Ещё по итогам мартовской конференции GTC 2024, если верить публикации в социальной сети LinkedIn главы американского представительства Samsung Electronics, основатель Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) одобрил использование микросхем памяти типа HBM3E этой корейской марки своими ускорителями вычислений. Теперь стало известно, что их поставки могут начаться до конца текущего полугодия.

Источник изображения: LinkedIn

Новости на эту тему в минувшую пятницу опубликовал южнокорейский ресурс Maeil Business Newspaper. Сейчас, как уточняет источник, микросхемы HBM3E компании Samsung в 8- и 12-ярусном исполнении проходят последние фазы тестирования, и серийные поставки для нужд Nvidia могут начаться уже до конца первого полугодия. Если учесть, что аналитики предрекали начало поставок либо в третьем квартале, либо даже в четвёртом, то подобный сценарий на этом фоне кажется более оптимистичным.

Способность Nvidia использовать 12-слойные стеки памяти типа HBM3E позволит компании увеличить объём памяти своих ускорителей вычислений, по этой причине продукция Samsung должна быть ею востребована. Кроме того, наличие в ассортименте продукции этого поставщика 8-слойных микросхем HBM3E позволит Nvidia претендовать на более привлекательные цены за счёт усиления конкуренции с SK hynix. В целом, во втором полугодии это может привести к снижению цен на микросхемы памяти HBM3E.

Samsung Electronics является одним из четырёх крупнейших производителей чипов, которые получат субсидии в США по «Закону о чипах». Сегодня власти США объявили, что Samsung будет выделено $6,4 млрд безвозвратных субсидий на строительство фабрик в Техасе. Samsung Electronics в рамках достигнутого с Министерством торговли США соглашения обязуется построить с Тейлоре два предприятия по выпуску чипов по 4-нм и 2-нм техпроцессам, а также наладить выпуск в США памяти типа HBM.

Напомним, что у Samsung Electronics с конца прошлого века имеется комплекс предприятий и исследовательские центры в Остине, штат Техас, но все новые инициативы компании по развитию своего присутствия в регионе сосредоточены в соседнем Тейлоре, округ Уильямсон. Именно в этой местности Samsung собирается в ближайшие двадцать лет потратить более $40 млрд своих средств, построив не только два предприятия по выпуску чипов с использованием передовой литографии, но и научно-исследовательский центр, а также линию по тестированию и упаковке чипов с использованием передовых пространственных компоновок. Первое из новых предприятий в Тейлоре уже готово, и оно будет выпускать чипы по 4- и 2-нм техпроцессам. Первую 2-нм продукцию фабрика начнёт выдавать в 2026 году. Второе предприятие также освоит выпуск 4- и 2-нм чипов и должно будет начать работу в 2027 году. Исследовательский центр Samsung начнёт функционировать в Тейлоре в 2027 году. Более 20 поставщиков уже выразили свою готовность сформировать инфраструктуру вокруг новых предприятий Samsung в США.

По итогам уже достигнутых договорённостей, Министерство торговли США распределило между строящими локальные предприятия по выпуску чипов компаниями около $23 млрд из общей суммы $39 млрд, которые направлены на эти цели. Ещё $75 млрд в общей сложности будет предоставлено в виде льготных кредитов, но пока нет информации о том, сможет ли Samsung претендовать на такой вид финансовой помощи.

Напомним, что Intel получила $8,5 млрд безвозвратных субсидий, TSMC смогла претендовать на $6,6 млрд, а Samsung, как выясняется теперь, ограничилась $6,4 млрд. Аналитики ожидают, что американская Micron Technology сможет получить более $5 млрд в виде безвозвратных субсидий, поскольку её планы на ближайшие двадцать лет охватывают активное развитие локальных предприятий в штатах Нью-Йорк и Айдахо.

Помимо новых фабрик в Тейлоре, компания Samsung модернизирует имеющиеся предприятия в техасском Остине, чтобы обеспечить американских заказчиков Samsung выпуском продукции с использованием зрелой литографии и технологии FD-SOI. Среди этих заказчиков, как поясняется в сообщении Министерства торговли США, будут и оборонные структуры страны.

Около $40 млн субсидий будет направлено на подготовку и обучение персонала на американских предприятий Samsung, а всего они смогут создать около 21 500 новых рабочих мест.

