Рост цен на оперативную память, по данным TrendForce, в настоящий момент поддерживается тенденцией к оживлению спроса в сегменте серверных систем общего назначения в комбинации с увеличением доли рынка, занимаемой микросхемами HBM. Всё это приведёт к тому, что в третьем квартале цены на оперативную память в серверном сегменте в среднем увеличатся на 8–13 %.

Источник изображения: Micron Technology

Если выделить из этой тенденции обычную DRAM, не включая HBM, то средний рост цен в третьем квартале достигнет 5–10 %. При этом доля HBM в структуре продаж по сравнению со вторым кварталом увеличится с 4 до 6 %. Во втором квартале восполнение складских запасов памяти на стороне клиентов не было особо активным. В третьем же квартале пополнению складов будут способствовать сезонные тенденции, связанные с рынком смартфонов и сферой деятельности облачных провайдеров. Объёмы поставок микросхем памяти для нужд этих двух сегментов в третьем квартале должны будут увеличиться.

В сегменте ПК средняя цена реализации оперативной памяти в третьем квартале последовательно увеличится на 3–8 %, как прогнозируют представители TrendForce. Во втором квартале наблюдался рост цен на 15–20 %, но ожидания производителей ПК на рост спроса в третьем квартале вряд ли оправдаются. При этом цены на DDR4 и DDR5 в этом сегменте растут примерно синхронно.

Источник изображения: TrendForce

В мобильном сегменте динамика цен на DRAM в третьем квартале будет такой же, демонстрируя рост на 3–8 % в последовательном сравнении. В следующем году производители памяти постараются более чётко контролировать баланс спроса и предложения, чтобы память не теряла в цене слишком сильно, уменьшая их прибыль. В третьем квартале им не удастся особо увеличить цену в ходе переговоров, поэтому цены вырастут незначительно. Меньше всего подорожает память типа LPDDR4/LPDDR4X, которая может даже слегка подешеветь.

В графическом сегменте цены тоже последовательно вырастут по итогам третьего квартала на 3–8 %. Производители видеокарт намерены стабильно восполнять свои запасы микросхем памяти, и если производители последней будут повышать цены, те вынуждены будут соглашаться на новые условия закупок. Постепенно наращиваются объёмы производства GDDR7, которая понадобится для видеокарт нового поколения, но эта память пока на 20–30 % дороже GDDR6. Поставки образцов памяти GDDR7 будут налажены уже в третьем квартале этого года, который наступит на следующей неделе.

В потребительском сегменте в целом сохраняется избыток памяти типов DDR3 и DDR4, но стремление производителей больше ресурсов выделять под выпуск востребованной HBM сокращает доступные для выпуска DDR мощности, а потому стоимость продукции растёт и на этом направлении. Во-вторых, специализирующимся на выпуске DDR3 и DDR4 тайваньским производителям памяти нужно добиться прибыльности, а потому они заинтересованы в повышении общего уровня цен. По этой причине цены на DDR3 и DDR4 в сегменте потребительской техники в третьем квартале последовательно вырастут на 3–8 %.

В серверном сегменте динамика цен на память в третьем квартале будет наиболее выраженной. Контрактные цены на DDR5 вырастут на 8–13 %. Запасы DDR4 на складах покупателей несколько выше, поэтому основной объём закупок будет приходиться именно на DDR5. И всё же, в среднем цены на оперативную память для серверов общего назначения в третьем квартале последовательно увеличатся на 8–13 %.

В четвёртом квартале рынок оперативной памяти, по мнению представителей TrendForce, продолжит демонстрировать рост цен, а доля HBM в структуре продаж будет увеличиваться и дальше. Производители смартфонов и провайдеры облачных услуг начнут восполнять свои складские запасы. Наращивание объёмов выпуска HBM будет стимулировать рост цен на прочие виды оперативной памяти, поскольку предложение в результате будет планомерно сокращаться.

Как поясняет публикация на страницах тайваньского ресурса Commercial Times, прогресс TSMC в расширении объёмов производства чипов по передовым техпроцессам и освоении их новых этапов будет во многом зависеть от способности ASML поставлять новое оборудование. Последняя из компаний собирается снабдить TSMC более чем 60 системами для работы с EUV-литографией, получив от неё за два года не менее $12,3 млрд.

