На технологической конференции в марте этого года компания Samsung Electronics заявила, что рассчитывает наладить массовый выпуск трёхмерной DRAM к концу десятилетия. SK hynix, вдохновляемая своими успехами в сфере выпуска HBM, недавно сообщила, что в рамках экспериментального производства 3D DRAM получает 56 % годной продукции.

Источник изображения: SK hynix

Напомним, что используемая в сегменте высокоскоростных вычислений память типа HBM в традиционном толковании имеет компоновку 2.5D, а полноценную трёхмерную компоновку должна предложить память 3D DRAM, разработку которой сейчас ведут все три крупнейших производителя оперативной памяти: Samsung Electronics, SK hynix и Micron Technology.

По информации Business Korea, компания SK hynix на симпозиуме VLSI 2024 на прошлой неделе сообщила о промежуточных успехах в разработке памяти типа 3D DRAM. Пятислойные микросхемы компания уже может выпускать с уровнем выхода годной продукции 56,1 %, что довольно много для ранней стадии выпуска нового типа полупроводниковых изделий. Как отмечается, характеристики опытных образцов 3D DRAM в целом не уступают чипам с традиционной планарной компоновкой.

Само собой, предстоит проделать немалую работу по созданию условий для производства 3D DRAM в массовых количествах. Имеющиеся образцы такой памяти, по словам представителей SK hynix, не отличаются стабильностью с точки зрения быстродействия, а в плане пригодности к массовому производству имеет смысл рассчитывать на создание микросхем памяти с количеством слоёв от 32 до 192 штук.

Спотовые цены на память DRAM и NAND продолжают падать и едва ли в ближайшее время вырастут, считают аналитики TrendForce. Во-первых, у участников рынка всё ещё много запасов. Во-вторых, дополнительное влияние на цены DRAM оказали недавние действия китайского правительства против контрабанды восстановленных компонентов памяти.

Источник изображения: samsung.com

Спотовые цены на рынке DRAM продолжают снижаться, что резко контрастирует с контрактными ценами. Это происходит из-за избыточных запасов на заводах по производству модулей памяти, которые, как правило, закупают микросхемы на спотовом рынке. Снижению цен способствует и слабый спрос на рынке потребительских товаров: производителям готовых устройств не нужно больше памяти, и они на спотовом рынке не закупаются.

Спотовые цены DRAM. Источник изображения: trendforce.com

Ещё одним способствующим снижению цен фактором стала борьба с контрабандой на китайском рынке — дешевеют чипы DRAM, подвергшиеся процедуре реболлинга. Реболлинг — это метод ремонта чипов DRAM посредством замены шариков припоя на нижней стороне чипа, используемых для его соединения с печатной платой. Во многих случаях такие чипы начинают работать снова, но они уже не так надёжны, как новые. С конца мая средняя цена чипа DDR4 1Gx8 2666MT/s снизилась на 2,54 %, а только за последнюю неделю она упала с $1,881 до $1,835.

Спотовые цены NAND. Источник изображения: trendforce.com

Аналогичным образом проседает спотовый рынок NAND — у производителей SSD сформировались достаточные уровни запасов, что препятствует восстановлению спроса, несмотря на снижение цен спотовыми поставщиками. Растёт разрыв между спотовыми и контрактными ценами. И остаётся неопределённость в отношении спроса на пополнение запасов в III квартале 2024 года. Лишь на этой неделе спотовая цена на пластину 512 Гбит 3D TLC NAND снизилась на 0,57 % до $3,309. Из-за слабого спроса рынки DRAM и NAND переживают непростой период с точки зрения ценообразования. И в краткосрочной перспективе аналитики TrendForce восстановления цен не ожидают.

Мировая отрасль оперативной памяти DRAM по итогам I квартала продемонстрировала рост выручки на 5,1 % по сравнению с аналогичным периодом прошлого года, обращает внимание аналитическая компания TrendForce. Выручка отрасли за указанный период достигла $18,35 млрд — она была обусловлена ростом контрактных цен на основные продукты, причём ценовая динамика оказалась более значительной, чем в IV квартале 2023 года.

