Группа китайских производителей чипов во главе с Huawei Technologies при поддержке правительства Китая планирует к 2026 году начать производство микросхем памяти HBM (High Bandwidth Memory), которые являются одним из ключевых компонентов ускорителей искусственного интеллекта. Этот проект является частью усилий Китая по созданию отечественных альтернатив чипам искусственного интеллекта Nvidia.

В последние годы Китай инвестировал огромные средства в развитие отечественной полупроводниковой промышленности с целью уменьшить свою зависимость от иностранных технологий и преодолеть экспортные ограничения США. Хотя чипы HBM непосредственно не подпадают под эти ограничения, они производятся с использованием технологии, доступ к которой Huawei закрыт из-за американских санкций.

Основными участниками проекта, стартовавшего в прошлом году, стали производитель микросхем памяти Fujian Jinhua Integrated Circuit и Huawei. Обе компании находятся под санкциями США. К проекту также привлечены другие китайские производители чипов и разработчики технологий их упаковки. Они будут работать над адаптацией своих чипов памяти для процессоров искусственного интеллекта, разработанных Huawei, и предоставят вспомогательные компоненты для печатных плат.

По сообщениям осведомлённых источников, консорциум под руководством Huawei уже создал как минимум две производственные линии для изготовления памяти HBM, используя компоненты разных поставщиков и провоцируя внутреннюю конкуренцию. Сама Huawei, вероятно, станет крупнейшим покупателем HBM.

В одном из апрельских номеров журнала Nature вышла статья учёных из Южной Кореи, в которой было рассказано об одной очень перспективной разработке. Открытие можно представить как обнаружение Святого Грааля в области памяти — ячеек, которые одновременно и быстрые как DRAM, и энергонезависимые как NAND. По самым скромным оценкам, новая память потребляет в 15 раз меньше, чем выпускаемые сегодня аналоги, а выпускать её — дешевле некуда. Не память, а мечта.

Слева современная PCM, справа — новая разработка. Источник изображений: Nature

Сразу поясним, речь идёт о памяти с фазовым переходом или PCM (phase-change memory). Ячейка PCM представляет собой некий объём вещества, которое может находиться либо в аморфном состоянии, либо в кристаллическом. В первом случае движения электронов в ячейке нет — там настоящий хаос, а во втором — это упорядоченная структура, которая способна проводить ток. От одного к другому состоянию ячейка переходит с помощью локального нагрева, что изначально сложно назвать энергоэффективным решением. Спасают только самые передовые техпроцессы, когда ячейка выходит максимально маленькой, и заказчики, которые готовы, не торгуясь, платить за устойчивую к разным влияниям среды память, например, нечувствительную к радиации.

Теоретически памятью PCM можно считать незаслуженно вычеркнутую из планов Intel память 3D XPoint (Optane), хотя её также можно отнести и к ReRAM или к резистивной памяти. В принципе, суть остаётся той же, и у неё точно те же проблемы — это дорогое производство и плохое масштабирование.

Но списывать PCM со счетов ещё рано. Учёные с Факультета электротехники университета KAIST разработали техпроцесс, в ходе которого PCM-переход образуется электрическим методом (в ходе миграции атомов вещества, по-видимому). Для такого производства не нужны дорогая литография и всё самое лучшее. С помощью нового техпроцесса размеры перехода удалось снизить до 5 нм. И это при том, что производители памяти за 20 с небольшим лет разработки и производства PCM приблизились только к 40-нм ячейкам, используя распространённые в производстве техпроцессы.

Очевидно, что 5-нм ячейка PCM будет потреблять меньше 40-нм. В ходе опытов прототип новой памяти PCM, которая «быстрая, как DRAM и энергонезависимая, как NAND-флеш», показал энергопотребление в 15 раз меньше, чем в случае современных аналогов.