Источник изображения: ASML

Современное литографическое оборудование потребуется TSMC не только для экспансии производства 3-нм продукции, но и для подготовки к началу выпуска 2-нм изделий. Как известно, TSMC неоднократно подчёркивала, что при массовом производстве 2-нм чипов обойдётся без использования более дорогих литографических сканеров High-NA EUV с высоким значением числовой апертуры. При этом агентство Reuters отмечало, что до конца года TSMC всё-таки получит от ASML соответствующее оборудование для использования в исследовательских целях.

Потребность TSMC в литографических сканерах класса EUV источники оценивают в 30 систем в текущем году и 35 в следующем. Сейчас спрос на подобное оборудование значительно превышает предложение, поэтому заказываемый литографический сканер приходится ждать от 16 до 20 месяцев. В следующем году ASML сможет увеличить объёмы выпуска литографических сканеров более чем на 30 %, а потому основная часть поставок придётся на 2025 год. Если в этом году компания рассчитывает отгрузить 53 сканера, то в следующем она собирается выпустить не менее 72 штук. При этом предельная производительность компании по данному типу систем в следующем году достигнет 90 штук.

Кроме того, за следующий год ASML собирается выпустить не менее 600 сканеров для работы с глубокой ультрафиолетовой литографией (DUV), а также около 20 новейших систем класса High-NA EUV. По данным тайваньских источников, в следующем году такие сканеры всё ещё не будут востребованы клиентами для производства чипов в массовых количествах, и будут использоваться преимущественно для экспериментов. Напомним, что Intel является основным претендентом на скорейшее внедрение оборудования High-NA EUV при производстве чипов с использованием технологии Intel 14A, хотя экспериментировать с ним будет ещё в рамках техпроцесса Intel 18A.

TSMC собирается запустить массовое производство 3-нм чипов на предприятии в Тайнане в третьем квартале текущего года. Выпуск 2-нм продукции планируется освоить сразу на трёх тайваньских предприятиях компании в 2025 году. В третьем квартале TSMC также рассчитывает получить от властей США субсидии, которые будут использованы для закупки оборудования для первого предприятия компании в штате Аризона, а также для строительства второго. Поставщики фотомасок и вспомогательного оборудования рассчитывают хорошо заработать на планах TSMC по экспансии производства с использованием передовых техпроцессов.

Исполнительный вице-президент AMD Форрест Норрод (Forrest Norrod), который в компании курирует серверное направление бизнеса, подчеркнул в недавнем интервью The Next Platform, что условия конкуренции с Intel вынуждают его компанию полагаться исключительно на передовые техпроцессы в будущих поколениях продукции, хотя инновации будут предусмотрены и на уровне архитектуры, и компоновки чипов.

Источник изображения: AMD

Представитель AMD пояснил представителям указанного выше сайта, что не хотел бы недооценивать технологические возможности Intel. «Пэт Гелсингер предложил очень агрессивный план, и мы исходим из того, что они будут делать то, что говорят», — описал Форрест Норрод отношение AMD к стратегии конкурента. По этой причине руководство AMD считает нужным «бежать как можно быстрее как с точки зрения собственного дизайна чипов, так и в плане технологических процессов TSMC».

Исполнительный вице-президент AMD добавил: «Я считаю наши шансы на успех с TSMC очень высокими. Они являются потрясающим партнёром и очень дисциплинированным исполнителем, и мы собираемся использовать их самые продвинутые техпроцессы для каждого поколения». Только так, по мнению Норрода, AMD может обеспечить себе шансы остаться на острие технологического прогресса. При этом сама AMD будет уделять не меньшее внимание совершенствованию как собственных архитектур, так и компоновочных решений при создании передовых чипов во всех категориях выпускаемой продукции.

Эксперты Bernstein в своей недавней аналитической записке предположили, что 2-нм продукцию от TSMC компания AMD начнёт получать уже в 2026 году. Сама Intel даже в условиях собственного прогресса в сфере литографических технологий, полностью отказаться от услуг TSMC в обозримом будущем не сможет, а потому наряду с Apple и Nvidia эти два заказчика попадут в число крупнейших клиентов тайваньского контрактного производителя чипов.

В сентябре прошлого года 7-нм процессоры HiSilicon Kirin 9000S собственной разработки Huawei дебютировали в составе смартфонов семейства Mate 60 Pro, чуть улучшенная версия чипа появилась в этом году в смартфонах серии Pura 70, но процессоры для ускорителей вычислений Ascend 910B по такой технологии компания вряд ли сможет получать от SMIC в достаточных количествах, как утверждают источники.

