Компания TeamGroup представила серию твердотельных NVMe-накопителей T-Create Classic C4 стандарта PCIe 4.0. В неё вошли модели C47, C45 и C43 объёмом от 512 Гбайт до 4 Тбайт, которые предлагают разные скорости последовательного чтения и записи.

Источник изображения: TeamGroup

Накопители T-Create Classic C47 относятся к старшему сегменту и представлены в версиях объёмом от 512 Гбайт до 4 Тбайт. Для модели на 512 Гбайт производитель заявляет скорости последовательного записи и чтения до 4800 и 7000 Мбайт/с соответственно. Для SSD объёмом 1 Тбайт указываются скорости до 6800 и 7400 Мбайт/с, для версии на 2 Тбайт — до 7000 и до 7400 Мбайт/с, а для модели объёмом 4 Тбайт — до 6600 и 7400 Мбайт/с. Запас выносливости новинок тоже варьируется от 700 TBW (терабайт перезаписанной информации) для версии на 512 Гбайт, до 5800 TBW для 4-Тбайт SSD.

Накопители T-Create Classic C45 представляют собой решения среднего сегмента. Новинки предлагаются в объёмах от 512 Гбайт до 2 Тбайт, со скоростью последовательной записи от 2500 Мбайт/с до 4500 Мбайт/с и последовательного чтения до 5000 Мбайт/с для всех вариантов. Запас выносливости этих SSD варьируется от 500 TBW у модели на 512 Гбайт до 2000 TBW у модели объёмом 2 Тбайт.

Представляющие младший сегмент накопители T-Create Classic C43 предлагаются в объёмах от 512 Гбайт до 2 Тбайт. Скорости последовательного чтения и записи модели объёмом 512 Гбайт составляют до 3300 Мбайт/с и до 2400 Мбайт/с соответственно. Для модели объёмом 1 Тбайт указываются значения соответственно в 3500 и 2700 Мбайт/с, а для модели на 2 Тбайт — до 3500 и 3200 Мбайт/с. Для младшей версии накопителя на 512 Гбайт производитель заявляет показатель выносливости в 300 TBW, для версии на 1 Тбайт — 600 TBW, а для варианта на 2 Тбайт — 1200 TBW.

Все накопители TeamGroup T-Create Classic C4 стандарта PCIe 4.0 оснащены кеш-памятью SLC. В качестве системы охлаждения все новинки используют тонкие графеновые пластины. Производитель предоставляет для представленных SSD пятилетнюю гарантию.

О стоимости накопителей T-Create Classic C4 пока ничего не сообщается. В продаже они появятся в ноябре.

Компания Silicon Power представила твердотельные накопители серии XS80 Gen5 NVMe SSD с интерфейсом PCIe 5.0 и большим радиатором для пассивного охлаждения. В серию вошли модели объёмом 1 и 2 Тбайт.

Источник изображений: Silicon Power

В основе накопителей Silicon Power XS80 Gen5 NVMe SSD используется контроллер Phison E26 и 232-слойные чипы флеш-памяти NAND.

Для модели объёмом 1 Тбайт производитель заявляет скорости последовательного чтения и записи до 9500 и 8500 Мбайт/с соответственно. Для модели объёмом 2 Тбайт — по 10 000 Мбайт/с как для последовательного чтения, так и для последовательной записи.

С учётом установленного алюминиевого радиатора размеры SSD составляют 24,0 × 80,4 × 20,5 мм, а вес равен 53 г. Сам по себе SSD выполнен в формфакторе M.2 2280. Разработчик заявляет для новинок 1,6 млн часов наработки на отказ. На накопители предоставляется пятилетняя гарантия производителя.

Для более гармоничного сочетания с остальными комплектующими ПК накопители Silicon Power XS80 Gen5 NVMe SSD будут предлагаться как в чёрном, так и серебристом вариантах исполнения.

