Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Crucial выпустит модули памяти SO-DIMM DDR5 объёмом 12 Гбайт для ноутбуков
12.03.2024 [20:05],
Николай Хижняк
Компания Crucial выпустит для ноутбуков модули памяти SO-DIMM DDR5 нестандартного объёма — 12 Гбайт. Информация о необычной новинке была обнаружена в базе данных торговой площадки Amazon. ![]() Источник изображений: Crucial Изначально модули ОЗУ стандарта DDR5 выпускались в объёмах 8, 16 и 32 Гбайт. Спустя год с момента релиза Intel и AMD добавили для своих актуальных платформ поддержку модулей памяти объёмом 24 и 48 Гбайт. Недавно производители начали выпускать модули ОЗУ большого объёма 64 Гбайт для энтузиастов. Таким образом, в обычной домашней системе теперь можно использовать до 256 Гбайт оперативной памяти. Скоро на рынке появится ещё один вариант — модули памяти на 12 Гбайт. Правда, речь идёт только модулях SO-DIMM для ноутбуков и компактных ПК с поддержкой такого формата ОЗУ. ![]() Первые модули необычного объёма собирается выпустить компания Crucial. Производитель предложит планки памяти объёмом 12 Гбайт с частотой от 4800 и 5200 МГц. Новинки будут продаваться как по одному модулю, так и в составе двухканальных комплектов. Согласно данным британского подразделения Amazon, одиночный модуль памяти Crucial 12 Гбайт DDR5-5600 (CT12G56C46S5) будет предлагаться за 45 британских фунтов. Комплект на 24 Гбайт из двух 12-Гбайт модулей DDR5-5600 (CT2K12G56C46S5) оценивается в 88 британских фунтов. По данным Amazon, поставки модулей памяти Crucial объёмом 12 Гбайт начнутся с 31 марта. TeamGroup представила высокоскоростные модули памяти T-Force Xtreem ARGB DDR5 с частотой до 8200 МГц
07.03.2024 [11:31],
Николай Хижняк
Игровой бренд T-Force компании TeamGroup представил новую серию высокоскоростных модулей памяти T-Force Xtreem ARGB DDR5. Память будет предлагаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 Гбайт (2×16 Гбайт) и 48 Гбайт (2×24 Гбайт). ![]() Источник изображений: TeamGroup В серии ОЗУ T-Force Xtreem ARGB DDR5 предлагаются наборы из модулей памяти DDR5-7600 с таймингами CL36-45-45-84 (комплект на 32 Гбайт) и CL36-47-47-84 (комплект на 48 Гбайт), DDR5-8000 с CL38-48-48-84 (32 Гбайт) и CL38-49-49-84 (48 Гбайт) и DDR5-8200 с таймингами CL38-49-49-84 (48 Гбайт). Для новинок заявляется рабочее напряжение в 1,4–1,45 В. Производитель отмечает, что модули ОЗУ T-Force Xtreem ARGB DDR5 построены на основе 10-слойного текстолита с повышенной степенью защиты от помех и оснащены алюминиевыми радиаторами с толщиной стенок 2 мм. Входящий в состав модулей контроллер ARGB-подсветки поддерживает все популярные приложения по управлению подсветкой, включая ASUS Aura Sync, Gigabyte RGB Fusion 2.0, MSI Mystic Light Sync, ASRock Polychrome Sync и Biostar Advanced VIVID LED DJ. На представленные комплекты памяти T-Force Xtreem ARGB DDR5 производитель заявляет пожизненную гарантию. О стоимости новинок не сообщается. В продаже комплекты памяти появятся к середине текущего месяца. ADATA представила покрытие для высокоскоростных модулей памяти DDR5, которое снизит их температуру на 10 %
06.03.2024 [15:55],
Николай Хижняк
