Сегодня 29 марта 2024
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Теги → dram
Быстрый переход

Оперативная память DRAM подорожает во втором квартале, но не более чем на 3–8 %

Последний отчёт аналитической компании TrendForce показал, что, несмотря на усилия поставщиков DRAM по сокращению товарных запасов, общий прогноз спроса на этот год остаётся не слишком оптимистичным. Окажет своё влияние и значительное повышение цен поставщиками в четвёртом квартале 2023 года. В результате контрактные цены на DRAM во втором квартале, по прогнозам, вырастут в пределах 3–8 %.

 Источник изображения: unsplash.com

Источник изображения: unsplash.com

Окончательная победа DDR5 на потребительском рынке должна привести к увеличению спроса на DRAM для ПК во втором квартале. Ожидается, что по мере того, как производители перейдут на более совершенные и экономически эффективные процессы производства DDR5, их прибыльность значительно вырастет. Аналитики полагают, что ожидаемый рост спроса на ПК с искусственным интеллектом может привести к небольшому замедлению роста цен на DDR5 во втором квартале.

В секторе серверной DRAM наблюдается постоянная тенденция к увеличению запасов DDR5. Тем не менее, по состоянию на первый квартал, DDR5 не проникла на рынок так широко, как ожидалось. Производители наращивают производство DDR5 и используют стратегии объединения заказов для повышения прибыльности, что приводит к постепенному замедлению роста цен на DDR5. Контрактные цены на DDR4, как ожидается, вырастут больше, чем на DDR5 во втором квартале, постепенно сокращая ценовой разрыв между ними. В целом, контрактные цены на серверную DRAM, по прогнозам, вырастут во втором квартале примерно на 3–8 %, что отражает общую динамику рынка.

Рынок мобильной DRAM достаточно сбалансирован, но не показывает заметных признаков развития. Сокращение производства в сочетании с устойчивым спросом на протяжении предыдущих трёх кварталов привело к значительному истощению запасов производителей. Этот поставило в более выгодное положение поставщиков, которые стремясь повысить свою прибыльность, добиваются повышения контрактных цен на мобильную DRAM на 10–15 %. Аналитики TrendForce полагают, что пассивная переговорная позиция покупателей умерит эти агрессивные ценовые предложения, а рост цен на мобильную DRAM во втором квартале составит те же 3–8 %.

В секторе графической DRAM спрос на модули GDDR6 ёмкостью 16 Гбайт остаётся стабильно высоким, и покупатели, как правило, готовы согласиться с повышением цен со стороны продавцов. В настоящее время не наблюдается никаких признаков потенциального снижения цен. Кроме того, производители переводят производственные мощности на производство HBM, что приводит к относительно консервативному плану производства GDDR. Тем не менее, по прогнозам, контрактные цены на графическую DRAM во втором квартале вырастут на 3–8 %.

 Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

Потребительская DRAM пользуется стабильным спросом в первую очередь в секторах, связанных с ИИ, а также в сфере телевидения и сетевых технологий. Однако спрос остаётся слабым из-за медленного продвижения проектов в китайском секторе ИТ и телекоммуникаций. Существует заметная разница в ценовых стратегиях между крупными мировыми производителями и тайваньскими компаниями. Первые извлекли выгоду из бума ИИ, значительно сократив свои запасы и последовательно поднимают цены, вторые продолжают испытывать последствия высоких товарных запасов, что не даёт им проводить агрессивную ценовую политику.

JEDEC принял стандарт памяти GDDR7 для видеокарт следующего поколения — вдвое быстрее GDDR6

Комитет стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC) принял новый стандарт памяти JESD239 Graphics Double Data Rate (GDDR7) SGRAM. Микросхемы памяти GDDR7 обеспечат вдвое большую пропускную способность по сравнению с GDDR6 —до 192 Гбайт/с на чип, что должно удовлетворить спрос на скоростную память не только в игровом сегменте, но и на рынке высокопроизводительных вычислений и ИИ.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

Стандарт JESD239 GDDR7 является первым стандартом JEDEC для памяти DRAM, в котором используется технология интерфейса импульсно-амплитудной модуляции (PAM) для высокочастотных операций. В GDDR7 используется версия PAM3, которая улучшает соотношение сигнал/шум (SNR) для работы на высоких частотах, одновременно повышая энергоэффективность модулей памяти. Благодаря использованию трёх уровней (+1, 0, -1) для передачи трёх битов за два цикла по сравнению с традиционным интерфейсом NRZ (без возврата к нулю), где реализована передача двух битов за два цикла, PAM3 обеспечивает более высокую скорость передачи данных за один цикл, что приводит к улучшению производительности.