Источник изображения: samsung.com

В I квартале, который традиционно является не лучшим сезоном в отрасли, с сокращением поставок столкнулись все три крупнейших поставщика; более того, у производителей готовой продукции оказались высокие уровни запасов, из-за чего объёмы закупок дополнительно сократились. Средняя цена продажи (ASP) в результате роста контрактных цен в IV квартале 2023 года оставалась высокой. Самый высокий рост цен в отрасли показал сегмент мобильной DRAM благодаря высоким продажам китайских смартфонов. В потребительском сегменте рост цен оказался наиболее низким — производителям ещё предстоит очистить запасы.

Несмотря на то, что потребительский спрос остаётся слабым, ожидается, что объёмы поставок основных поставщиков в соответствии с традиционными сезонными переменами во II квартале будут расти. В результате некоторые OEM-производители начали договариваться о ценах выше первоначальных ожиданий аналитиков — предполагается, что контрактные цены во II квартале покажут рост на 13–18 %.

Источник изображения: trendforce.com

Выручка Samsung показала квартальный рост на 1,3 % до $8,05 млрд, но доля компании на рынке снизилась на 1,6 п.п. до 43,9 %. Компании удалось сохранить лидирующие позиции на рынке. Стратегия Samsung, направленная на увеличение средней цены на 20 % успешно компенсировала снижение объёма поставок, выраженное однозначным процентным показателем, продемонстрировав таким образом ориентацию на приоритет цены над объёмом. Квартальный рост доходов занявшей второе место SK hynix составил 2,6 % до $5,7 млрд — доля рынка компании снизилась на 0,7 п.п. до 31,1 %. Показатель ASP вырос на 20 %, компенсировав падение объёмов поставок аналогично Samsung.

Самым значительным квартальным ростом выручки на 17,8 % до $3,95 млрд отметилась Micron — это она перетянула на себя 2,3 п.п. доли рынка, заняв 21,5 % с третьим местом. Компания нарастила ASP на 23 % при снижении поставок на 4–5 %, снова обогнав двух корейских конкурентов. Micron обеспечила себе высокие показатели за счёт агрессивной ценовой стратегии и высоких поставок серверной DRAM для крупных американских клиентов. Во II квартале Samsung ожидает роста в пределах от низкого до высокого однозначных показателей; SK hynix прогнозирует средний однозначный рост, а Micron готовится к небольшому снижению.

В лагере тайваньских производителей Nanya в I квартале отметилась ростом отгрузок на низкий однозначный процент — это было обусловлено пополнением запасов из-за роста цен и медленным восстановлением продаж потребительской DRAM. Высокий однозначный рост показала ASP, в результате чего компания нарастила выручку на 10,5 % до $302 млн. Winbond в I квартале контрактных цен не повышала, но показала высокие отгрузки, увеличив выручку на 21,6 % до $162 млн. Расчёт выручки PSMC преимущественно включает её собственную DRAM-продукцию и исключает бизнес по полупроводниковому производству. Несмотря на восстановление загрузки мощностей, компания в I квартале показала снижение выручки DRAM на 28,2 % до $28 млн из-за поставок преимущественно недорогих продуктов DRAM и сокращения дней производства и отгрузки в праздничный сезон.

Рынок памяти DDR3 переживает серьёзный дисбаланс спроса и предложения, поскольку ведущие мировые производители, такие как Samsung, SK hynix и Micron, постепенно сворачивают производство этого типа памяти. Согласно отчёту Economic Daily News, сокращение выпуска DDR3 крупнейшими игроками на фоне продолжающегося высокого спроса со стороны устройств искусственного интеллекта и периферийных вычислений привело к значительному дефициту и росту цен.

Источник изображения: trendforce.com

Samsung уже сообщила своим клиентам о планах полностью прекратить производство DDR3 к концу второго квартала. SK hynix ещё в конце прошлого года перевела свои мощности по выпуску DDR3 на заводе в Уси (Китай) на производство DDR4. Micron также существенно сократила поставки DDR3, чтобы расширить выпуск более современных типов памяти, таких как DDR5 и HBM.

Samsung уже сообщила своим клиентам о планах полностью прекратить производство DDR3 к концу второго квартала. SK hynix ещё в конце прошлого года перевела свои мощности по выпуску DDR3 на заводе в Уси (Китай) на производство DDR4. Micron также существенно сократила поставки DDR3, чтобы расширить выпуск более современных типов памяти, таких как DDR5 и HBM.

Эксперты отрасли, в свою очередь, отмечают, что сокращение производства DDR3 ведущими производителями уже привело к росту цен на этот тип памяти, начиная со второй половины этого года, причём ожидается дальнейшее повышение. По прогнозам аналитической компании TrendForce, к концу 2024 года разрыв между спросом и предложением на рынке DDR3 может превысить 20-30 %, что приведёт к скачку цен на 50-100 % относительно текущего уровня, который и так уже находится ниже себестоимости.

