Компания Samsung Electronics получила внутреннее подтверждение готовности к массовому производству оперативной памяти DRAM шестого поколения. Компания завершила процесс разработки передового техпроцесса 1c класса 10 нм, передаёт Korea Herald. Это приближает Samsung к выпуску памяти HBM4.

Источник изображения: samsung.com

Ранее стало известно, что при тестировании техпроцесса 1c Samsung удалось добиться выхода годной продукции на уровне от 50 % до 70 %. Таким образом, корейский производитель укладывается в установленный им самим график смены поколений продукции примерно раз в два года. Он имеет особое значение для стратегии Samsung в области памяти с высокой пропускной способностью — запуск массового производства стеков HBM4 на базе DRAM шестого поколения запланирован на вторую половину этого года.

В мае компания объявила, что в производстве HBM4 будет использовать технологию гибридного соединения — она помогает снизить тепловыделение, обеспечивая при этом высокую пропускную способность памяти. Она будет отвечать растущим требованиям, которые предъявляются к компонентам для ускорителей искусственного интеллекта и систем высокопроизводительных вычислений.

В настоящее время доминирующая на рынке HBM компания SK hynix также ведёт разработку HBM4, но на базе DRAM пятого поколения. В марте она начала поставлять крупнейшим клиентам образцы HBM4 с расчётом запустить массовое производство этой памяти также во второй половине года. Samsung ещё предстоит получить одобрение своего варианта HBM4 от Nvidia, которая может обеспечить её заказами в больших объёмах; корейский производитель также ожидает одобрения 12-слойной HBM3E — здесь она рассчитывает на сотрудничество и с Nvidia, и с AMD.

В конце мая в календаре Micron Technology завершился очередной фискальный квартал, итоги которого она смогла подвести только накануне, сообщив о росте выручки по итогам периода на 36 % в годовом сравнении до $9,3 млрд. Последовательно выручка от реализации HBM выросла почти на 50 %, что позволило компании порадовать инвесторов оптимистичным прогнозом на текущий квартал.

Источник изображения: Micron Technology

Как отмечается в пресс-релизе Micron, в сегменте центров обработки данных выручка компании по итогам прошлого квартала более чем удвоилась и достигла рекордной величины. Строго говоря, совокупная выручка Micron от реализации DRAM в минувшем квартале достигла рекордной суммы во многом благодаря HBM и серверному сегменту в целом. Квартальная выручка в размере $9,3 млрд также превзошла ожидания рынка, находившиеся на отметке $8,87 млрд.

Текущий квартал является последним в 2025 фискальном году для Micron, весь год компания рассчитывает завершить с рекордной выручкой и солидной прибылью. Соответственно, прогноз на четвёртый фискальный квартал оказался лучше ожиданий рынка, в него заложен диапазон выручки от $10,4 до $11 млрд, что выше упоминаемой сторонними аналитиками суммы ($9,89 млрд). Удельный доход на одну акцию в размере $2,5 также превышает ожидания рынка ($2,03).

По словам представителей Micron, в прошлом квартале стремление клиентов закупить больше памяти в ожидании роста таможенных тарифов оказало на выручку компании минимальное влияние. Во второй половине календарного года Micron рассчитывает на хороший спрос. Кроме того, за этот период доля Micron на рынке HBM должна подтянуться к общим показателям, характерным для сегмента DRAM в целом. Сейчас Micron снабжает своими чипами HBM новейших поколений как Nvidia, так и AMD. Поскольку Samsung немного отстаёт от конкурентов в этой сфере, Micron сохраняет возможность укреплять свои позиции на перспективном рынке.

Ещё не так давно производители памяти жаловались на низкие цены и затоваренные склады, но в этом полугодии ситуация начала меняться в лучшую для них сторону. По крайней мере, в марте экспорт микросхем типа DRAM из Южной Кореи вырос на 27,8 % в денежном выражении год к году, а за первые 20 дней июня он увеличился на 25,5 %.

