Цикличность рынка памяти наглядно характеризуется итогами фискального года, который в календаре Micron Technology завершился 31 августа. За прошедший период компания выручила только $15,54 млрд, что примерно в два раза меньше итога предыдущего фискального года. Квартал был завершён с $4,01 млрд, продемонстрировав последовательный рост выручки на 6,9 %, но в годовом сравнении она упала на 40 %.

Источник изображения: Micron Technology

В минувшем квартале Micron 69 % всей выручки получила от реализации оперативной памяти типа DRAM, на этом направлении она последовательно выросла на 3 % до $2,8 млрд. В натуральном выражении поставки последовательно увеличились на 14–15 %, но средняя цена реализации упала на 8–9 %. По итогам всего года выручка от реализации DRAM составила 71 % совокупной выручки Micron, по сравнению с предыдущим фискальным годом она сократилась на 51 % до $11 млрд.

Источник изображения: Seeking Alpha

Выпуск памяти типа NAND принёс Micron в четвёртом квартале $1,2 млрд, что на 19 % больше результата третьего фискального квартала. В структуре совокупной выучки данный вид деятельности формировал 30 %, в натуральном выражении поставки последовательно выросли более чем на 40 %, но средняя цена реализации снизилась на 14–15 %. По итогам фискального года выручка от реализации твердотельной памяти составила 27 % от совокупной, она снизилась на 46 % до $4,2 млрд по сравнению с предыдущим фискальным годом.

Источник изображения: Seeking Alpha

В мобильном сегменте Micron в минувшем квартале выручила $1,2 млрд, что на 48 % больше итогов предыдущего квартала, но на 20 % меньше по сравнению с аналогичным периодом предыдущего года. В целом по итогам фискального года выручка Micron в мобильном сегменте сократилась на 50 % до $3,6 млрд. В сегменте сетевых решений и вычислений выручка прошлого квартала последовательно выросла на 14 % до $1,2 млрд, но в годовом сравнении опустилась на 59 %. В целом за год она сократилась на 58 % до $5,7 млрд.

Источник изображения: Seeking Alpha

Сегмент встраиваемых решений в минувшем квартале принёс Micron только $860 млн выручки, что на 6 % меньше итогов предыдущего, а также на 34 % меньше итогов аналогичного периода прошлого года. По итогам всего фискального года профильная выручка сократилась на 31 % до $3,6 млрд. Наконец, в сегменте систем хранения данных выручка Micron по итогам квартала выросла последовательно на 18 % до $739 млн, но в годовом сравнении опустилась на 17 %. По итогам всего фискального года профильная выручка сократилась на 44 % до $2,6 млрд.

И квартал ($1,2 млрд), и весь фискальный год ($4,8 млрд) компания завершила с операционными убытками, а чистые убытки составили соответственно $1,2 млрд и $4,9 млрд. Отрицательной оказалась и норма прибыли: минус 9 % по итогам квартала и минус 8 % по итогам фискального года. Выручка компании падает уже пять кварталов подряд, но в текущем Micron рассчитывает переломить тенденцию.

В ушедшем году капитальные затраты Micron достигли $7 млрд, а в следующем слегка превысят эту сумму. Компания существенно пересмотрела долю средств, которые будут направлены на масштабирование производства памяти типа HBM, но соответствующим планам необходимо посвятить отдельную публикацию. По родственным причинам в два раза увеличатся расходы на создание линий по тестированию и упаковке чипов памяти. Компания рассчитывает получить от властей США субсидии на строительство предприятий в штатах Айдахо и Нью-Йорк.

Хотя руководство Micron рассчитывает на восстановление спроса на память в 2024 фискальном году, который уже начался, на производственных линиях с использованием зрелых техпроцессов степень загрузки конвейера будет ниже оптимальной даже на протяжении какой-то части 2024 календарного года. На передовых технологических направлениях спрос начнёт опережать производственные возможности Micron во второй половине следующего года. Часть оборудования, которое было задействовано при выпуске памяти по зрелым техпроцессам, удастся переоснастить для наращивания объёмов выпуска по более современным технологиям.

В целом, Micron связывает большие надежды даже не с 2024 годом, а с 2025-м, поскольку к тому времени компания рассчитывает получать рекордную выручку по мере роста спроса на компоненты для систем искусственного интеллекта, и память типа HBM3E в этом прогрессе будет играть важнейшую роль. Сейчас компания способна выпускать 232-слойную память типа 3D NAND, по графику идёт освоение более сложной компоновки. В календарном 2025 году будет освоен и выпуск памяти типа DRAM поколения 1-гамма с использованием EUV-литографии.

В прошлом квартале клиенты Micron существенно сократили складские излишки памяти, и сейчас объёмы поставок продукции со стороны производителя начинают более или менее точно соответствовать реальному уровню спроса на рынке. По крайней мере, в сегменте смартфонов и ПК ситуация со складскими запасами нормализовалась. Автомобильный рынок победил дефицит, а вот серверный пока страдает от излишков, но и здесь ситуация должна нормализоваться в начале 2024 календарного года. Тогда же серверный сегмент вернётся к росту спроса на микросхемы памяти.

В начале следующего года в структуре поставок продукции Micron микросхемы DDR5 начнут доминировать над DDR4, и в этом отношении компания опередит остальную отрасль. Образцы модулей типа DDR5 объёмом 128 Гбайт на основе чипов памяти с монолитным кристаллом уже поставляются клиентам компании.