Источник изображения: Huawei Technologies

На поставщиков оборудования ссылается публикация на страницах издания The Information. По их данным, китайский контрактный производитель чипов SMIC недооценил степень расхода оснастки и износа оборудования при производстве 7-нм чипов. Первоначально считалось, что используя имеющееся не самое современное оборудование, которое было закуплено до усиления санкций США, а также вспомогательную оснастку, SMIC сможет выпускать по 500 000 чипов в год.

Эти оценки, как утверждают опрошенные The Information источники, оказались чрезмерно пессимистичными. Оборудование, изначально не предназначенное для выпуска 7-нм чипов, изнашивается быстрее, чем ожидалось, а получать запасные части в условиях санкций SMIC может лишь в ограниченных количествах или вообще лишена такой возможности. Всё это может привести к тому, что объёмы выпуска 7-нм чипов для нужд Huawei будут постепенно сокращаться и в дальнейшем могут прекратиться полностью. Подобная перспектива, несомненно, не обрадует клиентов Huawei в сегменте облачных вычислений, которые рассчитывали заменить ускорителями семейства Ascend 910B сопоставимые по производительности ускорители Nvidia A100, которые в Китай не поставляются из-за тех же санкций США. Под вопросом остаётся и судьба более совершенных чипов, которые SMIC рассчитывала выпускать на имеющемся у неё оборудовании.

Программа поддержки национальной полупроводниковой промышленности, предложенная властями Южной Кореи, обладает своей спецификой, но в конечном итоге призвана стимулировать развитие отрасли. Первые $19 млрд финансовой поддержки начнут распределяться между участниками корейского рынка в следующем месяце, но основную часть суммы по традиции составят льготные кредиты.

Источник изображения: SK hynix

Напомним, что власти Южной Кореи не особо щедры на безвозвратные субсидии, и они предпочитают предоставлять налоговые льготы или кредиты по сниженной ставки, а непосредственно инвестиции в полупроводниковую отрасль предлагают делать частным компаниям типа тех же Samsung Electronics и SK hynix. По крайней мере, к 2047 году они должны вложить в развитие национальной полупроводниковой промышленности $471 млрд.

Как сообщает Bloomberg, с июля власти страны начнут распределять $19 млрд, предназначенные для поддержки национальной полупроводниковой отрасли. Из этой суммы $12,2 млрд составят кредиты по льготным ставкам, которые соискателям предстоит вернуть государству. Эта часть средств будет доступна участникам программы со следующего месяца. Власти страны также учредят два отдельных фонда на общую сумму $790 млн, которые будут сформированы непосредственно из субсидий, и меньший из них ($216 млн) призван способствовать развитию корейских производителей оборудования и материалов для производства чипов. Участники программы субсидирования также смогут претендовать на получение налоговых льгот на срок не менее трёх лет, и производители оборудования и материалов могут попасть под их действие.

Компания Samsung с трудом наращивает объёмы выпуска мобильных процессоров Exynos 2500 на основе 3-нм техпроцесса, сообщают аналитики TrendForce со ссылкой на южнокорейское издание ZDNet. Всё дело в огромном проценте брака — к настоящему моменту производитель вышел на уровень годной продукции чуть ниже 20 %.

Источник изображения: Samsung

В первом квартале этого года уровень выхода годных чипов составлял однозначное число процентов, так что Samsung постепенно улучшает техпроцесс. Но даже с учётом улучшения производства объёмы выхода небракованных чипов не дотягивает до перехода к массовому выпуску. Остается неясным, будут ли данные процессоры использоваться в составе смартфонов серии Galaxy S25 в будущем, но недавние слухи говорили о том, что будущие флагманы поголовно получат Snapdragon 8 Gen 4.

Для эффективного массового производства необходимо, чтобы уровень брака был ниже 40 %. Как сообщается, подразделение System LSI Samsung собирается продолжить работу над повышением качества производственного процесса годных чипов Exynos 2500 во второй половине этого года. Компания намерена выйти на выход годных чипов в 60 % к октябрю.

В том же отчёте южнокорейского издания говорится, что главный конкурент Samsung, тайваньский контрактный производитель чипов TSMC, полностью загружен заказами на производство 3-нм продукции для Apple, NVIDIA, AMD, Qualcomm, Intel и MediaTek. В конце мая TSMC сообщала, что утроила производственные мощности для выпуска 3-нм чипов, но этого по-прежнему недостаточно, чтобы покрыть все заказы, поэтому компания всё ещё прилагает усилия для удовлетворения спроса.