Другими особенностями памяти GDDR7 являются:

  • независимые от ядра шаблоны тренировки LFSR (регистр сдвига с линейной обратной связью) и счетчики ошибок для повышения точности и сокращения времени тренировки;
  • удвоение числа независимых каналов с двух до четырёх по сравнению с GDDR6;
  • поддержка плотности чипов от 16 до 32 Гбит, включая поддержку двухканального режима для удвоения пропускной способности системы;
  • удовлетворение потребности рынка в надёжном, доступном и удобном в обслуживании решения за счёт внедрения новейших функций обеспечения целостности данных, включая ECC на кристалле (ODECC) с отчётами об ошибках в реальном времени, проверкой данных, проверкой ошибок и очисткой, а также чётности адресов команд с блокировкой команд (CAPARBLK).

В пресс-релизе JEDEC отмечается, что ведущие производители памяти, включая Micron, Samsung и SK hynix, а также компании AMD и NVIDIA, выпускающие продукты на основе их решений, выразили интерес к новому стандарту памяти GDDR7.

Глобальные продажи DRAM выросли почти на 30 % в последнем квартале 2023 года

Выручка индустрии, связанной с выпуском оперативной памяти DRAM, по итогам четвёртого квартала 2023 года выросла на 29,6 % по сравнению с предыдущим кварталом и достигла $17,46 млрд, подсчитали в TrendForce. Рост связан с активизацией усилий по накоплению запасов потребителями и строгим контролем объёма производства со стороны ведущих производителей. В текущем квартале прогнозируется рост контрактных цен на 20 % при небольшом снижении объёмов поставок.

 Источник изображения: samsung.com

Источник изображения: samsung.com

Звание лидера сохранила за собой Samsung, которой удалось увеличить выручку на 50 % квартал к кварталу до $7,95 млрд в основном за счёт поставок DDR5, отгрузки серверной DRAM выросли более чем на 60 %. SK hynix нарастила поставки на 1–3 %, но за счёт сегментов HBM и DDR5 и серверной DRAM смогла увеличить среднюю цену продажи (ASP) на 17–19 %, а выручка выросла на 20,2 % до $5,56 млрд. Micron отметилась ростом объёмов и цен на 4–6 % по каждому показателю, что помогло ей увеличить выручку на 8,9 % до $3,35 млрд за квартал из-за относительно невысоких долей DDR5 и HBM.

 Источник изображения: trendforce.com

Источник изображения: trendforce.com

Samsung в I квартале начала восстанавливать производство, достигнув уровня загрузки до 80 % после значительного сокращения в IV квартале 2023 года. Во второй половине года ожидается заметный рост спроса, что приведёт к постоянному увеличению производственных мощностей в течение IV квартала 2024 года. SK hynix активно расширяет мощности HBM, особенно с развёртыванием массового производства HBM3e. Micron также активизирует выпуск полупроводниковых пластин, стремясь увеличить долю передового техпроцесса 1-beta для продуктов HBM, DDR5 и LPDDR5(X).

Тайваньская Nanya демонстрирует рост объёмов и цен, но из-за медленного восстановления продаж в потребительском секторе выручка компании в IV квартале увеличилась на 12,1 % до $274 млн. Winbond, запустившая новые мощности на заводе KH, нацелилась на сокращение запасов и расширение клиентской базы без повышения контрактных цен — её доходы выросли на 19,5 % до $133 млн. PSMC сыграла на росте спотовых и контрактных цен и активизировала поставки клиентам, а из-за низкого начального показателя её выручка в сегменте DRAM выросла на 110 % до $39 млн. С учётом полупроводникового подряда общий доход PSMC увеличился на 11,6 %.

Новая статья: NAND/DRAM, почему стоим? или Микросхемы памяти у предела миниатюризации

Данные берутся из публикации NAND/DRAM, почему стоим? или Микросхемы памяти у предела миниатюризации

Samsung запустила в США разработку оперативной памяти 3D DRAM

Компания Samsung открыла в США новую исследовательскую лабораторию, сообщает издание The Korea Times со ссылкой на свои источники. Предприятие, расположенное в Кремниевой долине, занимается разработкой технологий оперативной памяти 3D DRAM в рамках программы Device Solutions America. По данным издания, задача новой лаборатории Samsung — вывести компанию в лидеры на мировом рынке памяти 3D DRAM.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

3D DRAM представляет собой оперативную память DRAM, которую предполагается производить с использованием технологии трёхмерного размещения транзисторов вместо применяемого сейчас планарного размещения. Цель трёхмерного производственного процесса заключается в более эффективном использовании физических ограничений микросхем путём вертикального наложения дополнительных слоёв ячеек памяти или целых кристаллов друг на друга.

Примером технологии оперативной 3D-памяти может служить технология кеш-памяти 3D V-Cache, которая используется в потребительских процессорах AMD Ryzen X3D, а также в её некоторых серверных чипах. В данном случае 3D V-Cache представляет собой дополнительный слой кеш-памяти 3-го уровня, который наслаивается поверх основного слоя кеш-памяти L3 процессора.