По прогнозам Micron, в текущем календарном году объёмы поставок ПК сократятся на 11–12 %, а в следующем году увеличатся на 2–5 %. Компания верит, что в последующие пару лет стимулировать спрос в сегменте ПК будут новые платформы с поддержкой ускорения работы систем искусственного интеллекта. Как известно, AMD и Intel соответствующие наборы команд в свои процессоры уже внедряют.

Сегмент смартфонов по итогам этого года сократит поставки продукции на 4–5 %, но в следующем пропорционально их увеличит, как считают в Micron. Удельное содержание памяти в смартфонах увеличивается, поскольку спрос смещается в сторону более дорогих моделей, которые при этом эксплуатируются дольше. Примерно треть реализуемых сейчас смартфонов, по данным компании, оснащается 8 Гбайт ОЗУ и 256 Гбайт твердотельной памяти, что на 7 процентных пунктов больше, чем год назад.

В целом, как ожидает руководство Micron, степень загрузки линий по выпуску памяти типов DRAM и NAND будет оставаться ниже уровней 2022 года ещё достаточно долго. Соответственно, на простое расширение производственных мощностей компания в следующем году будет тратить меньше средств, чем в минувшем. В следующем году рынок NAND и DRAM будет восстанавливаться, а объёмы производства памяти будут отставать от темпов роста спроса, причём в сегменте DRAM это будет выражено сильнее. Уже сейчас цены на продукцию Micron вернулись к росту, и тенденция сохранится как минимум до конца текущего календарного года.

В текущем квартале Micron рассчитывает выручить от $4,2 до $4,6 млрд, при этом норма прибыли останется отрицательной, но по модулю сократится с нынешних 9 до 2 или 6 %. Публикация отчётности вызвала снижение курса акций компании на 3,61 % после закрытия основной торговой сессии.

На фоне сокращения производства крупнейшими компаниями и ликвидации складских запасов начинают восстанавливаться цены на флэш-память NAND, за которыми могут последовать цены на DRAM, сообщают аналитики TrendForce со ссылкой на данные тайваньского издания TechNews.

Источник изображения: samsung.com

Чтобы сократить потери, поставщики флеш-памяти NAND в 2023 году неоднократно докладывали о сокращении производства — мера призвана остановить дальнейшее снижение цен и задать тренд к их росту. Эта стратегия уже начала приносить результаты: в августе участились сообщения о повышении контрактных цен на пластины для памяти NAND, в сентябре цены продолжили рост, в результате чего сегмент DRAM оказался в положении догоняющего.

Samsung как ведущий игрок продолжила сокращение производства — оно преимущественно коснулось продукции на чипах с числом слоёв менее 128. Только в сентябре её выпуск сократился почти на 50 %, что побудило последовать этому примеру и других производителей, а также привело к корректировке запасов. В IV квартале цены на память NAND продолжат расти, считают эксперты. По версии TrendForce, за последние три месяца 2023 года рост составит 3–8 %, хотя первоначально планировались 0–5 %.

Ценовая динамика в сегменте DRAM отстаёт от показателей NAND, но стратегия сокращения производства и ликвидации запасов в IV квартале поможет переломить ситуацию. Дополнительным позитивным фактором здесь обещает стать рынок систем искусственного интеллекта, где спрос пока остаётся высоким. Высокий спрос также отмечается в сегментах DDR5 и DDR3, хотя от последнего крупные игроки постепенно отказались. Самым массовым является DDR4 — здесь активно ликвидируются запасы, но этому процессу угрожает грядущее семейство процессоров Intel Meteor Lake, которые поддерживают только DDR5.

Аналитическое агентство TrendForce ожидает, что страдающие от кризиса перепроизводства поставщики памяти в 2024 году продолжат стратегию сокращения производства как DRAM, так и NAND. Рост спроса на бытовую электронику в первом полугодии 2024 года маловероятен, а затраты на серверы общего назначения снизятся из-за давления со стороны серверов ИИ. В результате темпы роста спроса на DRAM и NAND в 2024 году прогнозируются на уровне 13 % и 16 % соответственно.

Источник изображений: unsplash.com

В секторе ПК годовой темп роста средней ёмкости DRAM прогнозируется примерно на уровне 12,4 %, в основном за счёт новых процессоров Intel Meteor Lake, которые поступят в массовое производство в конце года. Эксклюзивность DDR5 и LPDDR5 этой платформы, вероятно, сделает DDR5 основным направлением роста во второй половине 2024 года.

Темпы роста объёмов клиентских SSD для ПК прогнозируются в районе 8–10 %. Интерес потребителей всё больше смещается в сторону облачных решений, а спрос на ноутбуки с большой ёмкостью памяти снижается. Несмотря на то, что модели с накопителями ёмкостью 1 Тбайт становятся все более доступными, преобладающим вариантом конфигурации остаётся 512 Гбайт.

Поставщики стараются поддерживать стабильность цен за счёт значительного сокращения производства, в результате чего OEM-производители ПК могут столкнутся с повышенными затратами на твердотельные накопители. Это в сочетании с повышением Microsoft лицензионных сборов за установки Windows на диски ёмкостью от 1 Тбайт, вероятно, замедлит дальнейший рост средней ёмкости SSD.