SK hynix

Подобной статистикой делится ресурс KED Global со ссылкой на KED Aicel. В денежном выражении экспорт DRAM из Южной Кореи за первые двадцать дней июня достиг $1,9 млрд, по данным этого источника. В статистике при этом не учитываются поставки наиболее дорогой памяти типа HBM, которая формально относится к сегменту DRAM, но пользуется повышенным спросом из-за бума систем искусственного интеллекта. По сути, такая динамка говорит о росте спроса на обычную оперативную память, которая применяется в ПК и серверном оборудовании.

Американские производители такого оборудования начали запасаться памятью впрок в ожидании роста таможенных тарифов, это отчасти объясняет рост спроса на DRAM. Кроме того, концентрация на более выгодной HBM оттягивает ресурсы производителей, поэтому обычная DRAM остаётся в дефиците. Наблюдаемая динамика цен и спроса на рынке не укладывается в привычные сезонные тенденции, по словам экспертов. Как отмечает TrendForce, за последние недели цены на DDR4 выросли более чем на 20 %, в отдельных случаях они почти удвоились всего за месяц. Цены толкает вверх и информация о намерениях крупнейших производителей памяти прекратить выпуск DDR4 и переключиться на более современную DDR5. Последняя в мобильном сегменте за месяц выросла в цене на 9 %.

Если в марте экспорт DRAM из Южной Кореи, где расположены два крупнейших производителя — Samsung Electronics и SK hynix, вырос на 27,8 %, то в апреле он уже подскочил на 38 %, а в мае на 36 %. За первые двадцать дней июня он вырос на 25,5 %. По прогнозам TrendForce, цены на DRAM общего назначения в третьем квартале вырастут на величину от 18 до 23 %. Аналитики Morgan Stanley ожидают, что рынок памяти достигнет локального минимума по ценам в начале 2026 года — раньше, чем ожидалось изначально.

Динамика развития китайской отрасли по производству чипов памяти беспокоила власти США ещё при президенте Байдене, поскольку он ввёл ограничения на поставку в КНР оборудования для выпуска именно микросхем памяти. Тем не менее, лидирующая на китайском рынке CXMT вскоре может занять от 7 до 9 % мирового рынка DDR5.

Источник изображения: CXMT

К подобному выводу приходят в своих рассуждениях специалисты Counterpoint Research. По их словам, в текущем году CXMT на 50 % увеличит объёмы выпуска микросхем оперативной памяти (DRAM). Это позволит китайскому производителю увеличить свою долю на рынке памяти с 6 до 8 % к концу текущего года.

При этом важно, что CXMT приложит усилия к расширению производства современных микросхем типа DDR5 и LPDDR5. В первом случае доля компании на мировом рынке к концу года вырастет до 7 %, во втором — с 0,5 до 9 %. Не только Counterpoint Research считает, что китайские производители памяти будут увеличивать своё влияние на мировом рынке памяти. По мнению TrendForce, на рынке DRAM и NAND в совокупности китайские производители по итогам третьего квартала текущего года смогут занять 10,1 %, впервые превысив условную планку в десять процентов. Кстати, пятипроцентный барьер они преодолели всего лишь во втором квартале прошлого года, поэтому темпы экспансии их производства очень высоки.

При этом нельзя сказать, чтобы у той же CXMT всё шло гладко. Компания испытывает трудности с освоением новых технологий, к числу которых относится использование металлизированных затворов и материалов с высокой диэлектрической константой (high-k). В ближайшее время CXMT также предстоит освоить массовый выпуск микросхем DRAM с трёхмерной компоновкой, примером которой может служить память класса HBM.

Micron Technology объявила о масштабных планах по инвестированию $200 млрд в развитие собственного производства полупроводниковых компонентов на территории США. В рамках этой инициативы будет создано около 90 тысяч рабочих мест, а также будут построены новые фабрики в некоторых штатах и модернизирован завод в Вирджинии.