The Korea Times напоминает, что именно Samsung является первой компанией, которая более десятилетия назад представила технологию трёхмерной флеш-памяти NAND, которую компания называет V-NAND. Она и по сей день используется в твердотельных накопителях. Кроме того, другие производители тоже освоили выпуск флеш-памяти 3D NAND, и с каждым годом наращивают число слоёв — в современных чипах их число перевалило за 230.

Технология трёхмерного производства кеш-памяти доказала свою эффективность в процессорном сегменте. Samsung ещё в октябре 2023 года заявила, что трёхмерная структура кристаллов оперативной памяти, производимых с использованием техпроцессов тоньше 10 нм, в перспективе позволит создавать более ёмкие чипы памяти DRAM с плотностью, превышающей 100 Гбит на микросхему.

Цены на DRAM и NAND будут расти весь год, но поставщикам нужно жёстко контролировать объёмы производства

Падение контрактных цен на DRAM, начавшееся ещё в четвёртом квартале 2021 года, удалось окончательно остановить лишь в четвёртой четверти 2023 года. Также в третьем квартале 2023 года удалось начать восстановление сегмента NAND, который демонстрировал спад четыре квартала подряд. И если производители сумеют удержать эффективный контроль над уровнем загрузки своих мощностей, восходящий тренд удастся сохранить, уверены аналитики TrendForce.

 Источник изображения: samsung.com

Источник изображения: samsung.com

Сезон роста откроется уже в текущем, первом квартале 2024 года, говорят аналитики TrendForce, подтверждая свои первоначальные прогнозы: рост цен на DRAM на 13–18 % и подорожание NAND на 18–23 % квартал к кварталу. Несмотря на в целом консервативный прогноз спроса во II квартале 2024 года, поставщики чипов памяти начали повышать коэффициенты загрузки мощностей уже в III квартале 2023 года. Ожидается, что покупатели NAND досрочно завершат пополнение запасов в I квартале 2024 года. Всё это уже привело к более умеренному росту цен в квартальном исчислении — на 3–8 % для DRAM и NAND в прогнозе на II квартал 2024 года.

 Источник изображения: trendforce.com

Источник изображения: trendforce.com

III квартал 2024 года ознаменуется традиционным пиковым сезоном, когда североамериканские клиенты начнут энергичнее пополнять запасы ключевых компонентов. Контрактные цены на DRAM и NAND продолжат рост, который составит 8–13 %, но лишь при условии, что загрузка мощностей будет поддерживаться ниже 100 %. На рынке DRAM дальнейшему увеличению средней цены продажи (ASP) будут способствовать растущие темпы проникновения DDR5 и HBM.

Продолжение общего роста цен ожидается и в IV квартале 2024 года, опять же, если сохранится эффективная стратегия контроля производства. Рост цен квартал к кварталу составит 8–13 % — снова за счёт DDR5 и HBM, хотя по DDR5 к этому моменту не исключается и снижение показателей. Другими словами, рост контрактных цен в сегменте DRAM в 2024 году отражает изменения в ассортименте продукции, а не общий рост по всем чипам DRAM. Контрактные цены на NAND в IV квартале 2024 года вырастут на 0–5 % по сравнению с предыдущим кварталом.

16 Гбайт оперативной памяти в ПК станут новой нормой благодаря ИИ

Корпорация Microsoft установила минимально рекомендуемый объём оперативной памяти для ПК, работающих с ИИ-ассистентом Copilot, на уровне 16 Гбайт, сообщает TrendForce. По сути, это подтолкнёт активных пользователей ПК к модернизации своих систем. По меньшей мере, оперативной памяти придётся добавить, поскольку многие до сих пор обходились вдвое меньшим объёмом.

 Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

К таким рассуждениям приходит ресурс PC Gamer, который утверждает, что 8 Гбайт памяти уже давно считаются разумным минимумом объёма оперативной памяти для ПК. По крайней мере, это было справедливо для решения офисных задач, тогда как любители игр уже опираются на 16 Гбайт в качестве минимальной разумной отметки. Правда заключается в том, что и при работе с базовыми приложениями типа браузера с несколькими вкладками упереться в предел производительности по критерию оперативной памяти можно довольно быстро уже сейчас, если использовать лишь 8 Гбайт ОЗУ.

Цены на оперативную память DDR4 и DDR5 сейчас не так высоки, поэтому перейти с 8 на 16 Гбайт ОЗУ можно с умеренными затратами, если это возможно технически. Во всяком случае, не все ноутбуки позволяют провести такую операцию, и тогда придётся задуматься уже о замене всего устройства.