Однако сложившаяся ситуация открывает определённые возможности для тайваньских производителей, специализирующихся на выпуске DDR3, таких как Winbond, Elite Semiconductor Microelectronics Technology (ESMT) и Etron. Эти компании смогут воспользоваться дефицитом и ростом цен, чтобы укрепить свои позиции на рынке и улучшить финансовые показатели. Ожидается, что преимущества от повышения цен на DDR3 станут очевидными для тайваньских производителей уже в ближайшие кварталы.

Несмотря на постепенный переход отрасли к новым стандартам памяти, спрос на DDR3 остаётся высоким благодаря широкому применению в различных устройствах. Например, большинство точек доступа WiFi 6 и даже готовящиеся к выпуску устройства следующего поколения WiFi 7 по-прежнему используют преимущественно DDR3 и DDR4. Кроме того, DDR3 продолжает активно применяться в периферийных вычислительных системах.

Таким образом, сочетание сокращения предложения и стабильно высокого спроса создаёт предпосылки для дальнейшего повышения цен на DDR3 в обозримом будущем. Хотя в долгосрочной перспективе рынок неизбежно будет смещаться в сторону более современных типов памяти, текущая ситуация благоприятна для производителей DDR3 и позволяет им укрепить своё финансовое положение.

Если активность TSMC на территории Японии можно объяснить заинтересованностью местных властей в возрождении национальной полупроводниковой промышленности, то Micron Technology предприятиями по выпуску оперативной памяти в Японии располагает с 2012 года, а потому строительство нового говорит о расширении производственной базы в этой стране.

Источник изображения: Micron Technology

Около 12 лет назад Micron Technology поглотила основанную в 1999 году японскую компанию Elpida Memory, с тех пор первая выпускает часть продукции на территории Страны восходящего солнца. Существующие предприятия Micron расположены в Хиросиме, но к концу 2027 года здесь появится ещё одно, способное выпускать микросхемы DRAM по литографической технологии 10-нм класса типа «гамма» (1γ), на его строительство предполагается выделить около $5,1 млрд.

Об этом сообщает Nikkei со ссылкой на японские СМИ. Власти Японии готовы предоставить Micron около $1,3 млрд субсидий на строительство нового предприятия. Для работы данного завода потребуются литографические сканеры ASML класса EUV, которые позволяют изготавливать чипы по современным техпроцессам. Первоначально Micron хотела построить новое предприятие в 2024 году, но рыночные условия вынудили компанию перенести график строительства на более поздний срок. Теперь возведение завода начнётся в 2026 году, а к работе он приступит к концу 2027 года.

Как отмечает TrendForce, в марте и апреле цены на микросхемы памяти типа DDR4 стабилизировались после примерно четырёх месяцев непрерывного роста, но этой стабильности теперь угрожает ситуация с балансом спроса и предложения на микросхемы HBM, которые могут выпускаться на тех же предприятиях, что и DDR4 или DDR5. Цены на память двух последних типов в текущем квартале могут вырасти минимум на 5–10 %.

Источник изображения: Micron Technology

Материал на страницах TrendForce ссылается на опубликованную Nikkei на прошлой неделе новость о намерениях поставщиков памяти поднять цены на DRAM на 5 или 10 % относительно первого квартала. Представители ресурса поясняют, что на данном этапе основным фактором, вызывающим рост цен на DDR4/DDR5, станет дефицит мощностей для выпуска HBM. Как уже отмечалось накануне, производство последнего типа памяти требует большего количества кремниевых пластин, поскольку кристаллы HBM сами по себе крупнее, да и уровень брака при производстве стеков HBM достаточно высок. Переориентируя производственные линии DRAM под выпуск более прибыльной HBM, компании невольно сокращают мощности, на которых можно выпускать DDR, и это предсказуемо создаёт условия для роста цен.

В сегменте HBM темпы строительства новых предприятий будут зависеть от прибыльности данного бизнеса. Сейчас все квоты на производство HBM у основных поставщиков уже распределены не только до конца текущего, но и на значительную часть следующего года. Новые же предприятия будут введены в строй не ранее следующего года. На рынок при этом выходят ускорители Nvidia с увеличенным объёмом памяти типа HBM3E, это лишь повышает спрос на соответствующие микросхемы. Стало быть, формируются условия для роста цен на прочие типы DRAM и дефицит предложения.

