реклама
Материнские платы

Gigabyte K8NNXP и MSI K8T Neo-FIS2R

⇣ Содержание

Модуль питания платы Gigabyte K8NNXP выполнен по трехканальной схеме и содержит пять конденсаторов емкостью 3300 мкФ, четыре по 1500мкФ и 3 - по 1000 мкФ.


Однако если задействовать слот VRM_CONN и установить платку DPS (GC-K8DPS), то модуль питания работает по 6-канальной схеме и суммарно содержит шесть конденсаторов емкостью 3300 мкФ, пять по 1500мкФ и 6 - по 1000 мкФ.


Что касается модуля питания платы MSI K8T Neo-FIS2R, то он реализован по 2-х канальной схеме и содержит восемь конденсаторов емкостью 1500 мкФ и 4 - по 820 мкФ.


Хочу обратить внимание на радиаторы, которые установлены на элементах модуля питания (MOSFET). Не стоит думать что это сделано для облегчения оверклокинга. Напротив - использование двухканальной схемы питания вызывает повышенную нагрузку на элементы, и как следствие повышенное тепловыделение. И что бы удержать стабильность в пределах нормы - были установлены радиаторы. Кстати, это не первый случае подобного подхода к разработке материнских плат MSI: см. обзор MSI K7N2 Delta на чипсете nForce II Ultra 400.

Теперь рассмотрим функции разгона платы Gigabyte K8NNXP.

Во-первых, плата позволяет изменять частоту системной шины в диапазоне от 200 до 250Мгерц с шагом 1 Мгерц.


Для увеличения стабильности у пользователя есть возможность увеличить напряжение на процессоре. Параметр Vcore изменяется в диапазоне от 0.8V до 1.7V с шагом 0.025V-0.05V.


Следующий пункт - возможность повышения напряжения на памяти.


Диапазон изменения от 2.5V до 2.8V c шагом 0.1V.

Далее - плата Gigabyte K8NNXP позволяет изменять напряжение на чипсет и напряжение на шине HyperTransport.


Возможное увеличение Vdd: +0.1V, +0.2V и +0.3V. Те же приращения возможны и на шине HT.


Что касается практического разгона, то он зафиксирован на отметке 2200Мгерц (FSB=220Мгерц).


А теперь рассмотрим функции разгона платы MSI K8T Neo.

Во-первых, плата позволяет изменять частоту системной шины в диапазоне от 190 до 280Мгерц с шагом 1 Мгерц.


Напряжение на процессоре изменяется в диапазоне от 1.4V до 1.55V с шагом 0.05V.


Интересно, что в одной из ранних версий биоса, диапазон изменения Vcore был гораздо шире (до +15%).


Следующий пункт - возможность повышения напряжения на памяти.


Диапазон изменения от 2.55V до 2.85V c шагом 0.05V.

Далее - плата MSI K8T Neo позволяет изменять напряжение на шине AGP.


Диапазон изменения от 1.55V до 1.85V c шагом 0.05V.

Что касается практического разгона, то он также был зафиксирован на отметке 2200Мгерц (FSB=220Мгерц). Судя по всему это максимум, что можно выжать из данного, явно неудачного, экземпляра процессора. В результате практически все Socket754-платы в нашей лаборатории показали одинаковые результаты. Однако, если выбор будет осуществляться между платами MSI K8T Neo и Gigabyte K8NNXP, то для разгона предпочтительнее выглядит плата Gigabyte.

Следующая страница → ← Предыдущая страница
⇣ Содержание
Если Вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Вечерний 3DNews
Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий.
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Huawei нарастила долю китайских компонентов в смартфонах серии Pura 70 5 ч.
Renault более не может рассчитывать на помощь Volkswagen в создании электромобиля за 20 000 евро 7 ч.
Пользователи новых iPad Pro обратили внимание на зернистость экрана 12 ч.
Минцифры пообещало тестовые зоны 5G по всей России и полноценные сети в городах-миллионниках до 2030 года 14 ч.
Новый iPad Pro получил медный логотип и оказался более ремонтопригодным, чем предшественник 14 ч.
Samsung готовит ноутбуки Galaxy Book4 Edge и Edge Pro с Arm-процессорами Qualcomm 18 ч.
256 ядер и 12 каналов DDR5: Ampere обновила серверные Arm-процессоры AmpereOne и перевела их на 3-нм техпроцесс 18 ч.
Короткие кабели затормозили внедрение DisplayPort 2.1 UHBR20 — сделать длиннее не получается 22 ч.
Новая технология активного шумоподавления с ИИ позволяет выделить определённые звуки и убрать все лишние 23 ч.
Чипы стали новой нефтью в борьбе мировых держав за лидерство 18-05 13:24