Распространение процессоров с функциями ускорения работы систем искусственного интеллекта начнётся уже в этом году, и рассчитывать на увеличение минимального объёма оперативной памяти лучше заблаговременно, пока цены на микросхемы DRAM не так высоки. В дальнейшем, как отмечают эксперты TrendForce, интеграция памяти типа LPDDR5x непосредственно на процессор или материнскую плату будет получать всё большее распространение, и тогда самостоятельное увеличение объёма ОЗУ станет невозможным.

Samsung разработает быструю оперативную память LLW DRAM с низким энергопотреблением

Samsung разрабатывает новый тип памяти под названием Low Latency Wide I/O (LLW) DRAM, которая обладает очень высокой пропускной способностью, малой задержкой и низким энергопотреблением. Компания предлагает в первую очередь использовать новую память в системах искусственного интеллекта на базе больших языковых моделей (LLM), хотя также подобная память подойдёт и для других рабочих нагрузок, включая клиентские.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

LLW DRAM от Samsung — это память с низким энергопотреблением, обладающая широкими возможностями ввода-вывода, низкой задержкой и пропускной способностью в 128 Гбайт/с на модуль (или стэк), что сопоставимо с сочетанием памяти DDR5-8000 и 128-битной шины. Одной из ключевых особенностей LLW DRAM от Samsung заявлено её низкое энергопотребление — 1,2 пДж/бит, хотя компания не сообщила, при какой скорости передачи данных измерена эта величина.

Хотя Samsung пока не раскрыла технических подробностей о LLW DRAM, стоит вспомнить, что компания уже некоторое время разрабатывает память с широкими интерфейсами, например, GDDR6W. Возможно, что Samsung объединяет ёмкость нескольких таких модулей DRAM, интегрированных в один корпус, с использованием технологии Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) для расширения пропускной способности интерфейса и снижения энергопотребления.

Samsung стандартизировала свою память GDDR6W во втором квартале 2022 года и планировала использовать её в системах искусственного интеллекта, высокопроизводительных вычислительных ускорителях и клиентских ПК. Вполне вероятно, что LLW DRAM будет использована в периферийных вычислительных устройствах для систем искусственного интеллекта, таких как смартфоны, ноутбуки и, возможно, автомобильные системы.

Samsung редко раскрывает информацию о том, когда её многообещающие технологии появятся на рынке, поэтому сроки выхода LLW DRAM в реальных устройствах пока неясны. Но, поскольку Samsung уже обнародовала подробности об ожидаемой производительности технологии, разработка LLW DRAM, вероятно, практически завершена.

Падение прибыли Samsung в прошлом квартале должно было стать минимальным за полтора года

На этой неделе южнокорейский гигант Samsung Electronics отчитается о предварительных итогах прошлого квартала, но даже такие значения для инвесторов станут важным индикатором состояния всего рынка полупроводниковых компонентов, поскольку эта компания является его крупнейшим участником. Прибыль Samsung должна сократиться на 14 %, что соответствует минимальному снижению за шесть предыдущих кварталов.

 Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

Даже отрицательная динамика прибыли, по словам South China Morning Post, в этом случае станет хорошим сигналом для участников рынка и инвесторов, поскольку прибыль крупнейшего производителя памяти по крайней мере замедлит темпы снижения до минимального за полтора года значения. Консенсус 30 аналитиков гласит, что в прошлом квартале операционная прибыль Samsung наверняка сократилась на 35 % до $2,82 млрд в годовом сравнении. Последний раз компания отчитывалась о росте квартальной прибыли в годовом сравнении во втором квартале 2022 года.

Полупроводниковый бизнес Samsung, как ожидается, в прошлом квартале ограничил свои операционные убытки суммой около $912 млн, что в три с лишним раза меньше, чем наблюдалось во втором и третьем кварталах прошлого года. Цены на память типов DRAM и NAND в четвёртом квартале начали расти, и это во многом способствовало улучшению динамики финансовых показателей деятельности Samsung. По оценкам TrendForce, в мобильном сегменте цены на DRAM в прошлом квартале выросли на 18–23 %, а цены на память типа NAND в мобильном сегменте могли увеличиться на 10–15 %. С первого полугодия Samsung неоднократно сокращала объёмы производства памяти, чтобы стимулировать рост цен. В прошлом квартале она также более активно распродавала запасы продукции по сравнению с конкурентами. Как ожидают эксперты, в сегменте DRAM компания Samsung уже должна была выйти на безубыточность в прошлом квартале.

В мобильном сегменте операционная прибыль Samsung могла в прошлом квартале достичь $1,9 млрд, отрицательное влияние на неё могли оказать снижающиеся объёмы продаж флагманских моделей смартфонов с гибким дисплеем. Каждая из двух моделей сократила объёмы реализации на 1 млн штук по сравнению с третьим кварталом, как считают аналитики.

