Тайваньский контрактный производитель полупроводниковой продукции TSMC на следующей неделе запустит тестовое производство чипов для компании Apple по 2-нм техпроцессу. Пробное производство будет осуществляться на мощностях завода TSMC в Баошане на севере Тайваня.

Источник изображения: macrumors.com

Оборудование, которое необходимо для создания 2-нм чипов, было доставлено на предприятие во втором квартале этого года. Ожидается, что первые устройства Apple на базе чипов, выполненных по передовой технологии, появятся в 2025 году. Напомним, что в iPhone 15 Pro используется микропроцессор A17 Pro, изготавливаемый TSMC по техпроцессу 3 нм. Чип Apple M4, который не так давно дебютировал в новом iPad Pro, производится по улучшенной технологии 3 нм.

Переход на 2-нм чипы позволит повысить производительность и энергоэффективность. Прогнозируемый прирост производительности составит от 10 % до 15 %, а энергопотребление при этом сократится до 30 % в сравнении с показателями 3-нм чипов.

TSMC планирует начать массовое производство 2-нм чипов в следующем году. Тайваньский производитель остаётся единственной компанией, способной обеспечить стабильный выпуск 3-нм и 2-нм чипов в объёме и качестве, которые необходимы Apple. Производитель iPhone зарезервировал все доступные мощности TSMC по производству 3-нм чипов для собственных нужд. Также известно, что до конца года TSMC намерена утроить свои производственные мощности по выпуску 3-нм чипов, чтобы удовлетворить растущий спрос. Что касается 2-нм чипов, то они впервые могут появиться в iPhone 17, которые выйдут на рынок в следующем году.

Компания TSMC во втором квартале смогла увеличить выручку на 32 % до $20,67 млрд по сравнению с аналогичным периодом прошлого года, подсчитали в Reuters на базе данных о выручке за три предыдущих месяца. Это весьма впечатляющая динамика на фоне слабого спроса на новые ПК и смартфоны, она указывает на способность бума ИИ влиять на выручку компании.

Как известно, TSMC остаётся крупнейшим контрактным производителем чипов в мире, контролирующим более половины рынка соответствующих услуг. Динамика его выручки в известной степени позволяет судить о тенденциях, наблюдаемых на рынке в целом. По мнению опрошенных LSEG аналитиков, квартальная выручка TSMC должна была едва превысить $20 млрд, в этом отношении превосходство в размере почти $600 млн может оказать положительное влияние на курс акций компании, который уже укрепился в ожидании квартальной отчётности, которая в развёрнутом виде будет опубликована 18 июля. В национальной валюте Тайваня прирост выручки TSMC по итогам второго квартала вообще измерялся 40 %.

Собственный прогноз по выручке, который компания сделала в апреле, упоминал диапазон от $19,6 до $20,4 млрд. Фактическое значение выручки может оказаться выше верхнего конца диапазона. Только в июне выручка TSMC выросла на 33 % в годовом сравнении, поэтому второй квартал в целом формировал хорошие предпосылки для достойной динамики. Чистая прибыль TSMC, как ожидают аналитики, опрошенные LSEG, могла по итогам второго квартала вырасти на 30 %. В начале этой недели американские депозитарные расписки TSMC на фондовом рынке США продемонстрировали рост котировок на 4,8 % до рекордных высот, позволивших компании достичь капитализации в $1 трлн.

Южнокорейская компания Samsung Electronics давно стремится к расширению круга клиентов на направлении контрактного производства чипов, и сотрудничество с японской компанией Preferred Networks может служить свидетельством успеха. Samsung намерена выпускать для японского стартапа 2-нм компоненты и упаковывать их с использованием 2.5D-решения I-Cube S.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом сообщил пресс-релиз на официальном сайте Samsung Electronics, но за всеми восторженными комментариями участников процесса остался в тени ответ на вопрос о сроках появления соответствующих изделий на рынке. По словам разработчика, использующее чиплеты и упаковку со сложной пространственной интеграцией решение для ускорения вычислений в системах искусственного интеллекта будет продемонстрировано в неопределённом будущем.

