Надёжность SSD: результаты ресурсных испытаний [обновлено 16.12.19]

Бытует мнение, что одним из самых существенных недостатков твердотельных накопителей выступает их конечная и притом относительно невысокая надёжность. И действительно, в силу ограниченности ресурса флеш-памяти, которая обуславливается постепенной деградацией её полупроводниковой структуры, любой SSD рано или поздно теряет свою способность к хранению информации. Вопрос о том, когда это может произойти, для многих пользователей остаётся ключевым, поэтому многие покупатели при выборе накопителей руководствуются не столько их быстродействием, сколько показателями надёжности. Масла в огонь сомнений подливают и сами производители, которые из маркетинговых соображений в условиях гарантии на свои потребительские продукты оговаривают сравнительно невысокие объёмы разрешённой записи.

Тем не менее, на практике массовые твердотельные накопители демонстрируют более чем достаточную надёжность для того, чтобы им можно было доверять хранение пользовательских данных. Эксперимент, показавший отсутствие реальных причин для переживаний за конечность их ресурса, некоторое время тому назад проводил сайт TechReport. Им был выполнен тест, показавший, что, несмотря на все сомнения, выносливость SSD уже выросла настолько, что о ней можно вообще не задумываться. В рамках эксперимента было практически подтверждено, что большинство моделей потребительских накопителей до своего отказа способны перенести запись порядка 1 Пбайт информации, а особенно удачные модели, вроде Samsung 840 Pro, остаются в живых, переварив и 2 Пбайт данных. Такие объёмы записи практически недостижимы в условиях обычного персонального компьютера, поэтому срок жизни твердотельного накопителя попросту не может подойти к концу до того, как он полностью морально устареет и будет заменён новой моделью.

Однако убедить скептиков данное тестирование не смогло. Дело в том, что проводилось оно в 2013-2014 годах, когда в ходу были твердотельные накопители, построенные на базе планарной MLC NAND, которая изготавливается с применением 25-нм техпроцесса. Такая память до своей деградации способна переносить порядка 3000-5000 циклов программирования-стирания, а сейчас в ходу уже совсем другие технологии. Сегодня в массовые модели SSD пришла флеш-память с трёхбитовой ячейкой, а современные планарные техпроцессы используют разрешение 15-16 нм. Параллельно распространение приобретает флеш-память с принципиально новой трёхмерной структурой. Любой из этих факторов способен в корне изменить ситуацию с надёжностью, и в сумме современная флеш-память обещает лишь ресурс в 500-1500 циклов перезаписи. Неужели вместе с памятью ухудшаются и накопители и за их надёжность нужно снова начинать переживать?

Скорее всего – нет. Дело в том, что наряду с изменением полупроводниковых технологий происходит непрерывное совершенствование контроллеров, управляющих флеш-памятью. В них внедряются более совершенные алгоритмы, которые должны компенсировать происходящие в NAND изменения. И, как обещают производители, актуальные модели SSD как минимум не менее надёжны, чем их предшественники. Но объективная почва для сомнений всё-таки остаётся. Действительно, на психологическом уровне накопители на базе старой 25-нм MLC NAND с 3000 циклов перезаписи выглядят куда основательнее современных моделей SSD с 15/16-нм TLC NAND, которая при прочих равных может гарантировать лишь 500 циклов перезаписи. Не слишком обнадёживает и набирающая популярность TLC 3D NAND, которая хоть и производится по более крупным технологическим нормам, но при этом подвержена более сильному взаимному влиянию ячеек.

Учитывая всё это, мы решили провести собственный эксперимент, который позволил бы определить, какую выносливость могут гарантировать актуальные сегодня модели накопителей, основанные на наиболее ходовых в настоящее время типах флеш-памяти.

⇡#Контроллеры решают

Конечность жизни накопителей, построенных на флеш-памяти, уже давно ни у кого не вызывает удивления. Все давно привыкли к тому, что одной из характеристик NAND-памяти выступает гарантированное количество циклов перезаписи, после превышения которого ячейки могут начинать искажать информацию или просто отказывать. Объясняется это самим принципом работы такой памяти, который основывается на захвате электронов и хранении заряда внутри плавающего затвора. Изменение состояний ячеек происходит за счёт приложения к плавающему затвору сравнительно высоких напряжений, благодаря чему электроны преодолевают тонкий слой диэлектрика в одну или другую сторону и задерживаются в ячейке.