«Разработанное нами устройство памяти с фазовым переходом имеет большое значение, поскольку оно предлагает новый подход к решению проблем при производстве устройства памяти при значительно повышенных производственных затратах и энергоэффективности. Мы ожидаем, что результаты нашего исследования станут основой электронной инженерии будущего, позволяя реализовывать различные продукты, включая трёхмерную вертикальную память высокой плотности и нейроморфные вычислительные системы, поскольку оно открыло возможности выбора из множества материалов», — скромно представили новинку разработчики, которая, в случае успеха, тянет на революцию в области оперативного и долговременного хранения данных.

Один из крупнейших в мире производителей чипов памяти, южнокорейская компания SK Hynix объявила в среду о планах инвестировать 5,3 трлн вон (около $3,86 млрд) в строительство завода по производству памяти DRAM в Южной Корее, пишет агентство Reuters. Компания отметила, что новый производственный объект будет в основном сосредоточен на выпуске микросхем памяти класса HBM.

Источник изображения: SK Hynix

Являющаяся одним из основных партнёров Nvidia, SK Hynix планируют начать строительство завода под названием M15X в конце апреля с тем, чтобы начать массовое производство чипов памяти в ноябре 2025 года.

Согласно прогнозу SK Hynix, рынок HBM будет расти более чем на 60 % в год, при этом спрос на DRAM общего назначения будет постоянно увеличиваться, особенно на чипы большой ёмкости для серверов.

SK Hynix указала в заявлении, что с учётом запланированного постепенного увеличения инвестиций в оборудование общий объём вложений в новый завод в Южной Корее в долгосрочной перспективе составит более 20 трлн вон (около $14,6 млрд).

Напомним, что в прошлом году из-за спада на рынке микросхем SK Hynix сократила годовые инвестиции на 50 % и сообщила в октябре, что их рост в 2024 году будет минимальным. Несмотря на эту позицию, спрос на её чипы памяти HBM, используемые в ИИ-ускорителях, настолько высок, что существующие мощности компании полностью зарезервированы на этот год, и на большую часть следующего года, отмечено в сообщении SK Hynix.

Компания Samsung сообщила, что начала массовое производство флеш-памяти 3D V-NAND TLC 9-го поколения ёмкостью 1 Тбит. Новые чипы предлагают повышенную плотность и энергоэффективность по сравнению микросхемами памяти 3D V-NAND TLC 8-го поколения.

Источник изображения: Samsung

Производитель не уточнил количество слоёв, использующихся в составе памяти 3D V-NAND TLC 9-го поколения ёмкостью 1 Тбит, а также техпроцесс, который используется для их производства. Однако Samsung отметила, что благодаря самому компактному в отрасли размеру ячеек битовая плотность чипов 3D V-NAND TLC 9-го поколения была улучшена примерно на 50 % по сравнению с памятью 3D V-NAND TLC предыдущего поколения. Производитель также сообщил, что в новых микросхемах памяти применяется технология предотвращения помех, у ячеек увеличен срок службы, а отказ от фиктивных отверстий в токопроводящих каналах позволил значительно уменьшить планарную площадь ячеек памяти.

Флеш-память 3D V-NAND TLC 9-го поколения оснащена интерфейсом нового поколения Toggle 5.1, который увеличил скорость ввода/вывода данных на 33 % до 3,2 Гбит/с на контакт. Наряду с этим компания сократила энергопотребление на 10 % относительно прошлого поколения.

Во второй половине года Samsung планирует начать производство 3D V-NAND девятого поколения ёмкостью 1 Тбит с ячейками QLC.

Компания Samsung сообщила о разработке энергоэффективной оперативной памяти LPDDR5X DRAM, обладающей скоростью передачи данных до 10,7 Гбит/с на контакт, что является самым высоким показателем в индустрии. Конкуренты ничего подобного предложить пока что не могут.

Источник изображения: Samsung

Память Samsung LPDDR5X DRAM со скоростью 10,7 Гбит/с производится с применением 12-нм техпроцесса. Компания отмечает, что ей удалось разработать самые компактные чипы LPDDR5X на рынке.