Однако ранее Samsung сообщала о планах начать выпуск 2-нм чипов в 2025 году. В частности, 2-нм техпроцесс первого поколения, получивший название SF2, будет готов в следующем году, а улучшенная версия 2-нм техпроцесса, получившая название SF2P, будет готова в 2026 году.

Preferred Networks является японской компанией, которая разрабатывает не только ускорители вычислений для систем генеративного искусственного интеллекта, но и программное обеспечение для них, предлагая вертикально интегрированные решения. Samsung в контексте данного сотрудничества не без удовольствия отмечает, что у неё появился клиент на выпуск 2-нм чипов с использованием структуры транзисторов с окружающим затвором (GAA), но не менее важно и участие Samsung в последующей упаковке этих компонентов.

Источник изображения: Samsung Electronics

По сути, технология 2.5D-упаковки I-Cube S подразумевает использование кремниевой подложки для объединения разнородных чипов с микросхемами памяти HBM, которую Samsung также способна выпускать собственными силами. Объединяя все три компетенции под «одной крышей», Samsung надеется предоставлять клиентам комплексную услугу по производству передовых компонентов со сложной пространственной структурой. Помимо высокого быстродействия, такая технология интеграции обеспечивает улучшение теплоотвода.

В этом месяце компании TSMC и ASML в числе первых откроют сезон квартальных отчётов, и инвесторы уже с воодушевлением ждут выхода статистики, рассчитывая на хороший рост финансовых показателей обоих эмитентов. Курс акций ASML на фоне таких настроений в начале недели впервые в истории компании на время превысил отметку в 1000 евро за штуку.

Источник изображения: ASML

Нидерландская компания ASML остаётся крупнейшим поставщиком литографических сканеров в мире, они необходимы для производства полупроводниковой продукции, поэтому бум систем искусственного интеллекта закономерно отобразился на росте котировок акций этого эмитента. Позже курс акций ASML опустился до отметки 996,90 евро за штуку, поэтому говорить о закреплении на психологически важной высоте пока не приходится. Всего с начала этого года акции компании выросли в цене на 46 %. Уже сейчас ASML входит в тройку крупнейших по величине капитализации компаний в Европе и является крупнейшим в регионе поставщиком оборудования для выпуска чипов.

Такой динамике накануне способствовал и рост оптимизма инвесторов в отношении компании TSMC, которая, будучи крупнейшим контрактным производителем чипов, является одним из главных клиентов ASML. На апрельской квартальной конференции руководство TSMC признало, что компания собирается в текущем году понести капитальные затраты в размере от $28 до $32 млрд. Квартальный отчёт TSMC будет опубликован 18 июля, статистика за июнь выйдет ещё на этой неделе. ASML успеет отчитаться о результатах квартала 17 июля, так что основные наблюдаемые на рынке тенденции будут выявлены синхронно по результатам публикации квартальной отчётности уже на следующей неделе.

В июне профсоюзные объединения сотрудников Samsung Electronics уже пытались добиться улучшения условий оплаты труда и отдыха, устроив первую в истории компании масштабную забастовку, которая длилась один день. Не добившись желаемого, профсоюзы выводят около 5000 человек на трёхдневную забастовку в этом месяце, чтобы нарушить процесс производства чипов на крупнейшем комплексе компании в Хвасоне.

Источник изображения: Samsung Electronics

По крайней мере, о таких целях новой акции сообщили агентству Bloomberg профсоюзные лидеры. Свежие кадры хроники действительно демонстрируют большую группу людей в чёрных дождевиках, скандирующих лозунги у стен производственных корпусов Samsung к югу от столицы Страны утренней свежести. Профсоюзы требуют введения более справедливой системы оплаты труда и увеличения продолжительности отпусков. Что характерно, даже для не состоящих в профсоюзе сотрудников инициаторы забастовки пытаются выбить дополнительный день отдыха.