Компания Seagate выпустила серию твердотельных NVMe-накопителей Game Drive, предназначенную специально для игровых приставок PlayStation 5. Эти накопители прошли тестирование и были официально сертифицированы для использования с консолями Sony последнего поколения. В состав серии вошли модели объёмом 1, 2 и 4 Тбайт.

Источник изображений: Seagate

В основе накопителей Seagate Game Drive для PS5 применяется контроллер памяти Phison PS5018-E18 стандарта PCIe 4.0, обеспечивающий скорости чтения и записи выше 7 Гбайт/с. Контроллер производится на основе 12-нм техпроцесса. Он используется во многих по-прежнему актуальных моделях SSD стандарта PCIe 4.0. В состав контроллера входит три 32-битных ядра Arm Cortex R5. Он поддерживает восемь каналов памяти и чипы NAND со скоростью до 1600 МТ/с, позволяя создавать накопители объёмом до 8 Тбайт. Seagate в своих SSD Game Drive для PS5 объединила контроллер E18 с чипами флеш-памяти 3D TLC NAND.

Накопители Seagate Game Drive для PS5 в зависимости от модели обеспечивают скорости последовательного чтения и записи до 7300 Мбайт/с и до 6900 Мбайт/с соответственно. Производительность новинок в операциях случайного чтения и записи составляет до 1 млн IOPS. Максимальным заявленным показателям в полной мере соответствует только модель объёмом 2 Тбайт — остальные в тех или иных аспектах медленнее, как описано ниже.

Источник изображения: AnandTech

Запас выносливости новинок тоже варьируется от модели к модели. Так, для версии на 1 Тбайт заявляется показатель в 1275 TBW (терабайт перезаписанной информации), а для моделей на 2 и 4 Тбайт — 2550 и 5100 TBW соответственно. По этому показателю накопители Seagate лучше, чем накопители WD_Black SN850P тех же объёмов. Напомним, что WD_Black SN850P — это первые SSD, сертифицированные для использования с игровыми приставками PlayStation 5. Они обладают надёжностью от 600 до 2400 TBW соответственно. Иными словами, решения Seagate в два раза надёжнее. По крайней мере на бумаге.

Рекомендованная стоимость твердотельных NVMe-накопителей Seagate Game Drive для PS5 объёмом 1 и 2 Тбайт составляет $99,99 и $159,99. Новинки уже появились у некоторых ретейлеров, однако их стоимость в рознице несколько выше. Например, Amazon предлагает приобрести их за $104 и $174 соответственно. Модель SSD объёмом 4 Тбайт оценивается в $449. Таким образом, модели Seagate на 1 и 2 Тбайт на $10 дешевле тех же накопителей WD_Black SN850P. А модель SSD от Western Digital объёмом 4 Тбайт стоит на $70 дешевле.

Из-за необходимости лицензионных отчислений стоимость накопителей Seagate Game Drive выше, чем у нелицензированных SSD с аналогичными характеристиками. Например, накопители WD_Black SN850X, по праву считающиеся одними из лучших для PS5, оцениваются в 69, 129 и 282 доллара за модели на 1, 2 и 4 Тбайт соответственно.

Компания Samsung выпустила внешние твердотельные накопители серии Portable SSD T9. В состав серии вошли модели объёмом 1, 2 и 4 Тбайт. Новинки в первую очередь предназначены для создателей цифрового контента.

Источник изображений: Samsung

Накопители оснащены интерфейсом USB Type-C 3.2 Gen2x2. Для всех моделей заявляется скорость последовательного чтения до 2000 Мбайт/с. Скорость последовательной записи у моделей объёмом 1 и 2 Тбайт составляет 1950 Мбайт/с, а у модели на 4 Тбайт — 2000 Мбайт/с. Производитель отмечает, что носители способны передать видеофайл размером 4 Гбайт формата Full HD примерно за 2 секунды.