Полупроводниковая структура ячейки NAND

Однако такое перемещение электронов сродни пробою – оно постепенно изнашивает изолирующий материал, и в конечном итоге это приводит к нарушению всей полупроводниковой структуры. К тому же существует и вторая проблема, влекущая за собой постепенное ухудшение характеристик ячеек, – при возникновении туннелирования электроны могут застревать в слое диэлектрика, препятствуя правильному распознаванию заряда, хранящегося в плавающем затворе. Всё это значит, что момент, когда ячейки флеш-памяти перестают нормально работать, неизбежен. Новые же технологические процессы лишь усугубляют проблему: слой диэлектрика с уменьшением производственных норм становится только тоньше, что снижает его устойчивость к негативным влияниям.

Однако говорить о том, что между ресурсом ячеек флеш-памяти и продолжительностью жизни современных SSD существует прямая зависимость, было бы не совсем верно. Работа твердотельного накопителя – это не прямолинейная запись и чтение в ячейках флеш-памяти. Дело в том, что NAND-память имеет достаточно сложную организацию и для взаимодействия с ней требуются специальные подходы. Ячейки объединены в страницы, а страницы – в блоки. Запись данных возможна лишь в чистые страницы, но для того, чтобы очистить страницу, необходимо сбросить весь блок целиком. Это значит, что запись, а ещё хуже – изменение данных, превращается в непростой многоступенчатый процесс, включающий чтение страницы, её изменение и повторную перезапись в свободное место, которое должно быть предварительно расчищено. Причём подготовка свободного места – это отдельная головная боль, требующая «сборки мусора» – формирования и очистки блоков из уже побывавших в использовании, но ставших неактуальными страниц.

Схема работы флеш-памяти твердотельного накопителя

В результате реальные объёмы записи в флеш-память могут существенно отличаться от того объёма операций, который инициируется пользователем. Например, изменение даже одного байта может повлечь за собой не только запись целой страницы, но и даже необходимость перезаписи сразу нескольких страниц для предварительного высвобождения чистого блока.

Соотношение между объёмом записи, совершаемой пользователем, и фактической нагрузкой на флеш-память называется коэффициентом усиления записи. Этот коэффициент почти всегда выше единицы, причём в некоторых случаях – намного. Однако современные контроллеры за счёт буферизации операций и других интеллектуальных подходов научились эффективно снижать усиление записи. Распространение получили такие полезные для продления жизни ячеек технологии, как SLC-кеширование и выравнивание износа. С одной стороны, они переводят небольшую часть памяти в щадящий SLC-режим и используют её для консолидации мелких разрозненных операций. С другой – делают нагрузку на массив памяти более равномерной, предотвращая излишние многократные перезаписи одной и той же области. В результате сохранение на два разных накопителя одного и того же количества пользовательских данных с точки зрения массива флеш-памяти может вызывать совершенно различную нагрузку – всё зависит от алгоритмов, применяемых контроллером и микропрограммой в каждом конкретном случае.

Есть и ещё одна сторона: технологии сборки мусора и TRIM, которые в целях повышения производительности предварительно готовят чистые блоки страниц флеш-памяти и потому могут переносить данные с места на место без какого-либо участия пользователя, вносят в износ массива NAND дополнительный и немалый вклад. Но конкретная реализация этих технологий также во многом зависит от контроллера, поэтому различия в том, как SSD распоряжаются ресурсом собственной флеш-памяти, могут быть значительными и здесь.

В итоге всё это означает, что практическая надёжность двух разных накопителей с одинаковой флеш-памятью может очень заметно различаться лишь за счет различных внутренних алгоритмов и оптимизаций. Поэтому, говоря о ресурсе современного SSD, нужно понимать, что этот параметр определяется не только и не столько выносливостью ячеек памяти, сколько тем, насколько бережно с ними обращается контроллер.

Алгоритмы работы контроллеров SSD постоянно совершенствуются. Разработчики не только стараются оптимизировать объём операций записи в флеш-память, но и занимаются внедрением более эффективных методов цифровой обработки сигналов и коррекции ошибок чтения. К тому же некоторые из них прибегают к выделению на SSD обширной резервной области, за счёт чего нагрузка на ячейки NAND дополнительно снижается. Всё это тоже сказывается на ресурсе. Таким образом, в руках у производителей SSD оказывается масса рычагов для влияния на то, какую итоговую выносливость будет демонстрировать их продукт, и ресурс флеш-памяти – лишь один из параметров в этом уравнении. Именно поэтому проведение тестов выносливости современных SSD и вызывает такой интерес: несмотря на повсеместное внедрение NAND-памяти с относительно невысокой выносливостью, актуальные модели совершенно необязательно должны иметь меньшую надёжность по сравнению со своими предшественниками. Прогресс в контроллерах и используемых ими методах работы вполне способен компенсировать хлипкость современной флеш-памяти. И именно этим исследование актуальных потребительских SSD и интересно. По сравнению с SSD прошлых поколений неизменным остаётся лишь только одно: ресурс твердотельных накопителей в любом случае конечен. Но как он поменялся за последние годы – как раз и должно показать наше тестирование.

