На уходящей неделе землетрясение на Тайване, которое стало сильнейшим за предыдущие 25 лет, заставило немало поволноваться инвесторов, поскольку на острове сосредоточены передовые предприятия по выпуску чипов, включая заводы компании TSMC. Она к концу недели решила заявить, что не будет пересматривать годовой прогноз по выручке в свете недавних событий.

Источник изображения: TSMC

Как отмечает Reuters со ссылкой на высказывания представителей этого тайваньского контрактного производителя чипов, TSMC сохраняет прогноз по росту выручки в текущем году в диапазоне от 21 до 25 %, в полном соответствии с оценкой, сделанной ещё в январе этого года. К пятнице, по словам представителей компании, почти всё оборудование на тайваньских предприятиях TSMC удалось вернуть в строй. Как отмечалось ранее, некоторые производственные линии пострадали, но они либо относились к экспериментальным, на которых тестируется выпуск 2-нм продукции, либо к зрелым техпроцессам, которые не влияют на выпуск наиболее востребованных 3-нм, 4-нм и 5-нм изделий.

Компания продолжает оценивать ущерб и будет делиться информацией со своими клиентами в тех случаях, когда это необходимо. Строительство новых предприятий TSMC на острове тоже было возобновлено примерно через сутки после землетрясения. Развивая на протяжении нескольких десятилетий свой бизнес в сейсмоопасном регионе, TSMC научилась строить устойчивые к таким стихийным бедствиям здания, но в некоторых случаях от землетрясений страдает оборудование и инженерная инфраструктура. В любом случае, сейчас TSMC не видит угроз для выполнения своей годовой производственной программы, а потому не считает нужным пересматривать прогноз по выручке на этот год в сторону ухудшения.

Компания Kioxia планирует перейти к массовому производству чипов флеш-памяти 3D NAND с более чем 1000 слоёв к 2031 году. Об этом, как пишет издание Xtech Nikkei, на лекции в ходе 71-го весеннего собрания Общества прикладной физики в Токийском университете сообщил технический директор Kioxia Хидефуми Миядзима (Hidefumi Miyajima). В рамках своего выступления он затронул вопросы, связанные с техническими проблемами и способами их решения для создания 1000-слойных чипов 3D NAND.

Источник изображения: Kioxia

Увеличение количества активных слоёв в чипах флеш-памяти 3D NAND в настоящее время является лучшим способом повысить плотность записи на такие микросхемы. Все производители памяти 3D NAND стремятся увеличивать количество слоёв в составе чипов с помощью более передовых техпроцессов каждые 1,5–2 года. Каждый переход на новый техпроцесс сопряжён с рядом проблем, поскольку производителям 3D NAND приходится не только увеличивать количество слоев, но также сжимать ячейки NAND как по горизонтали, так и по вертикали. Это требует от производителей использования новых материалов, что является настоящей головной болью для специалистов их научно-исследовательских центров.

На сегодняшний день самыми передовыми чипами флеш-памяти 3D NAND в ассортименте Kioxia являются BiCS 3D NAND 8-го поколения с 218 активными слоями и скоростью передачи данных 3,2 Гбит/с. Они были представлены производителем в марте 2023 года. В этом поколении флеш-памяти представлена новая архитектура CBA (CMOS directly Bonded to Array), предлагающая отдельное производство пластин массива ячеек памяти 3D NAND и пластин CMOS ввода-вывода, а затем их последующее объединение с помощью наиболее подходящих для этих целей технологий. В результате получается продукт с повышенной битовой плотностью и улучшенной скоростью ввода-вывода NAND, на основе которого можно создавать одни из самых лучших твердотельных накопителей на рынке.

Компания Kioxia и её производственный партнёр Western Digital не раскрывают всех подробностей архитектуры CBA. Неизвестно, включают ли CMOS-платы ввода-вывода дополнительные периферийные схемы NAND, такие как страничные буферы, усилители считывания и зарядовые насосы. Однако применение метода раздельного производства ячеек памяти и периферийных схем позволяет производителям использовать для создания того или иного компонента памяти 3D NAND наиболее эффективные технологические процессы.