Новая память Samsung не только обеспечивает на 25 % более высокую производительность и обладает на 30 % более высокой плотностью по сравнению с предыдущим поколением памяти LPDDR5X, но также позволяет увеличить ёмкость одного комплекта мобильной DRAM до 32 Гбайт, «что делает её оптимальным решением для устройств эпохи искусственного интеллекта, которым требуется высокопроизводительная, более ёмкая и энергоэффективная оперативная память».

Производитель отмечает, что его новая память LPDDR5X сочетает специализированные технологии энергосбережения, такие как оптимизированное изменение мощности, которое регулирует мощность в соответствии с рабочей нагрузкой, а также расширенные интервалы режима пониженного энергопотребления, которые продлевают периоды энергосбережения. Эти улучшения повышают энергоэффективность памяти на 25 % по сравнению с предыдущим поколением, что позволяет мобильным устройствам с её применением обеспечивать более продолжительное время автономной работы.

Массовое производство памяти Samsung LPDDR5X со скоростью 10,7 Гбит/с начнётся во второй половине текущего года, следом за всеми необходимыми проверками со стороны производителей мобильных платформ и устройств на их основе.

Компания Samsung Electronics начнёт массовое производство 290-слойных чипов флеш-памяти 9-го поколения 3D V-NAND уже в этом месяце, пишет южнокорейское издание Hankyung, ссылающееся на индустриальные источники. В следующем году производитель планирует выпустить 430-слойные чипы флеш-памяти NAND.

Источник изображений: Samsung

Чипы Samsung 3D V-NAND 9-го поколения с 290 слоями будут выпускаться с использованием технологии двойного штабелирования, которую Samsung впервые применила в 2020 году при производстве 176-слойных микросхем 3D NAND 7-го поколения. Метод подразумевает создание массива чипов 3D NAND на кремниевых пластин диаметром 300 мм, после чего две такие пластины накладываются друг на друга и спаиваются, а затем нарезаются на отдельные чипы, представляющие собой двойные стеки.

Ранее в полупроводниковой индустрии ходили разговоры, что производство чипов флеш-памяти NAND с количеством слоёв около 300 потребует укладки друг на друга трёх пластин из-за технологических ограничений метода двойного стека. Однако, как сообщается, Samsung усовершенствовала процесс двойного штабелирования и теперь будет использовать его для производства памяти NAND с 290–300 слоями.

Во второй половине следующего года компания собирается перейти к производству 10-го поколения флеш-памяти 3D V-NAND с 430 слоями. Именно здесь начнёт применяться укладка трёх пластин друг на друга, пишет южнокорейское издание, ссылающееся на данные исследовательской фирмы Tech Insights. Как отмечается, производитель собирается пропустить выпуск чипов памяти NAND с более чем 300 слоями и сразу перейти к производству 430-слойных микросхем.

Конкуренты Samsung тоже не сидят без дела. С начала следующего года SK hynix собирается начать массовый выпуск 321-слойных чипов флеш-памяти NAND, но будет для этого «спаивать» три пластины с чипами. Китайский производитель памяти YMTC, который в настоящий момент выпускает 232-слойную память NAND, планирует выйти на производство 300-слойных чипов памяти во второй половине текущего года.

Компания Corsair решила выйти на рынок оперативной памяти DDR5 для рабочих станций и представила четырёх- и восьмиканальные комплекты модулей оперативной памяти WS DDR5 RDIMM для систем на базе процессоров Intel Xeon Scalable 4-го поколения и AMD Ryzen Threadripper 7000.