Компания ADATA представила новое покрытие для высокоскоростных модулей памяти, которое обеспечит снижение их температуры. Оно впервые появится в модулях DDR5-8000, выпускающихся под брендом XPG. По словам производителя, это покрытие способно снизить рабочую температуру чипов памяти на 10 %. На практике это означает снижение температуры примерно на 8,5 градусов Цельсия. ![]() Источник изображений: ADATA «В разгоняемых модулях памяти XPG применяется новая технология термического покрытия, которая эффективно снижает их рабочую температуру на 10 %. […] Реальные тесты показывают снижение температуры на 8,5 градусов Цельсия у разогнанных модулей ОЗУ DDR5 с технологией теплоотводящего покрытия печатной платы по сравнению со стандартной разогнанной памятью, а также повышенную эффективность рассеивания тепла на 10,8 %», — говорится в пресс-релизе ADATA. Покрытие обеспечивает дополнительную площадь для рассеивания тепла и в сочетании с радиатором обеспечивает более эффективное охлаждение модулей памяти. ADATA планирует использовать эту технологию в своих самых скоростных модулях ОЗУ со скоростью передачи данных 8000 МТ/с и выше. Производитель предоставил изображение, на котором показана работа нового термопокрытия на модуле памяти без установленного радиатора на фоне такого же модуля ОЗУ без радиатора и нового покрытия. Компания не уточнила скорость модуля памяти. В пресс-релизе производителя говорится, что первые модули ОЗУ с новым термопокрытием появятся в продаже во втором квартале этого года. Ближе к выставке Computex 2024, которая состоится летом этого года, компания представит с таким же термпокрытием модули памяти из серий LANCER NEON RGB и LANCER RGB. V-Color представила комплекты памяти DDR5 до 768 Гбайт с поддержкой разгона для Ryzen Threadripper 7000
05.03.2024 [16:12],
Николай Хижняк
Компания V-Color анонсировала новый комплект оперативной памяти OC R-DIMM Octo-Kit DDR5 для платформы AMD WRX90, предназначенной для процессоров Ryzen Threadripper 7000 для высокопроизводительных настольных компьютеров (HEDT), а также Ryzen Threadripper PRO 7000 для рабочих станций. Примечательной особенностью нового комплекта является его объём в 768 Гбайт. ![]() Источник изображений: V-Color В рамках комплекта OC R-DIMM Octo-Kit DDR5 компания V-Color готова предложить 8 модулей ОЗУ объёмом от 16 Гбайт до 96 Гбайт. Таким образом, общий объём одного комплекта памяти может составлять от 128 до 768 Гбайт. Производитель предлагает модули памяти со скоростью от 5600 до 7200 МГц. Все поддерживают профили разгона AMD EXPO, поскольку платформа AMD WRX90 рассчитана на разгон. Память не оснащается радиаторами охлаждения. Однако для компонентов элементов питания RCD & PMIC производитель предусмотрел наличие компактного теплового щита. Производитель отмечает, что комплекты OC R-DIMM Octo-Kit DDR5 протестированы на материнских платах ASRock WRX90 WS EVO, ASUS Pro WS WRX90E-SAGE SE и решениях компании Supermicro, где показали свою высокую эффективность. Новый комплект ОЗУ разработан специально для использования с процессорами AMD Ryzen Threadripper PRO 7000. Предзаказы на комплект памяти OC R-DIMM Octo-Kit DDR5 начнут принимать с 5 марта на официальном сайте V-Color. Полноценный старт продаж состоится в середине текущего месяца. Цены варьируются от $1049,99 за комплект памяти DDR5-5600 общим объёмом 128 Гбайт (8x16 Гбайт) и до $4919,99 за набор из восьми модулей DDR5-6000 общим объёмом 768 Гбайт (8x96 Гбайт). Ryzen 7 8700G оказался хорош в разгоне оперативной памяти — DDR5-10600 покорился без экстремального охлаждения
06.02.2024 [00:04],
Николай Хижняк