Южнокорейский гигант Samsung Electronics при прежнем руководителе и сыне основателя Ли Гон Хи (Lee Kun-hee) ещё мог продвигать инновационные решения, которые позволяли компании обходить многих конкурентов на технологическом уровне, но сейчас, по мнению некоторых сотрудников, техническому прогрессу начинает препятствовать излишняя осторожность руководителей, которые буквально боятся рисковать.

Источник изображения: Samsung Electronics

Всё это, по мнению Nikkei Asian Review, способствует утрате конкурентных позиций компанией Samsung Electronics. В публикации приводится пример с рационализаторским предложением одного из инженеров, которое было призвано повысить уровень выхода годной продукции при производстве чипов. Обратившись с предложением к начальнику прошлой осенью, он получил отказ в его внедрении, поскольку руководство не готово брать на себя риск и делать первый шаг, а новые технологии готов внедрять только в том случае, если уже существуют прецеденты их успешного применения.

В современной корпоративной структуре Samsung Electronics, как отмечает издание, проблемой является и практика заключения контрактов с руководящим составом только на один год. При этом руководителям с более верхнего уровня доводятся целевые показатели деятельности подразделений, которые должны быть достигнуты за год. При такой расстановке приоритетов компания просто сосредотачивается на решении каких-то краткосрочных задач, а долгосрочные исследования в итоге остаются без должного внимания и лишают компанию инновационного развития.

Samsung уже отстаёт от более мелкой SK hynix в сфере разработки памяти семейства HBM, которая сейчас востребована в сегменте систем искусственного интеллекта. Соперничать с конкурентами в сегменте дисплеев ей тоже становится всё сложнее. Наконец, Apple недавно на какое-то время вырвала у Samsung статус крупнейшего производителя смартфонов, хотя корейской компании по итогам февраля удалось добиться реванша. По мнению экспертов, склонность избегать риски нынешним руководством Samsung будет способствовать дальнейшей деградации компании, если ничего не менять в этой сфере. Впрочем, следует помнить, что внук основателя и фактический глава Samsung Ли Джэ Ён (Lee Jae-yong) провёл в тюремном заключении и под следствием несколько лет, на протяжении которых его заместители не решались принимать важные стратегические решения, и эта инерция будет сказываться на бизнесе компании ещё какое-то время даже после того, как Ли Джэ Ён окончательно утвердился в статусе главы компании и освобождён от уголовных обвинений.

Вчерашний пример с демонстрацией TSMC более амбициозных планов по экспансии производства в США показывает, что местные власти готовы предоставлять довольно щедрые субсидии, но при условии опережающего развития зарубежными компаниями своих предприятий по производству чипов в США. По некоторым данным, Samsung сможет претендовать на $6,6 млрд государственной поддержки по «Закону о чипах».

Источник изображения: Samsung Electronics

Церемония в Тейлоре, где Samsung Electronics уже построила первое из нескольких новых предприятий по контрактному выпуску чипов, должна состояться в следующий понедельник, по информации Reuters, но президент Джозеф Байден (Joseph Biden) мероприятие пропустит по политическим соображениям, поскольку ловить что-то в Техасе с его сильными позициями республиканцев с точки зрения предвыборной кампании нечего.

По данным источников, Samsung пришлось пойти на уступки американским властям, и увеличить планируемые капитальные затраты на развитие предприятий в Тейлоре с $17 до $44 млрд. Данные о количестве запланированных к строительству предприятий разнятся. Пару лет назад Samsung обещала потратить до $200 млрд на строительство 11 предприятий в Техасе, но сделать это она собиралась на протяжении двадцати лет. На днях стало известно о готовности Samsung в ближайшие годы построить в Тейлоре три предприятия по контрактному производству чипов. Агентство Reuters ведёт разговор о четырёх объектах, лишь два из которых будут заниматься производством чипов. Ещё один сосредоточится на тестировании и упаковке чипов, а рядом с ним расположится профильный научно-исследовательский центр. Более того, данными объектами в Тейлоре дело не ограничится, ибо Samsung также собирается расширять своё присутствие в США за пределами этого города. Будет ли это обживаемый компанией с 1996 года соседний Остин, не уточняется.