Экспансию производства памяти типа HBM с не совсем очевидной стороны попробовали оценить аналитики TrendForce. По их мнению, к концу этого года на производство HBM будут уходить до 35 % кремниевых пластин, обрабатываемых с использованием передовой литографии, применяемых для выпуска оперативной памяти (DRAM).

Источник изображения: Micron Technology

Если рассматривать техпроцессы 10-нм класса в целом, то они к концу года, по мнению специалистов TrendForce, будут использоваться для обработки до 40 % кремниевых пластин, используемых при производстве памяти DRAM. Как можно понять, основная часть таких пластин будет направляться в производство HBM. Во-первых, при выпуске HBM не так уж высок уровень выхода годной продукции, он сейчас составляет 50 или 60 % от силы. Во-вторых, кристаллы чипов памяти HBM имеют на 60 % большую площадь по сравнению с другими популярными типами DRAM, поэтому с одной пластины можно получить меньше чипов HBM, пригодных для использования по назначению. Соответственно, для выпуска памяти HBM по этой причине требуется больше кремниевых пластин. Если 35 % передовых пластин к концу года будут использоваться при производстве HBM, то оставшиеся 65 % распределят между собой LPDDR5X и DDR5.

Более того, эксперты TrendForce считают, что HBM3E в этом году успеет стать доминирующим на конвейере типом памяти HBM. Компании SK hynix и Micron её уже выпускают в массовых количествах для Nvidia, используя техпроцессы 10-нм класса типа «бета» для обработки кремниевых пластин. Компания Samsung Electronics готовится начать поставки своей памяти HBM3E для нужд Nvidia в середине текущего года. Она будет использовать техпроцессы 10-нм класса типа «альфа» для обработки соответствующих кремниевых пластин.

Спрос на кремниевые пластины при выпуске DRAM растёт ещё и по причине повышения среднего объёма памяти в удельном выражении на одно устройство. Больше всего тенденция выражена в серверном сегменте, где средний объём ОЗУ для сервера достиг 1,75 Тбайт из-за высокой популярности систем искусственного интеллекта. К концу текущего года, помимо прочего, DDR5 начнёт доминировать на рынке ОЗУ, перевалив за 50 % в показателях доли рынка.

Во втором полугодии вырастет сезонный спрос как на HBM3E, так и на DDR5 и LPDDR5X. При этом производители памяти будут осторожно наращивать свои мощности после ударившего по ним в прошлом году кризиса перепроизводства. Поскольку больше кремниевых пластин будет требоваться для выпуска HBM3E, то может возникнуть дефицит сырья для производства DDR5 и LPDDR5X. Цены на два последних типа памяти могут в результате вырасти.

Производители DRAM при этом могут столкнуться с полной загрузкой своих существующих предприятий к концу этого года, а планы по расширению мощностей они будут реализовывать лишь в следующем, поэтому в какой-то момент может сложиться дефицит мощностей по выпуску микросхем DRAM. Ускорители вычислений типа Nvidia GB200, оснащаемые 384 Гбайт памяти HBM3E в максимальной конфигурации, будут только усиливать спрос на память соответствующего типа. Разработка HBM4 тоже будет поддерживать тенденцию к росту спроса на кремниевые пластины, поэтому нехватка мощностей может стать серьёзной проблемой для производителей прочих типов DRAM. Финансировать же строительство новых линий они готовы лишь в том случае, если цены на память будут достаточно высокими, чтобы получать подходящую для этого прибыль.

Эксперты TrendForce до апрельского землетрясения на Тайване ожидали, что по итогам второго квартала контрактные цены на DRAM вырастут на 3–8 %, а флеш-память подорожает на 13–18 %, но актуальная обстановка позволяет им рассчитывать на более заметный рост цен на DRAM и NAND в силу целого ряда факторов.

Источник изображения: SK hynix

В частности, контрактные цены на DRAM по итогам второго квартала теперь могут вырасти на 13–18 %, а в сегменте NAND — на 15–20 %. Если само по себе землетрясение на Тайване способно повлиять на рынок памяти лишь в узких его сегментах, то высокий спрос на HBM и экспансия выпуска микросхем HBM3E влияют на него гораздо сильнее.