Источник изображений: Corsair

Corsair предлагает широкий ассортимент комплектов оперативной памяти WS DDR5 RDIMM. Компания анонсировала комплекты из четырёх модулей по 16 Гбайт общим объёмом 64 Гбайт, из восьми 16-гигабитных модулей общим объёмом 128 Гбайт, из четырёх планок памяти по 32 Гбайт общим объёмом 128 Гбайт, а также восьмиканальный комплект из модулей памяти ёмкостью 32 Гбайт и общим объёмом 256 Гбайт.

Все новинки поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Для модулей памяти WS DDR5 RDIMM заявляется скорость до 6400 МТ/с с таймингами CL32-40-40-104 и рабочим напряжением 1,35 В.

На момент публикации данной заметки производитель сообщил стоимость только для комплекта из четырёх модулей DDR5-5600 ёмкостью 32 Гбайт общим объёмом 128 Гбайт. Она составляет $634,99. Также производитель указал стоимость четырёхканального комплекта DDR5-6400 общим объёмом 64 Гбайт. Она составляет $459,99.

Компания V-Color анонсировала двухканальные комплекты оперативной памяти Manta Xfinity RGB DDR5, для которых гарантирована поддержка работы со скоростью 8600 МТ/с через профили разгона Intel XMP 3.0. Совместимость, эффективность и стабильность работы памяти была подтверждена на двух материнских платах от компании ASRock.

Источник изображений: V-Color

Новые модули памяти V-Color Manta Xfinity объёмом 24 Гбайт поддерживают профиль разгона XMP DDR5-8600 с таймингами 40-54-54-132-186 и рабочим напряжением 1,45 В. Стабильность памяти проверялась на недавно представленных материнских платах ASRock Phantom Gaming Z790I Lightning WiFi и Phantom Gaming B760I Lightning WiFi формата Mini-ITX.

По данным V-Color, скорость 8600 МТ/с для памяти достигается при использовании процессоров Intel Core 14-го поколения (Raptor Lake Refresh). Компания не уточнила, возможна ли работа памяти при такой скорости с чипами Core 13-го (Raptor Lake) и 12-го (Alder Lake) поколений.

Производитель показал, что память работает с заявленными характеристиками в системах с процессорами Core i5-14600K и Core i9-14900K.

Появление в продаже модулей ОЗУ Manta Xfinity DDR5-8600 ожидается к середине июня. Стоимость компания не уточнила.

На прошлой неделе Тайвань пережил сильное землетрясение. Два дня назад появились сообщения, что производители памяти перестали публиковать контрактные цены на чипы DRAM, что вызвало беспокойство по поводу возможного повышения цен. Возможно, повышение действительно происходит, но свежий отчёт TrendForce указывает, что последствия землетрясения были устранены производителями DRAM в течение недели. А общее воздействие катаклизма на производство DRAM и вовсе оказалось минимальным — на уровне 1 %.

Источник изображения: Micron

В общей сложности TrendForce провела оценку пяти заводов по производству DRAM, принадлежащих четырём поставщикам, пострадавшим от землетрясения. В их число входят два завода Micron и по одному от Nanya, Winbond и PSMC. Ниже приведена таблица TrendForce с более подробным объяснением этих данных. Из неё следует, что к 8 апреля большинство производителей полностью или почти полностью восстановили выпуск продукции. В целом ситуация в этом сегменте отрасли выглядит оптимистично — по крайней мере, с точки зрения объёмов производства.

Источник изображения: TrendForce

На фоне подтверждённого предстоящего повышения цен на жёсткие диски и флеш-память NAND (по крайней мере, со стороны Western Digital) новости о том, что производители DRAM в основном уже оправились от землетрясения без серьёзных последствий безусловно кажутся поводом для оптимизма.

Хотя большинство производителей, за исключением SK hynix с её мобильной DRAM, до сих пор не обновили свои контрактные цены на память, предполагаемая аналитиками возможная корректировка цен ожидается «умеренной». TrendForce не изменила своего прошлого прогноза относительно ожидаемого роста цен на память DRAM. Во втором квартале он составит 3–8 %, считают эксперты.