Напомним, что корпорация Intel первой из крупных игроков полупроводникового рынка, если не считать GlobalFoundries, получила гарантии выделения средств по «Закону о чипах». Ей достанутся $8,5 млрд безвозвратных субсидий, $11 млрд льготных кредитов и до $25 млрд в виде налоговых вычетов. Компания TSMC получит $6,6 млрд безвозвратных субсидий и $5 млрд льготных кредитов, но в обмен пообещала увеличить инвестиции в свои американские предприятия с $40 до $65 млрд, а также освоить к 2028 году выпуск 2-нм продукции на одном из предприятий в Аризоне. К 2030 году TSMC должна будет построить в Аризоне своё третье предприятие. Всего «Закон о чипах» подразумевает выделение $52 млрд субсидий, из которых $39 млрд будут предназначаться компаниям, строящим в США предприятия по выпуску чипов, а дополнительные $75 млрд будут распределены в виде льготных кредитов. Получается, что более половины лимита субсидий власти США уже распределили между тремя крупнейшими производителями чипов, а желающих получить поддержку немало и среди производителей микросхем памяти. Micron и SK hynix тоже намерены строить новые предприятия в США.

В позапрошлом году Samsung Electronics начала строить в техасском городе Тейлор новое предприятие стоимостью $17 млрд, которое должно начать выпуск 4-нм продукции по заказам сторонних клиентов либо в конце этого года, либо в следующем. Почувствовав прилив сил, корейский гигант в середине этого месяца собирается объявить о намерениях увеличить бюджет американских строек до $44 млрд с целью появления в Тейлоре ещё двух своих предприятий.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом сообщает издание The Wall Street Journal со ссылкой на осведомлённые источники. Соответствующее заявление представители Samsung Electronics должны сделать 15 апреля на специальной церемонии в Тейлоре, как отмечает этот ресурс. Сумма в $44 млрд должна охватить все проекты, реализуемые Samsung в окрестностях города в обозримой перспективе. Во-первых, первоначальных $17 млрд на строительство первого предприятия и его оснащение современным оборудованием явно не хватит.

Во-вторых, Samsung готова потратить более $20 млрд на строительство второго предприятия в Тейлоре, которое тоже будет выпускать чипы на контрактной основе. Не исключено, что оно будет использовать более прогрессивный техпроцесс по сравнению с упоминаемым 4-нм. В-третьих, ещё около $4 млрд компания готова потратить на строительство в Тейлоре линии по тестированию и упаковке чипов с использованием сложной пространственной компоновки. Грубо говоря, на такой линии можно будет тестировать и упаковывать память типа HBM, которая нужна для ускорителей вычислений в серверном сегменте. Такой проект открывает перед Samsung перспективы сотрудничества с Nvidia по выпуску памяти для её ускорителей прямо на территории США. Тем более, что у конкурирующей SK hynix подобное предприятие должно будет появиться в штате Индиана ко второй половине 2028 года.

Какая-то часть общего бюджета, по всей видимости, пойдёт и на организацию научно-исследовательской деятельности в этом районе штата Техас. У Samsung с 1996 года действует в соседнем Остине предприятие по выпуску чипов, но оно полагается на более старые техпроцессы. Два года назад корейская компания объявила, что готова за последующие двадцать лет потратить $200 млрд на строительство в Техасе 11 новых предприятий. Подобные масштабы планирования в целом присущи корейскому бизнесу, но важно понимать, что стремительное меняющаяся конъюнктура вносит свои коррективы даже в куда более скромные проекты. Власти США, по предварительным данным, готовы выделить Samsung до $6 млрд субсидий на строительство предприятий на территории страны, поэтому компания заинтересована в демонстрации крупных амбиций ради стимулирования подобных инвестиций.

Опубликованные южнокорейским гигантом Samsung Electronics предварительные итоги первого квартала оказались лучше ожиданий по значению операционной прибыли, которая в годовом сравнении выросла в десять с лишним раз до $4,89 млрд. Выручка выросла только на 11,4 % до $52,5 млрд, оказавшись хуже ожиданий.

Источник изображения: Samsung Electronics

По мнению аналитиков, подобная динамика основных финансовых показателей деятельности Samsung может говорить об улучшении ситуации со складскими запасами флеш-памяти NAND, которую компания производит в больших количествах. По крайней мере, выросшие цены на память позволяют компании оценивать имеющиеся запасы более выгодно. Кроме того, недавнее землетрясение на Тайване даст возможность корейским производителям памяти поднимать цены на свою продукцию более агрессивно, если у тайваньских производителей и Micron возникнут проблемы с работой их предприятий на острове. Samsung должна получить контракты Nvidia на поставку микросхем памяти типа HBM3E для своих ускорителей вычислений, на этот фактор многие аналитики тоже предлагают делать ставку.