Профсоюзами охвачено 24 % сотрудников Samsung Electronics в Южной Корее, а с учётом локализации забастовки лишь на одном из предприятий компании, говорить об угрозе масштабных перебоев в производстве микросхем памяти этой марки не приходится. Тем более, что на таких производственных линиях высокий уровень автоматизации, а профсоюз пытался вывести на забастовку только 6450 из около 30 000 своих членов. Руководство компании поспешило заявить, что забастовка не окажет влияния на деятельность Samsung. Представители профсоюза утверждают, что из-за забастовки возникнут проблемы с обработкой кремниевых пластин типоразмера 200 мм на предприятии в Хвасоне.

Профсоюз не устраивает формула расчёта премиальных выплат персоналу, поскольку она определяется разницей между операционной прибылью и затратами с учётом налогов и прочих вычетов. В итоге, если компания за определённый период не получила прибыль или не смогла перекрыть ею операционные затраты, то сотрудники остаются без премии. Участники забастовки требуют, чтобы премии были привязаны к операционной прибыли как таковой, без сопутствующих вычетов. Поскольку премия формирует значительную часть выплат персоналу, то её потеря больно ударяет по бюджету сотрудников. Профсоюз также настаивает на увеличении продолжительности оплачиваемого отпуска.

Едва определившись с методами противодействия одной из китайских угроз в лице дешёвых электромобилей, Еврокомиссия переключилась на другую в лице потенциального излишка недорогих полупроводниковых компонентов китайского производства. По крайней мере, как сообщает Reuters, европейские чиновники уже проводят опрос среди участников рынка о степени влияния данного фактора на их деятельность.

Источник изображения: SMIC

К сентябрю, как ожидается, Еврокомиссия проведёт два опроса среди европейских потребителей и производителей полупроводниковых компонентов на тему зависимости от поставок китайских чипов, выпускаемых по зрелым техпроцессам. Участие в опросе будет добровольным, но уже сейчас власти Европы ведут консультации с заинтересованными компаниями. В случае необходимости властями ЕС и США будут предприняты меры, направленные против искажения справедливых рыночных условий, как отметили европейские чиновники в ответ на запрос Reuters.

По мнению западных политиков, усилия Китая по субсидированию развития производства чипов по зрелым техпроцессам на своей технологии только на первом этапе позволят стране снизить зависимость от их импорта, но следующим шагом неизбежно станет экспансия такой потенциально очень дешёвой продукции на внешние рынки. Последние могут столкнуться с перепроизводством и падением цен, приводящим к убыткам для участников рынка. Власти Евросоюза подобной деятельностью китайских партнёров заинтересовались ещё в апреле текущего года.

Пока Еврокомиссия всего лишь собирает с участников европейского рынка полупроводниковых компонентов и электронных устройств информацию о каналах поставок используемых чипов, их ассортименте и ценах. Европейским поставщикам также предлагается дать оценочную информацию относительно аналогичных параметров продукции, поставляемой китайскими производителями.

Очевидно, что китайская экспансия производства чипов влияет на европейский бизнес по-разному. Поставщики оборудования для производства китайских чипов типа ASML очевидным образом зарабатывают на этой тенденции. Европейские производители чипов, с одной стороны, вынуждены конкурировать с китайскими, но при этом они и располагают предприятиями в Китае, чья продукция может импортироваться в Европу. Не исключено, что производители специфического оборудования не пожелают раскрывать свою степень зависимости от поставок чипов из Китая, да и сама сложная производственная цепочка порой не позволяет однозначно установить происхождение тех или иных компонентов. С этой точки зрения методология расследования европейских властей не может считаться безупречной.

В отличие от крупнейших производителей полупроводниковой продукции, таких как Intel и TSMC, компания Micron не спешит развёртывать оборудование со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) для производства DRAM. Но уже в этом году Micron намеревается запустить опытное производство с использованием EUV на своём техпроцессе 1γ (1-gamma) класса 10 нм, передаёт Technews.