Источник изображения: micron.com

Инвестиционные намерения были обнародованы в четверг в рамках сотрудничества с администрацией президента США Дональда Трампа (Donald Trump), которая активно поддерживает рост отечественного машиностроения и стремится укрепить позиции страны в области искусственного интеллекта (ИИ), сообщает The Wall Street Journal. Micron направит около $150 млрд на производство памяти внутри страны, включая строительство двух крупных фабрик в штате Айдахо, до четырёх фабрик в Нью-Йорке, модернизацию действующего завода в Вирджинии и развитие технологий высокопроизводительной упаковки чипов.

Эти меры позволят Micron справиться с растущим рыночным спросом, сохранить долю на рынке и достичь цели по выпуску 40 % DRAM-памяти на американских мощностях. Дополнительные $50 млрд будут инвестированы в исследования и разработки, что, по заявлению компании, укрепит технологическое лидерство США. Глава компании Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) отметил, что инвестиции такого рода «демонстрируют приверженность развитию инноваций и укреплению отечественной полупроводниковой отрасли».

На настоящий момент уже достигнуты договоренности о ключевых этапах строительства первой фабрики в Айдахо, где запуск производства DRAM намечен на 2027 год. В конце 2025 года планируется приступить к подготовке площадки в Нью-Йорке после завершения необходимых экологических проверок на уровне штата и федерального правительства. Кроме того, компания ожидает, что все её инвестиции в американские проекты будут соответствовать требованиям для получения налогового кредита на развитие передового машиностроения.

Министр торговли США Ховард Лютник (Howard Lutnick) отметил, что президент Трамп всегда подчёркивал важность развития производства в стране, и масштабные инвестиции Micron окажут поддержку таким ключевым отраслям, как искусственный интеллект, автомобилестроение, авиакосмическая и оборонная промышленность.

Аналитический отчёт TrendForce за первый квартал 2025 года показывают, что глобальный доход отрасли производства памяти DRAM составил $27,01 млрд, что на 5,5 % ниже по сравнению с предыдущим кварталом. Эксперты полагают, что этот спад обусловлен падением контрактных цен на обычные микросхемы DRAM и сокращением объёмов поставок памяти HBM.

Источник изображения: Samsung

В первом квартале 2025 года SK hynix, несмотря на падение выручки на 7,1 % по сравнению с предыдущим кварталом, заняла лидирующее место среди производителей DRAM с выручкой $9,72 млрд. Растущая доля памяти HBM3e помогла компании сохранить средние цены продаж по сравнению с предыдущим кварталом.

Выручка Samsung по сравнению с предыдущим кварталом резко снизилась на 19 % до $9,1 млрд, обеспечив компании лишь второе место в рейтинге производителей DRAM. Падение продаж аналитики связывают в основном с невозможностью напрямую продавать память HBM в Китай и значительным сокращением поставок дорогостоящей HBM3e после модернизации производства.

Micron заняла третье место с $6,58 млрд выручки, что на 2,7 % выше по сравнению с предыдущим кварталом. Масштабные поставки памяти HBM3e компенсировали незначительное снижение средней цены продаж.

По мере перехода трёх ведущих поставщиков DRAM на передовые техпроцессы освобождающиеся рыночные ниши все чаще заполняются тайваньскими поставщиками, использующими зрелые процессы. Этим объясняется явный квартальный рост выручки для Nanya и Winbond в первом квартале.

Nanya начала поставки отдельных продуктов DDR5 и сообщила о выручке в размере $219 млн, что на 7,5 % больше, чем в предыдущем квартале. Winbond продемонстрировала существенный рост поставок памяти форматов LPDDR4 и DDR4, что увеличило выручку компании на 22,7 % до $146 млн, несмотря на общее снижение цен.

PSMC, которая сообщает только о своей внутренней выручке от потребительской DRAM, отметила снижение выручки за первый квартал на 1,4 % до $11 млн из-за сокращения выпуска пластин.