SK Hynix стала второй по величине компанией в Южной Корее — первое место у Samsung

Южнокорейский полупроводниковый гигант SK Hynix занял второе место в рейтинге рыночной капитализации Корейской биржи на конец 2023 года благодаря росту акций на фоне ожиданий восстановления рынка памяти, сообщил ресурс Nikkei Asia.

 Источник изображения: SK Hynix

Источник изображения: SK Hynix

Корейский композитный индекс цен на акции (КОСПИ) вырос в 2023 году на 18,7 % под влиянием роста рыночной капитализации шести из 10 крупнейших компаний страны. В 2022 году из-за спада рынка чипов и роста процентных ставок упали акции всех 10 крупнейших компаний, за исключением LG Energy Solution, которая была включена в листинг в том же году.

Бесспорным лидером стала Samsung Electronics, чья рыночная капитализация выросла на 42 % до 468 трлн вон (около $356 млрд) на фоне ожиданий завершения спада рынка чипов. SK Hynix, нарастившая продажи чипов DRAM, увеличила свою рыночную капитализацию на 89 % до 103 трлн вон (около $78 млрд), в то время как занимающая в рейтинге третье место LG Energy Solution, производитель аккумуляторов, сократила капитализацию на 2 % до 100 трлн вон (около $76 млрд).

Вместе с SK Hynix лидером по росту акций стала сталелитейная компания POSCO Holdings (81 %) на фоне ожиданий увеличения доходов от производства материалов для аккумуляторов, поскольку её главный завод полностью восстановили после разрушений, нанесённых тайфуном.

Также поднялись в рейтинге Hyundai Motor и её дочерняя компания Kia благодаря продажам автомобилей класса high-end в Европе и США. Рыночная капитализация Hyundai выросла на 33 % до 43 трлн вон (около $33 млрд), а Kia — на 67 % до 40 трлн вон (около $30 млрд).

У компаний, связанных с производством аккумуляторов, показатели оказались не столь хорошими, LG Chem, материнская компания LG Energy Solution, и крупный производитель аккумуляторов Samsung SDI упали в рейтинге.

Продажи электромобилей выросли не так сильно, как ожидалось, в связи с чем вырос риск переизбытка предложения из-за значительных капвложений. Также влияет на изменения в рейтинге неопределённость в цепочке поставок аккумуляторов, вызванная напряжённостью между США и Китаем.

У технологических компаний, ориентированных на онлайн-технологии, год также был далеко не лучшим. На фоне насыщения южнокорейского рынка и ужесточения регуляторных правил в Южной Корее, Kakao продемонстрировала рост лишь на 2 %, опустившись с 10-го места в конце 2022 года на 14-е. В 2021 году она заняла пятое место.

Naver осталась на восьмом месте. Её опередил Coupang, крупный интернет-магазин, котирующийся на Нью-Йоркской фондовой бирже, с рыночной капитализацией в $28,9 млрд.

Бывшего сотрудника Samsung обвинили в краже технологий производства памяти в пользу китайской CXMT

В минувшую среду в Южной Корее обвинили бывшего сотрудника Samsung Electronics в краже конфиденциальной информации, касающейся ключевых полупроводниковых технологий, с целью передачи их китайской компании за денежное вознаграждение, пишет ресурс Yonhap News Agency.

 Источник изображения: Yonhap News Agency

Источник изображения: Yonhap News Agency

Как стало известно, прокуратура Центрального округа Сеула предъявила обвинение гражданину Киму (Kim), который ранее занимал должность руководителя отдела в Samsung, в нарушении закона о защите промышленных технологий. Ким обвиняется в краже принадлежащей Samsung конфиденциальной информации, касающейся производства микросхем DRAM, и её передаче китайскому производителю чипов памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) для использования в разработке собственных продуктов.

Прокуратура подозревает Кима в передаче CXMT данных о семи ключевых технологиях для производства полупроводников и других технологиях Samsung в обмен на десятки миллионов долларов после его перехода в китайскую фирму в 2016 году. Также Ким подозревается в переманивании 20 технических специалистов из Samsung и других фирм в китайскую компанию, которым предлагалось высокое финансовое вознаграждение. Китайская CXMT, которая была новичком на рынке в 2016 году, быстро вышла в лидеры китайской отрасли по производству микросхем оперативной памяти DRAM.

По данному делу проходит ещё один экс-сотрудник Samsung, обвиняемый в сговоре с Кимом с целью кражи и передачи информации о ключевых технологиях его бывшей компании китайскому производителю CXMT.

Рост спроса на память в серверном сегменте позволил Micron улучшить финансовый прогноз

В календаре Micron Technology тридцатого ноября завершился первый квартал фискального 2024 года, и говоря о показателях второго квартала, руководство сформировало благоприятный прогноз, который превзошёл ожидания аналитиков. Результаты минувшего квартала тоже оказались лучше прогнозных значений.

 Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

Выручка Micron в минувшем квартале выросла на 16 % до $4,73 млрд против ожидавшихся $4,54 млрд. Чистые убытки за период составили $1,05 млрд или $1,23 млрд, в зависимости от методики расчёта. Операционные расходы удалось немного сократить по сравнению с аналогичным периодом предыдущего фискального года, до $1,093 млрд. Норма операционных убытков составила 23,9 %, операционные убытки достигли $1,128 млрд. Выручка от реализации памяти типа DRAM достигла $3,4 млрд или 73 % от совокупной. Профильная выручка последовательно выросла на 24 %, объёмы поставок в натуральном выражении выросли более чем на 20 %, а средняя цена реализации выросла на несколько процентов. На долю NAND пришлись $1,2 млрд или 26 % общей выручки, на этом направлении выручка выросла на 2 % последовательно, а средняя цена реализации увеличилась на 20 %. С точки зрения сегментов рынка самым активно растущим оказался мобильный, он увеличил свою часть выручки Micron на 97 % до $1,3 млрд.

По словам генерального директора Micron Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), в прошедшем квартале компания добилась успехов не только за счёт повышения операционной дисциплины, но благодаря более высоким ценам на память по сравнению с ожидавшимися. В 2024 году, как он заявил, фундаментальные показатели деятельности компании будут улучшаться на протяжении всего периода, а ёмкость рынка по итогам 2025 календарного года достигнет рекордного значения. Особая ставка делается на продвижение памяти типа HBM в свете высокого спроса на системы искусственного интеллекта. Компания уже распродала всю память типа HBM, которую способна будет выпустить в 2024 году. В одноимённом фискальном периоде реализация HBM принесёт Micron сотни миллионов долларов выручки, по словам руководства. С технической точки зрения память этого типа является самым сложным видом продукции Micron, но и самым прибыльным. В минувшем фискальном квартале Micron уже отгрузила первым клиентам образцы микросхем типа HBM3E, которые обеспечивают на 10 % более высокое быстродействие и на 30 % сниженное энергопотребление по сравнению с конкурирующими предложениями этого типа.

О сотрудничестве с NVIDIA в этой сфере в презентации Micron было сказано отдельно. Сейчас память типа HBM3E производства Micron проходит последние этапы квалификационных испытаний, что позволит соответствующим микросхемам использоваться при производстве ускорителей NVIDIA GH200 и H200. Кроме того, микросхемы памяти Micron типа LPDDR5X уже используются в сочетании с процессорами NVIDIA Grace. Массовое производство HBM3E компания собирается начать в следующем календарном квартале.

В текущем фискальном квартале Micron рассчитывает выручить от $5,1 до $5,5 млрд, что выше ожидавшихся аналитиками $4,99 млрд. Убытки в пересчёте на одну акцию ограничатся диапазоном от 21 до 35 центов, тогда как аналитики прогнозировали до 62 центов убытков на одну акцию компании. После закрытия торгов акции Micron Technology выросли в цене на 4,8 %, хотя в ходе основной торговой сессии потеряли 4,2 %.

Глава Micron пояснил, что с точки зрения динамики цен 2024 год станет для отрасли по производству микросхем памяти периодом перехода к росту, но наращивать объёмы выпуска продукции компания будет осторожно. Сегмент ПК в 2024 календарном году вырастет на 2–5 %, как считает руководство Micron, сегмент смартфонов тоже демонстрирует признаки восстановления, но в 2024 году вырастет незначительно. В любом случае, в этих сегментах рынка покупатели хотя бы избавились от излишков памяти, как пояснил Мехротра. На ценах это сказывается благоприятным для производителей образом. С точки зрения баланса спроса и предложения на микросхемы памяти следующий год обеспечит возвращение к историческим уровням, как считает руководство компании. Предложение, во всяком случае, нормализуется уже в первой половине следующего года. В начале наступающего года DDR5 начнёт доминировать над DDR4 в структуре поставок продукции Micron. Для производства микросхемы HBM эквивалентной ёмкости требуется в два раза больше кремниевых пластин, чем для DDR5.

Распространение во второй половине следующего календарного года ПК с функцией ускорения работы систем искусственного интеллекта, по мнению представителей Micron, позволит увеличить среднее содержание оперативной памяти на один ПК на величину от 4 до 8 Гбайт, попутно увеличится и средняя ёмкость используемых твердотельных накопителей. В сегменте смартфонов прирост объёма оперативной памяти в силу появления такого фактора будет примерно таким же.

По итогам текущего года спрос на DRAM должен вырасти на 8–9 %, в сегменте твердотельной памяти он достигнет 19–19 %. В последующие годы спрос на DRAM будет измеряться 18–19 % в год, а на направлении NAND он достигнет 21–23 %. В 2024 году спрос на DRAM приблизится к этим показателям, а вот на рынке NAND темпы роста окажутся ниже. На протяжении 2024 года компания собирается удерживать поставки на уровне ниже потребностей рынка, чтобы способствовать реализации сохраняющихся складских запасов продукции.