По словам специалистов TrendForce, до апрельского землетрясения цены на память DRAM и NAND для смартфонов и ПК росли на протяжении двух или трёх кварталов подряд, и покупатели не были готовы спокойно воспринимать дальнейшее повышение цен, но после землетрясения некоторые производители компьютеров начали перестраховываться и закупать память по существенно возросшим ценам, хотя и не в массовом порядке. К концу апреля контрактные цены на память из-за этого успели вырасти сильнее, чем ожидалось в начале квартала.

Во-вторых, производители памяти стали более агрессивно смещать приоритеты в сторону выпуска HBM, из-за этого мощности под выпуск DRAM других типов и NAND могли сокращаться. Компания Samsung Electronics, например, к концу текущего года рассчитывает задействовать под выпуск стеков HBM3E до 60 % всех мощностей, пригодных для выпуска памяти по техпроцессу «альфа» 10-нм класса. Естественно, возможности по выпуску памяти других типов с использованием этой технологии в результате сократятся — может быть ограничено производство DDR5, например. Покупатели даже начали запасаться памятью заранее, опасаясь предстоящего дефицита в третьем квартале. Представители TrendForce в своих прогнозах исходят из предположения, что во втором квартале память типа HBM займёт не более 4 % структуры поставок производителей.

В сегменте серверных твердотельных накопителей стремление провайдеров облачных услуг добиться более высокой энергетической эффективности в сегменте систем искусственного интеллекта толкает их более активно закупать накопители на основе памяти типа QLC. Поставщики последней в ответ на резкий рост спроса искусственно сдерживают темпы отгрузок, поскольку пока не понимают, как будет складываться конъюнктура рынка дальше, и не желают остаться без адекватных запасов продукции. Сейчас память типа NAND в основном реализуется по цене, обеспечивающей окупаемость производства, но компании не торопятся вкладывать средства в увеличение объёмов выпуска флеш-памяти.

В стороне от этих тенденций, как поясняют представители TrendForce, останется память типа eMMC и UFS, поскольку она ограничится минимальным ростом контрактных цен во втором квартале на 10 %.

С начала текущего года цены на микросхемы оперативной памяти и без того росли с переменным успехом после прошлогоднего затоваривания, а землетрясение на Тайване в начале апреля придало им дополнительный стимул. В результате, контрактные цены на DRAM вырастут во втором квартале на 20 или 25 %, как считают эксперты TrendForce.

Источник изображения: Samsung Electronics

Растущий спрос на оперативную память уже заставил южнокорейских производителей поднять цены, только в мае микросхемы DDR5 подорожают на 13 %, а DDR4 — где-то на 10 %. Для тайваньских поставщиков, которые в основном зарабатывают на выпуске микросхем DDR3, открывается возможность поднять цены на свою продукцию на 10–15 %. В целом, по мнению источника, контрактные цены на DRAM во втором квартале вырастут на 20–25 %.

Землетрясение, которое максимально проявило себя 3 апреля текущего года у восточного побережья Тайваня, причинило ограниченный ущерб местным предприятиям по производству оперативной памяти. По сути, к 8 апреля основные предприятия Micron, Nanya и Winbond уже полностью восстановили выпуск микросхем памяти на Тайване, а в случае с Micron и PSMC на отдельных площадках производительность к тому времени достигала 80–90 % от максимальной. По оценкам TrendForce, апрельское землетрясение от силы сократило объёмы выпуска DRAM на Тайване на 1 % в масштабах всего второго квартала.

Впрочем, это не помешало Micron поднять цены на DRAM и SSD на 25 % по итогам оценки ущерба и рыночной ситуации в целом. Samsung выпуск DDR3 свернула досрочно, из-за чего многие покупатели этого типа памяти вынуждены были обратиться к Nanya и Winbond за дополнительными заказами, а те в итоге подняли цены на второй квартал на 10–15 %. Переход на выпуск более современных типов памяти усугубляет дефицит старых и способствует росту цен. Ко втором полугодию спрос будет опережать предложение на 20–30 %, по мнению представителей TrendForce. Сейчас производители DDR3 вынуждены продавать память по цене ниже себестоимости, и во втором полугодии цены могут вырасти на 50 или даже 100 %. Тайваньским производителям памяти такая ситуация будет выгодна.

Компания Samsung сообщила о разработке энергоэффективной оперативной памяти LPDDR5X DRAM, обладающей скоростью передачи данных до 10,7 Гбит/с на контакт, что является самым высоким показателем в индустрии. Конкуренты ничего подобного предложить пока что не могут.