Источник изображения: TrendForce

В настоящий момент производители ПК и смартфонов наращивают складские запасы, стремясь по максимуму использовать 90-дневный льготный период перед введение повышенных таможенных тарифов, что привело к заметному увеличению объёмов поставок. Во втором квартал 2025 года TrendForce прогнозирует восстановление цен на основные контрактные позиции микросхем памяти с тенденцией к дальнейшему росту.

Ожидание ввода в действие новых таможенных тарифов США заставило производителей устройств увеличивать свои складские запасы полупроводниковых компонентов. Повышенный спрос вызвал ответную реакцию со стороны Samsung. Компания увеличила цены на память DRAM. Это изменение в недалёком будущем выразится в росте цен на конечные продукты, причём не только на модули оперативной памяти, но также на различную электронику.

Источник изображения: Samsung

Согласно отчёту аналитической компании ETNews, Samsung значительно повысила цены на DDR5 и DDR4 DRAM. Эти изменения нашли отражения в тексте новых контрактов с клиентами. DDR4 DRAM подорожала на 20 %, а DDR5 DRAM — на 5 %. Поскольку компоненты производства Samsung используются многими другими производителями устройств, логично ожидать роста цен на них в ближайшем будущем.

Samsung — один из ведущих производителей и поставщиков полупроводниковой отрасли, поэтому повышение цен компанией обязательно повлияет на уровень отпускных цен других участников рынка. В конечном итоге, любое подобное повышение цен оплатит конечный потребитель.

Источник, знакомый с ситуацией, отметил: «Samsung заключила контракты по новым, более высоким ценам, что говорит о том, что рост цен на DRAM становится отраслевым трендом». Вице-президент подразделения по производству памяти Ким Джэ Чжун (Kim Jae-joon) отметил, что «из-за глобальных тарифных рисков клиенты активнее закупают комплектующие, и их запасы исчерпываются быстрее, чем предполагалось».

Ситуация на рынке оперативной памяти начала меняться в апреле, когда американская компания Micron — третий по величине производитель DRAM — объявила о планах повысить цены, сославшись на повышение пошлин в США. Данные аналитической компании DRAMeXchange подтверждают: в апреле средняя цена на наиболее распространённый чип DDR4 — 8 Гбит с частотой 2133 МГц — выросла на 22,22 % по сравнению с мартом. Это первый рост с апреля прошлого года.

Как отмечалось накануне, аналитики ожидали от SK hynix роста квартальной выручки на 38 % и операционной прибыли на 129 %, но фактические объявленные этим южнокорейским производителем памяти показатели роста оказались выше. Выручка компании выросла в прошлом квартале на 42 %, а операционная прибыль увеличилась на 158 %.

Источник изображения: SK hynix

В абсолютном измерении выручка SK hynix достигла $12,36 млрд, а операционная прибыль выросла до $5,2 млрд. В последовательном сравнении наблюдалась отрицательная динамика, но она в целом характерна для перехода от четвёртого квартала к первому. Выручка SK hynix последовательно снизилась на 11 %, а операционная прибыль просела на 8 % после того, как в четвёртом квартале был установлен рекорд по соответствующему финансовому показателю. Результаты первого квартала не стали рекордными, но они уступили лишь итогам четвёртого квартала прошлого года.

Представители компании пояснили, что динамика прибыли в первом квартале отобразила её успехи в сфере реализации памяти для сегмента искусственного интеллекта. По мнению производителя, расходы участников рынка систем ИИ на развитие инфраструктуры продолжат расти, поскольку сохраняется спрос на создание «суверенных проектов» в этой сфере со стороны властей крупных стран. При этом в SK hynix подчёркивают, что геополитическая нестабильность создаст волатильность спроса во второй половине текущего года. Это не помешало компании сохранить свой прогноз по удвоению спроса на HBM по итогам всего 2025 года, поскольку соглашения на поставку соответствующей продукции в этом периоде были заключены ещё за год до этого. Развитие ИИ в сегменте смартфонов, по мнению руководства, подтолкнёт потребителей к обновлению своих устройств на содержащие более производительные чипы памяти.

