для строителей и сотрудников. Предполагается, что такие меры поддержки привлекут в отрасль больше людей. «Закон о чипах» является краеугольным камнем стратегии США по востановлению полупроводниковой индустрии в стране — это жизненно необходимо США для того, чтобы сохранить лидерство на глобальных рынках.

На конференции ISSCC 2023 представители компании SK hynix выступили с докладом, в котором сообщили о разработке флеш-памяти 3D NAND с более чем 300 слоями. Документ готовили 35 инженеров компании, что лишний раз подчёркивает сложность совершенствования техпроцесса производства многослойной флеш-памяти. Примечательно, что разработчики намерены не только увеличить плотность записи, но и значительно поднять пропускную способность чипов: со 164 Мбайт/с до 194 Мбайт/с.

Предыдущий рекордсмен — 238-слойная 3D NAND SK hynix. Источник изображения: SK hynix

Нетрудно понять, что инженеры SK hynix работают по двум основным и важнейшим направлениям: они намерены повысить плотность записи (снизить стоимость хранения каждого бита данных) и повысить производительность. С появлением «многоэтажной» 3D NAND повышать плотности записи стало довольно просто в идее, но сложно в исполнении — это увеличение числа слоёв с одновременным сокращением шага между слоями. И то и другое ведёт к росту сопротивления линии wordline (WL), соединяющей ячейки в строке матрицы. Этот рост приходится тем или иным образом компенсировать, иначе пострадают быстродействие и энергоэффективность.

Сравнение 238- и 300-слойной 3D NAND

SK hynix рассказала о гипотетическом чипе памяти NAND с более чем 300 слоями, который состоит из трёхбитовых (TLC) ячеек и может похвастаться ёмкостью 1 Тбит. За счёт увеличения числа слоёв плотность размещения ячеек вырастет с 11,55 Гбит/мм² у актуальной 238-слойной памяти до более чем 20 Гбит/мм². Общую производительность памяти предложено поднимать пятью отдельными способами, в целом направленными на ускорение процессов записи, стирания и чтения. Для этого придётся внести изменения в последовательности и тайминги команд.

В частности, предложено реализовать метод тройной проверки программирования (TPGM) вместо ранее двойной проверки DPGM. В новой версии ячейки будут делиться на четыре группы, а не на три. Технология TPGM уменьшает параметр tPROG и это вместе с увеличенной разбивкой примерно на 10 % сократит время программирования ячеек.

Также параметр tPROG уменьшит новая технология адаптивного предварительного заряда невыбранной строки (AUSP). Это ускорит работу с ячейками ещё примерно на 2 %. Ещё немного ускорения получится за счёт снижения ёмкостной нагрузки на линию WL, что обеспечит метод программируемой фиктивной строки (PDS). Метод всепроходного нарастания (APR) даст уменьшение времени считывания (tR), что выразится в сокращении времени реакции линии WL на новый уровень напряжения и улучшит время чтения на 2 %. Наконец, для улучшения качества обслуживания во время стирания применят метод повторного чтения на уровне плоскости (PLRR).

Компиляция по данным о поколениях 3D NAND разных производителей. Источник изображения: blocksandfiles.com

Всё вместе, как сказано выше, позволит поднять скорость работы 1-Тбит 3D NAND TLC компании SK hynix за поколение с 164 Мбайт/с до 194 Мбайт/с с одновременным увеличением плотности записи. Уточним, представители компании не стали и вряд ли могли раскрыть производственный график по выпуску памяти NAND 300+. Можно ожидать, что первые прототипы начнут появляться к концу года или даже не раньше начала 2024 года. Пока же и в течение текущего года в производстве будет находиться память с 230+ слоями, выпуск которой в той или иной степени наладили все главные игроки рынка NAND-памяти.

Для Южной Кореи экспорт полупроводниковых компонентов является важным источником дохода, поэтому власти страны пытаются лавировать между не самой простой рыночной конъюнктурой и постоянно меняющимися требованиями со стороны США. Корейские компании, претендующие на получение субсидий в США на расширение своего бизнеса, рискуют столкнуться с серьёзной неопределённостью, как считают чиновники.

Источник изображения: Samsung Electronics

Своими соображениями на этот счёт, как сообщает Bloomberg, накануне поделился министр торговли, промышленности и энергетики Южной Кореи Ли Чанг Ян (Lee Chang-yang). Оценивая влияние принятого в США так называемого «Закона о чипах», который подразумевает выделение субсидий в размере $52 млрд на строительство предприятий по выпуску чипов на территории страны, южнокорейский чиновник выделил как минимум три причины для беспокойства корейских компаний, претендующих на получение этих субсидий.