Новинки собраны в прочном корпусе. Samsung заявляет, что устройства переживут падение с высоты до трёх метров. Также внешние накопители Portable SSD T9 способны работать при температурах от 0 до 60 градусов и хранить информацию при температуре окружающей среды от -40 до +85 градусов.

Портативные твердотельные накопители Samsung оснащены поддержкой шифрования AES-256 бит. Для мониторинга состояния SSD и управления компания рекомендует использовать её фирменное программное обеспечение Magician Software 8.0.

Размеры внешних SSD от Samsung составляют 88 × 60 × 14 мм, а их вес равен 122 г. Для них заявляется поддержка операционных систем Windows, macOS и Android.

Стоимость накопителей Samsung Portable SSD T9 объёмом 1, 2 и 4 Тбайт составляет 140, 240 и 440 долларов соответственно. На них предоставляется пятилетняя гарантия производителя. В продаже новинки появились с 3 октября.

Китайская компания Yingren Technology, за пределами Поднебесной известная под брендом InnoGrit, сообщила о начале массового производства первого разработанного в стране SSD-контроллера стандарта PCIe 5.0 — модели YR S900, предназначенной для корпоративных и промышленных накопителей. Об этом сообщает местное издание EE Times China.

Источник изображений: Yingren Technology

В основе контроллера YR S900 используется архитектура RISC-V с открытым исходным кодом. Выбор в её пользу объясняется тем, что в таком случае контроллер не подпадёт под экспортные ограничения США. Однако компания не сообщила, по какому технологическому процессу выпускается YR S900, и где именно.

Китайский SSD-контроллер соответствует спецификациям PCIe 5.0 и поддерживает четыре линии данного интерфейса, а также обладает полной поддержкой протокола NVMe 2.0. Контроллер может быть сконфигурирован на работу с 16 или 18 каналами для подключения чипов флеш-памяти. Для YR S900 заявляется полная совместимость со всеми популярными видами флеш-памяти NAND от всех крупных производителей, но особенно эффективно он работает с памятью NAND от китайской компании Yangtze Memory Technologies Corp (YMTC).

В рамках демонстрации YR S900 показал весьма конкурентную скорость работы на фоне передовых контроллеров PCIe 5.0 от других производителей. Его скорость последовательного чтения составила до 14 Гбайт/с, а последовательной записи — до 12 Гбайт/с. При этом пиковая производительность в случайных операциях чтения и записи составила 3,5 и 2,5 млн IOPS соответственно. Таким образом он продемонстрировал эффективность уровня того же контроллера Phison PS5026-E26, использующегося сегодня в большинстве актуальных моделей SSD стандарта PCIe 5.0. Правда, чип Phison применяется в потребительских SSD, тогда как китайский контроллер ориентирован на корпоративный сегмент.

Производитель также отметил, что YR S900 оснащён процессором ECC третьего поколения для оптимизации кодирования и декодирования алгоритма 4K LDPC. По словам компании, его использование наряду с новой гибридной адаптивной функцией коррекции ошибок ECC увеличивает производительность памяти TLC NAND и QLC NAND. При сочетании контроллера с памятью Kioxia XL-Flash показатель задержки при чтении секторов 4K составляет всего 10 мкс (микросекунд). Набор дополнительных функций контроллера YR S900 включает поддержку FDP (гибкого размещения данных), аппаратной виртуализации SR-IOV, CMB (буфера памяти контроллера), а также различных алгоритмов шифрования данных.

Хотя Yingren Technology подтвердила, что приступила к началу массового производства SSD-контроллера YR S900, она не сообщила, когда можно ожидать появления первых твердотельных накопителей корпоративного уровня с PCIe 5.0 на его основе. Весьма вероятно, что YR S900 будет использоваться преимущественно в составе продуктов, выпускающихся только для китайского рынка.

Backblaze, предлагающая услуги облачного хранения данных, опубликовала статистику по отказам твердотельных накопителей за I и II кварталы 2023 года. В компании предупредили, что пока выборка недостаточно репрезентативна, чтобы действительно отражать какие-либо статистические тенденции.