Ежегодный темп роста средней ёмкости серверной DRAM оценивается в 17,3 %. Этот всплеск в первую очередь вызван сменой поколений серверных платформ, потребностями облачных провайдеров и высокими требованиями серверов ИИ.

Предполагаемый годовой темп роста средней ёмкости корпоративных SSD составляет 14,7 %. Что касается поставщиков облачных решений, внедрение процессоров с поддержкой PCle 5.0 скорее всего приведёт к увеличению закупок накопителей ёмкостью 8 Тбайт. При этом вклад серверов ИИ в этот рост останется весьма ограниченным.

Ежегодный темп роста производства смартфонов в 2024 году оценивается на уровне скромных 2,2 %, что во многом обусловлено глобальным экономическим спадом. Согласно прогнозам, в 2023 году средний объем памяти DRAM в смартфонах вырастет примерно на 14,3 %. Эксперты полагают, что в течение 2024 года эта тенденция сохранится и приведёт к росту средней ёмкости памяти мобильных устройств ещё на 7,9 %.

Источник изображения: Trendforce

Ожидается, что растущий спрос на хранение мультимедийных файлов и рост проникновения 5G приведут к увеличению средней ёмкости накопителей в смартфонах. Однако сокращение производства флеш-памяти и осторожность производителей смартфонов в управлении затратами в 2024 году может привести к уменьшению количества моделей среднего и низкого уровня с хранилищем размером более 1 Тбайт. Учитывая отсутствие в настоящее время у Apple, на которую традиционно ориентируются другие производители смартфонов, планов по выпуску моделей iPhone с накопителями ёмкостью более 1 Тбайт, TrendForce ожидает, что средняя ёмкость хранилища смартфонов вырастет в пределах 13 % в 2024 году.

Растущий спрос на серверные системы для искусственного интеллекта привёл к росту поставок памяти HBM. В сочетании с волной наращивания запасов DDR5 на стороне клиента, второй квартал 2023 года показал рост поставок всех трёх основных крупнейших производителей оперативной памяти DRAM. Выручка индустрии за второй квартал достигла $11,43 млрд — это рост на 20,4 % по сравнению с первым кварталом и прекращение спада, продолжавшегося до этого три квартала подряд.

Источник изображения: unspalsh.com

Наибольший рост квартальных поставок, более 35 %, продемонстрировала SK hynix. Поставки DDR5 и HBM с более высокой средней ценой продажи (ASP — Average Selling Price), значительно увеличились. В результате ASP выросла на 7-9 %, что привело к увеличению выручки за второй квартал 2023 года почти на 50 %. С доходом в $3,44 млрд SK hynix заняла второе место в отрасли, лидируя по темпам роста в этом секторе.

Samsung, в отличие от SK hynix, показала падение ASP примерно на 7-9 %. Однако, благодаря наращиванию складских запасов клиентами и увеличению спроса на серверы искусственного интеллекта, объёмы поставок всё же немного увеличились, что привело к росту выручки за второй квартал на 8,6 % по сравнению с первым кварталом, достигнув $4,53 млрд и обеспечив компании лидирующую позицию по валовому доходу.

Micron, занявшая третье место, немного задержалась с разработкой HBM. Тем не менее, поставки DDR5 составляли значительную долю, сохраняя ASP относительно стабильным. Выручка компании во втором квартале составила около $2,95 млрд, показав рост на 15,7 % по сравнению с первым кварталом.

В целом, из-за продолжающегося снижения контрактных цен на различные продукты, поставщики продолжают сообщать об отрицательной рентабельности операционной прибыли. Во втором квартале 2023 года операционная рентабельность Samsung улучшилась с -24 % до -9 %. SK hynix продемонстрировала одновременный рост выручки и ASP, что повысило операционную рентабельность с -50 % до -2 %. Операционная рентабельность Micron также слегка улучшилась с -55,4 % до -36 %.

Поставки Nanya снижаются уже более четыре квартала подряд. Однако благодаря заказам на телевизоры во втором квартале 2023 года выручка компании выросла примерно на 8,2 %. Выручка Winbond во втором квартале выросла на 6,9 %, в первую очередь благодаря объявлению тендеров в Китае и введённым в строй дополнительным мощностям, что обеспечило большую гибкость ценообразования и привело к увеличению заказов.

PSMC в основном получает доход от потребительских продуктов DRAM собственного производства. Из-за низкого спроса и не самого современного техпроцесса, лишённого конкурентных ценовых преимуществ, выручка PSMC снизилась на 7,8 % по сравнению с первой четвертью года, сделав компанию единственным поставщиком, у которого наблюдался спад во втором квартале.

Источник изображения: Trendforce

Эксперты полагают, что доходы индустрии DRAM продолжат расти в третьем квартале 2023 года. Планомерное сокращение производства поставщиками препятствует дальнейшему снижению цен. Ожидается, что убытки из-за падения цен уменьшатся, а рентабельность наконец сместится от убытков в сторону прибыли.

SK hynix объявила о том, что разработала память HBM3E — высокоскоростную оперативную память (DRAM) следующего поколения для высокопроизводительных вычислений и в частности для сферы ИИ. Эта память, по утверждению компании, является самой производительной в мире и в настоящее время проходит проверки и тесты у клиентов SK hynix.