Серия настольных гибридных процессоров Ryzen 8000G привлекла внимание энтузиастов поддержкой высокоскоростной оперативной памяти и хорошими возможностями для её разгона. Недавно оверклокерам удалось разогнать память DDR5 до 10 600 МГц и даже выше на системах с Ryzen 7 8700G, причём для этого не пришлось прибегать к экстремальному охлаждению. ![]() Источник изображения: VideoCardz Различные команды оверклокеров последние несколько дней активно экспериментируют с разгоном оперативной памяти на системах с Ryzen 7 8700G. Например, энтузиаст SafeDisk поделился деталями разгона двухканального комплекта ОЗУ на материнской плате ROG Crosshair X670E Gene до скорости 10 600 МТ/с. Для эксперимента был выбран комплект памяти G.Skill Trident Z5, изначально рассчитанный на работу со скоростью 7800 МТ/с при таймингах CL36. В рамках разгона скорость памяти была увеличена до 10 600 МГц. Но вместе с тем выросли и тайминги. Память заработала при задержках CL50-62-62-127-127 и напряжении 1,4 В. Примечательно, что для разгона ОЗУ энтузиаст не использовал какого-либо экзотического охлаждения, вроде жидкого азота. Сам процессор Ryzen 7 8700G также работал под обычной СЖО. В базе данных CPU-Z Validator уже успели появиться и более впечатляющие результаты разгона. Например, оверклокер с псевдонимом MSIMAX разогнал память TeamGroup с заявленным профилем разгона 8200 МТ/с до частоты 10 950 МГц на материнской плате Gigabyte B650I Aorus Ultra. Спустя несколько часов другой оверклокер зарегистрировал результат разгона памяти Patriot с профилем 8200 МТ/с до 11 298 МГц на материнской плате Gigabyte Aorus B650E Tachyon. Согласно информации в среде энтузиастов, в новой библиотеке AGESA, на базе которой выпускаются BIOS для материнских плат AMD, обнаружен баг, который приводит к тому, что в результатах разгона могут отображаться более высокие значения частоты памяти, чем есть на самом деле. Тот же оверклокер SafeDisk предоставил фотографию осциллографа, подтверждающую его результат разгона, чего нельзя сказать о двух других экспериментаторах. Хотя результат SafeDisk, согласно данным HWBOT, является не таким высоким, как разгон памяти на платформах Intel, следует отметить, что энтузиасты разгоняют ОЗУ DDR5 с процессорами Ryzen 8000G в двухканальном режиме, а не в одноканальном, как у Intel. Samsung расскажет в феврале о 280-слойной флеш-памяти 3D QLC NAND и 32-гигабитных чипах DDR5-8000
29.01.2024 [21:21],
Николай Хижняк
Помимо рассказа о чипах памяти GDDR7 со скоростью 37 Гбит/с на контакт компания Samsung Electronics на конференции 2024 IEEE-SSCC в феврале также раскроет подробности и о других инновационных продуктах в области разработки микросхем памяти. Например, компания расскажет о будущих 280-слойных чипах флеш-памяти 3D QLC NAND объёмом 1 Тбит. В перспективе они будут использоваться в потребительских твердотельных накопителях и смартфонах. ![]() Источник изображения: TechPowerUp Указанные чипы флеш-памяти Samsung предложат плотность 28,5 Гбит/мм2 и скорость 3,2 Гбайт/с. Для сравнения, текущие самые быстрые чипы флеш-памяти 3D NAND, использующиеся в самых передовых NVMe-накопителях, обеспечивают скорость передачи данных до 2,4 Гбайт/с. Samsung также расскажет на мероприятии о новом поколении чипов памяти DDR5 стандарта DDR5-8000 с ёмкостью 32 Гбит (4 Гбайт). В этих микросхемах используется симметричная мозаичная архитектура ячеек памяти. Сами чипы будут производиться с использованием 5-го поколения техпроцесса Samsung 10-нм класса. На основе таких микросхем производители модулей оперативной памяти смогут в перспективе выпускать одноранговые планки памяти DDR5-8000 объём 32 и 48 Гбайт или двухранговые модули памяти объёмом 64 или 96 Гбайт. G.Skill представила комплект памяти DDR5-8400 для процессоров Intel Raptor Lake Refresh — на подходе DDR5-8600
18.10.2023 [13:37],
Павел Котов