⇡#Методика тестирования

Суть тестирования выносливости SSD очень проста: нужно непрерывно перезаписывать данные в накопителях, пытаясь на практике установить предел их выносливости. Однако простая линейная запись не совсем отвечает целям тестирования. В предыдущем разделе мы говорили о том, что современные накопители имеют целый букет технологий, направленных на снижение коэффициента усиления записи, а кроме того, они по-разному выполняют процедуры сборки мусора и выравнивания износа, а также по-разному реагируют на команду операционной системы TRIM. Именно поэтому наиболее правильным подходом является взаимодействие с SSD через файловую систему с примерным повторением профиля реальных операций. Только в этом случае мы сможем получить результат, который обычные пользователи могут рассматривать в качестве ориентира.

Поэтому в нашем тесте выносливости мы используем отформатированные с файловой системой NTFS накопители, на которых непрерывно и попеременно создаются файлы двух типов: мелкие – со случайным размером от 1 до 128 Кбайт и крупные – со случайным размером от 128 Кбайт до 10 Мбайт. В процессе теста эти файлы со случайным заполнением множатся, пока на накопителе остаётся более 12 Гбайт свободного места, по достижении же этого порога все созданные файлы удаляются, делается небольшая пауза и процесс повторяется вновь. Помимо этого, на испытуемых накопителях одновременно присутствует и третий тип файлов – постоянный. Такие файлы общим объёмом 16 Гбайт в процессе стирания-перезаписи не участвуют, но используются для проверки правильной работоспособности накопителей и стабильной читаемости хранимой информации: каждый цикл заполнения SSD мы проверяем контрольную сумму этих файлов и сверяем её с эталонным, заранее рассчитанным значением.

Описанный тестовый сценарий воспроизводится специальной программой Anvil’s Storage Utilities версии 1.1.0, мониторинг состояния накопителей проводится при помощи утилиты CrystalDiskInfo версии 7.0.2. Тестовая система представляет собой компьютер с материнской платой ASUS B150M Pro Gaming, процессором Core i5-6600 со встроенным графическим ядром Intel HD Graphics 530 и 8 Гбайт DDR4-2133 SDRAM. Приводы с SATA-интерфейсом подключаются к контроллеру SATA 6 Гбит/с, встроенному в чипсет материнской платы, и работают в режиме AHCI. Используется драйвер Intel Rapid Storage Technology (RST) 14.8.0.1042.

Список моделей SSD, принимающих участие в нашем эксперименте, к настоящему моменту включает уже более пяти десятков наименований:

1. ADATA XPG Gammix S11 (AGAMMIXS11-240GT-C, прошивка SVN139B);
2. ADATA XPG SX950 (ASX950SS-240GM-C, прошивка Q0125A);
3. ADATA Ultimate SU700 256 Гбайт (ASU700SS-256GT-C, прошивка B170428a);
4. ADATA Ultimate SU800 256 Гбайт (ASU800SS-256GT-C, прошивка P0801A);
5. ADATA Ultimate SU900 256 Гбайт (ASU900SS-512GM-C, прошивка P1026A);
6. Crucial BX500 240 Гбайт (CT240BX500SSD1, прошивка M6CR013);
7. Crucial MX300 275 Гбайт (CT275MX300SSD1, прошивка M0CR021);
8. Crucial MX500 250 Гбайт (CT250MX500SSD1, прошивка M3CR010);
9. GOODRAM CX300 240 Гбайт ( SSDPR-CX300-240, прошивка SBFM71.0);
10. GOODRAM Iridium Pro 240 Гбайт ( SSDPR-IRIDPRO-240, прошивка SAFM22.3);
11. Intel Optane SSD 900P 280 Гбайт (SSDPED1D280GAX1, прошивка E2010325);
12. Intel SSD 545s 256 Гбайт (SSDSC2KW256G8, прошивка LHF002C);
13. Intel SSD 600p 256 Гбайт (SSDPEKKW256G7, прошивка PSF121C);
14. Intel SSD 760p 512 Гбайт (SSDPEKKW512G8, прошивка 001C);
15. KingDian S280 240 Гбайт (S280-240GB, прошивка O1230C);
16. Kingspec NE 240 Гбайт (NE-240, прошивка Q1205A0);
17. Kingston A400 240 Гбайт ( SA400S37/240G, прошивка SBFK71B1);
18. Kingston A1000 240 Гбайт ( SA1000M8/240G, прошивка E8FK11.L);
19. Kingston HyperX Savage 240 Гбайт (SHSS37A/240G, прошивка SAFM02.H);
20. Kingston KC1000 240 Гбайт (SKC1000/240G, прошивка E7FT04.6);
21. Kingston SSDNow V300 240 Гбайт (SV300S37A/240G, прошивка 60AABBF0);
22. Kingston SSDNow UV400 240 Гбайт (SUV400S37/240G, прошивка 0C3J96R9);
23. Lite-On MU3 ROCK 240 Гбайт (ECE-240NAS, прошивка PCM0301);
24. Plextor M7V 256 Гбайт (PX-256M7VC, прошивка 1.02);
25. Plextor M8Pe 256 Гбайт (PX-256M8PeG, прошивка 1.06);
26. Plextor M9Pe 256 Гбайт (PX-256M9PeG, прошивка 1.04);
27. Plextor S2C 256 Гбайт (PX-256S2C, прошивка 1.03);
28. Plextor S3C 256 Гбайт (PX-256S3C, прошивка 1.00);
29. Samsung 970 EVO 250 Гбайт (MZ-V7E250, прошивка 1B2QEXE7);
30. Samsung 960 EVO 250 Гбайт (MZ-V6E250, прошивка 2B7QCXE7);
31. Samsung 860 PRO 256 Гбайт (MZ-76P256, прошивка RVM01B6Q);
32. Samsung 850 PRO 256 Гбайт (MZ-7KE256, прошивка EXM04B6Q);
33. Samsung 850 EVO 250 Гбайт второго поколения (MZ-75E250, прошивка EMT02B6Q);
34. Samsung 850 EVO 250 Гбайт третьего поколения (MZ-75E250, прошивка EMT03B6Q);
35. Samsung 860 EVO 250 Гбайт (MZ-76E250, прошивка прошивка RVT01B6Q);
36. Samsung 750 EVO 250 Гбайт (MZ-750250, прошивка MAT01B6Q);
37. SanDisk Ultra II 240 Гбайт (SDSSDHII-240G-G25, прошивка X41200RL);
38. SanDisk Ultra 3D 250 Гбайт (SDSSDH3-250G-G25, прошивка X61110RL);
39. Smartbuy Climb 256 Гбайт (SB256GB-CLB-25SAT3, прошивка P1205E);
40. Smartbuy Ingition PLUS 240 Гбайт (SB240GB-IGNP-25SAT3, прошивка SBFM00.6);
41. Smartbuy Leap 256 Гбайт (SB256GB-LP-25SAT3, прошивка V3.12);
42. Smartbuy Puls 256 Гбайт (SB256GB-PLS-25SAT3, прошивка SAFM13.2);
43. Smartbuy Revival 2 240 Гбайт (SB240GB-RVVL2-25SAT3, прошивка SBFM50.8);
44. Smartbuy Splash 2 240 Гбайт (SB240GB-SPLH2-25SAT3, прошивка V3.3);
45. Toshiba OCZ TL100 240 Гбайт (TL100-25SAT3-240G, прошивка SBFZ10.3);
46. Toshiba OCZ TR150 240 Гбайт (TRN150-25SAT3-240G, прошивка SAFZ12.3);
47. Toshiba OCZ VX500 256 Гбайт (VX500-25SAT3-256G, прошивка JYCX0101);
48. Transcend SSD230S 256 Гбайт (TS256GSSD230S, прошивка P1025F8);
49. Transcend SSD370S 256 Гбайт (TS256GSSD370S, прошивка O1225G);
50. Transcend SSD 110S 256 Гбайт (TS512GMTE110S, прошивка R0213A3);
51. Western Digital Blue SSD 250 Гбайт (WDS250G1B0A, прошивка X41000WD);
52. Western Digital Blue 3D NAND SSD 250 Гбайт (WDS500G2B0A, прошивка X61130WD);
53. Western Digital Green SSD 240 Гбайт (WDS240G1G0A, прошивка Z3311000).

Стоит отметить, что в наши планы не входит быстро завершать наше тестирование выносливости, напротив, мы постараемся сделать его постоянным и охватывающим наиболее интересные свежие модели SSD, появляющиеся на рынке. Поэтому приведённый выше список по мере возможности и с учётом пожеланий читателей и производителей SSD будет постепенно пополняться.