Источник изображения: Samsung

Память Samsung LPDDR5X DRAM со скоростью 10,7 Гбит/с производится с применением 12-нм техпроцесса. Компания отмечает, что ей удалось разработать самые компактные чипы LPDDR5X на рынке.

Новая память Samsung не только обеспечивает на 25 % более высокую производительность и обладает на 30 % более высокой плотностью по сравнению с предыдущим поколением памяти LPDDR5X, но также позволяет увеличить ёмкость одного комплекта мобильной DRAM до 32 Гбайт, «что делает её оптимальным решением для устройств эпохи искусственного интеллекта, которым требуется высокопроизводительная, более ёмкая и энергоэффективная оперативная память».

Производитель отмечает, что его новая память LPDDR5X сочетает специализированные технологии энергосбережения, такие как оптимизированное изменение мощности, которое регулирует мощность в соответствии с рабочей нагрузкой, а также расширенные интервалы режима пониженного энергопотребления, которые продлевают периоды энергосбережения. Эти улучшения повышают энергоэффективность памяти на 25 % по сравнению с предыдущим поколением, что позволяет мобильным устройствам с её применением обеспечивать более продолжительное время автономной работы.

Массовое производство памяти Samsung LPDDR5X со скоростью 10,7 Гбит/с начнётся во второй половине текущего года, следом за всеми необходимыми проверками со стороны производителей мобильных платформ и устройств на их основе.

Крупнейшие компании на рынке флеш-памяти, включая Micron, Samsung и Western Digital, объявили о повышении цен на свои продукты. Причины называются самые разные, однако производители отчасти ссылаются на землетрясение на Тайване. Правда, если производственные мощности Micron действительно пострадали, Samsung, похоже, пытается извлечь больше прибыли из корпоративного сегмента и повышенного спроса на ИИ-технологии.

Источник изображения: Samsung

Случившееся 3 апреля землетрясение стало сильнейшим в регионе за последние 25 лет и привело к многочисленным разрушениям. Сразу после окончания стихийного бедствия Micron остановила большую часть производства на Тайване. Сильнее всего пострадали высокотехнологичные производства серверной DRAM, потребительскому направлению NAND для SSD и флэш-накопителей повезло больше. Тайваньские СМИ сообщают, что за последние месяцы Micron подняла цены более чем на 20 %, что, видимо, не особо сказалось на поставках потребительских продуктов компании.

Samsung также объявила о повышении цен на корпоративные SSD, которые, вероятно, во втором квартале 2024 года подорожают на 20–25 %. По слухам, на рынке наблюдается дефицит корпоративных SSD, что вполне логично, ведь их, вероятно, используют в системах искусственного интеллекта. Однако основным компонентом ИИ-вычислений остаются графические процессоры, и там всё тоже не слишком гладко. По всей видимости, Samsung решила воспользоваться дефицитом SSD на рынке ИИ-систем и сыграть на этом. А поскольку компания удерживает 40 % рынка корпоративных SSD, её ценовые решения влияют на всю отрасль.

Western Digital не осталась в стороне и объявила о повышении цен на HDD и накопители на флеш-памяти, ссылаясь на перебои с поставками.

На прошлой неделе Тайвань пережил сильное землетрясение. Два дня назад появились сообщения, что производители памяти перестали публиковать контрактные цены на чипы DRAM, что вызвало беспокойство по поводу возможного повышения цен. Возможно, повышение действительно происходит, но свежий отчёт TrendForce указывает, что последствия землетрясения были устранены производителями DRAM в течение недели. А общее воздействие катаклизма на производство DRAM и вовсе оказалось минимальным — на уровне 1 %.

Источник изображения: Micron

В общей сложности TrendForce провела оценку пяти заводов по производству DRAM, принадлежащих четырём поставщикам, пострадавшим от землетрясения. В их число входят два завода Micron и по одному от Nanya, Winbond и PSMC. Ниже приведена таблица TrendForce с более подробным объяснением этих данных. Из неё следует, что к 8 апреля большинство производителей полностью или почти полностью восстановили выпуск продукции. В целом ситуация в этом сегменте отрасли выглядит оптимистично — по крайней мере, с точки зрения объёмов производства.