Например, получатели субсидий лишаются права инвестировать в расширение своих производственных мощностей в недружественных к США странах, а Samsung и SK hynix располагают в Китае крупными производственными комплексами по выпуску микросхем памяти. И если деятельность SK hynix этими правилами ещё не особо ограничивается, то Samsung Electronics собирается построить в Техасе второе предприятие по контрактному производству чипов, и стоимость проекта в $17 млрд хотя бы частично должна перекрываться субсидиями со стороны властей США. Получатели государственной поддержки, помимо прочего, не смогут использовать бюджетные средства для выкупа собственных акций, они также будут обязаны организовать уход за детьми работников новых предприятий в дневное время, либо компенсировать профильные расходы за счёт работодателя.

Главным же препятствием для участия в программе субсидирования, по словам министра Ли, является неопределённость исхода соответствующих инициатив. Чтобы добиться соответствия своей деятельности выдвигаемым со стороны США требованиям, корейские компании должны будут потратить много времени и сил, и не факт, что эти расходы в итоге окупятся. Проблемой является и необходимость раскрытия дополнительной информации о деятельности руководства компаний, не говоря уже о сложности инвестирования в экономику США на фоне роста процентных ставок и инфляции.

Правительство Южной Кореи готово работать во взаимодействии с коллегами из США, чтобы устранить многие из этих неопределённостей, а также снять избыточную регуляторную нагрузку с корейских компаний, готовых развивать свой бизнес на территории США. В этом процессе целесообразно участие представителей самих компаний, как добавил корейский министр. Попутно власти страны будут развивать собственные программы поддержки национальной полупроводниковой отрасли.

Южнокорейские источники сообщают, что с начала года объём заказов на память HBM резко возрос как у SK hynix, так и у Samsung. Это взвинтило цены на чипы HBM — их закупочная стоимость сегодня в пять раз больше, чем самой передовой традиционной оперативной памяти. Рост спроса вызван взрывной популярностью чат-ботов с ИИ, которые как ничто другое требовательны к пропускной способности памяти. И это скоро изменит весь рынок компьютерной памяти, уверены эксперты.

Компоновка памяти HBM

Неназванный представитель отрасли заявил источнику, что разработка новых техпроцессов больше не в приоритете у производителей чипов памяти. Компании будут соревноваться в выпуске наиболее быстрых чипов памяти, включая решения с обработкой процессов непосредственно в памяти. К последним относится память HBM-PIM, представленная компанией Samsung в феврале 2021 года и компанией SK hynix в феврале 2022 года.

Разработка платформ искусственного интеллекта для многих компаний становится приоритетной, и модули памяти типа HBM и HBM-PIM получают колоссальный толчок, что действительно способно изменить правила игры на рынке памяти. Разработчиков платформ не останавливает то, что память HBM как минимум в три раза дороже обычной памяти. Рост спроса и явная неспособность удовлетворить его в полном объёме уже привели к росту цен на этот тип памяти, что не смягчает динамику, а только её подогревает. Искусственный интеллект и расширение связанных с ним услуг очевидным образом ломает ситуацию.

К компании SK hynix, как к лидирующему производителю чипов HBM3 в очередь выстроились NVIDIA, Intel и AMD. «Цена HBM3 выросла в пять раз по сравнению с самой высокопроизводительной DRAM», — поделился знаниями один из инсайдеров.

Компания SK hynix начала выпускать память типа HBM самой первой, представив её ещё в 2013 году, а дебютировала она в видеокартах AMD Radeon R9 Fury на GPU Fiji в 2015 году. С тех пор этот южнокорейский чипмейкер выпустил HBM второго поколения (HBM2), третьего (HBM2E) и четвёртого (HBM3), обеспечив себе от 60 % до 70 % этого рынка.

Высочайшую производительность памяти HBM обеспечивает стековая компоновка кристаллов, пронизанных сверху донизу сквозными контактами и фактически прямая связь с центральным или графическим процессором. Ни одна другая память не может работать с похожей пропускной способностью, а это самое узкое место в интенсивных вычислениях. Память HBM решает эту проблему намного лучше других типов памяти и это определило её будущее на ближайшие годы бурного развития ИИ.