Компания Micron официально заявила о повышении цен на память, ссылаясь на растущий спрос на DRAM и NAND-флеш. По прогнозам, тенденция к удорожанию сохранится до 2026 года. Причина проста — искусственный интеллект (ИИ), дата-центры и потребительская электроника требуют всё больше высокопроизводительных решений, однако предложение пока не успевает за спросом.

Источник изображения: Micron, tomshardware.com

Решение Micron, как отмечает Tom's Hardware, основано на недавнем периоде перепроизводства и падения доходов рынка памяти. Однако в последнее время цены начали постепенно восстанавливаться благодаря сокращению производства крупными игроками и росту интереса к ИИ и высокопроизводительным вычислениям. Теперь, когда Micron открыто заявила о повышении цен, ожидается, что за ней последуют и другие производители, такие как Samsung и SK Hynix, продолжая тенденцию удорожания.

В своём обращении к партнёрам Micron подчеркнула, что ключевым фактором пересмотра ценовой политики стал «непредсказуемый спрос в различных сегментах». В частности, компания отмечает, что ИИ-приложения стремительно развиваются, а значит, необходимо поддерживать конкурентоспособность продуктовой линейки. Micron также рекомендовала партнёрам заранее планировать закупки, чтобы избежать дефицита и перебоев с поставками.

Одним из главных драйверов роста цен является растущий спрос на высокоскоростную память HBM (High Bandwidth Memory), критически важную для ИИ-ускорителей и графических процессоров нового поколения. По мере того как Nvidia, AMD и Intel развивают свои ИИ-технологии, потребность в быстрой и энергоэффективной памяти только увеличивается. Несмотря на усилия Micron и её конкурентов по наращиванию объёмов производства, предложение всё ещё отстаёт от спроса, что дополнительно подогревает рост цен.

Чтобы справиться с этим вызовом, Micron недавно объявила о строительстве нового завода в Сингапуре, где будет производиться HBM-память. Инвестиции в проект составят $7 млрд, а запуск намечен на 2026 год. В планах также значится выпуск передовых решений, таких как HBM3E, HBM4 и HBM4E, что, по мнению экспертов, позволит компании укрепить позиции в стремительно растущем сегменте.

Влияние на рынок потребительской электроники
Помимо ИИ и дата-центров, оживление наблюдается и в сегменте потребительской электроники. Производители ПК и смартфонов начали увеличивать заказы на память, готовясь к новым продуктовым релизам в конце 2025 и начале 2026 года. Это является ещё одним аргументом в пользу повышения цен — спрос остаётся стабильно высоким, и, судя по всему, тенденция продолжится.

Поскольку Micron первой объявила о росте цен, теперь остаётся ждать реакции конкурентов и клиентов. Если текущий уровень спроса сохранится, отрасль может столкнуться с продолжительным повышением цен, что повлияет не только на корпоративные дата-центры, но и на бытовые устройства — от игровых компьютеров до смартфонов.

Глобальный доход отрасли DRAM по всему миру в IV квартале 2024 года превысил $28 млрд, что соответствует квартальному росту на 9,9 %. Положительная динамика обусловлена в первую очередь ростом контрактных цен на серверную DDR5 и поставками HBM, благодаря которым три ведущих поставщика DRAM в очередной раз нарастили выручку, отмечают аналитики TrendForce.

Источник изображения: samsung.com

Контрактные цены на продукцию развернулись преимущественно в сторону понижения, но только не в серверном сегменте, где американские облачные провайдеры увеличили закупки DDR5, тем самым поддержав рост цен на серверную DRAM. По итогам текущего квартала, как ожидается, будет отмечено замедление: производители DRAM снизят общие объёмы поставок в битах. Производители ПК и смартфонов будут избавляться от запасов, из-за чего производители DRAM переведут мощности с DDR4 и HBM на серверную DDR5. Спрос у облачных провайдеров снизится, спровоцировав падение контрактных цен как на DRAM, так и на HBM.