Следует напомнить, что компания Samsung ещё в 2022 году подтвердила планы начать выпуск 1000-слойной флеш-памяти 3D NAND к 2030 году.

В позапрошлом году Samsung Electronics начала строить в техасском городе Тейлор новое предприятие стоимостью $17 млрд, которое должно начать выпуск 4-нм продукции по заказам сторонних клиентов либо в конце этого года, либо в следующем. Почувствовав прилив сил, корейский гигант в середине этого месяца собирается объявить о намерениях увеличить бюджет американских строек до $44 млрд с целью появления в Тейлоре ещё двух своих предприятий.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом сообщает издание The Wall Street Journal со ссылкой на осведомлённые источники. Соответствующее заявление представители Samsung Electronics должны сделать 15 апреля на специальной церемонии в Тейлоре, как отмечает этот ресурс. Сумма в $44 млрд должна охватить все проекты, реализуемые Samsung в окрестностях города в обозримой перспективе. Во-первых, первоначальных $17 млрд на строительство первого предприятия и его оснащение современным оборудованием явно не хватит.

Во-вторых, Samsung готова потратить более $20 млрд на строительство второго предприятия в Тейлоре, которое тоже будет выпускать чипы на контрактной основе. Не исключено, что оно будет использовать более прогрессивный техпроцесс по сравнению с упоминаемым 4-нм. В-третьих, ещё около $4 млрд компания готова потратить на строительство в Тейлоре линии по тестированию и упаковке чипов с использованием сложной пространственной компоновки. Грубо говоря, на такой линии можно будет тестировать и упаковывать память типа HBM, которая нужна для ускорителей вычислений в серверном сегменте. Такой проект открывает перед Samsung перспективы сотрудничества с Nvidia по выпуску памяти для её ускорителей прямо на территории США. Тем более, что у конкурирующей SK hynix подобное предприятие должно будет появиться в штате Индиана ко второй половине 2028 года.

Какая-то часть общего бюджета, по всей видимости, пойдёт и на организацию научно-исследовательской деятельности в этом районе штата Техас. У Samsung с 1996 года действует в соседнем Остине предприятие по выпуску чипов, но оно полагается на более старые техпроцессы. Два года назад корейская компания объявила, что готова за последующие двадцать лет потратить $200 млрд на строительство в Техасе 11 новых предприятий. Подобные масштабы планирования в целом присущи корейскому бизнесу, но важно понимать, что стремительное меняющаяся конъюнктура вносит свои коррективы даже в куда более скромные проекты. Власти США, по предварительным данным, готовы выделить Samsung до $6 млрд субсидий на строительство предприятий на территории страны, поэтому компания заинтересована в демонстрации крупных амбиций ради стимулирования подобных инвестиций.

Стоило руководству Intel не без сожаления признать, что в прошлом году компания на производстве чипов своими силами потеряла около $7 млрд, как этот аргумент в устах генерального директора превратился в довод в пользу увеличения усилий по обретению США технологического суверенитета в сфере изготовления полупроводниковых компонентов.

Источник изображения: Intel

Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger), как отмечает South China Morning Post, на заседании Совета по международным отношениям в Нью-Йорке заявил о необходимости пересмотра отношения общественности к тем усилиям, которые компания предпринимает для восстановления своего технологического лидерства. «Я хочу, чтобы (инвесторами Intel становились) люди, которые верны стратегическим целям перестройки самой выдающейся компании в американской истории, которые готовы строить предприятия на долгосрочной основе ради цифрового будущего, которое более важно для каждого аспекта человеческой жизни, национальной безопасности и экономических основ. Вот кого я хочу видеть моими инвесторами», — заявил глава Intel.