Судя по всему, самый высокий потенциал повышения цен у памяти DDR3. Однако здесь всё объясняется, скорее, возрастом самого продукта и, следовательно, дефицитом. Также ожидается некоторый рост цен у высокопроизводительной серверной оперативной памяти. Каких-либо количественных оценок ожидаемого роста цен в этом сегменте памяти на данный момент нет. Однако как сообщается, основная часть ущерба у компании Micron была нанесена оборудованию для производства серверной оперативной памяти. Высокоскоростную память HBM компания Micron выпускает в Японии. На её производство землетрясение не повлияло.

На чипы памяти DDR4 и DDR5 для потребительского сегмента рост цен если и ожидается, то минимальный, поскольку на данную продукцию сейчас наблюдается самый низкий спрос. Большинство людей просто уже закупились памятью DDR4 или DDR5. По мнению TrendForce, с учётом больших запасов этой памяти на рынке «небольшое повышение цен, вызванное землетрясением, будет быстро отрегулировано».

Компания Corsair в рамках коллаборации с китайским производителем видеокарт Yeston представила модули оперативной памяти Vengeance Sakura DDR5. Компания Yeston известна своими необычными яркими дизайнами графических ускорителей, в которых используется тематика аниме.

Источник изображений: Corsair

Модули памяти Vengeance Sakura DDR5 своим внешним видом удачно дополнят системы, в которых установлены видеокарты Yeston. Планки памяти оснащены белыми радиаторами, на которые нанесены изображения девушек в стиле аниме и рисунки лепестков сакуры.

К сожалению, о технических характеристиках представленных модулей ОЗУ Vengeance Sakura DDR5 компания Corsair не говорит. Производитель лишь отмечает, что новинки предложат скорость от 6400 до 7200 МТ/с.

Источник изображения: Yeston

Радиаторы модулей ОЗУ оснащены ARGB-подсветкой. Также можно отметить, что сами платы модулей памяти чёрные, что контрастирует с белыми печатными платами видеокарт Yeston.

Компания Kioxia планирует перейти к массовому производству чипов флеш-памяти 3D NAND с более чем 1000 слоёв к 2031 году. Об этом, как пишет издание Xtech Nikkei, на лекции в ходе 71-го весеннего собрания Общества прикладной физики в Токийском университете сообщил технический директор Kioxia Хидефуми Миядзима (Hidefumi Miyajima). В рамках своего выступления он затронул вопросы, связанные с техническими проблемами и способами их решения для создания 1000-слойных чипов 3D NAND.

Источник изображения: Kioxia

Увеличение количества активных слоёв в чипах флеш-памяти 3D NAND в настоящее время является лучшим способом повысить плотность записи на такие микросхемы. Все производители памяти 3D NAND стремятся увеличивать количество слоёв в составе чипов с помощью более передовых техпроцессов каждые 1,5–2 года. Каждый переход на новый техпроцесс сопряжён с рядом проблем, поскольку производителям 3D NAND приходится не только увеличивать количество слоев, но также сжимать ячейки NAND как по горизонтали, так и по вертикали. Это требует от производителей использования новых материалов, что является настоящей головной болью для специалистов их научно-исследовательских центров.

На сегодняшний день самыми передовыми чипами флеш-памяти 3D NAND в ассортименте Kioxia являются BiCS 3D NAND 8-го поколения с 218 активными слоями и скоростью передачи данных 3,2 Гбит/с. Они были представлены производителем в марте 2023 года. В этом поколении флеш-памяти представлена новая архитектура CBA (CMOS directly Bonded to Array), предлагающая отдельное производство пластин массива ячеек памяти 3D NAND и пластин CMOS ввода-вывода, а затем их последующее объединение с помощью наиболее подходящих для этих целей технологий. В результате получается продукт с повышенной битовой плотностью и улучшенной скоростью ввода-вывода NAND, на основе которого можно создавать одни из самых лучших твердотельных накопителей на рынке.