G.Skill представила комплект памяти Trident Z5 RGB DDR5-8400 C40 2 × 24 Гбайт для работы совместно с чипами Intel 14-го поколения Raptor Lake Refresh. Компания также продемонстрировала и более производительный перспективный вариант DDR5-8600. ![]() Источник изображений: G.Skill С точки зрения работы с памятью чипы Intel Raptor Lake Refresh не отличаются от процессоров прошлого поколения: официально поддерживается DDR4-3200 и DDR5-5600. Но, по словам Intel, эти процессоры предлагают новые возможности для разгона ОЗУ, так что для корректной работы с подобными модулями понадобится процессор 14-го поколения с интегрированным контроллером памяти (IMC) на предназначенной для разгона материнской платой с сокетом LGA1700. G.Skill Trident Z5 RGB DDR5-8400 (F5-8400J4052G24GX2-TZ5RW) представляет собой двухканальный комплект из двух модулей памяти DDR5 по 24 Гбайт. Он соответствует стандарту DDR5-8400 с таймингами 40-52-52-134 и напряжением 1,4 В. Поддерживается XMP 3.0, что позволяет выполнить настройку в один клик. Для демонстрации возможностей комплекта производитель использовал чип Intel Core i9-14900K на материнской плате ASUS ROG Maximus Z790 Apex Encore. Пиковые показатели в тесте AIDA64 составили 128,88 Гбайт/с при чтении, 127,03 Гбайт/с при записи и 123,83 Гбайт/с при копировании. G.Skill также показала результаты тестирования ещё более быстрой Trident Z5 RGB DDR5-8600 — это тоже две планки по 24 Гбайт, но тайминги здесь уже 40-54-54-136. Тест AIDA64 показал 130,66 Гбайт/с при чтении, 130,24 Гбайт/с при записи и 126,31 Гбайт/с при копировании. Цены на оба комплекта производитель не уточнил, но в продажу они могут поступить уже в конце месяца. Платы ASUS ROG Z790 научились динамическому разгону DDR5 в зависимости от температуры модулей
17.10.2023 [18:15],
Николай Хижняк
Компания ASUS в обновлённых материнских платах на чипсете Intel Z790 предлагает новый способ разгона оперативной памяти DDR5, получивший название DIMM Flex. Он призван не только повышать производительность памяти, но и увеличивать стабильность работы разогнанных модулей ОЗУ. ![]() Источник изображений: ASUS Есть два основных метода разгона оперативной памяти. Через повышение частоты её работы улучшаются скорости чтения и записи ОЗУ. Через настройку таймингов снижается задержка в её работе. Проблема современных комплектов DDR5 заключается в том, что под нагрузкой они сильно нагреваются, что не только ограничивает потенциал их дополнительного разгона, но и снижает заложенные в них показатели производительности. Внутренние тесты ASUS показали, что по мере нагрева оперативной памяти DDR5 под нагрузкой её быстродействие может упасть более чем на 22 %. DIMM Flex призвана решить проблему, описанную выше. Для этого на определённых моделях своих обновлённых Z790-плат ASUS установила рядом со слотами DIMM температурный датчик. Данные с датчика обрабатываются специальным контроллером на плате, после чего направляются CPU, давая последнему команду изменить частоту ОЗУ. Формально речь идёт о динамической смене частоты работы оперативной памяти с учётом нагрузки, температуры, а также некоторых других параметров. При этом, судя по всему, информация о температуре с внутреннего контроллера PMIC на самих модулях памяти не учитывается. Компания объясняет, что в зависимости от игры, выбранного разрешения экрана, а также игровых настроек, DIMM Flex может существенно повысить частоту кадров. Например, в игре Metro Exodus, запущенной в разрешении 1440p, с настройками качества «Экстрим» и с включённой функцией DIMM Flex прибавка FPS составила 17,59 % по сравнению настройками ОЗУ по умолчанию. Новая функция DIMM Flex обеспечила преимущество в производительности даже на фоне оптимизированного профиля разгона памяти XMP. Последний повысил