На технологической конференции в марте этого года компания Samsung Electronics заявила, что рассчитывает наладить массовый выпуск трёхмерной DRAM к концу десятилетия. SK hynix, вдохновляемая своими успехами в сфере выпуска HBM, недавно сообщила, что в рамках экспериментального производства 3D DRAM получает 56 % годной продукции.

Источник изображения: SK hynix

Напомним, что используемая в сегменте высокоскоростных вычислений память типа HBM в традиционном толковании имеет компоновку 2.5D, а полноценную трёхмерную компоновку должна предложить память 3D DRAM, разработку которой сейчас ведут все три крупнейших производителя оперативной памяти: Samsung Electronics, SK hynix и Micron Technology.

По информации Business Korea, компания SK hynix на симпозиуме VLSI 2024 на прошлой неделе сообщила о промежуточных успехах в разработке памяти типа 3D DRAM. Пятислойные микросхемы компания уже может выпускать с уровнем выхода годной продукции 56,1 %, что довольно много для ранней стадии выпуска нового типа полупроводниковых изделий. Как отмечается, характеристики опытных образцов 3D DRAM в целом не уступают чипам с традиционной планарной компоновкой.

Само собой, предстоит проделать немалую работу по созданию условий для производства 3D DRAM в массовых количествах. Имеющиеся образцы такой памяти, по словам представителей SK hynix, не отличаются стабильностью с точки зрения быстродействия, а в плане пригодности к массовому производству имеет смысл рассчитывать на создание микросхем памяти с количеством слоёв от 32 до 192 штук.

Недавний прогноз отраслевой ассоциации SEMI говорит о том, что в текущем году мировые производственные мощности по выпуску полупроводниковых компонентов вырастут на 6 %, а в следующем году они увеличатся ещё на 7 %. На этом фоне будет наблюдаться опережающее развитие китайской полупроводниковой промышленности, которая нарастит мощности на 15 % в текущем году, и на 14 % в следующем.

Источник изображения: GlobalFoundries

К передовым техпроцессам отчёт SEMI относит нормы 5 нм и тоньше, связанные с ними мощности во всём мире вырастут на 13 % по итогам текущего года, во многом за счёт сохраняющегося бума систем искусственного интеллекта. В следующем году усилия лидеров рынка по освоению 2-нм техпроцессов приведут к тому, что мощности по выпуску передовой продукции вырастут на 17 %.

Совокупная производительность китайских компаний в текущем году вырастет на 15 % до 8,85 млн кремниевых пластин в месяц. В следующем году производственные мощности китайских участников рынка вырастут ещё на 14 % до 10,1 млн кремниевых пластин в месяц. Подобная динамика будет во многом обусловлена опасениями дальнейшего ужесточения санкций США, которые лишают китайские компании доступа к передовым компонентам и оборудованию для их производства на мировом рынке. Почти треть мировых производственных мощностей по выпуску чипов в следующем году будет приходиться на Китай.

Источник изображения: SEMI

Все прочие регионы, располагающие собственной полупроводниковой промышленностью, в следующем году ограничатся темпами роста на уровне не более 5 %. Вторым после Китая регионом окажется Тайвань с увеличенными до 5,8 млн кремниевых пластин в месяц мощностями (+4 %), Южная Корея займёт третье место за счёт увеличения объёмов обработки кремниевых пластин на 7 % до 5,4 млн штук в месяц. Япония прибавит 3 % до 4,7 млн пластин в месяц, обе Америки окажутся на пятом месте с приростом на 5 % до 3,2 млн пластин в месяц, следом расположится Европа с 2,7 млн пластин в месяц (+4 %), а Юго-Восточная Азия за пределами Китая прибавит 4 % до 1,8 млн пластин в месяц.

Контрактный сегмент рынка в текущем году нарастит свои мощности на 11 %, в следующем темпы роста замедлятся до 10 %, а к началу 2026 года в этой сфере будет обрабатываться по 12,7 млн кремниевых пластин ежемесячно. Бум искусственного интеллекта вызовет рост объёмов выпуска микросхем DRAM, к которым относится и HBM. В этом сегменте рынка производительность предприятий будет увеличена на 9 % как в текущем году, так и в следующем. На этом фоне рынок 3D NAND будет развиваться весьма консервативно: в этом году производственные мощности не увеличатся вовсе, а в следующем прибавят 5 %. Распространение систем ИИ приведёт к увеличению среднего объёма оперативной памяти в смартфонах массового сегмента с 8 до 12 Гбайт, а ноутбуки с процессорами нового поколения, способными ускорять ИИ, будут в минимальных конфигурациях оснащаться 16 Гбайт оперативной памяти.

