Данные берутся из публикации Core i5-14600K против Ryzen 7 7800X3D — кому нужнее хорошая память (такая как Adata XPG Lancer RGB DDR5-6000 2×16 Гбайт)

Эволюция флеш-памяти с точки зрения плотности хранения информации подразумевает, что чем больше зарядов (бит) хранятся в ячейке, тем ниже эксплуатационный ресурс такой памяти. Китайская компания YMTC не согласна с этим и утверждает, что её микросхемы 3D NAND типа QLC по своей долговечности способны превосходить ячейки памяти типа TLC.

Источник изображения: YMTC

Память QLC в одной ячейке способна хранить четыре бита информации, а TLC — только три, и исторически считалось, что последняя выигрывает с точки зрения своей долговечности по количеству циклов перезаписи. По информации ресурса ITHome, на которую ссылается Tom’s Hardware, компания YMTC заявляет для своих 128-слойных микросхем X3-6070 типа 3D QLC NAND ресурс в 4000 циклов перезаписи. Это как минимум сопоставимо с ресурсом микросхем TLC, достигаемым за счёт оптимизации на уровне контроллеров и применяемых при производстве памяти материалов.

Изначально было принято считать, что память типа QLC способна переносить от 100 до 1000 циклов перезаписи, но и здесь усилия крупных производителей привели к тому, что этот показатель заметно увеличился. YMTC сочла нужным акцентировать внимание на своих достижениях в этой области, хотя очевидно, что они не столь уж уникальны. Память YMTC данной серии уступает конкурирующим решениям по количеству слоёв, поскольку соперники предлагают 176-слойные и более продвинутые микросхемы QLC.

В составе твердотельного накопителя PC41Q потребительского класса YMTC использует 128-слойную память QLC серии X3-6070, предлагая скорости передачи информации до 5000 Мбайт/с и способность хранить информацию при температуре 30 градусов Цельсия на протяжении не менее чем одного года. Время наработки на отказ составит 2 млн часов. Данные показатели отстают от показателей современных SSD на памяти TLC. Тем не менее, компания YMTC даже готова использовать микросхемы QLC в твердотельных накопителях корпоративного класса, где важна надёжность и долговечность.

Обновлено: стоит отметить, что память TLC демонстрировала ресурс в 3000 циклов перезаписи ещё в 2018 году, а к настоящему моменту производители смогли добиться от неё значительно более высокой выносливости, вплоть до 10 тыс. циклов перезаписи.

По мнению специалистов TrendForce, во втором квартале контрактные цены на микросхемы NAND вырастут сразу на 13–18 %, и сильнее всего это скажется на стоимости твердотельных накопителей корпоративного класса. Из производителей NAND сейчас активнее всего наращивают объёмы выпуска Kioxia и Western Digital, остальные пока придерживаются консервативной стратегии. В первом квартале цены должны вырасти на 23–28 %.

Источник изображения: SK hynix

В этом отношении снижение темпов роста контрактных цен на флеш-память можно объяснить снижением спроса во втором квартале, но оно будет не столь существенным, чтобы переломить общую тенденцию к росту цен. Контрактные цены на микросхемы eMMC в первом квартале могут вырасти на 25–30 %, во втором квартале они вырастут ещё на 10–15 %, поскольку китайские производители смартфонов после опустошения складских запасов возобновляют закупку этих модулей памяти.

Память типа UFS востребована производителями смартфонов, реализующих свою продукцию на территории Индии и Юго-Восточной Азии, поэтому и её контрактная стоимость вырастет во втором квартале на 10–15 %. Цены на твердотельные накопители в корпоративном и потребительском сегменте в первом квартале выросли на 23–28 %, но во втором квартале именно корпоративный сегмент сохранит более высокую динамику цен на SSD, в диапазоне от 20 до 25 %. Это связано с тем, что клиенты в этом сегменте рынка стараются сформировать увеличенные запасы накопителей ко второму полугодию, когда они им понадобятся. В клиентском сегменте снижается спрос на SSD в связи с сезонными явлениями, цены во втором квартале вырастут от силы на 10–15 %.

Цены на кремниевые пластины с микросхемами 3D NAND в первом квартале выросли на 23–28 %, как считают аналитики TrendForce, а во втором спрос и предложения будут лучше сбалансированы, из-за чего рост цен на кремниевые пластины ограничится 5–10 %, во многом из-за снижения спроса на розничном рынке.

Компания Micron показала на конференции Nvidia GTC 2024 необычные модули оперативной памяти MCRDIMM объёмом 256 Гбайт. Данные модули с большой высотой предназначены для нового поколения серверных систем, в том числе на базе будущих процессоров Intel Xeon Scalable Granite Rapids. Micron сообщила, что уже начала рассылать образцы заинтересованным покупателям.

Источник изображений: Micron

Продемонстрированные производителем модули памяти MCRDIMM DDR5 объёмом 256 Гбайт работают со скоростью 8800 МГц. Они предназначены для серверных систем формата 1U. В основе указанных модулей памяти используются 32-гигабитные микросхемы DDR5. С каждой стороны такого модуля расположено по 40 чипов памяти. Энергопотребление одного модуля ОЗУ MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт составляет около 20 Вт, что относительно немного, учитывая, что ранее выпущенные тем же производителем модули DDR5-8000 RDIMM объёмом 128 Гбайт при стандартном профиле DDR5-4800 потребляют 10 Вт.

Multiplexer Combined Ranks (MCR) DIMM — тип двухранговых модулей ОЗУ, которые работают параллельно с двумя рангами благодаря использованию специального буфера. Этот буфер позволяет двум физическим рангам действовать так, как если бы они были двумя отдельными модулями памяти, работающими параллельно. Благодаря этому производительность таких модулей эффективно удваивается за счёт одновременного извлечения 128 байтов данных из обоих рангов за такт. Буфер работает со своим хост-контроллером памяти DDR5, что позволяет памяти работать на скорости выше, чем предусмотрено стандартом. В данном случае речь идёт о 8800 МТ/с.

Обычно модули с двумя физическими рангами функционируют как один модуль. Таким образом, центральный процессор или контроллер памяти за один такт извлекает только 64 байта данных. Память MCRDIMM удваивают это значение, тем самым существенно увеличивая ёмкость и производительность каждого модуля.

Тот факт, что Micron решила показать свои модули памяти MCRDIMM объёмом 256 Гбайт именно на конференции Nvidia GTC 2024, посвящённой ИИ, может говорить о том, что компания рассматривает этот продукт в качестве решения для ИИ-серверов нового поколения, например, на базе процессоров Intel Xeon Scalable Granite Rapids. Системы на их основе будут использовать огромные объёмы памяти для обучения ИИ-моделей, поэтому указанные модули ОЗУ придутся как нельзя кстати. Сами чипы Intel Xeon Scalable Granite Rapids будут поддерживать 12-канальный режим работы памяти по два модуля на канал. Таким образом, на основе модулей Micron можно будет создавать серверы с 3 Тбайт ОЗУ при использовании 12 слотов памяти и до 6 Тбайт ОЗУ при использовании 24 слотов памяти.

На мероприятии Nvidia GTC 2024 компания Samsung представила чипы GDDR7, но оказалась не единственной с этой новинкой — собственные чипы видеопамяти продемонстрировала и SK hynix, заявив о более продвинутых в сравнении с продукцией конкурента технических характеристиках, обратил внимание ресурс Hardwareluxx.

Источник изображения: hardwareluxx.de

Модули памяти Samsung, предназначенные для игровых видеокарт нового поколения, поддерживают скорость до 32 Гбит/с, но на практике они будут ограничены показателем 28 Гбит/с. Компания SK hynix сделала шаг вперёд и подтвердила разработку модулей, поддерживающих ещё более высокие скорости. Если ранее Samsung говорила о 37 Гбит/с, то SK hynix, как стало известно, готова добиться показателя в 40 Гбит/с — такова установленная компанией целевая производительность для семейства GDDR7.

Кроме того, SK hynix рассказала о планах наладить выпуск чипов объёмом 16 и 24 Гбит — это позволит AMD и Nvidia внедрять новые конфигурации памяти, сохраняя при этом число чипов на борту. Память стандарта GDDR7 дебютирует на видеокартах Nvidia GeForce RTX 50-й серии, которые, как ожидается, выйдут на рынок к концу текущего года. Скорость чипов памяти в этих видеокартах составит 28 Гбит/с, а показатели в 32 Гбит/с и выше, вероятно, будут достигнуты в будущих поколениях. Скорость в 40 Гбит/с едва ли можно будет увидеть в потребительской продукции, но она может быть снижена на 10 %, и это, пожалуй, более реалистичный сценарий.

Western Digital представила твердотельные накопители PC SN5000S на базе чипов флеш-памяти QLC, которые демонстрируют более высокую производительность по показателям скорости чтения и записи, чем предшественники на базе заведомо более скоростной памяти TLC.

Источник изображений: Western Digital

PC SN5000S — новейшая серия потребительских твердотельных накопителей объёмом до 2 Тбайт, выпускающихся компанией в полноразмерном формате M.2 2280 и компактном формате M.2 2230. Серия пришла на замену накопителям PC SN740, предлагающимся в тех же объёмах и разъёмах.

Модель Western Digital PC SN5000S объёмом 2 Тбайт с памятью QLC по скорости записи до 16,5 %, а по скорости чтения до 15,5 % быстрее по сравнению с моделью SN740 того же объёма, но с памятью TLC. Модель SN740 объёмом 1 Тбайт по-прежнему чуть быстрее по записи, чем SN5000S, но по скорости чтения отстаёт от новинки на 14,3 %. Преимуществом накопителя SN5000S объёмом 2 Тбайт над предшественником также является на 100 TBW (терабайт перезаписанной информации) более высокий запас ресурса работы. Однако ресурс нового SSD объёмом 1 Тбайт на 100 TBW ниже (300 TBW против 400 TBW у SN740 того же объёма). Недостатком новой серии SSD также можно считать чуть более высокий показатель энергопотребления.

Источник изображения: Tom's Hardware

Как правило, накопители на базе флеш-памяти NAND QLC отстают от SSD на базе других типов флеш-памяти. Объясняется это тем, что память QLC хранит четыре бита информации в одной ячейке, что сказывается на итоговой производительности не в лучшую сторону. Напомним, что флеш-память SLC хранит один бит информации на ячейку, MLC-память — два бита информации, а TLC — три бита. Чем меньше битов хранится в ячейке, тем она быстрее и долговечнее. Хотя возможность хранения большего количества битов на ячейку увеличивает плотность памяти, необходимость чтения и записи большего количества битов приводит к снижению производительности и в целом повышает износ памяти NAND.

Для улучшения производительности накопителей на базе памяти QLC и других многоразрядных типов памяти NAND существует несколько способов. Пожалуй, самым очевидным является использование кеш-памяти SLC в составе накопителя. Хотя QLC, как уже говорилось выше, хранит четыре бита информации в ячейке, накопителю при наличии кеш-памяти SLC необязательно заполнять все четыре бита информации при записи. SSD будут работать гораздо лучше, если обозначить часть ячеек памяти в качестве псевдо-SLC. Правда, для этого занимаются пустые ячейки, что в конечном итоге сокращает доступный объём самого SSD.

Несмотря на недостатки памяти QLC и других многоразрядных типов флеш-памяти NAND некоторые производители, например, Samsung, заинтересованы в дальнейшем развитии этой технологии. Так как обычным потребителям не всегда нужна лучшая производительность и надёжность, а при выборе SSD предпочтение чаще отдаётся исходя из цены и объёма накопителя, модели SSD на базе памяти QLC обычно являются наиболее экономичным выбором покупателя. В свою очередь, накопители на памяти SLC с низкой плотностью лучше подходят для серверов, где высокая производительность и надёжность оказываются гораздо полезнее.

Компания Crucial выпустит для ноутбуков модули памяти SO-DIMM DDR5 нестандартного объёма — 12 Гбайт. Информация о необычной новинке была обнаружена в базе данных торговой площадки Amazon.

Источник изображений: Crucial

Изначально модули ОЗУ стандарта DDR5 выпускались в объёмах 8, 16 и 32 Гбайт. Спустя год с момента релиза Intel и AMD добавили для своих актуальных платформ поддержку модулей памяти объёмом 24 и 48 Гбайт. Недавно производители начали выпускать модули ОЗУ большого объёма 64 Гбайт для энтузиастов. Таким образом, в обычной домашней системе теперь можно использовать до 256 Гбайт оперативной памяти. Скоро на рынке появится ещё один вариант — модули памяти на 12 Гбайт. Правда, речь идёт только модулях SO-DIMM для ноутбуков и компактных ПК с поддержкой такого формата ОЗУ.

Первые модули необычного объёма собирается выпустить компания Crucial. Производитель предложит планки памяти объёмом 12 Гбайт с частотой от 4800 и 5200 МГц. Новинки будут продаваться как по одному модулю, так и в составе двухканальных комплектов.

Согласно данным британского подразделения Amazon, одиночный модуль памяти Crucial 12 Гбайт DDR5-5600 (CT12G56C46S5) будет предлагаться за 45 британских фунтов. Комплект на 24 Гбайт из двух 12-Гбайт модулей DDR5-5600 (CT2K12G56C46S5) оценивается в 88 британских фунтов.

По данным Amazon, поставки модулей памяти Crucial объёмом 12 Гбайт начнутся с 31 марта.

Условия ведения бизнеса порой меняются так, что компании вынуждены пересматривать ранее принятые решения и менять их на противоположные. Купив в 2016 году за $19 млрд компанию SanDisk, сейчас Western Digital готовится отделить бизнес по выпуску флеш-памяти от бизнеса по выпуску жёстких дисков. Подготовка к завершению реструктуризации идёт полным ходом и завершится разделением компании во второй половине этого года.

Источник изображения: Western Digital

Об этом на страницах официального сайта Western Digital сообщил генеральный директор Дэвид Геклер (David Goeckeler). Соответствующее решение было принято в конце октября прошлого года — как считается, в результате провала инициативы Western Digital по покупке активов компании Kioxia, выпускающей твердотельную память. Сейчас, по словам Геклера, его компания успешно разделяет документооборот с клиентами между будущими независимыми компаниями, на которые Western Digital поделится во втором полугодии. Во всех 18 странах присутствия ведётся реформирование организационной структуры и бизнес-процессов. Компания также готовится к подаче необходимых документов государственным регуляторам в регионах присутствия, включая США.

Выбран уже и кандидат на пост генерального директора компании, которая после разделения бизнеса Western Digital продолжит выпускать жёсткие диски. Её возглавит действующий исполнительный вице-президент по глобальным операциям Ирвинг Тан (Irving Tan), занимающий эту должность с февраля 2020 года. Прочие кадровые назначения будут сделаны ближе к моменту завершения реструктуризации компании.

Комитет стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC) принял новый стандарт памяти JESD239 Graphics Double Data Rate (GDDR7) SGRAM. Микросхемы памяти GDDR7 обеспечат вдвое большую пропускную способность по сравнению с GDDR6 —до 192 Гбайт/с на чип, что должно удовлетворить спрос на скоростную память не только в игровом сегменте, но и на рынке высокопроизводительных вычислений и ИИ.

Источник изображения: Samsung

Стандарт JESD239 GDDR7 является первым стандартом JEDEC для памяти DRAM, в котором используется технология интерфейса импульсно-амплитудной модуляции (PAM) для высокочастотных операций. В GDDR7 используется версия PAM3, которая улучшает соотношение сигнал/шум (SNR) для работы на высоких частотах, одновременно повышая энергоэффективность модулей памяти. Благодаря использованию трёх уровней (+1, 0, -1) для передачи трёх битов за два цикла по сравнению с традиционным интерфейсом NRZ (без возврата к нулю), где реализована передача двух битов за два цикла, PAM3 обеспечивает более высокую скорость передачи данных за один цикл, что приводит к улучшению производительности.

Другими особенностями памяти GDDR7 являются:

• независимые от ядра шаблоны тренировки LFSR (регистр сдвига с линейной обратной связью) и счетчики ошибок для повышения точности и сокращения времени тренировки;
• удвоение числа независимых каналов с двух до четырёх по сравнению с GDDR6;
• поддержка плотности чипов от 16 до 32 Гбит, включая поддержку двухканального режима для удвоения пропускной способности системы;
• удовлетворение потребности рынка в надёжном, доступном и удобном в обслуживании решения за счёт внедрения новейших функций обеспечения целостности данных, включая ECC на кристалле (ODECC) с отчётами об ошибках в реальном времени, проверкой данных, проверкой ошибок и очисткой, а также чётности адресов команд с блокировкой команд (CAPARBLK).

В пресс-релизе JEDEC отмечается, что ведущие производители памяти, включая Micron, Samsung и SK hynix, а также компании AMD и NVIDIA, выпускающие продукты на основе их решений, выразили интерес к новому стандарту памяти GDDR7.

Компания V-Color анонсировала новый комплект оперативной памяти OC R-DIMM Octo-Kit DDR5 для платформы AMD WRX90, предназначенной для процессоров Ryzen Threadripper 7000 для высокопроизводительных настольных компьютеров (HEDT), а также Ryzen Threadripper PRO 7000 для рабочих станций. Примечательной особенностью нового комплекта является его объём в 768 Гбайт.

Источник изображений: V-Color

В рамках комплекта OC R-DIMM Octo-Kit DDR5 компания V-Color готова предложить 8 модулей ОЗУ объёмом от 16 Гбайт до 96 Гбайт. Таким образом, общий объём одного комплекта памяти может составлять от 128 до 768 Гбайт. Производитель предлагает модули памяти со скоростью от 5600 до 7200 МГц. Все поддерживают профили разгона AMD EXPO, поскольку платформа AMD WRX90 рассчитана на разгон.

Память не оснащается радиаторами охлаждения. Однако для компонентов элементов питания RCD & PMIC производитель предусмотрел наличие компактного теплового щита.

Производитель отмечает, что комплекты OC R-DIMM Octo-Kit DDR5 протестированы на материнских платах ASRock WRX90 WS EVO, ASUS Pro WS WRX90E-SAGE SE и решениях компании Supermicro, где показали свою высокую эффективность. Новый комплект ОЗУ разработан специально для использования с процессорами AMD Ryzen Threadripper PRO 7000.

Предзаказы на комплект памяти OC R-DIMM Octo-Kit DDR5 начнут принимать с 5 марта на официальном сайте V-Color. Полноценный старт продаж состоится в середине текущего месяца. Цены варьируются от $1049,99 за комплект памяти DDR5-5600 общим объёмом 128 Гбайт (8x16 Гбайт) и до $4919,99 за набор из восьми модулей DDR5-6000 общим объёмом 768 Гбайт (8x96 Гбайт).

Компания Micron представила на выставке MWC 2024 самые компактные микросхемы флеш-памяти стандарта UFS 4.0, предназначенные для смартфонов, планшетов и других мобильных устройств. Размеры упаковки чипа составляет всего 9 × 13 мм. Они будут выпускаться в объёмах до 1 Тбайт и предложат скорости последовательного чтения и записи до 4300 и 4000 Мбайт/с соответственно.

Источник изображений: Micron

Новые микросхемы памяти Micron UFS 4.0 построены на базе 232-слойных чипов 3D TLC NAND. Сокращение размеров микросхем компания объясняет потребностью производителей смартфонов и других мобильных устройств в оснащении своих продуктов более крупными батареями. Новые микросхемы памяти стандарта UFS 4.0 от компании Micron являются результатом совместных усилий специалистов компании из лабораторий в США, Китае и Южной Корее.

Площадь новых микросхем сократилась на 20 % по сравнению с чипами UFS производителя, выпущенных в июне прошлого года. Компания заявляет, что сокращение размера микросхем также привело к снижению их энергопотребления, но без потери в общей производительности. В новых чипах памяти Micron используется новая проприетарная технология HPM (High-Performance Mode), которая оптимизирует производительность памяти при интенсивном использовании смартфона и повышает её скорость работы на 25 %.

Micron сообщила, что уже начала поставки образцов памяти UFS 4.0 OEM-производителям устройств. Компания предлагает микросхемы ёмкостью 256 и 512 Гбайт, а также объёмом 1 Тбайт.

Компания Micron сообщила о старте массового производства высокопроизводительной памяти HBM3E в формате 8-этажных стеков объёмом 24 Гбайт. Такие микросхемы будут использоваться в составе специализированных ИИ-ускорителей NVIDIA H200, массовые поставки которых начнутся во втором календарном квартале 2024 года.

Источник изображения: Microsoft

В Micron заявляют, что растущий спрос на ИИ-вычисления требует новых высокопроизводительных решений в вопросе памяти. Новые микросхемы HBM3E от Micron полностью отвечают этим требованиям.

Для своих 8-слойных стеков памяти HBM3E объёмом 24 Гбайт компания Micron заявляет скорость передачи данных в 9,2 Гбит/с на контакт и пропускную способность более 1,2 Тбайт/с. По словам Micron, её чипы памяти HBM3E до 30 % энергоэффективнее аналогичных решений от других производителей.

Компания также отмечает, что большая ёмкость в 24 Гбайт чипов памяти HBM3E позволяет центрам обработки данных беспрепятственно масштабировать свои задачи, связанные с ИИ, будь то обучение массивных нейронных сетей или ускорение инференса.

Компания Micron производит чипы памяти HBM3E с использованием своего самого передового технологического процесса 1β (1-beta), а также передовой технологии сквозных соединений TSV (Through-silicon via) и других инновационных решений, связанных с упаковкой микросхем. Micron будет производить свои чипы памяти HBM3E на мощностях компании TSMC.

Производитель также сообщил, что в марте этого года начнёт рассылать производителям образы передовых 12-слойных чипов памяти HBM3E ёмкостью 36 Гбайт, которые обеспечат пропускную способность выше 1,2 Тбайт/с.

Компания Micron Technology представила два новых продукта из серии Crucial Pro — семейство модулей оперативной памяти Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition и твердотельный накопитель Crucial T705 стандарта PCIe 5.0. Первые обзоры говорят, что это самый быстрый потребительский SSD в мире.

Источник изображений: Micron

Твердотельные накопители Crucial T705 стандарта PCIe 5.0 будут выпускаться в виде моделей объёмом 1, 2 и 4 Тбайт. Производитель заявляет для новинок скорость последовательного чтения до 14 500 Мбайт/с и последовательной записи до 12 700 Мбайт/с. В операциях случайного чтения и записи производительность новинок достигает 1,55 млн и 1,8 млн IOPS соответственно. Причём самыми быстрыми являются версии на 2 Тбайт.

Производитель отмечает, что в составе накопителей Crucial T705 используются 232-слойные чипы флеш-памяти TLC NAND от самой Micron со скоростью 2400 МТ/с. Новый SSD построен на контроллере Phison E26. Имеется и кеш из памяти LPDDR4. На все модели SSD компания предоставляет пятилетнюю гарантию.

Твердотельные накопители Crucial T705 будут выпускаться как с комплектным алюминиевым радиатором охлаждения чёрного цвета, так и без него. Кроме того, компания предложит специальную версию Crucial T705 объёмом 2 Тбайт с белым радиатором.

Предварительные продажи новинок начнутся 12 апреля. Стоимость начинается от $239,99 за версию на 1 Тбайт без радиатора и доходит до $729,99 за 4-Тбайт накопитель в модификации с радиатором.

Оперативная память Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition выделяется задержками CL36-38-38-80, которые на 25 % ниже, чем у ранее выпущенных модулей ОЗУ Crucial DDR5 Pro Memory Plug and Play Edition. Рабочее напряжение новых модулей памяти составляет 1,35 В. Эффективная частота модулей памяти Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition составляет 6000 МГц. Они совместимы с профилями разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.

Оперативная память Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition будет выпускаться в виде двухканальных комплектов, состоящих из двух модулей DDR5-6000 объёмом по 16 Гбайт (общий объём 32 Гбайт), а также двухканальных комплектов из двух модулей по 24 Гбайт (общий объём 48 Гбайт). Первые появятся в продаже с 27 февраля, вторые компания выпустит позже в этом году.

Серия настольных гибридных процессоров Ryzen 8000G привлекла внимание энтузиастов поддержкой высокоскоростной оперативной памяти и хорошими возможностями для её разгона. Недавно оверклокерам удалось разогнать память DDR5 до 10 600 МГц и даже выше на системах с Ryzen 7 8700G, причём для этого не пришлось прибегать к экстремальному охлаждению.

Источник изображения: VideoCardz

Различные команды оверклокеров последние несколько дней активно экспериментируют с разгоном оперативной памяти на системах с Ryzen 7 8700G. Например, энтузиаст SafeDisk поделился деталями разгона двухканального комплекта ОЗУ на материнской плате ROG Crosshair X670E Gene до скорости 10 600 МТ/с.

Источник изображения: SafeDisk

Для эксперимента был выбран комплект памяти G.Skill Trident Z5, изначально рассчитанный на работу со скоростью 7800 МТ/с при таймингах CL36.

Источник изображения: SafeDisk

В рамках разгона скорость памяти была увеличена до 10 600 МГц. Но вместе с тем выросли и тайминги. Память заработала при задержках CL50-62-62-127-127 и напряжении 1,4 В. Примечательно, что для разгона ОЗУ энтузиаст не использовал какого-либо экзотического охлаждения, вроде жидкого азота. Сам процессор Ryzen 7 8700G также работал под обычной СЖО.

В базе данных CPU-Z Validator уже успели появиться и более впечатляющие результаты разгона. Например, оверклокер с псевдонимом MSIMAX разогнал память TeamGroup с заявленным профилем разгона 8200 МТ/с до частоты 10 950 МГц на материнской плате Gigabyte B650I Aorus Ultra.

Источник изображения: MSIMAX

Спустя несколько часов другой оверклокер зарегистрировал результат разгона памяти Patriot с профилем 8200 МТ/с до 11 298 МГц на материнской плате Gigabyte Aorus B650E Tachyon.

Источник изображения: CPU-Z Validator

Согласно информации в среде энтузиастов, в новой библиотеке AGESA, на базе которой выпускаются BIOS для материнских плат AMD, обнаружен баг, который приводит к тому, что в результатах разгона могут отображаться более высокие значения частоты памяти, чем есть на самом деле. Тот же оверклокер SafeDisk предоставил фотографию осциллографа, подтверждающую его результат разгона, чего нельзя сказать о двух других экспериментаторах.

Источник изображения: SafeDisk

Хотя результат SafeDisk, согласно данным HWBOT, является не таким высоким, как разгон памяти на платформах Intel, следует отметить, что энтузиасты разгоняют ОЗУ DDR5 с процессорами Ryzen 8000G в двухканальном режиме, а не в одноканальном, как у Intel.

Компания CBL, занимающаяся восстановлением данных, заявила, что в новейших картах памяти microSD и USB-накопителях зачастую обнаруживаются ненадёжные чипы памяти. Специалисты всё чаще сталкиваются с устройствами с урезанными чипами памяти, с которых удалена информация о производителе, а также с USB-накопителями, в которых задействованы переделанные карты памяти microSD, припаянные к плате. На этом фоне CBL пришла к выводу, что качество портативных флэш-накопителей становится всё более низким.

Источник изображения: Skitterphoto / Pixabay

«Когда в прошлом году мы вскрывали вышедшие из строя USB-накопители, мы обнаружили тревожно большое количество некачественных чипов памяти с уменьшенной ёмкостью и удалённым логотипом производителя. Бракованные карты памяти microSD также припаиваются к USB-накопителю и управляются внешним контроллером на плате USB-накопителя вместо внутреннего контроллера самой карты microSD», — рассказал Конрад Хайнике (Conrad Heinicke), управляющий директор CBL Datenrettung GmbH.

Источник изображений: CBL Datenrettung

По данным CBL, речь идёт о не прошедших контроль качества чипах памяти NAND, которые, скорее всего, были изготовлены крупными производителями, такими как SanDisk и Samsung. Вместо того, чтобы пойти на утилизацию эти чипы каким-то образом попадают на рынок. Изучая некачественные накопители, специалисты CBL в ряде случаев обнаружили на чипах памяти замазанное название производителя, но их всё же можно было идентифицировать как продукцию SanDisk. В других случаях название и логотип производителя чипов памяти было полностью удалено. Чаще низкокачественные USB-накопители выявлялись среди «рекламных подарков», но в ряде случаев такие носители встречались среди «фирменной продукции», хотя CBL и не уточнила, какие конкретно фирмы занимаются поставками низкокачественных флешек.

Ещё одним недугом, которым страдают современные флешки, CBL называет технологию QLC, позволяющую хранить больше данных в одном чипе флеш-памяти. Чипы QLC стали встречаться в дешевых накопителях слишком часто. В CBL заявляют, что сочетание некачественных флэш-чипов и QLC усугубляет существующие проблемы с качеством, поэтому компания заявляет: «Не следует слишком полагаться на надежность флешек».

CBL в своём отчёте не стала затрагивать проблему «обманных» USB-накопителей, которые якобы имеют емкость в несколько сотен гигабайт, но на самом деле содержат всего лишь 16 Гбайт или даже 8 Гбайт памяти. Однако такие устройства тоже широко распространены и сконструированы с использованием методов, аналогичных USB-накопителям, о которых предупреждает CBL, например, с применением microSD-карт.