Интенсивность отказов. Источник изображений: backblaze.com

Свой арсенал накопителей Backblaze начала пополнять SSD лишь в IV квартале 2018 года. К концу 2021 года их было 2200, годом позже — 2558, а по состоянию на 30 июня 2023 года на серверах были установлены 3144 SSD. «В этой среде диски делают намного больше, чем просто загружают серверы хранилищ. Они также хранят файлы журналов и временные файлы сервера хранилища. В зависимости от активности сервера загрузочный диск каждый день читает, записывает и удаляет файлы», — пояснили в Backblaze.

Достоверность статистических данных растёт с каждым днём, поскольку сокращается влияние выпадающих значений. И это важно учитывать, поскольку среднегодовая частота отказов (AFR) в 829,55 % для модели Seagate SSDSCKKB240GZR на 240 Гбайт может показаться чрезвычайно устрашающей — в реальности же у Backblaze на начало года было всего два экземпляра этого накопителя, один из которых вышел из строя вскоре после установки. Другие модели продолжают работать в полном составе, а значит, их AFR имеет значение 0 %, что тоже ни о чём не говорит. Репрезентативной была бы статистика, основанная на выборке из минимум 100 SSD за 10 тыс. дней работы, говорят в компании. Однако можно заметить, что годовой процент отказов SSD находится на уровне около 1 %, тогда как для HDD данный показатель составляет более 2 %.

Тем не менее, Backblaze опубликовала свой отчёт, и, пожалуй, наиболее полезным здесь является график интенсивности отказов, который, пусть и отдалённо, но напоминает традиционную форму «кривой ванны» — модели, демонстрирующий вероятность отказов технологий и продуктов. Данная кривая показывает, сколько единиц продукта может выйти из строя в течение определенного срока службы. Совпадение, по оценке автора доклада, составляет 70 %, что удивительно при столь скудных исходных данных. Получается, что SSD стремятся по отказам к теоретическим показателям.

Компания SK hynix, как владелец бывшего подразделения Intel по производству флеш-памяти 3D NAND, представила интересную новинку — твердотельный накопитель Solidigm D7-P5810 на памяти SLC для интенсивных нагрузок записью. Нюанс в том, что память SLC не производится около пяти лет и компании пришлось пойти на хитрость, чтобы выпустить SSD с характеристиками, свойственными SSD на флеш-памяти с одноуровневой записью.

Источник изображений: Solidigm

Флеш-память с одноуровневой записью позволяла рекордного много перезаписывать каждую ячейку памяти и давала делать это максимально быстро, поскольку контроллер не был обременён расчётами, связанными с оценкой нескольких уровней заряда в ячейке, как это происходит в случае TLC- или QLC-памяти с тремя и четырьмя уровнями напряжения (заряда). После отказа от выпуска SLC-памяти, которая по цене и плотности записи не могла конкурировать с памятью TLC и QLC, компания Intel попыталась заменить память SLC решениями в виде буферов на памяти 3D XPoint (продукция Optane). Но Optane умер, а определённая потребность в быстрой флеш-памяти никуда не делась.

Для решения вопроса повышения скорости записи и для увеличения ресурса по количеству циклов перезаписи производитель «оптимизировал» выпускаемую ранее 144-слойную память QLC и превратил её в память SLC, что технологически сделать несложно. Ресурс памяти и накопителя автоматически повысился, а работа контроллера и всех операций ускорилась. На такой памяти накопитель SSD D7-P5810 способен вести журналы и поддерживать критически важные для скорости выполнения операции, в частности, связанные с записью данных на флеш-носители.