Скорее всего, и январский дебют смартфонов семейства Galaxy S24 оказался удачным. Предполагается, что объёмы поставок смартфонов Samsung в целом последовательно выросли на 8 % до 57 млн штук, а средняя цена их реализации поднялась сразу на 30 % до $340 за устройство. Представители Counterpoint Research считают, что спрос на смартфоны семейства Galaxy S24 оказался на 10 % выше, чем в случае с предшественниками.

В последовательном сравнении операционная прибыль Samsung увеличилась более чем в два раза, а выручка выросла на 4,8 %. Полный квартальный отчёт компания опубликует 30 апреля, поэтому подробный анализ результатов её деятельности в первом квартале придётся отложить до конца месяца. На протяжении всего прошлого года полупроводниковый бизнес Samsung оставался убыточным на операционном уровне, во многом из-за динамики цен на микросхемы памяти. Так или иначе, инвесторы особым оптимизмом после оглашения предварительных данных о доходах Samsung в первом квартале не заразились, после начала торгов курс акций компании опустился на 1,4 %.

В календаре Samsung Electronics первый квартал нового фискального года завершился 31 марта, и предварительные итоги отчётного периода компания огласит в эту пятницу. Пока аналитики считают, что операционная прибыль компании выросла в девять раз до $4,24 млрд в годовом сравнении. Это будет максимальная операционная прибыль Samsung за шесть предыдущих кварталов.

Источник изображения: Samsung Electronics

В первом квартале прошлого года операционная прибыль компании ограничилась суммой $475 млн. В сегменте полупроводников Samsung впервые за пять кварталов получит прибыль в размере около $557 млн, как ожидают опрошенные Reuters отраслевые аналитики. С середины 2022 года цены на память активно снижались, но к концу прошлого они начали расти, что и позволило Samsung перейти к наращиванию операционной прибыли. По данным TrendForce, в первом квартале этого года контрактные цены на DRAM последовательно выросли на 20 %, а повышение контрактных цен на NAND варьировалось от 23 до 28 %.

Правда, разработка полупроводниковых компонентов и их контрактное производство, как считают аналитики, по-прежнему приносит Samsung убытки. В мобильном сегменте, как ожидается, компания последовательно увеличила объёмы поставок смартфонов в первом квартале на 8 % до 57 млн штук, удачный дебют семейства Galaxy S24 позволил ей поднять среднюю цену реализации смартфона сразу на 30 % до $340. При этом операционная прибыль в мобильном сегменте в годовом сравнении могла немного снизиться до $2,82 млрд. В эту пятницу компания обнародует только предварительные итоги первого квартала, подробный отчёт будет опубликован до конца месяца.

В сентябре прошлого года Samsung Electronics обошла Apple на мировом рынке смартфонов, заняв 20 % рынка против 19 % у компании из Купертино, но потом последняя добилась реванша. Февраль текущего года стал первым месяцем на прошедшем интервале, когда Samsung удалось стать крупнейшим поставщиком смартфонов в мировом масштабе.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как поясняет Business Korea со ссылкой на статистику Counterpoint Research и Hana Financial Investment, в позапрошлом месяце Samsung удалось поставить 19,69 млн смартфонов и занять 20 % рынка, тогда как Apple довольствовалась 17,41 млн смартфонов и 18 % рынка. По отдельным регионам лидерство Samsung было выражено ещё сильнее, и аналитики склонны связывать это с удачным дебютом флагманских смартфонов серии Galaxy S24 в начале текущего года.

В Европе Samsung сохранила за собой статус лидера с 34 % рынка смартфонов, а в США доля рынка Samsung последовательно выросла с 20 до 36 %, тогда как Apple сократила свою долю с 64 до 48 %. То есть, в США компания Samsung хоть и не стала лидером, позиции Apple существенно подорвала. В феврале на серию Galaxy S24 приходилось 52 % всех продаж Samsung в США. Как считают эксперты, американским покупателям импонируют функции искусственного интеллекта, предложенные новыми моделями смартфонов Samsung.