Источник изображений: news.skhynix.com

HBM (High Bandwidth Memory) — это высокоскоростная память, которая представляет собой стек из вертикально соединённых нескольких чипов DRAM, что обеспечиваем значительное увеличение скорости обработки данных по сравнению с обычными чипами DRAM. HBM3E — это улучшенная версия памяти HBM3 пятого поколения, которая пришла на смену предыдущим поколениям: HBM, HBM2, HBM2E и HBM3.

SK hynix подчёркивает, что успешная разработка HBM3E стала возможной благодаря опыту компании, полученному в качестве единственного массового производителя HBM3. Планируется, что массовое производство HBM3E начнётся в первой половине следующего года, что укрепит лидирующие позиции компании на рынке памяти для ИИ.

По данным SK hynix, новинка не только соответствует самым высоким отраслевым стандартам по скорости, ключевому параметру памяти для задач ИИ, но и в других категориях, включая ёмкость, теплоотвод и удобство использования. HBM3E способна обрабатывать данные со скоростью до 1,15 Тбайт/с, что эквивалентно передаче за секунду более 230 полнометражных фильмов в разрешении Full HD размером 5 Гбайт каждый.

Кроме того, HBM3E имеет улучшенный на 10 % теплоотвод благодаря применению передовой технологии Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF2). Новая память также обеспечивает обратную совместимость, что позволит использовать её в уже существующих ускорителях, которые создавались под HBM3.

«Мы давно сотрудничаем с SK hynix в области памяти с высокой пропускной способностью для передовых ускоренных вычислительных решений. Мы с нетерпением ждём продолжения нашего сотрудничества с HBM3E для создания следующего поколения вычислений с ИИ», — сказал Иэн Бак (Ian Buck), вице-президент по гипермасштабным и высокопроизводительным вычислениям в NVIDIA.

Сунгсу Рю (Sungsoo Ryu), руководитель отдела планирования продуктов DRAM в SK hynix, подчеркнул, что компания укрепила свои рыночные позиции, дополнив линейку продуктов HBM, которая находится в центре внимания в свете развития технологии ИИ.

На очередном годовом саммите по флеш-памяти, который традиционно проходит в августе, компания NEO Semiconductor, разработчик технологий для производства флеш-памяти 3D NAND и оперативной памяти 3D DRAM, представит фирменные технологии во всём объёме. Глава компании лично выступит перед элитой производителей флеш-памяти, надеясь убедить их в назревших революционных изменениях.

Источник изображений: NEO Semiconductor

Американская компания NEO Semiconductor представила фирменную архитектуру и технологию производства многослойной флеш-памяти в 2020 году и аналогичную архитектуру для выпуска многослойной оперативной памяти DRAM в мае этого года. Компания имеет все необходимые патенты и технологии для организации массового выпуска чипов флеш-памяти и DRAM по её лицензии. Но у неё до сих пор нет клиентов и активное участие в работе Flash Memory Summit 2023 должно стать прорывом. У компании на мероприятии будет отдельный стенд и запланированы выступления перед аудиторией.

«Я с нетерпением жду возможности представить на Flash Memory Summit 2023 наши новые революционные архитектуры, которые создадут беспрецедентную ценность для полупроводниковых компаний, производящих продукты памяти, облачных провайдеров и корпоративных компаний, внедряющих решения для хранения данных, — сказал Энди Хсу (Andy Hsu), основатель и генеральный директор NEO Semiconductor и выдающийся изобретатель технологий, имеющий более 120 американских патентов. — Для преодоления проблем масштабирования срочно требуется новая структура DRAM, использующая 3D-дизайн. 3D X-DRAM — это высокоскоростное, высокоплотное, недорогое решение с низким уровнем брака, которое позволит создать новое поколение приложений и услуг будущего».

Многослойной памятью 3D NAND сегодня никого не удивишь. Наоборот, найти сегодня твердотельный накопитель с планарной флеш-памятью — это настоящее испытание. Но производители оперативной памяти не спешат с переходом на 3D. Поэтому на «флеш-саммите» NEO Semiconductor будет бить в 3D DRAM, явно выходя за рамки мероприятия.

Компания пока не раскрывает подробностей архитектуры многослойной оперативной памяти, говоря лишь об отказе от конденсаторов в ячейках и о переходе на технологию плавающего заряда FBC (floating body cell). Вероятно саммит внесёт больше ясности в этот вопрос. Но с чем точно не поспоришь, что планарная DRAM почти исчерпала варианты для наращивания плотности на единицу площади кристалла. В то же время приложения ИИ требуют кратного увеличения объёмов оперативной памяти и если мы не хотим, чтобы АЭС росли как грибы после дождя (а по другому сегодня мощнейшие центры по обработке данных питать нечем), то плотность чипов DRAM необходимо быстро увеличивать, что также сопровождается снижением потребления на единицу хранения данных.

Чтобы совсем не скатиться в тему оперативной памяти на саммите, представители NEO Semiconductor расскажут о преимуществах своей «многоэтажной» архитектуры для таких перспективных заменителей флеш-конструкций, как 3D NOR, 3D Ferroelectric RAM (FFRAM), 3D Resistive RAM (RRAM), 3D Magnetoresistive RAM (MRAM) и 3D Phase Change Memory (PCM). В любом случае, будет интересно.