Гелсингер подчеркнул, что из трёх компаний, способных выпускать передовые чипы, только одна является западной, намекая на Intel. Он надеется, что построение «западных цепочек поставок» оправдает себя с точки зрения затрат уже к 2027 году, когда компания рассчитывает перейти к операционной безубыточности, а затем получать «хорошую прибыль». Чтобы обрести утраченную конкурентоспособность, по словам главы Intel, западные компании должны сейчас вкладывать чрезмерные суммы денег. Напомним, что недавно власти США одобрили выделение Intel безвозвратных субсидий на строительство новых предприятий на территории страны в размере $8,5 млрд, ещё $11 млрд будут получены в виде льготных кредитов, а $25 млрд налоговых вычетов дополнят описание поддержки, которую правительство США готово оказать Intel.

На протяжении трёх десятилетий, по словам Гелсингера, создавались более благоприятные условия для развития производств чипов в Азии. В середине девяностых годов прошлого века на территории США выпускалось 40 % всех полупроводниковых компонентов в мире, но к настоящему моменту эта доля опустилась ниже 10 %, причём действующих передовых производств на территории страны нет вообще.

Как заявил Гелсингер, выпускать половину мирового объёма чипов в ста километрах от китайской территории довольно рискованно и опасно для всей мировой отрасли. Недавнее землетрясение на Тайване, по его мнению, только подчёркивает необходимость скорейшей диверсификации цепочек поставок.

Если Intel к 2025 году станет технологическим лидером в сфере литографии, то США в дальнейшем удастся опережать Китай в этой сфере, при условии сохранения санкций, как пояснил глава компании. При этом спрос на передовые компоненты западного производства со стороны Китая только будет расти, и западные компании будут стремиться попасть на рынок КНР. Угрозы для национальной безопасности США в технологической сфере со стороны Китая существуют, как признаёт Гелсингер, но совместными с Европой и Японией усилиями страна сможет определять развитие всей мировой полупроводниковой отрасли.

Подводя итоги межведомственному расследованию о происхождении выпускаемых китайцами 7-нм процессоров, американские чиновники пришли к выводу, что китайские производители не имеют возможности выпускать их в достаточных количествах, а подходящее для этого оборудование рано или поздно выйдет из строя. Ускорить последний процесс помогут санкции, к введению которых власти США склоняют Нидерланды.

Источник изображения: ASML

Напомним, что американским поставщикам оборудования для производства чипов власти США уже запретили обслуживать свою продукцию, работающую на территории КНР. Аналогичные усилия будут предприниматься и в отношении нидерландской ASML, которая является крупнейшим поставщиком литографических сканеров для выпуска чипов. Об этом ещё раз заявило агентство Reuters на текущей неделе, пояснив, что курирующий вопросы экспортного контроля в Министерстве торговли США Алан Эстевез (Alan Estevez) в понедельник проведёт тематические переговоры с властями Нидерландов во время своего визита в эту страну.

Кроме того, американский чиновник может обсудить с нидерландскими коллегами расширение списка китайских компаний и предприятий, находящихся под технологическими санкциями. МИД Нидерландов уже подтвердило, что визит Алана Эстевеза состоится в понедельник, но отказалось давать пояснения относительно повестки дня.

Для ASML китайский рынок остаётся вторым по величине после Тайваня, в КНР компания по итогам прошлого года получила 29 % всей выручки, а потому ограничения на обслуживание местных клиентов могут подорвать финансовые показатели европейского производителя оборудования. Конечно, запрет не будет носить тотального характера, поскольку речь идёт лишь об определённых типах оборудования, но тенденция к усилению экспортного контроля вряд ли обрадует этого поставщика. Решительно настроен и премьер-министр Нидерландов Марк Рютте (Mark Rutte), который готов блокировать поставки в Китай передового технологического оборудования, исходя из интересов ослабления промышленного потенциала России. Считается, что Рютте является одним из главных претендентов на пост генерального секретаря НАТО, а потому в таких вопросах он готов демонстрировать решимость.

