Samsung рассчитывает получить первую литографическую систему High-NA EUV к концу этого года

Южнокорейская компания Samsung Electronics не только остаётся крупнейшим производителем памяти, но и не оставляет амбиций в сфере контрактного производства логических компонентов. Ради движения в ногу с прогрессом она собирается вслед за Intel получить к концу этого года литографический сканер ASML TwinScan EXE:5000, который позволяет работать с высоким значением числовой апертуры (High-NA).

Источник изображения: ASML

Intel является крупнейшим клиентом ASML на этом направлении и пытается выкупить все доступные для заказа на этот год подобные системы, но намерения Samsung показывают, что при определённой настойчивости корейская компания тоже может получить свою первую литографическую систему класса High-NA EUV к концу текущего года или в первом квартале следующего. Подобное оборудование должно позволить Samsung не только наладить выпуск чипов по технологиям «тоньше» 2 нм, но и делать это с более низкой себестоимостью. Правда, сам литографический сканер такого класса стоит не менее $380 млн, а ещё он занимает больше места, поэтому внедрение такого оборудования потребует не только высоких первоначальных затрат, но и смены подхода к планировке цехов.

Попутно южнокорейские СМИ сообщают, что Samsung призналась в наличии у неё средств инспекции фотомасок японской марки Lasertec, которые адаптированы к технологии High-NA EUV. Если всё пойдёт по плану, Samsung сможет наладить выпуск первых прототипов продукции на оборудовании такого класса к середине следующего года. Впрочем, в массовом производстве технология High-NA EUV будет освоена компанией ближе к 2027 году.

Samsung в сотрудничестве с Synopsys также внедряет иной «рисунок» элементов полупроводниковых чипов, который предполагает переход от прямых линий к кривым. Это позволит создавать более плотные структуры на чипах и продвинуться в освоении более «тонких» техпроцессов. Компания TSMC также рассчитывает получить до конца года от ASML свой первый литографический сканер класса High-NA EUV, но внедрить подобное оборудование в массовом производстве чипов по технологии A14 планирует не ранее 2028 года.