Южнокорейская компания SK hynix на этой неделе отчиталась о результатах второго квартала, которые превзошли ожидания аналитиков. Выручка производителя памяти хоть и сократилась почти в два раза относительно аналогичного периода прошлого года до $5,7 млрд, оказалась выше прогнозируемой. Во втором полугодии SK hynix рассчитывает на некоторое восстановление спроса в отдельных сегментах рынка памяти.

Источник изображения: SK hynix

Операционные убытки компании во втором квартале достигли $2,2 млрд, что было несколько хуже ожиданий рынка. Год назад квартал завершился для SK hynix операционной прибылью в размере $3,3 млрд. По мнению некоторых отраслевых аналитиков, для рынка памяти в целом и SK hynix в отдельности худшее уже позади. Компания отметила резкий рост спроса на память для серверных систем, работающих с ИИ, во втором квартале, а также наблюдала рост цен в этом сегменте в последовательном сравнении.

Капитальные затраты в текущем году SK hynix сократит почти в два раза по сравнению с предыдущим, в текущем полугодии компания также продолжит уменьшать объёмы выпуска памяти типа NAND. Данные меры принесут свои плоды в этом полугодии, как считают представители компании. Спрос на память в серверном сегменте в целом будет слабым, в мобильном сегменте возможно некоторое оживление спроса в связи с сезонным фактором в виде предстоящего выхода новых моделей смартфонов крупных игроков рынка вроде Apple. В текущем квартале объёмы поставок флеш-памяти типа NAND останутся на существующем уровне за счёт складских запасов, а вот её производство SK hynix продолжит сокращать.

По данным Bloomberg Intelligence, во втором квартале спрос на производительную оперативную память серверного назначения марки SK hynix последовательно вырос более чем в два раза, что говорит о способности компании выиграть от ажиотажа вокруг систем искусственного интеллекта. Компания пообещала увеличивать производственные мощности по выпуску микросхем DDR5 высокой ёмкости и памяти типа HBM3. Так называемая графическая память, к которой относится и HBM3, во втором квартале формировала до 20 % выручки в сегменте DRAM. Такие микросхемы востребованы при производстве ускорителей вычислений.

Во втором полугодии, по мнению руководства SK hynix, начнёт восстанавливаться спрос на память со стороны корпоративных клиентов и в игровом сегменте. По крайней мере, в последовательном сравнении можно будет говорить о положительной динамике продаж.

Выход на рынок первой гарнитуры дополненной реальности Apple, который намечен на начало следующего года, потребовал инновационного подхода к разработке некоторых её комплектующих. Устройство Vision Pro получит не только уникальные дисплеи, но и оптимизированные микросхемы оперативной памяти, позволяющие с минимальной задержкой обрабатывать информацию, поступающую с датчиков. Поставщиком ОЗУ для Apple Vision Pro станет южнокорейская компания SK hynix.

Источник изображения: Apple

Об этом поведало издание The Korea Herald со ссылкой на собственные осведомлённые источники. Apple данную информацию комментировать предсказуемо отказалась, как и SK hynix. По словам первоисточника, SK hynix специально для гарнитуры Apple Vision Pro разработала гигабитные микросхемы памяти типа DRAM, которые ради снижения задержек при передаче информации получили в восемь раз больше контактов ввода-вывода, чем обычные чипы такого класса.

Микросхема ОЗУ в составе Vision Pro будет работать в тесной связке со специализированным чипом R1, который компания Apple специально разработала для обработки данных, поступающих с 12 камер, пяти датчиков и шести микрофонов. Задержки при обработке информации не превышают 12 миллисекунд, а внутри Vision Pro процессор R1 и модуль памяти SK hynix конструктивно будут объединены общим корпусом. Это позволит дополнительно снизить задержки в обработке сигналов датчиков.

Сотрудничество SK hynix с Apple подчёркивает взятый корейским производителем памяти курс на расширение ассортимента специализированных микросхем памяти. Не так давно эта компания представила первую в мире микросхему HBM третьего поколения с 12-ярусной компоновкой. Подобные чипы востребованы в сегменте ускорения вычислений, которые на волне бума систем искусственного интеллекта пользуются огромным спросом.

Отраслевые аналитики уже сформировали собственные прогнозы относительно динамики финансовых показателей Samsung Electronics в минувшем квартале, итоги которого корейской компании только предстоит подвести. По прогнозам экспертов, квартальная прибыль Samsung обвалится на 96 % до минимального значения с четвёртого квартала 2008 года.

Источник изображения: Samsung Electronics

В тот период компания столкнулась с операционными убытками в размере $568 млн. Второй квартал 2022 года Samsung завершила с операционной прибылью в размере $10,8 млрд. Как ожидается, в текущем году второй квартал принёс компании не более $427 млн операционной прибыли. Во многом такой результат может быть обусловлен увеличением убытков от реализации микросхем памяти до $3 млрд.

По оценкам аналитиков TrendForce, в минувшем квартале цены на микросхемы оперативной памяти снизились на величину от 13 до 18 %, клиентам Samsung просто не требовалась новая память, поскольку они использовали имеющиеся складские запасы. Решение многих производителей ограничить объёмы выпуска микросхем памяти помогло замедлить снижение цен, своего дна они достигнут в третьем квартале текущего года, но о восстановлении рынка памяти, по мнению аналитиков, можно будет говорить не ранее следующего года.