Компания Google с 2025 будет выпускать свои фирменные процессоры Tensor на мощностях TSMC, сообщают сразу несколько источников. Первое поколение чипов Tensor компания представила в 2021 году в серии смартфонов Pixel 6. С тех пор данные процессоры производились по заказу компанией Samsung.

Источник изображения: Google

Как сообщается, десятое поколение смартфонов Pixel будут работать на чипах Tensor G5, которые будут производиться с применением 3-нм техпроцесса TSMC. Соглашение о сотрудничестве между двумя компаниями было подписано ещё в июле 2023 года, сообщают источники.

Актуальный Tensor G3 производится с применением 4-нм техпроцесса Samsung. Процессор Tensor G4, который ляжет в основу смартфонов серии Pixel 9, всё ещё будет выпускаться компанией Samsung, а вот его преемник станет первым процессором Google для мобильных устройств, которые будет поручено выпускать тайваньской компании TSMC.

Как сообщает Business Korea, переход на новый техпроцесс для Tensor G5 неизбежен, поскольку все основные конкуренты Google, включая Qualcomm и MediaTek, будут выпускать свои будущие процессоры на 3-нм техпроцессе. А та же Apple использует 3-нм техпроцесс для производства процессоров для iPhone 15 Pro с 2023 года.

В том же отчёте южнокорейского издания говорится, что Samsung тем временем борется с проблемами производительности и энергоэффективности своего флагманского мобильного чипа Exynos 2500. Сообщается, что энергопотребление и тепловыделение чипа примерно на 10-20 % выше, чем у чипов, выпускаемых согласно 3-нм процессу TSMC. По мнению ведущего аналитика Мин-Чи Куо (Ming-Chi Kuo), по этой причине Samsung может отказаться от использования Exynos 2500 в составе будущей линейки смартфонов Galaxy S25 в пользу процессоров Qualcomm Snapdragon.

Зарубежные компании порой сталкиваются в своей деятельности с непредвиденными обстоятельствами природного происхождения. Tesla при строительстве предприятия в окрестностях Берлина более трёх лет назад мешали зимующие лягушки и змеи, а Micron Technology в штате Нью-Йорк вынуждена будет отложить начало строительства своих предприятий из-за летучих мышей.

Источник изображения: Micron Technology

Как поясняет Bloomberg, в технопарке White Pine, на территории которого Micron собиралась в этом году начать строительство двух из четырёх будущих предприятий по выпуску микросхем памяти, обнаружились колонии летучих мышей двух находящихся под угрозой вымирания в Северной Америке видов. К началу зимы они традиционно перемещаются для зимовки в ближайшие пещеры, а до этого проживают в лесных массивах. Сводить деревья на территории будущей строительной площадки Micron до ноября не сможет, поскольку это причинило бы беспокойство редким видам летучих мышей, обитающим в здешних лесах. Даже приступив к своду деревьев в ноябре, Micron обязана позаботиться о том, чтобы у летучих мышей осталась альтернативная территория обитания поблизости, поскольку весной они должны куда-то вернуться из пещер после зимовки.

Задержаться с началом работ на строительной площадке в штате Нью-Йорк компания будет вынуждена ещё и по другой причине. На этой заболоченной территории площадью более 82 га в конкретном районе строительства расположены ручьи общей протяжённостью около 2 км, и все землеустроительные работы нужно согласовывать с профильным американским ведомством, которое отвечает за охрану водных ресурсов. Пока соответствующий план действий компания Micron не предоставила. Завершить все согласования на данном участке американский производитель памяти намеревается к началу 2025 года, при отсутствии других препятствий строительство планируется начать вскоре после этого. Две первые фабрики по выпуску памяти должны быть введены в строй в 2028 и 2029 годах соответственно, в случае необходимости третья появится в 2035 году, а четвёртая — в 2041 году.

Компании Micron уже удалось получить принципиальное согласие Министерства торговли США на предоставление субсидий на строительство всех своих запланированных предприятий на территории страны по «Закону о чипах». Безвозвратные субсидии составят $6,1 млрд, льготных кредитов будет предоставлено $7,5 млрд, а сумма налоговых вычетов пока не уточняется. Власти штата Нью-Йорк дополнительно выделили $5,8 млрд на конкретный проект. Правда, некоторую часть федеральных субсидий Micron наверняка потратит на строительство нового предприятия в родном Айдахо. Проект, подразумевающий инвестиции в размере $15 млрд, был запущен ещё в прошлом году, строительство предприятия уже ведётся, а в эксплуатацию оно будет введено в 2026 году. Площадка в штате Нью-Йорк подразумевает инвестиции на общую сумму до $100 млрд сроком на двадцать лет, поэтому незначительные задержки с реализацией этого проекта нервируют только тех американских законодателей, которые видят растущую угрозу для технологического суверенитета США со стороны Китая.