Источник изображения: trendforce.com

Ведущим поставщиком DRAM осталась Samsung с выручкой $11,25 млрд и ростом на 5,1 % квартал к кварталу. Однако её доля на рынке немного снизилась: из-за сокращения спроса на LPDDR4 и DDR4 компания уменьшила поставки в битах, поскольку OEM-производители ПК и смартфонов начали избавляться от запасов. Выручка второй в рейтинге, SK hynix, составила $10,46 млрд, что соответствует квартальному росту на 16,9 %; доля рынка компании увеличилась до 36,6 %. SK hynix нарастила поставки HBM3e и общие поставки в битах, компенсировав просадку в сегментах LPDDR4 и DDR4. Micron заняла третье место с выручкой $6,4 млрд, что на 10,8 % больше, чем кварталом ранее. Американский производитель также увеличил поставки в битах за счёт роста отгрузок серверной DRAM и HBM3e, благодаря чему его доля рынка за квартал не изменилась.

Выручка тайваньских производителей DRAM сократилась из-за ослабления спроса в потребительском сегменте и усиления конкуренции на рынке DDR4 со стороны китайских поставщиков. Доход Nanya Technology составил $203 млн, что на 19,3 % меньше, чем кварталом ранее; у Winbond выручка оказалась $119 млн, что на 22,4 % меньше, чем в предшествующем квартале. Доход PSMC в сегменте DRAM, в первую очередь потребительской, упал на 37,9 % в квартальном исчислении до $11 млн из-за сокращения объёмов производства пластин. Даже с учётом выручки от полупроводникового производства общий доход компании снизился на 10 % за квартал — это значит, что полупроводниковое производство для PSMC остаётся стабильно востребованным.

Исторически потребность в больших объёмах памяти активнее демонстрировали серверные системы и рабочие станции, поэтому производители модулей памяти в первую очередь удовлетворяли запросы соответствующих сегментов рынка, оставляя направление ПК на потом. В случае с модулями DDR5 планки объёмом 64 Гбайт для обычных ПК появились в продаже лишь недавно.

Источник изображения: Akiba PC Hotline

По крайней мере, об этом можно судить по публикации хранящего традиции десятилетиями японского ресурса Akiba PC Hotline, рассказывающего о новинках знаменитого местного рынка электроники оперативно и с иллюстрациями. Японским фоторепортёрам удалось зафиксировать факт появления в местной рознице комплектов памяти типа DDR5-5600 объёмом 2 × 64 Гбайт производства Crucial, подходящих для использования в настольных ПК.

Как известно, под маркой Crucial выпускает модули памяти и твердотельные накопители американская компания Micron Technology. Производитель на данный момент предлагает комплекты DDR5-5600 из двух 64-Гбайт модулей в форматах UDIMM и SO-DIMM.

В Японии, где импортируемая электроника традиционно облагается высокими пошлинами, комплект модулей типа UDIMM стоит более $322. Память предлагает задержки CL46-45-45 и совместимость с процессорами Intel Core Ultra 14-го поколения, а также процессорами AMD Ryzen 8000 или более молодыми. Функции Intel XMP и AMD Expo соответственно обеспечивают быстрый выбор оптимального с точки зрения быстродействия режима работы, заложено по два профиля в каждом (DDR5-5600 и DDR5-5200).

Рынок памяти DRAM ожидают перемены, поскольку падение цен на фоне слабого спроса заставляет крупнейших производителей, таких как Samsung Electronics, SK Hynix и Micron, корректировать свои стратегии. Эти компании увеличивают производство DDR5, а также памяти с высокой пропускной способностью (HBM) и к концу текущего года могут полностью отказаться от выпуска памяти DDR3 и DDR4.

Источник изображения: unsplash.com

Как пишет Digitimes, со ссылкой на издание Nikkei и индустриальные источники, три основных производителя памяти DRAM могут прекратить производство DDR3 и DDR4 к концу 2025 года. Это может привести к возможному дефициту поставок указанных типов памяти уже к осени. Оставшиеся предложения на рынке в значительной степени будут зависеть от тайваньских поставщиков, которые постараются заполнить освободившуюся нишу. По словам одного из ключевых дистрибьюторов компонентов, ожидаемая остановка производства памяти DDR3 и DDR4 может привести к значительным ограничениям поставок, усложнить динамику рынка и повлиять на стратегии ценообразования.