Как ожидается, Samsung воспользуется кризисом для смещения приоритетов на производство компонентов для систем искусственного интеллекта, которые сейчас пользуются повышенным спросом. Речь идёт как о самостоятельном производстве микросхем памяти типа HBM, так и о контрактном производстве чипов для сторонних заказчиков. В сегменте мобильных устройств операционная прибыль Samsung, по мнению нескольких аналитиков, достигла $2,5 млрд. Дебют своих новых флагманских смартфонов с гибким дисплеем Samsung наметила на июль, желая опередить выход нового поколения Apple iPhone с хорошим запасом.

Падение цен на чипы памяти DRAM замедлится в третьем квартале этого года, говорится в свежем прогнозе аналитиков из TrendForce. Эксперты считают, что по итогам указанного отчётного периода цены на память снизятся лишь до 5 %. Для сравнения, во втором квартале текущего года цены на микросхемы памяти рухнули на 13–18 %. Эти цифры касаются всего рынка DRAM, включая серверный, мобильный и графический сегменты, а также сегмент оперативной памяти для компьютеров.

Источник изображения: TechSpot

В TrendForce считают, что одной из причин замедляющегося падения цен на чипы памяти DRAM является тот факт, что три крупнейших мировых производителя этих микросхем сократили объёмы выпуска. Однако такое решение оказывает лишь временное воздействие на рыночные цены, поскольку искусственное занижение объёмов производства не является надёжной и долгосрочной стратегией ведения бизнеса на столь конкурентном рынке. В этом отношении для стимулирования спроса было бы предпочтительнее, чтобы производители памяти делали бы наборы ОЗУ большего объёма более доступными для потребителей.

Другой причиной замедления падения цен на чипы памяти DRAM является их большой запас на складах у производителей. Однако хранение избыточных запасов также не является надёжной долгосрочной стратегией для регулирования цен на рынке. Производителям в любом случае придётся и дальше снижать цены для высвобождения накопившихся запасов, попутно надеясь, например, на рост спроса на новые модули ОЗУ для новых платформ. На фоне данных наблюдений аналитики TrendForce не ожидают восстановления цен на рынке микросхем памяти DRAM «до 2024 года».

Источник изображения: TrendForce

В сегменте клиентской памяти DRAM, которая используется в ПК, эксперты отмечают по-прежнему высокий уровень излишков запасов DDR4. На фоне этого по итогу третьего квартала текущего года аналитики прогнозируют дальнейшее падение цены на чипы в пределах 3–8 %. Микросхемы DDR5 будут дешеветь менее заметно. Падение составит до 5 %, считают специалисты. В данном случае спрос на чипы памяти нового поколения стимулируется растущим спросом на новые и более скоростные модули ОЗУ нового стандарта, которые поддерживаются последними платформами Intel и AMD.

Значительного падения цен на чипы также не ожидается и в сегменте видеопамяти. Здесь высокий спрос на 16-гигабитные микросхемы GDDR6 стимулируется недавним пополнением семейства видеокарт GeForce RTX 40-й серии. Кроме того, приближается пиковый сезон, когда производители видеокарт повышают объёмы использования микросхем для производства ускорителей. Исходя из этого цены в данном сегменте рынка могут быстрее достичь нижнего предела, а затем смениться ростом по сравнению с системной памятью ПК.

Торговая война между США и Китаем может ударить по южнокорейским производителям микросхем, поскольку значительная часть их производства находится в Поднебесной. Однако эти последствия не будут долговременными, считают аналитики Fitch Ratings.

Источник изображения: Laura Ockel / Pixabay

Как поясняют эксперты, США ищут возможности ограничить Китаю доступ к оборудованию для производства передовых полупроводниковых микросхем. В результате под ударом могут оказаться китайские фабрики южнокорейских компаний Samsung Electronics и SK hynix. У первой в Китае расположены 40 % от общего объёма доступных мощностей для выпуска чипов флеш-памяти NAND. А у SK hynix в Китае находятся около 40—50 % процентов мощностей для производства чипов DRAM и 20 % мощностей для выпуска флеш-памяти NAND.

«Мы не думаем, что это приведёт к долговременным перебоям в поставках, так как обе компании, вероятнее всего, выберут Южную Корею основной площадкой для своих производств и инвестиций», — говорится в отчёте Fitch Ratings, который цитирует издание CNBC.

В октябре прошлого года правительство США приняло законы, запрещающие поставки в Китай оборудования для производства передовых микросхем. Американские власти опасаются, что Китай будет использовать эти технологии для повышения своего военного потенциала. Поддержать инициативу запрета согласились Нидерланды и Япония.

Компании Samsung Electronics и SK hynix являются двумя крупнейшими в мире производителями чипов памяти. Третье место принадлежит американской компания Micron. Заводы компаний, расположенные в Китае, производят микросхемы согласно зрелым и передовым технологическим процессам. И на эти предприятия ограничения, введённые США, не распространяются. Чипы памяти производятся на них как для рынка Китая, так и на экспорт. По данным Korea Times, оба южнокорейских гиганта получили разрешение до октября этого года поставлять новое оборудование, в составе которого используются американские технологии, на свои китайские фабрики.

В мае Китай запретил использование продуктов Micron в критически важной информационной инфраструктуре. По мнению Fitch, Samsung и SK hynix «в результате этого на самом деле могут получить выгоду от более высоких цен на чипы памяти в Китае. Однако вероятнее всего, последствия будут менее значительными, и Micron просто переориентирует поставки производящихся в Китае чипов за пределы Поднебесной, что в свою очередь может привести к снижению цен чипов памяти на мировом рынке».

