Компания Galax представила серию твердотельных NVMe-накопителей HOF Extreme 50 с интерфейсом PCIe 5.0, а также модули оперативной памяти DDR5 серии HOF Pro с частотой до 8000 МГц.

Источник изображений: Galax

Твердотельные накопители серии HOF Extreme 50 будут предлагаться в объёмах на 1 и 2 Тбайт. В их основе используется контроллер Phison E26, 232-слойные чипы флеш-памяти, а также встроенная буферная память стандарта DDR4.

Для модели объёмом 1 Тбайт производитель заявляет скорости последовательного чтения и записи до 9500 и 8500 Мбайт/с соответственно. Производительность накопителя в операциях случайного чтения и записи указывается на уровне 1,3 млн и 1,1 млн IOPS соответственно.

Для модели объёмом 2 Тбайт заявляются скорости последовательного чтения и записи на уровне соответственно 10 000 и 9500 Мбайт/с. Производительность в операциях случайного чтения и записи составляют 1,5 млн и 1,25 млн IOPS.

Оба накопителя оснащены активными системами охлаждения, состоящими из высокого алюминиевого радиатора и вентилятора. Производитель не указывает, когда представленные твердотельные накопители поступят в продажу, а также не сообщает их стоимость. Следует также отметить, что это не самые скоростные SSD стандарта PCIe 5.0 от указанного производителя. Ранее Galax пообещала выпустить модели со скоростью чтения до 12 000 Мбайт/с.

Вместе с SSD HOF Extreme 50 производитель также представил модули оперативной памяти HOF Pro DDR5. Указанная серия ОЗУ будет предлагаться комплектами из двух модулей памяти объёмом по 16 Гбайт каждый стандартов DDR5-6800, DDR5-7200 и DDR5-8000. К сожалению, производитель не предоставил информацию о таймингах данных новинок.

Модули ОЗУ Galax HOF Pro DDR5 оснащаются высокими радиаторами охлаждения с ARGB-подсветкой. О стоимости представленных комплектов памяти производитель не сообщил.

На протяжении всей квартальной отчётной конференции представители Micron Technology несколько раз подчеркнули, что ожидают по итогам следующего года фактического сокращения объёмов производства оперативной памяти. При этом они видят нормальные перспективы для микросхем поколения DDR5, поскольку их экспансии будет способствовать появление на рынке новых серверных процессоров.

Источник изображения: AMD

Во всяком случае, в первом квартале 2023 календарного года отрасль начнёт полноценную миграцию на использование DDR5, как считает глава Micron Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra). Увеличение количества ядер в одном серверном процессоре, по его словам, сокращает доступную каждому из ядер полосу пропускания, поэтому серверным системам на основе процессоров нового поколения потребуется больше памяти. По словам Мехротры, некоторые из клиентов в сегменте x86- и Arm-совместимых процессоров убеждены, что Micron предлагает лучшие на рынке микросхемы DDR5.

Память типа DDR5 усилит свою экспансию во второй половине 2023 года, а к его концу она займёт в структуре поставок DRAM марки Micron более 30 %. Рубеж в 50 % будет преодолён к середине 2024 календарного года, и в дальнейшем DDR5 уже будет доминировать как в серверном сегменте, так и в клиентском. При этом в 2023 году рынку придётся столкнуться с ростом спроса на оперативную память примерно на 10 %. Если участь, что фактические объёмы производства при этом снизятся, это должно переломить тенденцию к снижению цен, что выгодно для производителя.

Компания Samsung Electronics сообщила о разработке первой в отрасли памяти DDR5 DRAM 12-нм класса. Новая память поможет в развитии вычислительных систем следующего поколения, центров обработки данных и приложений искусственного интеллекта. Всё это гарантирует наилучшая в отрасли производительность новой памяти, возросшая энергоэффективность, а также уменьшенный размер кристалла, что повысит выход чипов с каждой пластины.