Согласно прогнозам тайваньского производителя памяти Nanya Technology, рынок DRAM достигнет нижней точки в первой половине 2025 года. Однако постепенное восстановление начнётся уже во втором квартале, чему будут способствовать рост спроса, более грамотное управление запасами, а также глобальные экономические стимулы. Спрос на облачные вычисления с использованием искусственного интеллекта останется высоким и будет стимулировать развитие сегмента периферийных вычислений. В то же время потребительский спрос вырастет незначительно, несмотря на региональные стимулы.

Эксперты рынка прогнозируют, что значительная часть новых производственных мощностей будет направлена на развитие технологий HBM и DDR5. Текущий спад цен и спроса на DDR3 и DDR4 сигнализирует о стратегическом сдвиге, поскольку ведущие производители памяти концентрируют свои ресурсы на масштабировании производственных возможностей HBM.

Столкнувшись со слабым спросом на устаревшие модели памяти DDR, компания Winbond Electronics модернизирует своё производство и собирается перейти на 16-нм техпроцесс во второй половине 2025 года. Сейчас компания использует 20-нм техпроцесс, в основном выпуская на его базе 4-гигабитную память DDR3 и DDR4. Переход на 16-нм техпроцесс позволит Winbond выпускать 8-гигабитную память DDR.

По данным inSpectrum, спотовые цены на DDR5 продолжают расти даже на фоне относительно вялого спроса, тогда как цены на DDR4 остаются стабильными. В свою очередь, спотовые цены на DDR3 в последние годы демонстрируют тенденцию к снижению.

Nvidia совместно с ведущими производителями SK Hynix, Samsung и Micron разрабатывает новый стандарт памяти, ориентированный на высокую производительность и компактные размеры. Стандарт получил название System On Chip Advanced Memory Module (SOCAMM) и уже проходит тестирование.

Источник изображения: Nvidia

Модуль может стать основой для следующего поколения компьютеров на базе искусственного интеллекта (ИИ) Nvidia Project Digits, анонсированных на CES 2025. Как пишет Tom's Hardware, новый стандарт обещает превзойти существующий модуль памяти Low-Power Compression Attached Memory Modules (LPCAMM) и традиционные DRAM-решения благодаря ряду преимуществ.

Во-первых, SOCAMM будет более экономически эффективным по сравнению с DRAM в формате SO-DIMM, так как технология позволяет разместить LPDDR5X-память непосредственно на подложке. Во-вторых, SOCAMM получит больше интерфейсов ввода/вывода — до 694 портов против 644 у LPCAMM и 260 у традиционной DRAM, что должно значительно увеличить пропускную способность и скорость обмена данными.

Кроме того, так как модуль отсоединяемый, это упростит модернизацию оборудования в дальнейшем. При этом, компактные размеры также помогут повысить общую ёмкость памяти.

Технические детали SOCAMM пока держатся в секрете, поскольку стандарт разрабатывается без участия совета JEDEC. Согласно имеющимся данным, Nvidia и партнёры в настоящее время обмениваются прототипами модуля для проведения тестов производительности.

Китайские производители памяти продолжают осваивать производство высокоскоростной памяти HBM, необходимой для искусственного интеллекта (ИИ) и высокопроизводительных вычислений (HPC). Уже третья по счёту китайская компания, Tongfu Microelectronics, являющаяся партнёром AMD, начала тестирование своих HBM-продуктов.

Источник изображения: en.tfme.com

Однако Tongfu Microelectronics не занимается производством памяти напрямую. Компания является третьим по величине в мире поставщиком услуг по аутсорсингу сборки и тестирования полупроводников (OSAT), а её наиболее значимым клиентом и одновременно акционером выступает AMD через совместное предприятие TF-AMD. Как отмечает Tom's Hardware, вклад крупного OSAT-игрока в разработку HBM делает ситуацию ещё более интересной, тем более, что Tongfu уже начала поставлять пробные партии HBM2-памяти некоторым своим клиентам.