Источник изображения: TrendForce

На фоне подтверждённого предстоящего повышения цен на жёсткие диски и флеш-память NAND (по крайней мере, со стороны Western Digital) новости о том, что производители DRAM в основном уже оправились от землетрясения без серьёзных последствий безусловно кажутся поводом для оптимизма.

Хотя большинство производителей, за исключением SK hynix с её мобильной DRAM, до сих пор не обновили свои контрактные цены на память, предполагаемая аналитиками возможная корректировка цен ожидается «умеренной». TrendForce не изменила своего прошлого прогноза относительно ожидаемого роста цен на память DRAM. Во втором квартале он составит 3–8 %, считают эксперты.

Судя по всему, самый высокий потенциал повышения цен у памяти DDR3. Однако здесь всё объясняется, скорее, возрастом самого продукта и, следовательно, дефицитом. Также ожидается некоторый рост цен у высокопроизводительной серверной оперативной памяти. Каких-либо количественных оценок ожидаемого роста цен в этом сегменте памяти на данный момент нет. Однако как сообщается, основная часть ущерба у компании Micron была нанесена оборудованию для производства серверной оперативной памяти. Высокоскоростную память HBM компания Micron выпускает в Японии. На её производство землетрясение не повлияло.

На чипы памяти DDR4 и DDR5 для потребительского сегмента рост цен если и ожидается, то минимальный, поскольку на данную продукцию сейчас наблюдается самый низкий спрос. Большинство людей просто уже закупились памятью DDR4 или DDR5. По мнению TrendForce, с учётом больших запасов этой памяти на рынке «небольшое повышение цен, вызванное землетрясением, будет быстро отрегулировано».

TrendForce предоставила свежий отчёт о динамике работы тайваньских полупроводниковых заводов после произошедшего 3 апреля землетрясения. Многие фабрики оказались расположены в районах, подвергшихся землетрясению 4-го уровня интенсивности. Поскольку на тайваньских полупроводниковых заводах приняты меры по смягчению сейсмических воздействий на 1-2 уровня, предприятия в основном смогли быстро возобновить работу после остановок и проведённых инспекций.

Источник изображения: Maxence Pira / unsplash.com

В секторе производства памяти DRAM землетрясение сильнее всего затронуло завод Fab 3A компании Nanya в городе Синьбэй (Новый Тайбэй), а также завод Micron, расположенный в районе Линькоу в Тайбэе. На фабрике Nanya в основном производятся продукты на основе 20–30 нм техпроцессов, а также ведётся разработка нового техпроцесса 1β (1-бета). Заводы Micron в Линькоу и Тайчжун, объединённые в одно предприятие, являются критически важными площадками для производства DRAM, где применяется передовой техпроцесс производителя 1β. Ожидается, что оба производства полностью восстановятся в течение нескольких дней. Другие предприятия по производству DRAM постепенно возобновили работу после инспекций. Компании PSMC и Winbond сообщили об отсутствии ущерба.

Что касается контрактного производства чипов, то фабрики TSMC по обработке 150- и 200-мм пластин, включая заводы Fab 2, Fab 3, Fab 5, Fab 8, а также Fab 12 с исследовательским центром, новейший завод Fab 20 в Баошане и Синьчжу расположены в районах, подвергшихся землетрясению 4-го уровня интенсивности. На заводе Fab 12 прорвало трубы и был нанесён некоторый ущерб оборудованию, в основном связанному с 2-нм техпроцессом, который массово не используется производителем. Ожидается, что эти повреждения окажут краткосрочное влияние на операционную деятельность компании и потенциально потребует приобретения нового оборудования, что приведёт к незначительному увеличению капитальных затрат. Другие предприятия компании возобновили производство вскоре после проведённых инспекций, указавших на отсутствие какого-либо значимого ущерба.

Заводы TSMC, где применяются передовые технологические процессы от 3 до 5 нм, отличаются более высокими коэффициентами загрузки мощностей. Они не эвакуировали персонал и сумели возобновить более 90 % своей деятельности в течение 6–8 часов после землетрясения. Заводы по упаковке чипов с использованием технологии CoWoS, в частности AP3 в Лунтане и AP6 в Чжунане, после эвакуации персонала вскоре возобновили деятельность несмотря на то, что в ходе инспекций были выявлены некоторые повреждения водой холодильных агрегатов. Благодаря резервным установкам работа быстро была восстановлена.