Как отмечается, в мировых масштабах смартфоны Samsung Galaxy S24, представленные в конце января, разошлись тиражом 6,53 млн штук, если рассматривать состояние дел на конец февраля. Предыдущее флагманское семейство Galaxy S23 к концу февраля прошлого года смогло разойтись тиражом 7,24 млн штук, но серия Galaxy S24 вышла на десять дней позже, поэтому прямое сравнение не совсем уместно. С 28 марта обновления ПО, обеспечивающие поддержку искусственного интеллекта, начали получать и представленные в прошлом году смартфоны серий Galaxy S23 и Galaxy Z5. Во втором полугодии Samsung хочет представить новые смартфоны с гибким дисплеем. На рынке Северной Америки южнокорейская компания хочет усилить давление на позиции Apple за счёт более агрессивной маркетинговой политики.

Прошлый год на рынке памяти характеризовался такими низкими ценами, что Samsung Electronics пришлось откатиться на четвёртое место в рейтинге лидеров рынка полупроводниковых компонентов в показателях выручки, уступив не только TSMC и Intel, но и компании Nvidia. Корейский гигант собирается вернуть себе первое место в этом рейтинге через два или три года, как сообщило руководство Samsung.

Источник изображения: Samsung Electronics

Данное заявление, по данным Business Korea, прозвучало на ежегодном собрании акционеров компании. Напомним, что ранее Intel и Samsung соперничали за звание крупнейшего поставщика полупроводниковых компонентов с точки зрения выручки с некоторой периодичностью, но в последние годы у них появились достойные соперники в лице TSMC и Nvidia, причём обе в какой-то мере нарастили выручку именно благодаря пандемии и нынешнему буму систем искусственного интеллекта. Если Samsung по итогам прошлого года выручила $45,9 млрд, то TSMC стала лидером с $66,8 млрд, а третье место досталось Nvidia с её $49,5 млрд выручки.

В этом году Samsung намеревается восстановить «фундаментальную конкурентоспособность» своего полупроводникового бизнеса и устранить недочёты на уровне операционной деятельности подразделения, которые были усугублены отраслевым кризисом в прошлом году. Примечательно, что Samsung представит собственный ускоритель вычислений Mach 1 в начале следующего года, и он по своему быстродействию будет сопоставим с Nvidia H100. В развитие своего исследовательского центра в Йонъине Samsung до 2030 года собирается вложить $15 млрд, вдвое увеличив задействованные в разработках на полупроводниковом направлении ресурсы. Помимо 6-го поколения 10-нм памяти DRAM и девятого поколения памяти V-NAND, компания собирается вывести на рынок шестое поколение HBM (HBM4). Для производства мобильных процессоров с условным названием Exynos 2500 будет использоваться 3-нм технология. Будут создаваться передовые чипы для автомобильного сегмента и передачи данных по беспроводным каналам.

Как уже отмечалось, в этом году Samsung собирается выручить не менее $100 млн от оказания услуг по упаковке чипов с использованием 2.5D-компоновки. Силовая электроника пополнится решениями на основе карбида кремния и нитрида галлия, а ещё к 2027 году Samsung рассчитывает начать выпуск дисплеев типа micro-LED для устройств дополненной и виртуальной реальности. Всё это позволит Samsung в перспективе двух или трёх лет стать крупнейшим поставщиком полупроводниковых компонентов в показателях выручки, как уверено руководство компании.

Спрос на услуги по компоновке чипов из нескольких разнородных кристаллов подталкивает контрактных производителей развивать соответствующий бизнес, и южнокорейская Samsung Electronics по итогам текущего года рассчитывает заработать более $100 млн на подобных услугах.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом на ежегодном собрании акционеров, по данным Reuters, сообщил генеральный директор Samsung Electronics Кёнг Ке-хён (Kyung Kye Hyun). Контрактные услуги в этой сфере компания начала оказывать ещё в прошлом году, и во второй половине текущего компания рассчитывает получать от профильных инвестиций адекватную отдачу. По итогам текущего года выручка Samsung на этом направлении может превысить $100 млн. Это не так много на фоне более чем $13 млрд, которые Samsung принёс контрактный бизнес в целом по итогам прошлого года, но компания собирается усилить интеграцию подразделений, занимающихся разработкой, производством и упаковкой чипов.

Кроме того, на собрании акционеров руководство Samsung Electronics заявило, что компания собирается в текущем году увеличить свою долю на рынке памяти типа DRAM. В прошлом квартале данный показатель достигал 45,5 %, если опираться на данные TrendForce. Основной упор будет делаться на продвижение востребованной в сегменте искусственного интеллекта памяти типа HBM3E. В прошлом месяце Samsung сообщила о готовности начать выпуск 12-ярусных стеков HBM3E, а на этой неделе интерес к продукции компании открыто проявил генеральный директор Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang).