Как пишет CNBC, власти США призвали Южную Корею не позволить другим производителям чипов памяти занять место Micron в Китае. Согласно финансовому отчёту Micron за 2022 год, около 10 % от общей выручки компании пришлись на Китай. Аналитики Fitch считают, что два южнокорейских производителя чипов как минимум частично заполнят лакуны, оставленные Micron на китайском рынке.

«Поскольку в настоящее время рынок перенасыщен предложением, будет сложно отследить, какая часть от утраченного объёма микросхем Micron будет восполнена за счёт корейских производителей», — указывают эксперты.

В то же время они считают, что риски в перспективе могут возрасти, если США и Китай продолжат накладывать друг на друга более серьёзные ограничения. Это в конечном итоге может повлиять на стоимость и доступность полупроводниковых компонентов в цепочках поставок.

Компания Samsung Electronics сегодня объявила о начале серийного производства 16-гигабитных чипов оперативной памяти DDR5 DRAM на базе новейшего технологического процесса 12-нм класса. Применение данной технологии позволяет снизить энергопотребление чипов, а также получать больше микросхем с одной пластины.

Источник изображений: Samsung Newsroom

«Используя дифференцированный технологический процесс, ведущая в отрасли память DDR5 DRAM класса 12 нм от Samsung обеспечивает выдающуюся производительность и энергоэффективность. Наша последняя версия DRAM отражает наше постоянное стремление лидировать на рынке DRAM не только с помощью высокопроизводительных и высокоёмких продуктов, которые удовлетворяют потребности вычислительного рынка в крупномасштабной обработке данных, но и путём коммерциализации решений следующего поколения, поддерживающих более высокую производительность» — сказал Джуён Ли (Jooyoung Lee) исполнительный вице-президент по продуктам и технологиям DRAM в Samsung Electronics.

По сравнению с предыдущим поколением, новая память DDR5 DRAM класса 12 нм от Samsung снижает энергопотребление на 23 % и повышает выход микросхем с пластины на 20 %. в Samsung отмечают, что высокая энергоэффективность делает техпроцесс идеальным решением для глобальных ИТ-компаний, которые хотят снизить энергопотребление и выбросы углекислого газа в своих серверах и центрах обработки данных.

Разработка компанией Samsung техпроцесса класса 12 нм для выпуска чипов оперативной памяти стала возможной благодаря использованию нового материала (диэлектрика) со статической диэлектрической проницаемостью большей, чем у диоксида кремния (High-k), который помогает увеличить электрическую ёмкость ячейки. Большая ёмкость увеличивает разность электрических потенциалов в сигналах данных, что облегчает их точное различение.

Семейства 12-нанометровой памяти DDR5 DRAM предложит скорость до 7,2 Гбит/с (DDR5-7200). Samsung отметила, что данная оперативная память способна обработать два 30-гигабайтных UHD-фильма примерно за секунду.

Samsung завершила оценку совместимости 16-гигабитной DDR5 DRAM с платформами AMD в декабре прошлого года. Планируется, что новая линейка памяти будет использоваться в центрах обработки данных, для вычислений в области искусственного интеллекта и ещё широкого ряда задач.

Последнее исследование аналитиков TrendForce показывает, что, поскольку сокращение производства оперативной памяти DRAM и флеш-памяти NAND не поспевает за снижением спроса, ожидается дальнейшее снижение средней цены продажи (ASP) некоторых продуктов во 2 квартале 2023 года. Ожидается, что цены на DRAM упадут на 13–18 %, а NAND — на 8–13 %.

Источник изображения: freepik

В отчёте TrendForce говорится, что значительное падение цен на DRAM в основном связано с высоким уровнем складских запасов DDR4 и LPDDR5, поскольку память для ПК, для серверов и для мобильных устройств в совокупности составляют более 85 % потребления оперативной памяти DRAM. Между тем доля рынка DDR5 остаётся относительно низкой.

Цены на DDR4 для ПК остаются низкими из-за достаточных запасов памяти на складах. В отличие от этого, цены на DDR5 демонстрируют более умеренное снижение по сравнению с DDR4 из-за ограниченного предложения. В целом ожидается, что ASP на DRAM для ПК снизится на 15–20 % во втором квартале 2023 года. Более слабый спрос на серверы привёл к увеличению спроса на DDR4 у поставщиков, при этом снижение цен увеличилось до 18–23 %.

Распространение DDR5 было ограничено из-за проблем с совместимостью PMIC, что сократило прогноз по снижению цен на серверную DRAM во 2 квартале 2023 года до 13–18 %. Однако, учитывая, что доля DDR5 на рынке остаётся низкой, её влияние на изменение цен ограничено, а это означает, что общее снижение цен на серверную память DRAM во 2 квартале 2023 года останется в пределах 15–20 %.

Источник изображения: TrendForce

На цены флеш-памяти NAND в первую очередь повлияло падение цен на корпоративные SSD и UFS, так как ситуация с избыточным предложением на рынке ещё не решена. На эти два направления приходится более 50 % общего потребления флэш-памяти NAND.