В Синьчжу у компании UMC находятся одно предприятие по обработке 150-мм и шесть заводов для 200-мм кремниевых пластин. Кроме того, в Тайнане расположен завод для обработки 300-мм пластин. В основном на этих фабриках массово выпускается продукция по нормам от 90 до 22 нм. У PSMC в Синьчжу и Мяоли находятся предприятия по обработке 200- и 300-мм пластин, где в основном выпускаются продукты нишевых сегментов с применением 25 и 21 нм техпроцессов. У Vanguard три завода для обработки 200-мм пластин находится в Синьчжу и один в городе Таоюань. Все они возобновили производство вскоре после кратковременного закрытия для инспекции и эвакуации персонала.

Компания Samsung добавила в свой план по выпуску новых продуктов память 3D DRAM. Информацией об этом производитель поделился на технологической конференции Memcom. Компания планирует представить первый технологический процесс для производства 3D DRAM в течение ближайших четырёх лет.

Источник изображения: Samsung

Крупнейший в мире производитель памяти планирует внедрить производство DRAM с транзисторами с вертикальным каналом (VCT) при переходе на техпроцессы тоньше 10 нм для выпуска памяти, следует из слайда компании, продемонстрированного на конференции Memcom.

Транзистор с вертикальным каналом (VCT) может представлять собой разновидность FinFET, в котором проводящий канал обёрнут тонким кремниевым «плавником», образующим корпус транзистора. VCT также может представлять собой транзистор с кольцевым затвором (GAA), в котором материал затвора окружает проводящий канал со всех сторон. В случае Samsung речь, судя по всему, идёт о процессе производства DRAM на основе FinFET.

От внедрения техпроцесса тоньше 10 нм для производства памяти компанию Samsung отделяет два поколения техпроцессов. Наиболее свежим сейчас является пятое поколение технологии 10-нм класса (фактически 12 нм), которая была представлена в середине 2023 года. Samsung готовит ещё две технологии 10-нм класса, а первое поколение техпроцесса тоньше 10-нм ожидается у производителя во второй половине этого десятилетия.

Источник изображения: Tokyo Electron

Применение 3D-транзисторов для DRAM подразумевает создание и применение конструкции ячеек формата 4F², считающегося с одной из самых эффективных схем расположения ячеек памяти с точки зрения производственных затрат. Производитель оборудования для выпуска чипов, компания Tokyo Electron, ожидает, что производство DRAM с VCT и форматом ячеек 4F² начнётся в 2027–2028 годах. Компания полагает, что для производства DRAM на основе VCT производителям памяти придётся использовать новые материалы для конденсаторов и разрядных шин.

Из предоставленного Samsung изображения планов по выпуску будущих продуктов также становится известно, что компания планирует адаптировать технологию производства многоуровневой памяти DRAM в начале 2030-х, тем самым значительно повысив плотность своих чипов памяти в ближайшие десять лет.

После роста в конце прошлого и начале текущего года, в последнее время спотовые цены на память DRAM стали снижаться, и этот процесс наблюдается уже не первую неделю, сообщает аналитическая компания TrendForce. В сегменте NAND торги остаются вялыми из-за чрезмерных объёмов запасов.

Источник изображения: samsung.com

Текущее снижение спотовых цен на память DRAM является одной из причин относительно консервативного прогноза TrendForce. Производителям продукции противостоят слабый спрос на каналах продаж и постоянный рост уровня запасов. Из-за этого у спотовых трейдеров начало возникать ощущение необходимости распродавать свои активы. Сокращение денежного потока становится все более заметным, и продавцы продолжают снижать цены, чтобы стимулировать продажи.

Источник изображения: trendforce.com

Разрыв между спотовыми и контрактными ценами на модули памяти будет увеличиваться, прогнозируют аналитики TrendForce. Спотовые цены служат опережающим индикатором общего ценового тренда, и такое развитие событий оказывается вредным для рынка. Средняя спотовая цена на основные чипы (DDR4 1Gx8 2666 МТ/с) снизилась на 0,26 %: на минувшей неделе она была $1,921, а на этой стала $1,916.

Источник изображения: trendforce.com

В сегменте NAND трейдеры накопили чрезмерный объём запасов, из-за чего операции здесь проходят довольно вяло. После Китайского Нового года их традиционно агрессивного пополнения не произошло, что заставило некоторых спотовых трейдеров задуматься о возможности сокращения запасов. Цены на пластины TLC ёмкостью 512 Гбит в течение недели не менялись, сохраняя уровень $3,764.