Источник изображения: Samsung Electronics

Чип 12-нм памяти DDR5 представляет собой 16-гигабитную микросхему. Скорость обмена данными по каждому контакту составляет 7,2 Гбит/с. С такой скоростью обработка чипом двух 4K-фильмов объёмом 30 Гбайт займёт всего одну секунду. При этом потребление 12-нм памяти снижено на 23 % по сравнению с памятью предыдущего поколения, что станет очень заметным на типично огромных массивах памяти для приложений ИИ, машинного обучения и обработки больших данных.

Что принципиально, уменьшение техпроцесса производства памяти и, соответственно, уменьшение физических размеров каждой ячейки памяти не привело к наращиванию ошибок чтения и записи. Помог в этом новый материал с высокой диэлектрической проницаемостью (high-κ), который предотвращает утечки заряда из ячейки. Также Samsung говорит об использовании некой запатентованной технологии проектирования, которая улучшает характеристики критических цепей.

В целом компания готовится к выпуску памяти DDR5 с самой высокой в отрасли плотностью записи. Поэтому без использования сканеров EUV дело не обошлось. «Глубокий ультрафиолет» наконец-то далеко шагнул в отрасль производства компьютерной памяти. Благодаря этому с каждой кремниевой пластины Samsung сможет получать на 20 % больше микросхем, чем раньше. Массовое производство 12-нм чипов DDR5 компания начнёт в 2023 году. Совместимость с процессорами AMD уже проверена, что подтвердили ответственные лица компании.

«Инновации часто требуют тесного сотрудничества с отраслевыми партнерами, чтобы расширить границы технологий, — сказал Джо Макри (Joe Macri), старший вице-президент, корпоративный научный сотрудник и технический директор AMD по вычислениям и графике. — Мы очень рады вновь сотрудничать с Samsung, особенно при выпуске продуктов памяти DDR5, которые оптимизированы и проверены на платформах "Zen"».

Компания TeamGroup представила модули оперативной памяти T-Create Classic и T-Create Expert стандарта DDR5 для настольных ПК и ноутбуков. Новинки будут выпускаться комплектами из двух модулей общим объёмом 32 и 64 Гбайт.

Источник изображений: TeamGroup

Серия модулей оперативной памяти для настольных компьютеров TeamGroup T-Create Classic представлена комплектами из двух модулей объёмом по 16 и 32 Гбайт каждый стандартов DDR5-5600 и DDR5-6000. В первом случае память работает с таймингами CL46-46-46-90, во втором — CL48-48-48-96. Новинки оснащены компактными алюминиевыми радиаторами охлаждения чёрного цвета.

Комплекты ОЗУ T-Create Classic DDR5-5600 общим объёмом 32 и 64 Гбайт производитель оценил в 180 и 350 долларов соответственно. Более скоростные комплекты памяти T-Create Classic DDR5-6000 тех же объёмов оцениваются производителем в 200 и 400 долларов соответственно.

Комплекты памяти T-Create Classic DDR5-5200 формата SO-DIMM для ноутбуков общим объёмом 32 и 64 Гбайт компания оценила в 160 и 320 долларов. Более скоростные комплекты T-Create Classic DDR5-5600 оцениваются в 180 и 360 долларов.

Память T-Create Expert стандарта DDR5 представлена модулями памяти стандартов DDR5-6000 и DDR5-6400. Для комплектов DDR5-6000 общим объёмом 32 Гбайт производитель заявляет тайминги CL38-38-38-78 и рабочее напряжение в 1,25 В. Модули памяти DDR5-6000, входящие в комплект общим объёмом 64 Гбайт, обладают таймингами CL34-44-44-84 и работают при напряжении 1,3 В. Данные наборы памяти компания оценила в 200 и 400 долларов соответственно.

Для комплектов памяти DDR5-6400 общим объёмом 32 и 64 Гбайт производитель заявляет тайминги CL40-40-40-84 и CL34-44-44-84, а также показали рабочего напряжения в 1,35 и 1,4 В соответственно. Новинки оцениваются производителем в 250 и 500 долларов. Все модули ОЗУ T-Create Expert стандарта DDR5 оснащены компактными алюминиевыми радиаторами.