Компания Kioxia и её производственный партнёр Western Digital не раскрывают всех подробностей архитектуры CBA. Неизвестно, включают ли CMOS-платы ввода-вывода дополнительные периферийные схемы NAND, такие как страничные буферы, усилители считывания и зарядовые насосы. Однако применение метода раздельного производства ячеек памяти и периферийных схем позволяет производителям использовать для создания того или иного компонента памяти 3D NAND наиболее эффективные технологические процессы.

Следует напомнить, что компания Samsung ещё в 2022 году подтвердила планы начать выпуск 1000-слойной флеш-памяти 3D NAND к 2030 году.

Данные берутся из публикации Core i5-14600K против Ryzen 7 7800X3D — кому нужнее хорошая память (такая как Adata XPG Lancer RGB DDR5-6000 2×16 Гбайт)

Эволюция флеш-памяти с точки зрения плотности хранения информации подразумевает, что чем больше зарядов (бит) хранятся в ячейке, тем ниже эксплуатационный ресурс такой памяти. Китайская компания YMTC не согласна с этим и утверждает, что её микросхемы 3D NAND типа QLC по своей долговечности способны превосходить ячейки памяти типа TLC.

Источник изображения: YMTC

Память QLC в одной ячейке способна хранить четыре бита информации, а TLC — только три, и исторически считалось, что последняя выигрывает с точки зрения своей долговечности по количеству циклов перезаписи. По информации ресурса ITHome, на которую ссылается Tom’s Hardware, компания YMTC заявляет для своих 128-слойных микросхем X3-6070 типа 3D QLC NAND ресурс в 4000 циклов перезаписи. Это как минимум сопоставимо с ресурсом микросхем TLC, достигаемым за счёт оптимизации на уровне контроллеров и применяемых при производстве памяти материалов.

Изначально было принято считать, что память типа QLC способна переносить от 100 до 1000 циклов перезаписи, но и здесь усилия крупных производителей привели к тому, что этот показатель заметно увеличился. YMTC сочла нужным акцентировать внимание на своих достижениях в этой области, хотя очевидно, что они не столь уж уникальны. Память YMTC данной серии уступает конкурирующим решениям по количеству слоёв, поскольку соперники предлагают 176-слойные и более продвинутые микросхемы QLC.

В составе твердотельного накопителя PC41Q потребительского класса YMTC использует 128-слойную память QLC серии X3-6070, предлагая скорости передачи информации до 5000 Мбайт/с и способность хранить информацию при температуре 30 градусов Цельсия на протяжении не менее чем одного года. Время наработки на отказ составит 2 млн часов. Данные показатели отстают от показателей современных SSD на памяти TLC. Тем не менее, компания YMTC даже готова использовать микросхемы QLC в твердотельных накопителях корпоративного класса, где важна надёжность и долговечность.

Обновлено: стоит отметить, что память TLC демонстрировала ресурс в 3000 циклов перезаписи ещё в 2018 году, а к настоящему моменту производители смогли добиться от неё значительно более высокой выносливости, вплоть до 10 тыс. циклов перезаписи.

По мнению специалистов TrendForce, во втором квартале контрактные цены на микросхемы NAND вырастут сразу на 13–18 %, и сильнее всего это скажется на стоимости твердотельных накопителей корпоративного класса. Из производителей NAND сейчас активнее всего наращивают объёмы выпуска Kioxia и Western Digital, остальные пока придерживаются консервативной стратегии. В первом квартале цены должны вырасти на 23–28 %.

Источник изображения: SK hynix

В этом отношении снижение темпов роста контрактных цен на флеш-память можно объяснить снижением спроса во втором квартале, но оно будет не столь существенным, чтобы переломить общую тенденцию к росту цен. Контрактные цены на микросхемы eMMC в первом квартале могут вырасти на 25–30 %, во втором квартале они вырастут ещё на 10–15 %, поскольку китайские производители смартфонов после опустошения складских запасов возобновляют закупку этих модулей памяти.