Спрос на серверы продолжает снижаться, что усугубляет давление на производителей SSD. Объём заказов в Китае несущественно увеличился после снятия ограничений, связанных с COVID-19. Заказы на серверы от ODM-производителей также с трудом выросли из-за высокого уровня запасов, что приведёт к снижению ASP корпоративных SSD во 2 квартале 2023 г. до 10–15 %. Ожидается, что спрос на корпоративные твердотельные накопители значительно вырастет во второй половине года по мере выпуска новых платформ и продолжающегося снижения уровня запасов.

Производители смартфонов наконец-то истратили свои запасы памяти, что означает более высокий потенциал для закупок по сравнению с прошлым годом. Давление на поставщиков по-прежнему остаётся высоким, и они более охотно предлагают скидки. В результате чего прогноз по снижению ASP мобильной памяти DRAM увеличился до 13–18 %, а по средней цене флеш-памяти UFS — увеличился до 10–15 % во 2 квартале 2023 года.

Южнокорейская компания SK hynix планирует расширить мощности по производству микросхем оперативной памяти старых поколений — DDR3 и DDR4 — на своём заводе в китайском Уси, сообщила аналитическая компания TrendForce.

Источник изображения: SK hynix

В октябре прошлого года Министерство торговли США ввело ограничения на импорт полупроводникового оборудования в Китай для техпроцессов 18 нм и ниже. Фабрике SK hynix в Уси была предоставлена годовая лицензия и она могла и дальше ввозить необходимое оборудование. Однако геополитические риски и слабый спрос побудили компанию сократить выпуск чипов примерно на 30 % в месяц во 2 квартале 2023 года.

Изначально SK hynix планировала сделать основным техпроцессом на своей фабрике в Уси 1z вместо 1y, уменьшив производство на более старых техпроцессах. Однако из-за ограничений, наложенных санкциями США, компания вместо этого решила расширить свои 21-нм производственные линии, сосредоточившись на чипах памяти DDR3 и DDR4 малого объёма (4 Гбит). Долгосрочная стратегия SK hynix предполагает расширение производственных мощностей в Южной Корее, в то время как завод в Уси будет обслуживать внутренний спрос в Китае, а также удовлетворять спрос на память DRAM, выполненную по менее тонким техпроцессами.

В долгосрочной перспективе увеличение производства на фабрике в Уси может оказать дополнительное давление на поставщиков, что ещё больше затруднит восстановление потребительских цен на DRAM.

Американская компания NEO Semiconductor объявила о завершении разработки и получении патентов на первую в мире многослойную оперативную память DRAM, созданную по аналогии с 3D NAND. Заявлено, что переход на «трёхмерный» тип оперативной памяти только за ближайшие 10 лет в восемь раз увеличит плотность и ёмкость чипов DRAM. Это кратно подстегнёт развитие платформ искусственного интеллекта и вычислений в целом, если технологию поддержат производители.

Источник изображений: NEO Semiconductor

На примере памяти 3D NAND мы увидели, что рывок ввысь — наращивание числа слоёв в микросхеме вместо увеличения площади одного единственного кристалла — это очень и очень удобно. Первой проявила себя в этом компания Samsung, представив в августе 2013 года флеш-память V-NAND с 24 слоями. Прошло десять лет и сегодня компании предлагают 3D NAND с более чем 200 слоями и обещают в ближайшем будущем 500-слойные микросхемы. Подобный прогресс в области оперативной памяти сегодня был бы крайне востребован, когда мир захлестнула волна интереса к большим языковым моделям ИИ.

Компания NEO Semiconductor предлагает такое решение и готова лицензировать технологию производства всем заинтересованным компаниям. К сожалению, ведущие производители DRAM пока никак не проявили своего интереса к 3D X-DRAM. Сам разработчик в пресс-релизе также не смог обозначить заинтересованности индустрии в этом проекте, что повторяет ситуацию с другим как бы тоже революционным изобретением компании — флеш-памяти X-NAND. Это наводит на мысли, что проработка технологии достаточно сырая или малоперспективная с точки зрения Samsung, SK hynix и Micron.

Впрочем, остаётся вариант, что тройка лидеров рынка DRAM не будет торопиться с 3D X-DRAM до тех пор, пока у неё в запасе остаются планарные технологии производства оперативной памяти. У всех из них в планах освоить выпуск чипов с нормами до 10 нм и менее, путь к чему отлажен и многократно проверен. Когда этот ресурс будет исчерпан, тогда память DRAM начнёт становиться многослойной.

Разработчик 3D X-DRAM пока раскрыл мало информации о новинке. Прежде всего, повышенная плотность ячеек и многослойность достигается за счёт отказа от конденсаторов в составе ячейки памяти — только транзистор и плавающий заряд. Это так называемая ячейка FBC (floating body cell). Тем самым достигается простота архитектуры и конструкции, а также производственного процесса. Например, для основных этапов обработки кристаллов 3D X-DRAM будет достаточно одного фотошаблона, утверждают в NEO Semiconductor. При этом не нужно будет гнаться за передовыми и тонкими техпроцессами — всё начнёт работать на этапе использования зрелых техпроцессов.

В компании рассчитывают увидеть память 3D X-DRAM в производстве с 2025 года или около того. Начать надеются с 128-Гбит микросхем и за десять лет мечтают дойти до плотности 1 Тбит, как это было с памятью 3D NAND. Но без заявлений Samsung и других о поддержке этого начинания в это слабо верится. Будем рады ошибиться. Как известно, памяти никогда много не бывает.