реклама
Новости Hardware

Из-за китайских санкций США занялись разработкой транзисторов на алмазах и нитриде алюминия

В передовых силовых микросхемах и радиочастотных усилителях используются полупроводники с широким значением запрещённой зоны, например, нитрид галлия (GaN). Львиную долю мировых поставок галлия контролирует Китай, и недавно введённые Пекином ограничения на его экспорт означают дополнительные риски для нацбезопасности ряда стран, включая США. Поэтому входящее в Минобороны США агентство DARPA поручило Raytheon разработать синтетические полупроводники из алмазов и нитрида алюминия в качестве альтернативы GaN.

 Источник изображения: Maxence Pira / unsplash.com

Источник изображения: Maxence Pira / unsplash.com

Цель Raytheon — обеспечить внедрение данных материалов в оборудование, предназначенное для современных и перспективных радиолокационных и коммуникационных систем: радиочастотные переключатели, ограничители и усилители мощности — это поможет расширить их возможности и дальность действия. Такие компоненты будут применяться в аппаратуре для зондирования, радиоэлектронной борьбы, направленной передачи энергии и в системах высокоскоростного оружия, включая гиперзвуковое. В будущем, вполне возможно, подобные полупроводники найдут применение и в гражданской сфере, например, в электромобилях, системах связи и других приложениях.

Ведущим материалом в силовых и высокочастотных полупроводниках является нитрид галлия, ширина запрещённой зоны которого составляет 3,4 эВ. Его возможности способен превзойти синтетический алмаз с 5,5 эВ — он окажется полезным в оборудовании, где критически важны высокочастотные характеристики, высокая подвижность электронов, экстремальный контроль температур, высокие мощность и долговечность. Но синтетический алмаз пока является новым материалом в полупроводниковой сфере, и до сих пор существуют проблемы, связанные с его массовым производством. Ещё более широкая запрещённая зона в 6,2 эВ у нитрида алюминия, а значит, он даже лучше подходит для такого оборудования. Но Raytheon только предстоит разработать соответствующие полупроводниковые компоненты.

На первом этапе компания займётся разработкой полупроводниковых плёнок на основе алмаза и нитрида алюминия. На втором — эти технологии будут оптимизироваться для работы на пластинах большего диаметра, в частности, для сенсорных систем. Обе фазы Raytheon надлежит завершить за три года. У компании уже есть опыт в интеграции GaN- и GaAs-компонентов в радиолокационное оборудование, поэтому и с новой задачей она, вероятно, справится.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Вечерний 3DNews
Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий.
Материалы по теме
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
«Сердечное спасибо всем»: аудитория олдскульной ролевой игры Sea of Stars превысила 6 млн игроков 7 мин.
World of Warcraft исполнилось 20 лет — это до сих пор самая популярная ролевая игра в мире 19 ч.
Microsoft хочет, чтобы у каждого человека был ИИ-помощник, а у каждого бизнеса — ИИ-агент 22 ч.
«Атака на ближайшего соседа» сработала — хакеры удалённо взломали компьютер через Wi-Fi поблизости 23 ч.
Google Gemini сможет управлять приложениями без пользователя и даже не открывая их 23-11 08:00
Илон Маск отделался выплатой $2923 за неявку для дачи показаний по делу о покупке Twitter 23-11 06:25
Microsoft открыла доступ к скандальной ИИ-функции Recall — пользователям разрешили ограничить её «подглядывания» 23-11 00:59
Новая статья: Death of the Reprobate: что не так на картине? Рецензия 23-11 00:05
Блогер показал, как пройти Baldur’s Gate 3, не делая в бою абсолютно ничего 22-11 23:52
Главный конкурент OpenAI получил $4 млрд на развитие ИИ без следов Хуанга 22-11 23:13