В своём стремлении представить скоростной накопитель на псевдо памяти SLC, способный заменить накопители Optane, Solidigm не одинока. Ранее такую же «оптимизацию» со 176-слойной памятью 3D NAND проделала компания Micron, начав поставки SLC-накопителя XTR NVMe (конкурент A в таблице со сравнительными характеристиками) и компания Kioxia (конкурент B в таблице со сравнительными характеристиками), выпустившая SLC-накопитель FL6. Та или иная оптимизация микрокода прошивки обеспечивает накопителям набор необходимых характеристик. Например, SSD XTR NVMe Micron нацелен на работу с обработкой тяжёлых данных, а SSD D7-P5810 Solidigm решает задачи кеширования и аналогичные, когда операции записи становятся наиболее критичными.

Solidigm D7-P5810 представлен 800-Гбайт накопителем в форм-факторе U.2 с интерфейсом NVMe (PCI Express 4.0 x4). Модель ёмкостью 1,6 Тбайт выйдет в первой половине 2024 года. Заявленные линейные скорости чтения и записи соответственно достигают 6400 и 4000 Мбайт/с. На случайных операциях при максимальной глубине запроса производительность при чтении достигает 865 тысяч IOPS, а при записи — 495 тысяч. В последнем случае задержки лежат пределах 10–15 мкс, а при случайном чтении они не выше 53 мкс.

Накопитель D7-P5810 Solidigm допускает 50 полных перезаписей ёмкости в сутки. По подсчётам производителя, это оптимальное предложение, способное быть альтернативой продукции Optane, ресурсы которой обычно были не востребованы в полном объёме. Это же касается заявленной производительности D7-P5810 Solidigm. Иными словами, новый накопитель для кеширования, ведения логов и других буферных задач не предложит ничего лишнего при сбалансированных характеристиках и относительно небольшой стоимости.

Компания Western Digital представила компактный твердотельный накопитель WD_Black SN770M формата M.2 2230, разработанный специально для портативных игровых приставок, таких как Steam Deck от Valve и ROG Ally от ASUS. Новинка доступна в объёмах 500 Гбайт, а также на 1 и 2 Тбайт.

Источник изображений: Western Digital

Заменить SSD у консоли Steam Deck или ROG Ally весьма просто. Сложнее — найти накопитель M.2 нужного объёма и при этом компактного формата M.2 2230. Такие носители не очень широко представлены в розничной продаже и чаще встречаются только в готовых системах OEM-производителей. Последнее время ситуация в сегменте NVMe-накопителей M.2 2230 начинает улучшаться. Свои решения в этом формате относительно недавно представили Sabrent, Micron, Corsair и другие бренды, пишет The Verge.

Выход в сегмент компактных NVMe-накопителей профильного производителя SSD, компании Western Digital, безусловно представляет собой положительный знак, указывающий на растущий спрос на такие решения. В новинках используется флеш-память TLC 3D NAND. Накопители WD_Black SN770M стандарта PCIe 4.0 обеспечивают скорость последовательного чтения до 5140 Мбайт/с. Скорость последовательной записи у версии на 500 Гбайт составляет 4000 Мбайт/с, у модели объёмом 1 Тбайт — 4900 Мбайт/с, а у модели объёмом 2 Тбайт — 4850 Мбайт/с. Производительность в операциях случайного чтения у младшей модели составляет 460 тыс. IOPS, у версии на 1 Тбайт — 740 тыс. IOPS, а у варианта на 2 Тбайт — 650 тыс. IOPS. Производительность в операциях случайной записи составляет 800 тыс. IOPS во всех трёх случаях.

Что касается выносливости WD_Black SN770M, то для модели объёмом 500 Гбайт заявляется показатель в 300 TBW (терабайт перезаписанной информации), для модели на 1 Тбайт — 600 TBW, а для версии на 2 Тбайт — 1200 TBW.

Накопитель WD_Black SN770M PCIe 4.0 объёмом 500 Гбайт производитель оценил в $74,99, вариант на 1 Тбайт — в $109,99. Оба доступны в онлайн-магазине Western Digital. Вариант на 2 Тбайт там пока не появился, однако в рознице новинка предлагается за $239,99.