Опубликованные южнокорейским гигантом Samsung Electronics предварительные итоги первого квартала оказались лучше ожиданий по значению операционной прибыли, которая в годовом сравнении выросла в десять с лишним раз до $4,89 млрд. Выручка выросла только на 11,4 % до $52,5 млрд, оказавшись хуже ожиданий.

Источник изображения: Samsung Electronics

По мнению аналитиков, подобная динамика основных финансовых показателей деятельности Samsung может говорить об улучшении ситуации со складскими запасами флеш-памяти NAND, которую компания производит в больших количествах. По крайней мере, выросшие цены на память позволяют компании оценивать имеющиеся запасы более выгодно. Кроме того, недавнее землетрясение на Тайване даст возможность корейским производителям памяти поднимать цены на свою продукцию более агрессивно, если у тайваньских производителей и Micron возникнут проблемы с работой их предприятий на острове. Samsung должна получить контракты Nvidia на поставку микросхем памяти типа HBM3E для своих ускорителей вычислений, на этот фактор многие аналитики тоже предлагают делать ставку.

Скорее всего, и январский дебют смартфонов семейства Galaxy S24 оказался удачным. Предполагается, что объёмы поставок смартфонов Samsung в целом последовательно выросли на 8 % до 57 млн штук, а средняя цена их реализации поднялась сразу на 30 % до $340 за устройство. Представители Counterpoint Research считают, что спрос на смартфоны семейства Galaxy S24 оказался на 10 % выше, чем в случае с предшественниками.

В последовательном сравнении операционная прибыль Samsung увеличилась более чем в два раза, а выручка выросла на 4,8 %. Полный квартальный отчёт компания опубликует 30 апреля, поэтому подробный анализ результатов её деятельности в первом квартале придётся отложить до конца месяца. На протяжении всего прошлого года полупроводниковый бизнес Samsung оставался убыточным на операционном уровне, во многом из-за динамики цен на микросхемы памяти. Так или иначе, инвесторы особым оптимизмом после оглашения предварительных данных о доходах Samsung в первом квартале не заразились, после начала торгов курс акций компании опустился на 1,4 %.

Китайская компания Maxio Technology представила серию SSD-контроллеров стандарта PCIe 5.0 для потребительских накопителей среднего и высокого уровня, а также корпоративных решений. Производитель заявляет, что новинки смогут обеспечить скорость передачи данных до 14,8 Гбайт/с, что ставит их в один ряд с самыми производительными SSD-контроллерами в мире.

Источник изображения: Maxio

Контроллер MAP1803 предназначен для накопителей корпоративного уровня и обладает поддержкой 16 каналов для подключения флеш-памяти 3D NAND со скоростью до 3200 МТ/с. Модели MAP1806 предназначена для высококлассных потребительских SSD с поддержкой восьми каналов для флеш-памяти 3D NAND со скоростью до 3600 МТ/с. Наконец, чип MAP1802 для потребительских SSD среднего уровня поддерживает четыре канала флеш-памяти со скоростью до 4800 МТ/с каждый. Первый может использоваться для производства SSD объёмом до 64 Тбайт, второй — до 16 Тбайт, а третий — до 8 Тбайт. Максимальная скорость последовательного чтения SSD-контроллеров PCIe 5.0 от Maxio заявлена от 14 до 14,8 Гбайт/с, а записи — от 13,5 до 14,5 Гбайт/с.

Источник изображения: Tom's Hardware

В целом SSD-контроллеры Maxio серии MAP1800 очень похожи. Они все соответствуют протоколу NVMe 2.0 и предлагают поддержку алгоритмов LDPC для коррекции ошибок и повышения надёжности. От корпоративных накопителей с контроллером MAP1803 можно ожидать наличие различных функций, повышающих их надёжность и долговечность.

Как сообщает китайское издание MyDrivers, новинки от Maxio были продемонстрированы на недавней технологической выставке. Однако SSD на их основе не показали. