Компания Micron Technology представила два новых продукта из серии Crucial Pro — семейство модулей оперативной памяти Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition и твердотельный накопитель Crucial T705 стандарта PCIe 5.0. Первые обзоры говорят, что это самый быстрый потребительский SSD в мире.

Источник изображений: Micron

Твердотельные накопители Crucial T705 стандарта PCIe 5.0 будут выпускаться в виде моделей объёмом 1, 2 и 4 Тбайт. Производитель заявляет для новинок скорость последовательного чтения до 14 500 Мбайт/с и последовательной записи до 12 700 Мбайт/с. В операциях случайного чтения и записи производительность новинок достигает 1,55 млн и 1,8 млн IOPS соответственно. Причём самыми быстрыми являются версии на 2 Тбайт.

Производитель отмечает, что в составе накопителей Crucial T705 используются 232-слойные чипы флеш-памяти TLC NAND от самой Micron со скоростью 2400 МТ/с. Новый SSD построен на контроллере Phison E26. Имеется и кеш из памяти LPDDR4. На все модели SSD компания предоставляет пятилетнюю гарантию.

Твердотельные накопители Crucial T705 будут выпускаться как с комплектным алюминиевым радиатором охлаждения чёрного цвета, так и без него. Кроме того, компания предложит специальную версию Crucial T705 объёмом 2 Тбайт с белым радиатором.

Предварительные продажи новинок начнутся 12 апреля. Стоимость начинается от $239,99 за версию на 1 Тбайт без радиатора и доходит до $729,99 за 4-Тбайт накопитель в модификации с радиатором.

Оперативная память Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition выделяется задержками CL36-38-38-80, которые на 25 % ниже, чем у ранее выпущенных модулей ОЗУ Crucial DDR5 Pro Memory Plug and Play Edition. Рабочее напряжение новых модулей памяти составляет 1,35 В. Эффективная частота модулей памяти Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition составляет 6000 МГц. Они совместимы с профилями разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.

Оперативная память Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition будет выпускаться в виде двухканальных комплектов, состоящих из двух модулей DDR5-6000 объёмом по 16 Гбайт (общий объём 32 Гбайт), а также двухканальных комплектов из двух модулей по 24 Гбайт (общий объём 48 Гбайт). Первые появятся в продаже с 27 февраля, вторые компания выпустит позже в этом году.

Серия настольных гибридных процессоров Ryzen 8000G привлекла внимание энтузиастов поддержкой высокоскоростной оперативной памяти и хорошими возможностями для её разгона. Недавно оверклокерам удалось разогнать память DDR5 до 10 600 МГц и даже выше на системах с Ryzen 7 8700G, причём для этого не пришлось прибегать к экстремальному охлаждению.

Источник изображения: VideoCardz

Различные команды оверклокеров последние несколько дней активно экспериментируют с разгоном оперативной памяти на системах с Ryzen 7 8700G. Например, энтузиаст SafeDisk поделился деталями разгона двухканального комплекта ОЗУ на материнской плате ROG Crosshair X670E Gene до скорости 10 600 МТ/с.

Источник изображения: SafeDisk

Для эксперимента был выбран комплект памяти G.Skill Trident Z5, изначально рассчитанный на работу со скоростью 7800 МТ/с при таймингах CL36.

Источник изображения: SafeDisk

В рамках разгона скорость памяти была увеличена до 10 600 МГц. Но вместе с тем выросли и тайминги. Память заработала при задержках CL50-62-62-127-127 и напряжении 1,4 В. Примечательно, что для разгона ОЗУ энтузиаст не использовал какого-либо экзотического охлаждения, вроде жидкого азота. Сам процессор Ryzen 7 8700G также работал под обычной СЖО.

В базе данных CPU-Z Validator уже успели появиться и более впечатляющие результаты разгона. Например, оверклокер с псевдонимом MSIMAX разогнал память TeamGroup с заявленным профилем разгона 8200 МТ/с до частоты 10 950 МГц на материнской плате Gigabyte B650I Aorus Ultra.

Источник изображения: MSIMAX

Спустя несколько часов другой оверклокер зарегистрировал результат разгона памяти Patriot с профилем 8200 МТ/с до 11 298 МГц на материнской плате Gigabyte Aorus B650E Tachyon.

Источник изображения: CPU-Z Validator

Согласно информации в среде энтузиастов, в новой библиотеке AGESA, на базе которой выпускаются BIOS для материнских плат AMD, обнаружен баг, который приводит к тому, что в результатах разгона могут отображаться более высокие значения частоты памяти, чем есть на самом деле. Тот же оверклокер SafeDisk предоставил фотографию осциллографа, подтверждающую его результат разгона, чего нельзя сказать о двух других экспериментаторах.

Источник изображения: SafeDisk

Хотя результат SafeDisk, согласно данным HWBOT, является не таким высоким, как разгон памяти на платформах Intel, следует отметить, что энтузиасты разгоняют ОЗУ DDR5 с процессорами Ryzen 8000G в двухканальном режиме, а не в одноканальном, как у Intel.

Компания CBL, занимающаяся восстановлением данных, заявила, что в новейших картах памяти microSD и USB-накопителях зачастую обнаруживаются ненадёжные чипы памяти. Специалисты всё чаще сталкиваются с устройствами с урезанными чипами памяти, с которых удалена информация о производителе, а также с USB-накопителями, в которых задействованы переделанные карты памяти microSD, припаянные к плате. На этом фоне CBL пришла к выводу, что качество портативных флэш-накопителей становится всё более низким.

Источник изображения: Skitterphoto / Pixabay

«Когда в прошлом году мы вскрывали вышедшие из строя USB-накопители, мы обнаружили тревожно большое количество некачественных чипов памяти с уменьшенной ёмкостью и удалённым логотипом производителя. Бракованные карты памяти microSD также припаиваются к USB-накопителю и управляются внешним контроллером на плате USB-накопителя вместо внутреннего контроллера самой карты microSD», — рассказал Конрад Хайнике (Conrad Heinicke), управляющий директор CBL Datenrettung GmbH.

Источник изображений: CBL Datenrettung

По данным CBL, речь идёт о не прошедших контроль качества чипах памяти NAND, которые, скорее всего, были изготовлены крупными производителями, такими как SanDisk и Samsung. Вместо того, чтобы пойти на утилизацию эти чипы каким-то образом попадают на рынок. Изучая некачественные накопители, специалисты CBL в ряде случаев обнаружили на чипах памяти замазанное название производителя, но их всё же можно было идентифицировать как продукцию SanDisk. В других случаях название и логотип производителя чипов памяти было полностью удалено. Чаще низкокачественные USB-накопители выявлялись среди «рекламных подарков», но в ряде случаев такие носители встречались среди «фирменной продукции», хотя CBL и не уточнила, какие конкретно фирмы занимаются поставками низкокачественных флешек.

Ещё одним недугом, которым страдают современные флешки, CBL называет технологию QLC, позволяющую хранить больше данных в одном чипе флеш-памяти. Чипы QLC стали встречаться в дешевых накопителях слишком часто. В CBL заявляют, что сочетание некачественных флэш-чипов и QLC усугубляет существующие проблемы с качеством, поэтому компания заявляет: «Не следует слишком полагаться на надежность флешек».

CBL в своём отчёте не стала затрагивать проблему «обманных» USB-накопителей, которые якобы имеют емкость в несколько сотен гигабайт, но на самом деле содержат всего лишь 16 Гбайт или даже 8 Гбайт памяти. Однако такие устройства тоже широко распространены и сконструированы с использованием методов, аналогичных USB-накопителям, о которых предупреждает CBL, например, с применением microSD-карт.

Южнокорейская компания SK hynix объявила, что приступит к массовому производству оперативной памяти с высокой пропускной способностью следующего поколения — HBM4 — к 2026 году. Ранее компания сообщила, что начнёт разработку HBM4 уже в этом году.

Источник изображения: Wccftech

До этого момента о планах по разработке и внедрению памяти HBM4 высказывались только компании Micron и Samsung. Оба производителя планируют выпустить новое поколение памяти где-то в 2025–2026 годах. Теперь и SK hynix более точно определилась с планом по своему будущему продукту. Со стремительным развитием ИИ-технологий на рынке возрастает спрос на более высокопроизводительные решения, необходимые для решения этих задач. Память типа HBM сыграла значительную роль в развитии этой сферы и является важным компонентом в производстве передовых специализированных ускорителей ИИ-вычислений. И на данный момент SK hynix является главным поставщиком самой скоростной HBM — памяти HBM3E — для ИИ-ускорителей.

На мероприятии SEMICON Korea 2024 вице-президент SK hynix Ким Чун Хван (Kim Chun-hwan) сообщил о намерении компании начать массовое производство памяти HBM4 к 2026 году. Он добавил, что новое поколение памяти будет способствовать стремительному росту рынка устройств для искусственного интеллекта. В то же время он отметил, что индустрия производства памяти HBM сталкивается с огромным спросом. Поэтому компании очень важно создать решения, которые позволили бы обеспечить бесперебойную поставку такого типа памяти. По мнению топ-менеджера SK hynix, к 2025 году рынок памяти HBM вырастет до 40 %, поэтому компании необходимо заранее подготовился к тому, чтобы извлечь из этого максимальную выгоду.

Источник изображения: TrendForce

Согласно недавно опубликованной аналитиками TrendForce сборной диаграммы с планами по выпуску продуктов различных производителей, организация JEDEC планирует принять окончательные характеристики памяти HBM4 во второй половине 2024 или начале 2025 года. Пока известно, что новая память будет выпускаться в стеках объёмом до 36 Гбайт, а первые образцы ожидаются в 2026 году.

На данный момент неизвестно, какие именно ИИ-ускорители будут использовать новый тип памяти. Предполагается, что одними из первых таких продуктов могут стать решения NVIDIA, которые компания выпустит после специализированных ИИ-ускорителей Blackwell, поскольку последние будут использовать память HBM3E.

Квартальная статистика южнокорейских производителей памяти указывала на то, что спрос на их продукцию начинает расти после затяжного кризиса прошлого года, который стал самым глубоким для рынка. Официальные органы статистики Южной Кореи подтверждают эту тенденцию своими данными, упоминая о значительном росте как объёма производства чипов, так и их поставок в декабре.

Источник изображения: Samsung Electronics

По информации Bloomberg, в прошлом месяце объёмы поставок полупроводниковых компонентов южнокорейскими производителями выросли на 113,7 % в годовом сравнении, на максимальное значение за период с 1997 года. При этом складские запасы чипов выросли на 11,6 %, что является минимальным значением с конца 2022 года, а объёмы производства выросли на 53,3 % по сравнению с аналогичным месяцем 2022 года, и это стало максимальным приростом с середины 2016 года.

Другими словами, всё указывает на то, что южнокорейская полупроводниковая промышленность переварила накопившиеся запасы продукции и приступает к наращиванию новых поставок и производству соответствующих изделий. Специфика местной отрасли такова, что основной экспортной продукции Южной Кореи является как раз память, поскольку страна обеспечивает две трети поставок данного вида товаров на мировой рынок. Аналитики Bloomberg предполагают, что в складывающихся условиях Южная Корея по итогам 2024 года сможет увеличить ВВП на 2,2 %.

Масштабирование вычислительных ресурсов для задач искусственного интеллекта сопряжено с внушительным ростом потребления и затрат на оборудование. Немецкий стартап Semron предлагает снизить зависимость от обоих факторов. Основатели компании представили новый управляющий элемент нейронной сети, который они назвали «мемконденсатор» (memcapacitors). Он работает на электрических полях, а не на токах.

Источник изображения: ИИ-генерация Кандинский 3.0/3DNews

Основателями компании Semron стали выпускники Дрезденского технологического университета Кай-Уве Демасиус (Kai-Uwe Demasius) и Арон Киршен (Aron Kirschen). Ещё в 2016 году они получили патент на управляющий элемент «мемконденсатор». Согласно их представлениям, отказ от запуска нейронных сетей на классических чипах с транзисторами, управляемыми электрическими токами, позволит создавать малопотребляющие и недорогие нейронные процессоры.

«Из-за ожидаемого дефицита вычислительных ресурсов [для работы] искусственного интеллекта многие компании с бизнес-моделью, которая полагается на доступ к таким ресурсам, рискуют своим существованием. Например, это крупные стартапы, которые обучают свои собственные модели, — сообщил Киршен в интервью одному из авторов сайта TechCrunch. — Уникальные особенности нашей технологии позволят нам достичь уровня цен на современные чипы для устройств бытовой электроники, даже несмотря на то, что наши чипы способны работать с продвинутым искусственным интеллектом, чего нет у других».

Проще говоря, Semron говорит о способности выпускать дешёвые чипы, сродни тем, что используются в смартфонах, гарнитурах и тому подобном носимом оборудовании, которые тем не менее смогу запускать мощные нейросети.

Концептуальное строение мемконденсатора. Источник изображения: Nature

Чипы Semron предполагают многослойную организацию, что позволит значительно масштабировать решения. Элементарная ячейка памяти или вычислительного элемента на базе мемконденсатора должна содержать диэлектрик с эффектом памяти (заряда или ёмкости). Например, это может быть сегнетоэлектрик. В зависимости от величины заряда в ячейку будет записан тот или иной весовой коэффициент, который будет использоваться в расчетах. В свою очередь, этот диэлектрик с памятью разделяет два электрода, наводящих друг на друга электрические поля. «Сцепка» этих полей будет зависеть от записанного в ячейку коэффициента — насколько промежуточный слой будет экранировать электромагнитное поле, что послужит величиной для расчётов.

Будем надеяться увидеть разработку в кремнии. Основатели компании опубликовали ряд работ в престижных научных журналах и обещают вскоре показать работу мемконденсаторов на практике.

Компания Micron сообщила, что первой на рынке выпустила модули оперативной памяти нового стандарта LPCAMM2 (Low-Power Compression Attached Memory Module), доступные в вариантах от 16 до 64 Гбайт. Они предлагают более высокую производительность и энергоэффективность, обеспечивают экономию места и сохраняют модульность, то есть возможность апгрейда ПК.

Источник изображений: micron.com

Массовое производство модулей LPCAMM2 компания Micron запустит в первой половине 2024 года — это новый революционный формфактор с момента выхода стандарта SODIMM в 1997 году. LPCAMM2 базируется на чипах LPDDR5X, но по сравнению с традиционным форматом предлагает снижение энергопотребления на 61 % и рост производительности на 71 % при выполнении основных рабочих нагрузок в тесте PCMark 10, таких как просмотр веб-страниц и видеоконференции. Экономия пространства относительно SO-DIMM составляет 64 %.

Модули памяти LPCAMM2 на чипах LPDDR5X достигают скорости 9600 Мбит/с, тогда как существующие планки SO-DIMM DDR5 демонстрируют 5600 Мбит/с. В режиме ожидания экономия энергии достигает 80 %, что способствует увеличению автономной работы мобильных компьютеров; в задачах, связанных с производством цифрового контента, прирост производительности составляет 7 %.

Micron будет реализовывать память LPCAMM2 под брендом Crucial не только производителям компьютеров, но и конечным пользователям — геймеры и профессионалы смогут самостоятельно заменять модули памяти. Продукция нового формата выйдет на рынок в первой половине 2024 года.

Как стало известно источнику, на прошедшей в декабре конференции IEDM 2023 компания Micron за закрытыми дверями сообщила о разработке и применении кристалла памяти FeRAM огромной ёмкости. Память FeRAM производится около 20 лет, но это традиционно чипы малой ёмкости от 8 до 128 Мбит. Разработка Micron на этом фоне поражает воображение ёмкостью кристалла 32 Гбит, что можно сравнить с восходом новой энергонезависимой памяти.

Фрагмент документа Micron с презентации двухслойной памяти FeRAM. Источник изображения: https://blocksandfiles.com

Память FeRAM работает быстрее памяти NAND. По этому показателю она приближается к оперативной памяти DRAM. При этом чипы FeRAM сохраняют заряд в ячейках даже без подачи питания на них, как и прочая энергонезависимая память. Также память FeRAM более устойчива к износу, что снова делает её предпочтительнее для использования в устройствах для хранения данных. Наконец, FeRAM не боится радиации, магнитных полей и скачков температуры, что предопределило её судьбу оказаться в станках, приборах и в бортовом оборудовании аэрокосмической отрасли.

Несмотря на большой набор преимуществ, память FeRAM не стала массовым явлением. Плотность размещения ячеек у неё очень и очень низкая, и массовая память NAND с её кристаллами колоссальной ёмкости не дала FeRAM никакого шанса проникнуть в область хранения данных. Впрочем, это не удалось даже памяти 3D XPoint (торговая марка Intel Optane), которую Micron разработала вместе с Intel. Доступность и дешевизна NAND сыграла свою негативную роль в печальной судьбе и этой, казалось бы, перспективной энергонезависимой памяти.

Нетрудно представить, что неформальный анонс 32-Гбит кристалла FeRAM компанией Micron может считаться знаменательным событием. Сайт Blocks & Files приводит фрагмент изображения документа с презентации чипа памяти, который недоступен для публичного просмотра.

По словам Micron, чипы FeRAM большой ёмкости подтолкнут развитие генеративных моделей искусственного интеллекта. Они работают быстрее NAND и обладают колоссальной износостойкостью. Опытный чип Micron выдерживает до 10¹⁵ циклов перезаписи. Это на несколько порядков больше, чем у конкурирующих чипов FeRAM компаний Fujitsu, Infineon, SK Hynix и Toshiba, не говоря о жалких тысячах циклов, если мы говорим об устойчивости к износу чипов NAND. Кстати, новую память компания называет NVDRAM (non-volatile dynamic random access memory). Назвать её NVRAM, очевидно, она не решилась, чтобы её FeRAM не путали с другими типами энергонезависимой памяти.

Заявленная компанией скорость записи чипов FeRAM составляет 70–120 нс, тогда как цикл записи NAND приближается к 300 мкс. Время удержания данных в памяти FeRAM (заряда в ячейке) достигает 10 лет.

Можно предположить, что компания Micron получила доступ к патентам и технологиям FeRAM после приобретения активов японской компании Elpida в 2013 году. Сама Elpida этот тип памяти не развивала, но принадлежащие ей на тот момент заводы тайваньских Inotera Memories и Nanya Technology были раньше в собственности компании Infineon и выпускали чипы памяти FeRAM.

Переключающий элемент FeRAM обычно выполнен из пьезокерамики в виде цирконат-титаната свинца (PZT). Этот материал сохраняет поляризацию даже после снятия внешнего управляющего сигнала — электромагнитного поля. Грубо можно сказать, что каждая ячейка FeRAM состоит из управляющего транзистора и пьезокерамического конденсатора. Именно вкрапление пьезокерамического элемента делает ячейку очень большой. Как эту проблему решила Micron, не сообщается.

В последние месяцы цены на флеш-память NAND росли после затяжного падения, но эксперты TrendForce поясняют, что текущий уровень ещё далёк от того, который обеспечит участникам рынка возврат к прибыльности. В результате в ближайшее время поставщики флеш-памяти будут вынуждены поднять цены как минимум на 40 %, чтобы уйти от убытков.

Источник изображения: Samsung Electronics

Если же рассчитывать на получение прибыли, то производителям памяти нужно будет поднять цены на 50 % или даже выше, как убеждены представители TrendForce. По итогам прошлого квартала южнокорейская компания Samsung Electronics занимала первое место на рынке памяти типа NAND в показателях выручки с долей 31,4 %. На втором месте располагалась SK Group, в состав которой входят SK hynix и Solidigm (бывший бизнес Intel), с долей 20,2 %. Замыкает тройку лидеров американская Western Digital с долей рынка 16,9 %, а её партнёр Kioxia, с которой в этом году не состоялась сделка по объединению, довольствуется четвёртым местом и 14,5 % рынка.

Источник изображения: TrendForce

Крупные игроки рынка продолжают сокращать объёмы производства памяти типа NAND, поскольку этот вид продукции обеспечивает меньшую прибыль по сравнению с DRAM. Та же Samsung, например, с сентября текущего года сократила объёмы выпуска микросхем типа NAND на 50 % от максимально возможных. Предпочтение сейчас отдаётся выпуску 128-слойной памяти типа 3D NAND. В целом на рынке твердотельной памяти в некоторых сегментах уже наблюдается дефицит продукции, и это позволяет участникам двигать цены вверх. При этом точка окупаемости ещё не достигнута, и для её достижения поставщики микросхем NAND должны повысить цены ещё минимум на 40 %. В ближайшие кварталы цены будут только расти, как резюмируют специалисты TrendForce.

Южнокорейская компания SK hynix в своём онлайн-блоге подтвердила, что приступит к разработке оперативной памяти с высокой пропускной способностью HBM4 уже в 2024 году. До этого момента о планах по разработке и внедрению памяти HBM4 высказывались только компании Micron и Samsung. Оба производителя планируют выпустить новое поколение памяти где-то в 2025–2026 годах.

Источник изображения: Wccftech

Говоря о памяти типа HBM, старший менеджер SK hynix Ким Ван Су (Kim Wang-soo) подчеркнул, что компания начнёт массовое производство памяти HBM3E — усовершенствованного варианта существующей памяти HBM3 — в 2024 году. Новая память будет предлагать повышенные скорости и ёмкость по сравнению с HBM3. Он добавил, что в следующем году SK hynix также планирует начать разработку своей памяти HBM4, что станет важным шагом в дальнейшей эволюции стека продуктов HBM производителя.

«Благодаря запланированному на следующий год массовому производству и продажам HBM3E наше доминирование на рынке снова усилится. Так как начало серьёзных работ по созданию нашего следующего продукта, HBM4, тоже запланировано на следующий год, SK hynix фактически вступит в новую эру продуктов HBM», — написал Ван Су.

С учётом того, что разработка HBM4 начнётся в 2024 году, первые продукты с данным типом памяти появятся на рынке не ранее 2025 или 2026 года. Согласно недавно опубликованной аналитиками TrendForce сборной карты дорожных продуктов от различных производителей, организация JEDEC планирует принять окончательные характеристики памяти HBM4 во второй половине 2024 или начале 2025 года. Пока известно, что она будет выпускаться в стеках объёмом до 36 Гбайт, а первые потребительские образцы ожидаются в 2026 году.

Источник изображения: TrendForce

На базе стеков памяти HBM4 объёмом 36 Гбайт можно будет создавать продукты, в частности, ускорители вычислений, оснащённые до 288 Гбайт ОЗУ. В перспективе планируются ещё более ёмкие чипы HBM4. Известно, что память HBM3E обладает скоростью до 9,8 Гбит/с на контакт, поэтому от HBM4 следует ожидать скорость выше 10 Гбит/с на контакт.

Будущие специализированные графические ускорители NVIDIA Blackwell, скорее всего, будут использовать память HBM3E, поэтому памятью HBM4 можно будет увидеть в ускорителях, которые NVIDIA представит уже после них. Также не исключено, что HBM4 может появиться в неких обновлённых ускорителях Blackwell, как это было в случае с текущим поколением ИИ-ускорителей Hopper H200, которые получили память HBM3E.

Данные берутся из публикации Компьютер месяца, спецвыпуск. Рассвет эпохи: время переходить на платформы, поддерживающие DDR5-память?

TrendForce прогнозирует значительный сезонный рост цен в пределах 18–23 % на мобильную оперативной память (DRAM) и флеш-память (eMMC и UFS) в первом квартале 2024 года. Панические настроения среди клиентов, вызванные этим ростом, могут привести к дальнейшему повышению цен на рынке памяти, который контролируют несколько крупных игроков.

Источник изображения: unsplash.com

TrendForce отмечает, что рынок смартфонов часто является ранним индикатором экономического спада, поскольку покупатели и продавцы постоянно корректируют свои запасы в цепочке поставок. Тем не менее, поскольку запасы достигают минимального уровня, а последствия сокращения производства сохраняются, начинается устойчивый рост цен на память для смартфонов.

Наблюдения за рынком и прогноз на первый квартал 2024 года указывают на устойчивое планирование производства китайскими производителями смартфонов. Явный рост цен на память заставляет покупателей активно увеличивать свои закупочные усилия, поскольку они стремятся установить безопасный и конкурентоспособный уровень запасов.

Источник изображения: TrendForce

В целом, в первом квартале 2024 года цены на память, скорее всего, вырастут выше, чем в других секторах. Ожидается, что эта эскалация, вызванная устойчивым спросом со стороны клиентов и медленным расширением операций со стороны производителей, увеличит разрыв между спросом и предложением. Аналитики уверены, что цены на память станут ведущим фактором этой восходящей тенденции.

Массовые настольные компьютеры в скором времени получат поддержку до 256 Гбайт оперативной памяти — ещё не так давно пределом были 128 Гбайт. Производители памяти уже готовят модули объёмом 64 Гбайт, а производители материнских плат готовятся обеспечить их поддержку.

Источник изображений: MSI

Долгое время максимальный поддерживаемый объём ОЗУ для настольных ПК составлял 128 Гбайт, а объём одного модуля не превышал 32 Гбайт, так как они строились на 16-гигабитных чипах памяти DRAM. Это изменилось с выпуском модулей памяти на 24 и 48 Гбайт, в которых используются 32-гигабитные микросхемы памяти. Благодаря этому современные материнские платы для платформ Intel и AMD поддерживают установку до 192 Гбайт ОЗУ.

Но вскоре настольные ПК получат поддержку ещё большего объёма оперативной памяти. Компания MSI была одним из первых производителей материнских плат, который стал предлагать поддержку 192 Гбайт памяти для своих решений. Теперь компания стремиться стать первой, кто предложит поддержку 256 Гбайт памяти на настольные ПК.

Источник изображения: Kingston

Компания Kingston в ближайшее время собирается выпустить комплект оперативной памяти Fury Renegade DDR5 на базе новейших 32-гигагибтных чипов памяти Micron на техпроцессе 1-бета. Комплект состоит из четырёх планок памяти объёмом по 64 Гбайт каждая. Таким образом объём всего комплекта составит 256 Гбайт.

Поддержка 256 Гбайт памяти материнскими платами значительно упростит выбор нужного комплекта ОЗУ, поскольку для установки тех же 128 Гбайт памяти теперь потребуется приобрести только две планки, а не четыре как раньше. MSI показала работоспособность комплекта ОЗУ общим объёмом 256 Гбайт на своей материнской плате PRO X670-P WIFI. В тесте также участвовал процессор AMD Ryzen 9 7900X. Также поддержку 256 Гбайт памяти добавят платам на Intel Z790.

Для поддержки 256 Гбайт памяти и модулей объёмом 64 Гбайт потребуется обновление BIOS материнской платы. Та же MSI пока не говорит, когда выпустит нужную прошивку для своих плат.

В свою очередь компания ASRock показала X670E-Taichi и Z790 Nova WiFi с поддержкой 64-Гбайт модулей DDR5.

Исследователи из Университета Рочестера разработали новый тип энергонезависимой памяти, взяв за основу хорошо известную память ReRAM (резистивную) и память PRAM (с фазовым переходом). Гибрид оказался настолько хорош, что со временем может стать наследником популярной флеш-памяти.

Двумерный материал с переключением между двумя состояниями кристаллической структуры в представлении художника. Источник изображения: University of Rochester illustration / Michael Osadciw

Как отмечают учёные, каждой памяти по отдельности — резистивной (её иногда называют мемристором) и с фазовым переходом — присущи как свои достоинства, так и недостатки. Резистивная память мало потребляет, но запись данных в виде нитевидной обратимой ионной проводимости бывает очень ненадёжной. Память с фазовым переходом без нареканий хранит информацию, но операции записи и стирания, которые переводят ячейку в кристаллическое состояние из аморфного и обратно, очень и очень энергозатратные.

Предложенный учёными гибрид создаёт такое состояние вещества, при котором оно оказывается на грани устойчивости с точки зрения кристаллической структуры. Малейший сдвиг в одну из сторон переводит ячейку памяти в кристаллическое состояние с низким или высоким удельным сопротивлением. Этот сдвиг инициируется электромагнитным полем таким же, как при переключении транзистора.

«Мы создали его, по сути, просто растягивая материал в одном направлении и сжимая его в другом, — говорят авторы работы. — Это позволяет увеличить производительность на порядки. Мы видим путь, на котором это может оказаться в домашних компьютерах в качестве сверхбыстрой и сверхэффективной формы памяти. Это может иметь большое значение для вычислительной техники в целом».

Фактически новая память представляет собой такой деформированный двумерный материал, как дителлурид молибдена (MoTe₂). Напряженные металлические тонкие плёнки MoTe₂ формируются в контакты, которые вызывают управляемый деформацией фазовый переход полуметалла в полупроводник. Фазовый переход, в свою очередь, формирует вертикальный транспортный канал (мемристор) с полупроводниковым MoTe₂ в качестве активной области.

Благодаря деформации канал переключается при напряжении всего 90 мВ. Время переключения составляет 5 нс, время удержания свыше 10⁵ с, а ожидаемое число циклов переключения свыше 10⁸. Напряжение переключения и число циклов регулируется как механически (при производстве), так и электрически в процессе регулировки прибора. Эксперименты с прототипами оказались многообещающими, что позволит учёным со временем развить успех.

В третьем квартале 2023 года на рынке флеш-памяти NAND произошли кардинальные изменения, вызванные преимущественно волевым решением Samsung о сокращении производства. Вслед за корейским гигантом на эту меру пошли и другие лидеры рынка, а клиенты в ожидании сокращения предложения переключились на агрессивную стратегию закупок. Поставки чипов памяти в пересчёте на совокупный объём (в битовом выражении) увеличились на 3 % по сравнению с прошлым кварталом, а общая выручка выросла на 2,9 % до $9,229 млрд, подсчитали аналитики TrendForce.

Источник изображения: samsung.com

Samsung, несмотря на слабый спрос в серверном сегменте, смогла восстановить позитивные показатели за счёт сегмента потребительской электроники, который пошёл в рост, — в основном благодаря чипам высокой ёмкости для ПК и смартфонов. В III квартале Samsung вышла из кризиса за счёт тенденции среди клиентов к пополнению стратегических запасов, а также за счёт смещения операционного фокуса в сторону максимизации прибыли — компания сократила производство. В битовом выражении объёмы отгрузок уменьшились на 1–3 %, средняя цена продажи (ASP) увеличилась на те же 1–3 %, а выручка компании в сегменте NAND составила $2,9 млрд.

Источник изображения: trendforce.com

Kioxia удалось в III квартале поднять ASP на 3 % за счёт восстановления контрактных цен на пластины и переходу производителей ноутбуков к стратегическому накоплению запасов. Мощным негативным фактором оказалась задержка заказов от американских производителей смартфонов — отгрузки в битовом выражении рухнули на 10–15 %, в результате чего выручка компании в сегменте NAND упала на 8,6 % в квартальном исчислении до $1,34 млрд.

В Micron ситуация прямо противоположная, но результат тот же: производитель сохранил стабильные заказы в секторах ПК и мобильных устройств, а клиенты сегмента корпоративных SSD переключились на пополнение запасов. Компания удержала поставки в битовом выражении на уровне II квартала, но ASP снизилась на 15 % — в результате выручка просела на 5,2 % до $1,15 млрд. В IV квартале прогнозируется восстановление контрактных цен, что позволит Micron нарастить выручку на 20 %.

SK Group (SK hynix и Solidigm) и WDC (Western Digital Corporation) оседлали волну восстановления спроса на бытовую электронику. Факторами роста SK Group стали продукты высокой ёмкости для ПК и смартфонов — это обеспечило устойчивый рост поставок в битовом выражении и квартальный рост на 11,9 % до $1,86 млрд. Финансовые показатели WDC за III квартал превзошли прогноз за счёт сегментов ПК, мобильных устройств и игрового оборудования: выручка выросла на 13 % в квартальном выражении до $1,556 млрд.