Источник изображения: micron.com

Сейчас вся серийная продукция компании выпускается с использованием DUV-литографии, то есть на основе глубокого ультрафиолета. Но уже до конца года Micron запустит опытное производство на EUV-оборудовании, а в 2025 году оно может стать полномасштабным. Корейская Samsung ещё в 2020 году доложила, что успешно отгрузила миллион первых в отрасли модулей DDR4 класса 10 нм (D1x), произведённых на EUV-оборудовании. SK hynix стала применять такую литографию в 2021 году для выпуска чипов DDR класса 10 нм; и уже в этом году она намеревается потратить на закупку этого оборудования $1,5 млрд.

Ранее гендиректор Micron Санджай Мехротра (Sanjay Mehrotra) сообщил инвесторам, что подготовка опытного производства на основе техпроцесса 1γ класса 10 нм продвигается успешно, а запуск массового выпуска продукции нового поколения запланирован на 2025 год. Технология выпуска памяти DRAM с использованием 1γ разрабатывается на заводе компании в японской Хиросиме — предприятие станет первой площадкой для опытного производства.

Чтобы удовлетворить спровоцированный бумом технологий искусственного интеллекта высокий спрос на высокопроизводительные чипы памяти Micron строит пилотную производственную линию для выпуска HBM в США и рассматривает возможность запуска второй линии в Малайзии.

Уменьшение шага проекции полупроводниковой литографии заставляет более пристально вглядываться в перспективные материалы вплоть до анализа расположения отдельных атомов. С такой задачей обычно справляется сканирующий туннельный микроскоп. Но его возможности не безграничны, и в ряде случаев он не способен различить отдельные атомы, что критично для анализа так называемых дефектов в кристаллических решётках. Учёные из США нашли решение этой проблемы.

Ила микроскопа нависла над поверхностью. Луч лазера ударяет в изучаемую область и вызывает отклик. Источник изображения: Michigan State University

Сканирующий туннельный микроскоп представляет собой иглу с кончиком атомарной толщины. Он проходит над поверхностью изучаемого материала как игла проигрывателя по бороздке виниловой пластинки проигрывателя. Только игла микроскопа не касается поверхности. Электроны сами соскакивают с атомов материала и туннелируют на иглу, возбуждая в ней электрический ток. Подсчёт электронов (измерение токов) и расчёты позволяют многое выяснить об анализируемом образце. Но в некоторых случаях это не работает.

В частности, сканирующий туннельный микроскоп плохо воспринимает атомы кремния. Для электрона атом кремния почти как глубокая яма, которую он не может покинуть или перелететь. На этот счёт проведено множество теоретических изысканий, но на практике работать с кремнием и, особенно, с дефектами на основе кремния, оказалось непросто. Между тем, дефекты в виде внедрённых в кристаллическую структуру арсенида галлия атомов кремния — это одно из перспективных направлений в электронике будущего. Каждый такой дефект отвечает за характеристики токов через полупроводник, что позволит создавать очень и очень маленькие транзисторы.

Учёные из Университета Мичигана (Michigan State University) нашли возможность заставить атомы показать своё истинное лицо. Они совместили анализ материала сканирующим туннельным микроскопом с терагерцовым лазером. Выяснилось, что когда частота колебания лазера совпадает с частотой колебания атома кремния в составе кристаллической решётки арсенида галлия, возникает резонанс и появляется сильнейший отклик. Фактически они первыми смогли обнаружить на поверхности другого материала отдельные атомы кремния. Очевидно, что аналогичным методом можно работать с другими материалами, изучая на практике то, что было известно только по теоретическим выкладкам.

«У нас есть ряд открытых проектов, где мы используем эту технику с большим количеством материалов и с более экзотическими материалами, — говорят авторы. — По сути, мы внедряем её во всё, что делаем, и используем как стандартную технику».

«Эти наноскопические материалы — будущее полупроводников, — резюмируют исследователи. — Когда у вас есть наноразмерная электроника, действительно важно убедиться, что электроны могут двигаться так, как вы хотите».

На фоне бурного развития рынка электромобилей растёт спрос на силовые компоненты из нитрида галлия, которые способны выдерживать более высокие нагрузки по сравнению с традиционными кремниевыми. Компания GlobalFoundries недавно приобрела у Tagore Technology пакет профильных патентов, связанных с производством компонентов из нитрида галлия.

Источник изображения: Tagore Technology, LinkedIn

По словам GlobalFoundries, компания собирается применять эти разработки для выпуска широкого спектра компонентов, которые найдут применение в автомобильном сегменте, на рынке Интернета вещей и систем искусственного интеллекта. Последние также нуждаются в более эффективной силовой электронике, которая способна обслуживать стремительно растущие запросы в сфере энергопотребления.

Данным шагом, как подчёркивается в официальном пресс-релизе, GlobalFoundries подтверждает свою приверженность идее массового выпуска компонентов на основе нитрида галлия. Клиенты компании, которая является одним из крупнейших контрактных производителей чипов, получат возможность заказывать выпуск более широкого ассортимента силовой электроники на основе нитрида галлия. В штат GlobalFoundries, по условиям сделки с Tagore Technology, перейдёт команда специалистов по разработке подобных элементов. Они будут работать в индийском представительстве GlobalFoundries. Также у Tagore Technology имеется исследовательский центр в США, а сама компания была основана в 2011 году.

GlobalFoundries собирается направить на развитие производства компонентов из нитрида галлия на территории США часть тех $1,5 млрд, которые ей были выделены в феврале этого года в качестве субсидий по «Закону о чипах». По мнению представителей компании, снижение энергопотребления особенно важно в сфере Интернета вещей, и компоненты из нитрида галлия как раз помогут решить эту проблему.

Ассоциация японских производителей оборудования для выпуска чипов, как пишет Bloomberg, недавно улучшила свой прогноз по выручке от реализации профильной продукции на текущий фискальный год, который будет длиться до марта 2025 года включительно. По мнению членов ассоциации, профильная выручка за этот период вырастет на 15 % до $26 млрд.

Источник изображения: Tokyo Electron

Благодарить за это, по мнению японских производителей оборудования, следует преимущественно бум систем искусственного интеллекта, который повышает спрос на оборудование для производства микросхем памяти, помимо прочего. До этого представители ассоциации рассчитывали по итогам текущего фискального года выручить не более $25 млрд. В 2026 фискальном году, как отмечает источник, выручка может вырасти ещё на 10 % до $29 млрд, а к марту 2027 года увеличиться до $32 млрд.

Немалую роль в улучшении прогноза на текущий год, как отмечается, сыграла и конъюнктура китайского рынка, где закупки оборудования для производства чипов растут лидирующими темпами. Впрочем, из-за американских, японских и нидерландских санкций китайским покупателям доступно только не самое современное оборудование для выпуска чипов по зрелым техпроцессам, но китайский рынок испытывает потребность и в нём, поэтому одна эта страна сейчас закупает оборудования для выпуска чипов почти столько же, сколько все остальные вместе взятые. Власти США оказывают давление на Нидерланды и Японию, чтобы те усилили ограничения в части возможности обслуживания оборудования для выпуска чипов, проданного в Китае, зарубежными специалистами из этих стран.

Производители твердотельной памяти увеличивают плотность хранения информации как за счёт увеличения количества бит на одну ячейку, так и за счёт увеличения количества слоёв в микросхеме. Kioxia в этом отношении продвинулась до 218 слоёв, начав массовое производство соответствующей памяти 3D NAND на своём предприятии в Японии в этом месяце.

Источник изображения: Kioxia

Данную новость опубликовало агентство Nikkei, сообщив о способности Kioxia тем самым увеличить ёмкость микросхем памяти примерно на 50 % и снизить энергопотребление на 30 % по сравнению с существующей продукцией этой марки. Этот же источник сообщает, что помимо спроса со стороны систем искусственного интеллекта, общее оживление рынка твердотельной памяти привело к тому, что в июне степень загрузки предприятий Kioxia вернулась к 100 %. До этого с октября 2022 года компании приходилось планомерно снижать объёмы выпуска памяти из-за перенасыщения рынка, и самые значительные сокращения достигали 30 %.

Компания Kioxia, унаследовавшая бизнес по производству твердотельной памяти от Toshiba Memory Corporation, до конца октября рассчитывает выйти на фондовый рынок. Именно восстановление спроса на 3D NAND подтолкнуло Kioxia к более активным действиям на этом направлении, поскольку благоприятная ситуация на рынке памяти должна привлечь к акциям компании большее количество инвесторов. Впрочем, если в указанные сроки компании не удастся провести IPO, оно может быть отложено до декабря текущего года.

К 2027 году Kioxia рассчитывает увеличить количество слоёв памяти до 1000 штук, но некоторые участники рынка считают, что подобные темпы экспансии не будут экономически себя оправдывать. Недавно компания также объявила о начале поставок микросхем 3D QLC NAND, построенных на кристаллах BiCS восьмого поколения ёмкостью 2 терабита. Одна микросхема такой памяти может хранить до 4 Тбайт информации.

Согласно долгосрочным планам IEEE, полупроводниковая промышленность к 2027 году освоит литографию с шагом (узлом) 0,5 нм при ширине затвора транзистора 12 нм. Учёные из Южной Кореи нашли возможность уже сегодня выращивать более мелкие транзисторы, не ожидая улучшения литографических сканеров. С помощью новой разработки они без сканеров научились создавать электрод затвора шириной 0,4 нм для работы с транзисторным каналом шириной 3,9 нм.

Металлические 1D-электроды (жёлтые) растут как грибы после дождя безо всякой литографии. Источник изображений: IBS

В открытии помогло обнаружение дефектов в кристаллической структуре дисульфида молибдена (MoS_₂). При определённых условиях дефекты можно было контролируемо перевести в металлическую фазу. Таким образом, на пластине появлялся металлический электрод шириной 0,4 нм, который никакой сканер не смог бы воспроизвести ни сегодня, ни через 15 лет. Дефект появляется на границе зеркального раздела между участками растущей кристаллической подложки MoS_₂. Контролируя эпитаксиальный рост подложки можно добиться превращения границы раздела в одномерный тонкий металлический электрод.

Учёные из Центра квантовых твёрдых тел Ван-дер-Ваальса при Институте фундаментальных наук (IBS) в Тэджоне не только показали возможность выращивать одномерные металлы, но также создали с их помощью двумерные полевые транзисторы и даже экспериментальные чипы. Выяснилось, что электрод затвора шириной 0,4 нм способен создавать поле (управлять проводимостью затвора) на ширину 3,9 нм. Также, несмотря на атомарную ширину канала, такой транзистор показал превосходную электронную проводимость и, следовательно, будет достаточно производительным для использования в микросхемах.

Поскольку структура предложенного транзистора проста до невообразимости, у него не будет паразитных ёмкостей, которыми особенно страдают новомодные транзисторы с круговым затвором и старые FinFET. Это даст дополнительный выигрыш по скорости переключения и энергоэффективности.

Руководитель проекта Чо Мун-Хо (Jo Moon-Ho) сказал: «Одномерная металлическая фаза, получаемая путем эпитаксиального роста, представляет собой новый процесс получения материала, который может быть применен к ультраминиатюризированным полупроводниковым процессам. Ожидается, что в будущем он станет ключевой технологией для разработки различных маломощных и высокопроизводительных электронных устройств».