По мнению менеджера по продуктам компании Silicon Motion Лю Яорена (Liu Yaoren), первые ноутбуки с твердотельными накопителями стандарта PCIe 5.0 появятся на рынке к концу 2024 года. Данное предсказание он озвучил ещё в августе на мероприятии Flash Memory Summit Conference and Exhibition 2023, однако СМИ обратили внимание на это заявление только недавно.

Источник изображений: Silicon Motion

Американо-тайваньская компания показывала на минувшей выставке новый контроллер памяти SM2508, представляя его в качестве ответа контроллеру Phison E26. Флагманское решение Silicon Motion обеспечит скорость последовательного чтения и записи до 14 Гбайт/с. Его производительность в операциях случайного чтения составляет 2,5 млн IOPS, а записи — 2,4 млн IOPS. Контроллер поддерживает чипы флеш-памяти со скоростью 3600 МТ/с на контакт, которые ещё не представлены на рынке. Иными словами, SM2508 имеет задел на будущее.

По данным издания ITHome, флагманский контроллер Silicon Motion SM2508 будет изготавливаться с использованием продвинутого техпроцесса TSMC 6 нм. В составе чипа имеются два ядра Cortex R8. Рабочий показатель TDP контроллера составляет около 3,5 Вт. Компания утверждает, что их продукт обладает «ультимативным потенциалом производительности интерфейса PCIe 5.0» и низким энергопотреблением.

Основным останавливающим фактором использования производителями ноутбуков твердотельных накопителей PCIe 5.0 в своих устройствах является более высокое энергопотребление и как следствие более высокая рабочая температура SSD нового стандарта, что требует применения эффективных и весьма массивных радиаторов охлаждения. В случае с ноутбуками это не всегда удобно, так как в ограниченном пространстве лэптопа просто нет места для установки больших радиаторов для SSD. Ответом для решения проблемы может являться разработка более энергоэффективных и менее горячих контроллеров памяти SSD.

Компания Samsung ранее сообщила, что собирается расширить семейство популярных твердотельных NVMe-накопителей Samsung 990 Pro стандарта PCIe 4.0 моделью объёмом 4 Тбайт. На этой неделе компания рассказала, когда накопитель поступит в продажу и сколько будет стоить.

Источник изображений: Samsung

Samsung 990 Pro 4TB будет поставляться в виде SSD без системы охлаждения (модель MZ-V9P4T0BW), а также в версии с алюминиевым радиатором охлаждения с подсветкой (модель MZ-V9P4T0CW). В основе накопителей Samsung 990 Pro используется контроллер памяти собственной разработки Samsung Pascal на основе 8-нм техпроцесса, а также 176-слойные чипы флеш-памяти Samsung TLC 3D NAND.

Новая модель на 4 Тбайт предложит такие же скорости последовательного чтения и записи, как и модель объёмом 2 Тбайт — 7540 и 6900 Мбайт/с соответственно. Производительность в операциях чтения у новинки составит до 1,6 млн IOPS, а случайной записи — 1,55 млн IOPS. Твердотельный накопитель также получит 4 Гбайт кеш-памяти LPDDR4 и ресурс перезаписи в 2400 TBW (терабайт перезаписанной информации).

Компания добавила, что использование чипов флеш-памяти NAND 8-го поколения с высокой плотностью 1 Тбит позволило расположить их на накопителе Samsung 990 Pro в объёме 4 Тбайт не с двух, а с одной стороны. Таким образом, новинку можно без проблем использовать в тех же ноутбуках, не опасаясь несовместимости устройств.

В продаже Samsung 990 Pro объёмом 4 Тбайт появится в октябре. В официальном онлайн-магазине компании, а также у онлайн-ретейлеров новинка оценивается в $344,99. В продаже также будет доступна версия с установленным радиатором охлаждения. Её рекомендованная стоимость составляет $354,99.