быстродействие в указанной игре лишь на 1,35 % по сравнению со стандартными настройками памяти. В Counter-Strike: Global Offensive в разрешении 4K профиль XMP смог повысить FPS на 5,26 %, а DIMM Flex увеличил FPS на 10,53 %. ![]() Активация DIMM Flex производится в пункте меню Ai Tweaker в BIOS материнской платы. После активации DIMM Flex функция AI Overclock Tuner автоматически переключит профиль разгона памяти на значение XMP Tweaked — наиболее подходящее для DIMM Flex. При использовании модулей памяти без поддержки XMP можно выбрать профиль AEMP II или DIMM Flex во вкладке Ai Tweaker. ![]() После этого можно оставить все настройки по умолчанию или вручную установить ограничения по температурам и таймингам. DIMM Flex предлагает три уровня настроек на основе изменяемых контрольных точек температуры, что позволяет использовать экстремальные настройки производительности при низких температурах, менее агрессивные настройки при некотором нагреве ОЗУ, а также ещё менее производительные настройки при достижении порогового значения температуры памяти. Настройки Level 1 соответствуют тем, которые были установлены в корневом меню настройки DRAM (базовые или XMP профиль). Для уровней 2 и 3 можно выбрать значения второстепенных таймингов, чтобы настроить производительность ОЗУ в соответствии со сценариями использования. ![]() Компания опубликовала список материнских плат, а также модулей ОЗУ, которые поддерживают DIMM Flex. С ним можно ознакомиться на сайте производителя. В основном речь идёт о платах серии ROG и модулях ОЗУ с поддержкой частоты от 6800 МГц и выше. К сожалению, ASUS в своём анонсе не уточняет, будет ли технология DIMM Flex работать только с процессорами Core 14-го поколения (Raptor Lake Refresh), либо её можно использовать также с 13-м (Raptor Lake) и 12-м (Alder Lake) поколениями чипов Intel. Micron запустила массовое производство DDR5 по самому передовому техпроцессу 1β — скорость до 7200 МТ/с
11.10.2023 [17:01],
Николай Хижняк
Компания Micron Technology сообщила о начале массового производства и поставок 16-гигабитных чипов памяти DDR5, выполненных по самому передовому технологическому процессу производителя — 1β (1-beta). На основе этой памяти могут создаваться модули ОЗУ для серверов и персональных компьютеров со скоростью до 7200 МТ/с. ![]() Источник изображений: Micron Компания заявляет, что переход на техпроцесс 1β с передовой технологией High-K CMOS, четырёхфазной регулировкой тактовой частоты и синхронизацией тактов позволил увеличить производительность на 50 %, а энергоэффективность на ватт увеличена на 33 % по сравнению с прошлым поколением памяти. ![]() С ростом количества ядер CPU для удовлетворения растущих потребностей рабочих нагрузок центров обработки данных значительно возрастает и потребность в более ёмкой памяти с высокой пропускной способностью. Память DRAM DDR5 со скоростью передачи данных до 7200 МТ/с на основе техпроцесса 1β от Micron позволяет масштабировать вычислительные возможности с более высокой производительностью для таких сфер, как обучение и интеграция искусственного интеллекта (ИИ), генеративного ИИ, анализ данных и базы данных в памяти (IMDB) в центрах обработки данных и на клиентских платформах. Новые микросхемы памяти Micron получили объём 16, 24 и 32 Гбит (2, 3 и 4 Гбайт) и предлагают скорость работы от 4800 до 7200 MT/с. Новая память будет доступна как в серверном, так и в потребительском сегменте. Micron планирует распространить использование передового техпроцесса 1β на производство кристаллов памяти LPDDR5x, GDDR7 и даже HBM3e, отмечает производитель. |