Компания Samsung представила Exynos W1000 — первый процессор, выпускающийся с использованием её фирменного 3-нм технологического процесса производства. Предполагается, что чип станет основной для новых смарт-часов Galaxy Watch 7 и Galaxy Watch Ultra, анонс который состоится на следующей неделе.

Источник изображений: Samsung

Samsung сообщила, что Exynos W1000 выполнен с использованием её 3-нм техпроцесса второго поколения (вероятно, SF3). В составе процессора имеются одно ядро Cortex-A78, четыре Cortex-A55, GPU Mali-G68 MP2, поддерживающий экраны с разрешением до 640 × 640 пикселей, а также 32 Гбайт встроенной памяти.

По словам компании, новый чип обеспечивает в 2,7 раза более быстрый запуск приложений по сравнению с Exynos W930, а его многопоточная производительность в 3,7 раза выше, чем у предшественника.

Для уменьшения размера чипа, повышения его производительности и энергоэффективности Samsung использовала много новых технологий в Exynos W1000. Например, в нём задействуется технология упаковки FOPLP (Fan-Out Panel Level Packaging) для повышения энергоэффективности и лучшего рассеивания тепла.

Для оснащение процессора встроенной оперативной и постоянной памятью использовалась технология упаковки ePOP (Package-on-Package). Кроме того, в новом процессоре применяется технология SiP (System-in-Package), благодаря которой в него интегрирован модуль управления питанием (PMIC).

Для Exynos W1000 заявляется поддержка технологии 2.5D Always on Display (AoD), которая обеспечивает более качественное отображение изображения и цветов в режиме постоянно включённого дисплея. Кроме того, чип поддерживает Bluetooth LE для передачи звука и энергоэффективную оперативную память стандарта LPDDR5. Для новинки также заявляется поддержка 4G LTE, Bluetooth, Wi-Fi b/g/n, GPS и NFC.

Согласно предыдущим слухам и утечкам, Exynos W1000 станет основной для смарт-часов Galaxy Watch 7 и Galaxy Watch Ultra, анонс которых ожидается на следующей неделе. Отмечается, что благодаря новым технологиям в составе Exynos W1000 эти устройства Samsung смогут работать в течение 2–3 дней от одного заряда батареи.

Компания Micron заявила, что переход на новую видеопамять GDDR7 обеспечит 30-процентную прибавку производительности в играх как с растровой графикой, так и с трассировкой лучей по сравнению с памятью поколения GDDR6 (включая GDDR6X).

Источник изображений: Micron

Производитель, в частности, отметил, что столь значительная прибавка в производительности ожидается от будущих чипов памяти GDDR7 со скоростью 32 Гбит/с на контакт. Это на 12 Гбит/с быстрее обычной GDDR6, обеспечивающей скорость на уровне 20 Гбит/с. Micron не поделилась информацией о том, какие тесты были проведены для определения прибавки производительности в 30 %. Тем не менее, заявленные цифры впечатляют, особенно если принять на веру то, что рост достигается только за счёт памяти.

Micron сообщает, что GDDR7 обладает на 60 % более высоким показателем пропускной способности по сравнению с GDDR6, а также она на 50 % энергоэффективнее памяти предыдущего поколения. Также новая память обладает на 20 % более низкими задержками, что должно помочь в таких чувствительных к отзывчивости памяти задачах, как машинное обучение и ИИ-генерация изображений.

По словам Micron, тестовая платформа с 12 чипами GDDR7, подключенными по 384-битной шине, демонстрирует пропускную способность более 1,5 Тбайт/с. Для сравнения, видеокарта GeForce RTX 4090 с микросхемами GDDR6X со скоростью 21 Гбит/с на контакт предлагает пропускную способность на уровне 1,08 Тбайт/с.

Производство памяти GDDR7 начнётся с микросхем со скоростью передачи данных 28 и 32 ГТ/с. Однако в будущих планах ведущих производителей памяти (Micron, Samsung и SK hynix) уже значатся разработка и выпуск ещё более скоростных чипов с показателем до 40 ГТ/с.