Память типа UFS востребована производителями смартфонов, реализующих свою продукцию на территории Индии и Юго-Восточной Азии, поэтому и её контрактная стоимость вырастет во втором квартале на 10–15 %. Цены на твердотельные накопители в корпоративном и потребительском сегменте в первом квартале выросли на 23–28 %, но во втором квартале именно корпоративный сегмент сохранит более высокую динамику цен на SSD, в диапазоне от 20 до 25 %. Это связано с тем, что клиенты в этом сегменте рынка стараются сформировать увеличенные запасы накопителей ко второму полугодию, когда они им понадобятся. В клиентском сегменте снижается спрос на SSD в связи с сезонными явлениями, цены во втором квартале вырастут от силы на 10–15 %.

Цены на кремниевые пластины с микросхемами 3D NAND в первом квартале выросли на 23–28 %, как считают аналитики TrendForce, а во втором спрос и предложения будут лучше сбалансированы, из-за чего рост цен на кремниевые пластины ограничится 5–10 %, во многом из-за снижения спроса на розничном рынке.

Компания Micron показала на конференции Nvidia GTC 2024 необычные модули оперативной памяти MCRDIMM объёмом 256 Гбайт. Данные модули с большой высотой предназначены для нового поколения серверных систем, в том числе на базе будущих процессоров Intel Xeon Scalable Granite Rapids. Micron сообщила, что уже начала рассылать образцы заинтересованным покупателям.

Источник изображений: Micron

Продемонстрированные производителем модули памяти MCRDIMM DDR5 объёмом 256 Гбайт работают со скоростью 8800 МГц. Они предназначены для серверных систем формата 1U. В основе указанных модулей памяти используются 32-гигабитные микросхемы DDR5. С каждой стороны такого модуля расположено по 40 чипов памяти. Энергопотребление одного модуля ОЗУ MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт составляет около 20 Вт, что относительно немного, учитывая, что ранее выпущенные тем же производителем модули DDR5-8000 RDIMM объёмом 128 Гбайт при стандартном профиле DDR5-4800 потребляют 10 Вт.

Multiplexer Combined Ranks (MCR) DIMM — тип двухранговых модулей ОЗУ, которые работают параллельно с двумя рангами благодаря использованию специального буфера. Этот буфер позволяет двум физическим рангам действовать так, как если бы они были двумя отдельными модулями памяти, работающими параллельно. Благодаря этому производительность таких модулей эффективно удваивается за счёт одновременного извлечения 128 байтов данных из обоих рангов за такт. Буфер работает со своим хост-контроллером памяти DDR5, что позволяет памяти работать на скорости выше, чем предусмотрено стандартом. В данном случае речь идёт о 8800 МТ/с.

Обычно модули с двумя физическими рангами функционируют как один модуль. Таким образом, центральный процессор или контроллер памяти за один такт извлекает только 64 байта данных. Память MCRDIMM удваивают это значение, тем самым существенно увеличивая ёмкость и производительность каждого модуля.

Тот факт, что Micron решила показать свои модули памяти MCRDIMM объёмом 256 Гбайт именно на конференции Nvidia GTC 2024, посвящённой ИИ, может говорить о том, что компания рассматривает этот продукт в качестве решения для ИИ-серверов нового поколения, например, на базе процессоров Intel Xeon Scalable Granite Rapids. Системы на их основе будут использовать огромные объёмы памяти для обучения ИИ-моделей, поэтому указанные модули ОЗУ придутся как нельзя кстати. Сами чипы Intel Xeon Scalable Granite Rapids будут поддерживать 12-канальный режим работы памяти по два модуля на канал. Таким образом, на основе модулей Micron можно будет создавать серверы с 3 Тбайт ОЗУ при использовании 12 слотов памяти и до 6 Тбайт ОЗУ при использовании 24 слотов памяти.