Формально принятый в 2022 году европейский «Закон о чипах» предусматривает субсидирование местной полупроводниковой отрасли на сумму 43 млрд евро, но на практике реализация многих проектов в регионе буксует. По крайней мере, американская Wolfspeed решила повременить со строительством предприятия по выпуску силовой электроники в Германии, да и у Intel возникли проблемы с подготовкой к реализации своего проекта.

Источник изображения: Wolfspeed

Как поясняет Reuters, американская Wolfspeed, которая намеревалась в прошлом году начать строительство в Германии предприятия по выпуску силовой электроники для электромобилей, потратив на соответствующие нужды $3 млрд, не спешит с реализацией проекта. В данный момент строительная площадка даже не расчищена до конца, и компания занимается поиском средств на финансирование строительства. Спрос на электромобили не растёт прежними темпами, и в таких условиях Wolfspeed пока предпочитает сосредоточиться на расширении своего предприятия в штате Нью-Йорк. Если строительство предприятия в Германии и начнётся, то случится это не ранее середины следующего года. Это на два года позже, чем планировалось изначально.

Заявки на субсидирование своих проектов по строительству в Европе предприятий, выпускающих чипы, уже подали или намерены это сделать Intel, TSMC, Infineon, STMicroelectronics и GlobalFoundries. Германия поддержала соответствующие планы Intel, TSMC, Infineon и Wolfspeed, но власти Евросоюза своего одобрения пока не дали. Германия столкнулась с тех пор с серьёзным бюджетным кризисом, но чиновники продолжают настаивать, что сокращать финансирование строительства проектов в полупроводниковой отрасли из-за этого не станут.

Intel намеревается потратить $33 млрд на строительство в Германии двух предприятий по выпуску чипов, рассчитывая получить до трети этих средств в виде субсидий. Подготовку к строительству планировалось начать в этом году, но она откладывается из-за обнаруженных на площадке существенных запасов чернозёма. Плодородную почву, согласно немецкому законодательству, необходимо вывезти и распределить среди немецких фермеров, прежде чем на этом месте можно будет начать строить предприятия. Подрядчикам Intel придётся сделать 80 000 рейсов на самосвалах, чтобы вывезти этот объём грунта. Компания рассчитывает начать выпуск чипов на этой площадке в течение ближайших четырёх или пяти лет, но одобрение Еврокомиссии до сих пор не получено.

TSMC своё совместное предприятие с NXP, Bosch и Infineon в окрестностях Дрездена намеревается начать строить в текущем году. Оно будет концентрироваться на работе с достаточно зрелыми техпроцессами, поэтому затраты на его строительство оцениваются в умеренные $11 млрд. Франко-итальянской STMicroelectronics получила от Еврокомиссии разрешение на строительство в Италии предприятия стоимостью 5 млрд евро. В прошлом году компании удалось получить одобрение на строительство совместного с GlobalFoundries предприятия во Франции общей стоимостью 7,5 млрд евро, но последняя пока не готова вкладывать свои средства в этот проект, ссылаясь на неблагоприятные рыночные условия.

Infineon в прошлом году начала строить на свой страх и риск предприятие в Дрездене стоимостью 5 млрд евро, и намеревается завершить строительство в 2026 году, хотя до сих пор не уверена в получении субсидий Евросоюза. Ещё один конкурент Wolfspeed, компания Onsemi, на этой неделе объявила о планах потратить $2 млрд на расширение своего производства чипов в Чехии. Словом, активность производителей достаточно высока, но не все из них готовы вкладываться в европейскую полупроводниковую промышленность без гарантированного получения субсидий от местных властей.

Стремление азиатских производителей памяти обзавестись предприятиями на территории США вовсе не означает, что исконно американские компании не собираются строить новые заводы за пределами страны. Например, Micron Technology рассматривает возможность организации выпуска передовой памяти HBM в Малайзии, и в следующем году рассчитывает занять до 25 % мирового рынка такой памяти.

По данным TrendForce, на которые ссылается Nikkei Asian Review, подобная доля рынка сейчас принадлежит Micron Technology и в сегменте DRAM в целом. На рынке HBM в этом смысле Micron пока не добилась существенных успехов, поскольку конкурирующим SK hynix и Samsung Electronics принадлежат 50 и 42,4 % этого сегмента соответственно. Таким образом, чтобы занять необходимые 25 % рынка HBM, компании Micron нужно по итогам следующего года увеличить свою долю более чем в три раза.

Micron собирается нарастить не только производственные мощности, но и увеличить количество исследовательских центров и экспериментальных линий, которые помогут компании быстрее выводить на рынок новые разновидности HBM. Помимо экспансии предприятий в родном американском штате Айдахо, компания задумывается о строительстве первого для себя предприятия в Малайзии по обработке кремниевых пластин. Впрочем, тестированием и упаковкой микросхем памяти компания в этой стране уже занимается. Кроме того, её крупнейшее предприятие по производству HBM расположено в центральной части Тайваня, и оно тоже будет расширяться.

Samsung пока не удаётся пройти все этапы сертификации своей памяти HBM3E для её поставок компании Nvidia, а вот Micron свои аналогичные чипы для ускорителей H200 уже поставляет, как и лидирующая на рынке SK hynix. Корейскому гиганту Samsung приходится довольствоваться поставками более зрелых видов HBM для нужд AMD, Google и Amazon. Компания Nvidia является крупнейшим покупателем микросхем HBM, но она приобретает не более 48 % годовой программы выпуска памяти всех трёх мировых производителей, по оценкам Morgan Stanley.

На технологической конференции в Сеуле, по данным PC Watch, компания Kioxia продемонстрировала намерения к 2027 году наладить выпуск микросхем 3D NAND с увеличенным до 1000 штук количеством слоёв. Плотность хранения информации в данном случае вырастет до 100 Гбит/мм². Для сравнения, ещё в 2022 году наличие 238 слоёв у микросхем 3D NAND считалось хорошим результатом.

Источник изображения: Kioxia

При этом в 2014 году память 3D NAND вообще довольствовалась 24 слоями, поэтому за последующие восемь лет их количество увеличилось в десять раз. Если подобные темпы роста (1,33 в год) сохранятся и дальше, то Kioxia рассчитывает на увеличение количества слоёв 3D NAND до 1000 штук к 2027 году. Плотность хранения данных в 3D NAND достигается не только увеличением количества слоёв. Вертикальные и поперечные размеры ячейки памяти также уменьшаются, а количество хранимых в них битов информации увеличивается. Например, QLC предлагает хранить в одной ячейке четыре бита информации, тогда как TLC обеспечивала только три бита на ячейку.

По мере увеличения количества слоёв 3D NAND возникают проблемы с травлением отверстий, необходимых для межслойного соединения чипов друг с другом. Более глубокие каналы обладают более высоким сопротивлением, и для формирования межслойных соединений требуются новые материалы со специфическими свойствами, а также новые методы их обработки. Например, на смену поликристаллическому кремнию приходит монокристаллический. Kioxia также рассчитывает заменять проводники внутри каждого слоя 3D NAND с вольфрамовых на молибденовые для снижения сопротивления и уменьшения задержек.

Производственный партнёр Kioxia в лице корпорации Western Digital попутно говорит о проблеме роста капитальных затрат по мере увеличения количества слоёв в памяти 3D NAND, а также снижении экономической эффективности подобной миграции. Себестоимость производства памяти по мере увеличения количества слоёв снижается всё меньше и меньше. Скорее всего, именно экономические причины вынудят производителей 3D NAND замедлить темпы «гонки за увеличением количества слоёв».

Сейчас Kioxia и Western Digital выпускают память поколения BiCS 8 в 218-слойном исполнении. Поколения BiCS 9 и BiCS 10 обеспечат увеличение количества слоёв до 300 и 400 штук. Американский производитель не хотел бы по экономическим соображениям поддерживать существующие темпы увеличения количества слоёв памяти 3D NAND.

На фоне роста акций Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC) рыночная капитализация крупнейшего в мире контрактного производителя полупроводниковых изделий вплотную приблизилась к отметке $1 трлн, обращает внимание Bloomberg.

Источник изображения: tsmc.com

На этой неделе ряд брокерских контор Уолл-стрит повысил ценовые ориентиры на акции TSMC — причиной тому стал рост спроса на системы искусственного интеллекта, а также ожидаемый в 2025 году рост цен на услуги контрактного производства чипов. Наиболее оптимистично настроенной оказалась Goldman Sachs Group, которая скорректировала целевую стоимость акций компании на 19 % до 1160 новых тайваньских долларов ($35,82) из-за того, что роста цен на производство чипов 3 и 5 нм на «низкий однозначный процент». JPMorgan Chase прогнозирует, что TSMC повысит прогноз выручки на 2024 год и увеличит капитальные затраты «до верхней границы прогнозируемого диапазона», и что ИИ к 2028 году обеспечит компании 35 % продаж. На фоне усилившихся перспектив прибыли целевые стоимости акций компании повысили Citigroup и Morgan Stanley.

Источник изображения: bloomberg.com

TSMC стала крупным бенефициаром бума ИИ, а используемые компанией передовые технологии сделали её фаворитом среди мировых инвесторов; она также является основным производителем передовых чипов Nvidia — самой дорогой компании в мире. На минувшей неделе TSMC обогнала Berkshire Hathaway и стала восьмой в мире компанией по рыночной капитализации с учётом американских депозитарных расписок — в этом году они подорожали на 73 %, увеличив стоимость компании до $932 млрд, что уже незначительно ниже порога в $1 трлн.

На страницах корпоративного блога Intel на этой неделе появилась публикация со встроенной презентацией, которую производственное подразделение компании подготовило к мероприятию VLSI Symposium. Среди весьма специфичной информации, которая представляет интерес для узких специалистов, было рассказано о тех преимуществах, которые принесут различные версии техпроцесса Intel 3.

Источник изображений: Intel

С докладом на эту тему выступил вице-президент Intel по разработке технологий для контрактного подразделения Валид Хафез (Walid Hafez), отметивший, что освоение техпроцессов семейства Intel 3 является для компанией важным этапом реализации плана 5N4Y, подразумевающего внедрение пяти новых техпроцессов за четыре года, начиная с 2021 года.

Ещё в конце прошлого года первая версия техпроцесса Intel 3 достигла стадии готовности к серийному производству, а в настоящее время он используется для выпуска продукции на экспериментальной линии в штате Орегон, а также на предприятии Intel в Ирландии. С помощью техпроцесса Intel 3 компания будет изготавливать не только компоненты собственных серверных процессоров Xeon 6 семейства Sierra Forest, но и чипы по заказам сторонних клиентов.

Внутри семейства Intel 3 предусмотрено сразу четыре варианта техпроцесса, которые найдут применение на разных этапах для производства компонентов различного назначения. Intel 3-T от базового Intel 3 будет отличаться применением межслойных соединений, позволяющих использовать сложную пространственную компоновку чипов, включая и варианты с размещением микросхем памяти поверх кристалла с вычислительными ядрами. Техпроцессы Intel 3 и Intel 3-T будут использоваться для производства компонентов в серверном и потребительском сегментах, а также изготовления подложек многокристальных чипов. По сравнению с техпроцессом Intel 4, они обеспечат улучшение соотношения производительности и энергопотребления на 18 % на уровне всего процессорного ядра, а также повышение плотности размещения транзисторов на 10 %.

Техпроцесс Intel 3-E обеспечит дополнительные возможности по интеграции с разнородными интерфейсами, включая аналоговые и смешанные. Он будет применяться для выпуска чипсетов и компонентов систем хранения данных. Наконец, разновидность Intel 3-PT объединит преимущества трёх предыдущих в рамках одних технологических норм. Шаг межслойных соединений удастся уменьшить до 9 мкм, а для объединения разнородных кристаллов в одной упаковке будут использоваться гибридные методы. Это позволит дополнительно увеличить плотность компоновки чипов в одной трёхмерной упаковке. Как и все техпроцессы этого семейства, Intel 3-PT будет использовать FinFET-структуру транзисторов. С его помощью будут изготавливаться как процессоры общего назначения, так и чипы для ускорителей вычислений с самой сложной структурой и высокой производительностью. Средства разработки, совместимые с техпроцессами семейства Intel 3, подразумевают использование библиотек с нормами 240 нм, ориентированных на создание высокопроизводительных чипов, а также библиотек с нормами проектирования 210 нм, используемыми для повышения плотности размещения транзисторов.

В рамках техпроцесса Intel 20A позже компания собирается внедрить новую структуру транзисторов RibbonFET и технологию подвода питания с обратной стороны кремниевой пластины PowerVia. Об этих нововведениях Intel подробно расскажет отдельно в будущем.