Производитель также сообщил о подготовке новой версии программного обеспечения Samsung Magician 8.0 для мониторинга состояния и управления SSD. Новая версия приложения станет доступна в сентябре. О новых функциях в составе Magician 8.0 компания ничего не рассказала.

Компания Gigabyte представила твердотельный NVMe-накопитель Aorus Gen5 12000 стандарта PCIe 5.0. Новинка обеспечивает скорость чтения выше 12 Гбайт/с.

Источник изображений: Gigabyte

Производитель ещё в конце прошлого года пообещал выпустить модели SSD PCIe 5.0, способные обеспечивать скорость передачи данных до 12,5 Гбайт/с. Однако в этом году компания выпустила только модели Aorus Gen5 10000 со скоростью последовательного чтения до 10 000 Мбайт/с и записи до 9500 Мбайт/с.

Сегодня Gigabyte анонсировала новую модель Aorus Gen5 12000, демонстрирующую скорость чтения 12 391 Мбайт/с и записи 11 691 Мбайт/с, согласно внутренним тестам производителя. Официально же для новинки заявляются скорости чтения в 12 400 Мбайт/с и записи — в 11 800 Мбайт/с.

Твердотельный накопитель Aorus Gen5 12000 представлен только в одном варианте объёма на 2 Тбайт. В нём используются 8-канальный контроллер памяти Phison PS5026-E26, 232-слойные чипы флеш-памяти 3D TLC NAND и буфер на базе LPDDR4 объёмом 4 Гбайт. Компания отмечает, что среди прочего оптимизировала в новинке поддержку технологии ускорения загрузки игр DirectStorage.

Как и в случае с моделями накопителей Aorus Gen5 10000, модель Aorus Gen5 12000 оснащается высоким радиатором охлаждения. По этой причине он совместим не со всеми материнскими платами, представленными на рынке. Производитель рекомендует использовать новый SSD с платами моделей Z790 Aorus Xtreme, Z790 Aorus Master, Z790 Aero G, X670E Aorus Xtreme и X670E Aorus Master.

Компания Samsung сообщила через свои социальные сети, что по просьбам клиентов собирается расширить семейство твердотельных NVMe-накопителей Samsung 990 Pro моделью объёмом 4 Тбайт. В настоящий момент в составе указанной серии SSD представлены только модели объёмом 1 и 2 Тбайт.

Источник изображения: Samsung

Samsung 990 Pro 4TB будет поставляться в виде SSD без системы охлаждения (модель MZ-V9P4T0BW), а также в версии с алюминиевым радиатором охлаждения с подсветкой (модель MZ-V9P4T0CW).

В основе накопителей Samsung 990 Pro используется контроллер памяти собственной разработки Samsung Pascal на основе 8-нм техпроцесса, а также 176-слойные чипы флеш-памяти Samsung TLC 3D NAND.

Новая модель на 4 Тбайт предложит такие же скорости последовательного чтения и записи, как и модель объёмом 2 Тбайт — 7540 и 6900 Мбайт/с соответственно. Производительность в операциях чтения у новинки составит 1,4 млн IOPS, а случайной записи — 1,55 млн IOPS. Твердотельный накопитель также получит 4 Гбайт кеш-памяти LPDDR4 и ресурс перезаписи в 2400 TBW (терабайт перезаписанной информации).

На новинку будет предоставляться пятилетняя гарантия производителя. О стоимости Samsung 990 Pro объёмом 4 Тбайт и его дате поступления в продажу производитель не сообщил.

Проблема с замедлением SSD в Windows 11 уходит корнями в глубокую древность, ведь первые сообщения об этом появились ещё в июле 2021 года. В декабре Microsoft выпустила исправление проблемы, но оно не решило её полностью. В феврале 2022 года, после выхода ещё одного патча, ошибка, казалось бы, была устранена, но с выходом масштабного обновления Windows 11 под названием Moment 2 в марте 2023 проблема вернулась. И вот, похоже, Microsoft нашла решение.