Имена клиентов пока не раскрываются, но в их числе может быть, по утверждению издания Nikkei, компания Huawei, разрабатывающая ИИ-процессоры с HBM. Однако официально Tongfu на своём сайте ничего не заявляет по этому поводу, оставляя вопросы о масштабах её участия именно в HBM проектах, а не HBM2.

История создания Tongfu Microelectronics также заслуживает внимания. В 2015 году, когда AMD находилась в сложной финансовой ситуации, Tongfu согласилась создать совместное предприятие с Nantong Fujitsu Microelectronics (NFME). AMD передала свои сборочные и тестовые мощности в Сучжоу (город в Китае) и в Малайзии, получив взамен $371 млн и долю в новом предприятии. Позже NFME вошла в состав Tongfu Microelectronics, которая теперь управляет совместным предприятием TF-AMD вместе с AMD.

Отмечается, что на данный момент Tongfu не единственная компания в Китае, работающая с высокопропускной памятью. ChangXin Memory Technologies (CXMT), ведущий китайский производитель DRAM, уже некоторое время производит HBM2. Кроме того, в марте 2024 года к ним присоединилась компания Wuhan Xinxin, которая также начала выпуск HBM2.

Отрасль компонентов памяти отличается консервативным подходом: революционным изменениям производители предпочитают постепенные улучшения. Но к концу десятилетия миру может быть представлена монолитная 3D DRAM, правда, пока нет ясности, какую форму примет это решение, и когда такая память будет готова к массовому производству.

Источник изображения: samsung.com

В области флеш-памяти производителям удалось добиться значительных успехов — ёмкость компонентов повышается за счёт монолитной 3D-архитектуры. Но в области DRAM использовать это решение не получается, потому что существует потребность в достаточно крупных элементах для хранения заряда — как правило, это конденсаторы. Самый простой подход к увеличению объёма данных на однослойном чипе DRAM — уменьшение размера ячейки. Из-за вертикальных конденсаторов слои DRAM оказываются слишком толстыми, что затрудняет их размещение друг на друге. Чтобы решить эту проблему, одни производители пытаются размещать конденсаторы горизонтально, другие — вообще их исключить.

3D DRAM может иметь различные реализации. Одна из них уже используется в производстве — это память с высокой пропускной способностью (HBM), но в данном случае речь идёт о многослойном кристалле, а не монолитном, как в случае 3D NAND. Появление монолитного чипа 3D DRAM придаст импульс развитию направления HBM и окажет влияние на всю отрасль. Оптимизировать ячейки DRAM можно, уменьшив размеры элементов с помощью передовых методов литографии, например, создавать заготовки в два или четыре прохода. Samsung разрабатывает новую архитектуру ячеек 4F2, более компактную, чем актуальная 6F2, но для её создания потребуются новые материалы, в том числе сегнетоэлектрики.

Ещё одним перспективным направлением представляется укладка конденсатора на бок, что поможет снизить толщину слоёв, чтобы располагать эти слои вертикально. Производитель оборудования для выпуска чипов Lam Research предложил несколько способов достичь этой цели: перевернуть ячейку, сдвинуть линию битов и применять транзисторы с окружающим затвором (GAA). Рассматриваются конструкции DRAM вообще без конденсаторов; предлагается технология Floating Body DRAM (FB-DRAM) по аналогии флеш-памяти с плавающим затвором. Компания Neo Semiconductor предложила коммерческую технологию на основе ячейки Floating Body с двойным затвором. Моделирование показало, что «этот механизм способен повысить запас чувствительности и сохранение данных», заявил гендиректор компании Энди Сю (Andy Hsu). Таким образом, появление монолитной 3D DRAM действительно может быть не за горами, но производителям потребуются ещё несколько лет, прежде чем на поддержку одного из решений будут выделены средства.