Цены на память для смартфонов подскочат на 18–23 % в первом квартале 2024 года

TrendForce прогнозирует значительный сезонный рост цен в пределах 18–23 % на мобильную оперативной память (DRAM) и флеш-память (eMMC и UFS) в первом квартале 2024 года. Панические настроения среди клиентов, вызванные этим ростом, могут привести к дальнейшему повышению цен на рынке памяти, который контролируют несколько крупных игроков.

 Источник изображения: unsplash.com

Источник изображения: unsplash.com

TrendForce отмечает, что рынок смартфонов часто является ранним индикатором экономического спада, поскольку покупатели и продавцы постоянно корректируют свои запасы в цепочке поставок. Тем не менее, поскольку запасы достигают минимального уровня, а последствия сокращения производства сохраняются, начинается устойчивый рост цен на память для смартфонов.

Наблюдения за рынком и прогноз на первый квартал 2024 года указывают на устойчивое планирование производства китайскими производителями смартфонов. Явный рост цен на память заставляет покупателей активно увеличивать свои закупочные усилия, поскольку они стремятся установить безопасный и конкурентоспособный уровень запасов.

 Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

В целом, в первом квартале 2024 года цены на память, скорее всего, вырастут выше, чем в других секторах. Ожидается, что эта эскалация, вызванная устойчивым спросом со стороны клиентов и медленным расширением операций со стороны производителей, увеличит разрыв между спросом и предложением. Аналитики уверены, что цены на память станут ведущим фактором этой восходящей тенденции.

Ещё один удар по санкциям: китайская CXMT разработала передовую память DRAM с GAA-транзисторами

Компания Changxin Memory Technologies (CXMT) является лидером китайской отрасли по производству микросхем оперативной памяти DRAM, и на этой неделе стало известно не только о её прорыве в технологической сфере, но и намерениях привлечь инвестиции вместо IPO, которое откладывается. Привлечение средств будет происходить на фоне оценки капитализации CXMT в $19,5 млрд.

 Источник изображения: CXMT

Источник изображения: CXMT

На конференции IEDM, как сообщают некоторые следящие за событиями в полупроводниковой отрасли блогеры, компания CXMT опубликовала научную работу, описывающую технологию создания транзисторов с окружающим затвором (GAA) на вертикальных каналах применительно к производству микросхем DRAM. Судя по краткой аннотации к этой работе, соответствующая структура транзисторов сочетается в памяти нового поколения с ёмкостными элементами шестиугольной формы, позволяя создавать архитектуру компактной ячейки памяти типа DRAM. Соотношение тока открытого состояния (Ion) к току утечки (Ioff) в данном случае превышает 109, что очень хорошо по меркам отрасли.

По сути, если CXMT удастся внедрить эту технологию в массовом производстве микросхем DRAM, это будет настоящим прорывом для всей китайской промышленности. Также это станет очередным свидетельством того, что Китай способен развивать полупроводниковую сферу даже под гнётом санкций. Если подобная память будет выпущена, это станет очередным поводом для США усугубить санкции в отношении CXMT.

Агентство Bloomberg отдельно сообщает, что CXMT вынуждена отложить выход на публичный фондовый рынок из-за сохранения не самой благоприятной макроэкономической ситуации. Вместо этого компания рассчитывает в частном порядке привлечь определённую сумму средств, которая оценит капитализацию её бизнеса в $19,5 млрд. Изменение структуры акционерного капитала компания в рамках подготовки к IPO завершила ещё в середине текущего года, но после консультации с регуляторами и инвесторами решила дождаться более благоприятных условий для выхода на открытый фондовый рынок.

Привлечённые в результате очередного раунда финансирования средства CXMT стремится потратить на расширение производственных мощностей в расчёте на оживление рынка памяти в 2024 году. Выпускающая твердотельную память китайская компания YMTC уже находится под санкциями США, и теперь остаётся ждать реакции американских регуляторов на успехи CXMT в создании новых технологий производства микросхем памяти типа DRAM. Компания прежде пользовалась существенной финансовой поддержкой правительственного инвестиционного фонда КНР, что также может привлечь к её деятельности внимание американских чиновников, отвечающих за расширение санкций.

Выручка производителей DRAM подскочила на 18 % в третьем квартале — оперативная память продолжит дорожать

Согласно исследованиям TrendForce, в третьем квартале 2023 года произошёл значительный подъём рынка оперативной памяти DRAM: общая выручка выросла до 13,48 миллиардов долларов. Это соответствует 18-процентному росту относительно предыдущего квартала.