Источник изображения: unsplash.com

В марте 2023 года многие пользователи Windows 11 начали жаловаться на то, что их твердотельные накопители NVMe работают намного медленнее, чем должны. Как выяснилось, обновление Moment 2 для операционной системы (в частности, KB5023706) содержало ошибку, из-за которой многие твердотельные накопители работали на половине своей обычной скорости. И только во вчерашнем выпуске исправлений KB5029263 Microsoft, по-видимому, решила проблему с SSD в Windows 11.

Примечания к выпуску нового накопительного обновления Windows 11 не содержат никакой информации о проблеме, но многие пострадавшие ранее пользователи сообщают, что их твердотельные накопители снова работают на полной скорости, хотя некоторые по-прежнему констатируют снижение быстродействия своих SSD. Мнительность пользователей также связана с отсутствием какой-либо информации от Microsoft.

Microsoft никогда публично не комментировала ошибку замедления SSD в Windows 11, но, похоже, работала над решением в фоновом режиме.

Компания Phison продемонстрировала на мероприятии Flash Memory Summit 2023 самый быстрый, по её собственному утверждению, потребительский твердотельный накопитель в мире PS5026-E26 Max14um Gen5, демонстрирующий скорость последовательного чтения более 14 Гбайт/с. Устройство также получило передовой ультразвуковой блок охлаждения от Frore.

Источник изображений: Phison

Накопитель основан на чипах памяти Micron B58R 3D TLC NAND и контроллере Phison PC5026-E26 — их сочетание позволило добиться скоростей последовательного чтения в 14 175 Мбайт/с и последовательной записи в 12 471 Мбайт/с, а также 1,79 млн операций ввода-вывода в секунду при произвольном чтении и 1,74 млн при произвольной записи.

Твердотельный накопитель PS5026-E26 Max14um Gen5 оказался даже немного быстрее представленного месяц назад диска Sabrent с контроллером E26, которые предназначен для корпоративного сегмента. Чтобы добиться таких скоростей, Phison пришлось оптимизировать прошивку и установить модуль охлаждения — им стал ультразвуковой блок AirJet Mini от Frore Systems.

В Phison не уточнили, собирается ли компания поставлять своим партнёрам эталонные экземпляры PS5026-E26 Max14um Gen5, или им придётся разрабатывать решения такого уровня собственными силами.

На мероприятии Flash Memory Summit компания Samsung продемонстрировала последние разработки, поведала о передовых технологиях и своих последних достижениях. Один из лидеров индустрии не разочаровал: он показал твердотельный накопитель ёмкостью 256 Тбайт и анонсировал архитектуру PBSSD для решений петабайтного масштаба.

Источник изображений: Samsung

Samsung показала серийный продукт — серверный твердотельный накопитель PM1743, который может похвастаться ёмкостью до 15,36 Тбайт и располагает интерфейсом PCIe 5.0. Компания также доложила о завершении разработки серверного накопителя PM9D3a в стандартном 2,5-дюймовом форм-факторе с интерфейсом PCIe 5.0 — накопитель получил 8-канальный контроллер, за счёт которого он будет в 2,3 раза быстрее своего предшественника. На начальном этапе PM93a будет доступен с объёмом памяти до 15,36 Тбайт, а в первой половине 2024 года выйдет версия на 30,72 Тбайт.

Революционной новинкой стал разработанный Samsung твердотельный накопитель ёмкостью 256 Тбайт, построенный на чипах QLC NAND. В компании уточнили, что устройство чрезвычайно экономично: один такой SSD потребляет в семь раз меньше, чем массив из восьми накопителей по 32 Тбайт.

Наконец, Samsung представила архитектуру PBSSD для решений «петабайтного масштаба». Работа ведётся при поддержке партнёров, включая Meta✴: одна платформа будет поддерживать работу с несколькими пользователями. Здесь используется ратифицированная NVMe технология FDP (Flexible Data Placement — «гибкое размещение данных»). Программная платформа FDP полностью открыта.