HBM4 компания предложит уже в следующем году, причём клиенты получат возможность адаптировать такую память к своим нуждам, поскольку разработчики будут более активно взаимодействовать со специалистами Samsung, отвечающими за бизнес по упаковке чипов. Не списывает компания со счетов и другие виды памяти, востребованные в серверном сегменте, имея в виду поддерживающие CXL и PIM продукты.

Компании Nvidia и SK hynix в разной мере оказались вовлечены в анонс новейших ускорителей вычислений B200 с архитектурой Blackwell. Компания Samsung Electronics их пресс-релизы смогла парировать разве что заявлением об основании исследовательской лаборатории, которая сосредоточится на разработке полупроводниковых компонентов для сферы искусственного интеллекта.

Источник изображения: Samsung Electronics

Фактически, Samsung покушается силами этой лаборатории на долю рынка Nvidia в сегменте ускорителей вычислений для систем искусственного интеллекта. Данное подразделение Samsung будет разрабатывать чипы нового типа, которые смогут работать с большими языковыми моделями при разумной стоимости и умеренном энергопотреблении, как следует из заявлений представителей южнокорейской компании.

Как и AMD, компания Samsung при разработке своих чипов для ИИ будет делать упор на способность таких ускорителей делать логические выводы (inference). По мнению представителей AMD, чипы такого класса в ближайшее время будут пользоваться всё большей популярностью. Лаборатория AGI Computing Lab будет иметь представительства в США и Южной Корее, а курировать её работу будет Дон Хёк Ву (Dong Hyuk Wu), который ранее трудился в Google в сфере разработки программного обеспечения.

Для систем искусственного интеллекта на данном этапе эволюции важнее наличие скоростной оперативной памяти, а не быстрых хранилищ данных, поэтому наблюдаемый на рынке высокий спрос на микросхемы HBM не сопровождается заметным оживлением рынка 3D NAND, но компания Samsung в рамках расширения возможностей для своих клиентов готова запустить доступ к ёмким хранилищам данных на SSD по подписке.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как поясняет Business Korea, соответствующий анонс состоится на следующей неделе, когда начнёт работу технологическая конференция Nvidia GTC 2024. Намерения Samsung выступить в этой ситуации в качестве партнёра Nvidia с трибуны данного мероприятия говорят о том, что корейский гигант ориентирует новый сервис на клиентов, заинтересованных в развитии собственных систем искусственного интеллекта.

Во-первых, на конференции GTC 2024 компания Samsung Electronics собирается представить систему хранения данных на SSD объёмом 1 петабайт, что соответствует 1000 терабайт. Во-вторых, Samsung объявит о намерениях предложить клиентам в США во втором квартале этого года новую услугу доступа к подобным системам хранения данных по подписке. По замыслу, она заинтересует тех клиентов, которые не желают тратить крупные суммы на доступ к скоростным хранилищам данных большого объёма единовременно. Подписка в данном случае позволит гибко управлять услугой в соответствии с меняющимися запросами клиента и конъюнктурой рынка. Все заботы по обслуживанию системы хранения данных Samsung при этом берёт на себя.

В прошлом году, как сообщает DigiTimes со ссылкой на южнокорейские СМИ, компания Samsung Electronics создала специальное подразделение Digital Twin Task Force, которое было призвано способствовать достижению 100-процентной автоматизации производства чипов к 2030 году. Ускорение поставок необходимого для нужд Samsung оборудования позволяет предположить, что эта цель может быть достигнута несколькими годами ранее.

Источник изображения: Samsung Electronics

Уже сейчас, как поясняет источник, Samsung Electronics уведомляет поставщиков, что будет отдавать приоритет оборудованию с высокой степенью автоматизации. На этапе обработки кремниевых пластин уровень автоматизации операций на предприятиях Samsung уже сейчас превышает 90 %, а вот последующие операции, связанные с упаковкой и тестированием чипов, автоматизированы от силы на 20–30 %. Это объясняется не самым удобным для автоматизации сочетанием манипуляций, но в конечном итоге и в этой сфере требуемый показатель планируется довести до 100 %.