Согласно слухам и утечкам, Nvidia станет первой компанией, которая перейдёт на использование памяти GDDR7. AMD, как ожидается, продолжит использовать память GDDR6 в своих будущих видеокартах и, возможно, не будет менять стандарт вплоть до выпуска условных Radeon RX 9000. Что касается Intel, то компания может либо перейти к использованию GDDR7 в своих будущих дискретных видеокартах нового поколения (Battlemage), либо продолжит использовать GDDR6 и подождёт с переходом на GDDR7 до выхода третьего поколения видеокарт Arc на архитектуре Celestial.

Российские власти утвердили план по развитию электроники и микроэлектроники в стране до 2030 года. Одним из целевых показателей его реализации станет создание серийного производства микросхем по техпроцессу 65 нм к 2028 году, которые будут выпускаться на входящем в ГК «Элемент» зеленоградском «Микроне». Об этом пишет «Коммерсантъ» со ссылкой на близкие к правительству источники.

Источник изображения: Copilot

В настоящее время АО «Микрон» выпускает полупроводниковую продукцию по топологии 180-90 нм. Эта технология позволяет производить чипы для транспортных карт, устройств Интернета вещей, а также узкую номенклатуру процессоров общего назначения. В это же время крупнейшие мировые производители чипов, такие как тайваньская TSMC, уже массово выпускают полупроводники по техпроцессу 3 нм и осваивают более тонкие нормы.

Представитель Минпромторга РФ рассказал, что данная инициатива прорабатывается совместно с ГК «Элемент». «65 нм применяется при производстве чипов для банковских карт и SIM-карт, а также широкой номенклатуры контроллеров, в том числе для автоэлектроники и Интернета вещей», — сообщил представитель министерства. Официальные представители ГК «Элемент» отказались от комментариев по данному вопросу.

«Микрон» ещё в 2011 году предпринимал попытки освоить производство чипов по техпроцессу 65 нм посредством сотрудничества с франко-итальянской компанией STmicroelectronics, которая должна была «клонировать» своё производство на заводе «Микрона». Однако после 2014 года сотрудничество двух производителей было прекращено. В 2015 году СМИ писали, что владелец АФК «Система» (контролирует ГК «Элемент») Владимир Евтушенков просил президента РФ Владимира Путина предоставить «Микрону» кредит в 25 млрд рублей для освоения производства по техпроцессу 28 нм.

Генеральный директор «Байкал Электроникс» Андрей Евдокимов выразил заинтересованность в развитии в стране подобного производства. По его словам, чипы 65 нм могут иметь широкую сферу применения в зависимости от доступных технологических опций, например, позволят полностью закрыть потребности рынка в микроконтроллерах. В компании МЦСТ, занимающейся разработкой процессоров «Эльбрус», также выразили заинтересованность в развитии отечественного производства по 65-нм техпроцессу. В компании отметили, что процессоры на основе этой технологии могут использоваться в ноутбуках, ПК, серверах и др.

Правда, последнее утверждение вызывает большие сомнения, поскольку 65-нм процессоры вряд ли смогут предложить даже минимально приемлемый уровень производительности для компьютера или сервера в 2028 году. Напомним, что Intel начала выпускать 65-нм центральные процессоры для ПК и серверов ещё в 2006 году, а AMD — в 2007-м. То есть к моменту освоения 65-нм техпроцесса в России технологии будет уже более 20 лет. Но для производства всевозможных контроллеров и других чипов техпроцесс явно пригодится.

Гендиректор производителя «Бештау» Олег Осипов напомнил, что в настоящее время чипы 65 нм печатаются на 300-миллиметровых кремниевых пластинах, которые не выпускаются на территории России. Это означает, что «Микрону» потребуется развивать собственное производство таких пластин или же компания будет закупать их у иностранных партнёров. Господин Осипов также добавил, что для производства чипов 65 нм требуется большое количество квалифицированного персонала, которого также не хватает в стране.