 Источник изображения: pixabay.com

Источник изображения: pixabay.com

Значительный рост выручки объясняется постепенным восстановлением спроса, что побуждает производителей активизировать закупки. В перспективе четвёртого квартала поставщики DRAM твёрдо намерены повышать цены, так как ожидается, что контрактные цены на чипы памяти вырастут примерно на 13–18 %. Вместе с тем, восстановление спроса будет не таким ярким, как в предыдущие пиковые сезоны. В целом, несмотря на спрос для поддержания запасов, закупки в серверном сегменте остаются ограниченными из-за высокого уровня запасов с прошлых кварталов, что предполагает ограниченный рост поставок DRAM в четвёртом квартале.

Следует отметить, что три основных производителя оперативной памяти отметили рост выручки в третьем квартале. Выручка Samsung выросла на 15,9 % до 5,25 миллиардов долларов США благодаря стабильному спросу на чипы большой ёмкости, который стимулируется развитием систем искусственного интеллекта и выходом на рынок чипов DDR5, выполненных по нормам 1α. SK hynix продемонстрировала самый заметный рост среди производителей, достигнув величины в 34,4 % при объёмах продаж в 4,626 миллиардов долларов США. Компания при этом значительно сократила разрыв в доле рынка с Samsung до менее чем 5 %. Выручка Micron выросла примерно на 4,2 % до 3,075 миллиардов долларов, несмотря на небольшое снижение ASP (Average Selling Price — средняя цена продажи), чему способствовал рост спроса и объёмов поставок.

Samsung, вместе с тем, форсировала сокращение производства к концу третьего квартала, в основном нацелившись на продукты DDR4 с одновременным увеличением уровней запасов. По прогнозам, в четвёртом квартале сокращение производства может усилиться до 30 %, что приведёт к снижению объёма выпускаемых пластин памяти. При этом, рассчитывая на постепенное восстановление спроса, Samsung планирует увеличить объёмы выпуска чипов памяти не раньше второго квартала 2024-го года. SK hynix выиграла на росте поставок памяти HBM и DDR5, и ожидает небольшого увеличения объёмов производства пластин к концу текущего года, а в следующем году — стабильного ежеквартального роста в соответствии с растущим проникновением DDR5 на рынок.

Micron, ранее сократившая производство, в настоящее время поддерживает относительно здоровый уровень запасов. В четвёртом квартале 2023-го года компания уже начала увеличивать объёмы выпуска пластин, в первую очередь уделяя особое внимание передовому техпроцессу 1β. По некоторым оценкам, объём обработки кремниевых пластин в 2024-м году продолжит незначительно расти, при этом основное внимание будет уделяться переходу на более современные производственные процессы.

В то же время, на Тайване поставки компании Nanya выросли до 17–19 % благодаря заказам от клиентов рынка персональных компьютеров и динамикой спотового рынка. Однако низкий спрос на основные продукты компании — память DDR3 и DDR4, — а также снижение цен ограничили рост выручки, которая в итоге составила скромные 244 миллиона долларов США. Агрессивная ценовая стратегия компании Winbond, направленная на расширение бизнеса по выпуску DDR3 и освоение новых производственных мощностей, способствовала росту отгрузок и увеличению выручки компании в третьем квартале до 112 миллионов долларов США.

 Источник изображения: TrendForce

Источник изображения: TrendForce

PSMC (Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation) рассчитывает свою выручку в основном от потребительских продуктов DRAM, за исключением, собственно, услуг фотолитографического производства пластин. Благодаря росту спотовых цен, наблюдалось небольшое увеличение спроса, что привело к росту квартальной выручки от DRAM на 4,4 %. Однако, если учесть доходы от фотолитографического производства чипов, то в этом квартале следует констатировать снижение на 5,5 %.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Беспощадное солнце пустыни: журналисты поделились новыми подробностями и кадрами Dune: Awakening 27 мин.
Activision Blizzard расследует кражи учётных данных у читеров 30 мин.
Пользователям Windows 11 смогут использовать ИИ-помощника Copilot без учётной записи Microsoft, но с ограничениями 2 ч.
Google сообщила, что iPhone получат поддержку современного протокола для СМС этой осенью 2 ч.
Microsoft защитила клиентские ИИ-приложения от галлюцинаций 3 ч.
Gearbox отметила уход от Embracer увольнением «бесчисленного множества» сотрудников 3 ч.
ИИ-стартап Илона Маска X.ai представил обновлённую нейросеть Grok-1.5 — она стала ближе к GPT-4 3 ч.
Пользователи Telegram из России, Украины и Беларуси смогут заблокировать сообщения от незнакомцев 3 ч.
«Золотая лихорадка закончилась»: инди-разработчикам стало невыгодно делать свои игры эксклюзивами Epic Games Store и Game Pass 4 ч.
Крупное обновление добавило в No Man’s Sky возможность создавать собственные космические корабли — фанаты мечтали об этом с 2016 года 15 ч.