Если поставщики оборудования активно включатся в повышение уровня автоматизации, то цель в 100 % может быть достигнута уже к 2026 году, как ожидают эксперты. Этому будет способствовать и внедрение технологий искусственного интеллекта. Нехватка квалицированных специалистов тоже является фактором, способствующим более быстрому внедрению автоматизированных решений при производстве чипов. На двух своих предприятиях с июня прошлого года Samsung уже использует полностью автоматизированные линии по выпуску чипов. Помимо снижения технологических простоев на 90 %, это позволило на 85 % снизить потребность в кадровых ресурсах.

TSMC, Samsung и Intel соперничают при внедрении похожих инноваций в сфере литографии, пытаясь опередить друг друга в сроках вывода соответствующих новшеств на рынок. Помимо структуры транзисторов с окружающим затвором, они сейчас соревнуются в сроках реализации подвода питания к оборотной стороны кристалла. Intel готова сделать это в рамках своего техпроцесса 20A, а компании Samsung и TSMC ориентируются на собственные 2-нм технологии.

Источник изображения: Samsung Electronics

Если планы Intel и TSMC в этой сфере ни для кого не были секретом, то в отношении Samsung интрига сохранялась, хотя этот южнокорейский производитель структуру транзисторов GAA осмелился внедрить ещё в рамках 3-нм техпроцесса, опередив конкурентов. По информации издания Chosun Biz, компания Samsung рассчитывает реализовать подвод питания с оборотной стороны полупроводникового устройства в рамках 2-нм техпроцесса, выпуск продукции по которому она начнёт в следующем году.

Сочетание данных технологий позволяет сократить площадь кристалла процессора с архитектурой Arm на величину от 10 до 19 %, а рабочую частоту повысить на однозначную величину в процентах. Традиционно питающие дорожки подводились к элементам процессоров за счёт формирования металлизированных слоёв кристалла в его верхней части. По мере увеличения количества слоёв и уменьшения расстояния между элементами делать это становилось всё сложнее, поэтому специалисты задумались о подводе питания с оборотной стороны кристалла. Такой подход позволяет повысить энергоэффективность чипа и одновременно уменьшить площадь кристалла.

Первоначально Samsung рассчитывала внедрить эту технологию к 2027 году одновременно с освоением 1,7-нм техпроцесса, но в условиях возросшей активности конкурентов может перенести сроки на более ранний период, уже в рамках 2-нм технологии. Intel реализует подвод питания с оборотной стороны кристалла в рамках технологии 20A уже в этом году, а компания TSMC собирается сделать это в 2026 году к моменту освоения 2-нм и более «тонких» техпроцессов.

Сегмент памяти типа HBM сейчас развивается очень динамично, поскольку именно ею оснащаются востребованные рынком ускорители вычислений для систем искусственного интеллекта. Компания Samsung Electronics заявила о разработке первого в мире 12-ярусного стека HBM3E совокупной ёмкостью 36 Гбайт, который обеспечивает передачу информации со скоростью 1280 Гбайт/с.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как поясняется в лаконичном пресс-релизе производителя, по критерию ёмкости и скорости передачи информации 12-слойный стек HBM3E более чем на 50 % превосходит имеющиеся на рынке 8-слойные стеки HBM3. Особенностью технологии производства новой памяти является использование термокомпрессии в сочетании с диэлектрической плёнкой при формировании 12-слойных стеков и межслойных соединений. Результирующий 12-слойный стек HBM3E в итоге имеет такую же монтажную высоту, как и 8-слойный. Расстояние между кристаллами памяти в стеке не превышает 7 мкм, что является отраслевым рекордом. Плотность компоновки микросхем в стеке удалось увеличить более чем на 20 %.

Технология Samsung также подразумевает использование контактных шариков разной величины между слоями памяти. Малые шарики используются для передачи сигнала, а более крупные способствуют улучшению теплоотвода. Такая методика производства попутно повышает уровень выхода годной продукции, как утверждает Samsung. По оценкам компании, 12-слойная память типа HBM3E позволяет поднять скорость обучения систем искусственного интеллекта на 34 %, а количество одновременно обращающихся к ним пользователей может вырасти более чем в 11,5 раз по сравнению с 8-слойным стеком HBM3. Поставки памяти HBM3E в 12-ярусном исполнении в виде инженерных образцов для нужд клиентов Samsung уже начались, а массовое производство стартует в первой половине текущего года.