Источник изображения: VideoCardz

На все представленные модули ОЗУ серий T-Create Classic DDR5 и T-Create Expert DDR5 предоставляется пожизненная гарантия производителя. Поступление в продажу указанных комплектов ОЗУ ожидается в начале февраля будущего года.

Китайская компания Netac выпустит модули оперативной памяти стандарта DDR5 со скорость передачи данных до 8000 МТ/с, пишет китайское издание ITHome. Новинки вышли в серии Netac DDR5 Z-RGB.

Источник изображений: ITHome

В ассортименте производителя уже имеются несколько комплектов ОЗУ серии Z-RGB стандартов DDR5-4800, DDR5-5600 и DDR5-6000, обладающих таймингами CL40. В ближайшее время серия пополнится новыми комплектами ОЗУ общим объёмом 32 Гбайт. Каждый комплект будет состоять из двух модулей ОЗУ объёмом по 16 Гбайт. В серию войдут модули памяти стандартов DDR5-6200, DDR5-6600, DDR5-7600 и DDR5-8000, обладающие соответственно таймингами CL32, CL34, CL36 и CL38, и работающие при напряжении от 1,35 до 1,5 В.

Для модулей ОЗУ Netac Z-RGB DDR5 заявляется полная совместимость с материнскими платами на чипсетах Intel и AMD. Однако источник новости не уточняет, какие профили разгона они поддерживают — Intel XMP 3.0 или AMD EXPO.

По данным самой Netac, её новые скоростные модули ОЗУ DDR5 Z-RGB используют чипы памяти DRAM A-Die от SK hynix. Новинки оснащены радиаторами охлаждения с ARGB-подсветкой, которая может синхронизироваться с подсветкой материнских плат самых популярных брендов. В продаже будут доступны модули ОЗУ с радиаторами чёрного и серебряного цветов.

В продажу модули ОЗУ Netac Z-RGB DDR5 с частотой до 8000 МГц поступят в следующем году. Однако информации о точной дате старта продаж, а также стоимости будущих комплектов памяти пока нет.

Компания SK hynix сообщила о создании самых быстрых серверных модулей оперативной памяти DDR5 — они обладают скоростью 8000 МТ/с (или 8 Гбит/с). Это примерно на 80 % быстрее стандартных модулей DDR5-4800, применяемых в серверном сегменте. При этом производитель не разгонял саму память, но всё равно сделал модули чуть ли не вдвое быстрее.

Источник изображений: SK hynix

Ключевой особенностью серверной памяти SK hynix DDR5-8000 является технология Multiplexer Combined Ranks (MCR), разработанная в сотрудничестве с компаниями Intel и Renesas. С помощью специального чипа, разработанного Renesas и выступающего в роли буфера данных, SK hynix обеспечила возможность одновременно задействовать два ранга памяти (чипы с обеих сторон модуля) для увеличения ширины канала данных до 128 бит вместо привычных 64 бит. Микросхема Renesas выступает промежуточным звеном между центральным процессором и модулем ОЗУ, как показано на схеме ниже.

Новая архитектура памяти предоставляет возможность одновременно направлять вдвое больше информации в сторону центрального процессора по сравнению с обычными модулями DRAM. В результате, достигается значительное повышение скорости работы модулей без необходимости в увеличении частоты самих чипов памяти.

По словам вице-президента и генерального директора подразделения по разработке интерфейсов памяти в Renesas, Самира Куппахалли (Sameer Kuppahalli), разработка буфера данных заняла три года интенсивной работы. В Intel в свою очередь отмечают, что с нетерпением ждут применения технологии MCR будущими платформами Xeon. SK hynix ожидает, что новая память будет востребована в HPC-сегменте, однако сроков начала массового производства памяти MCR DIMM пока не называет.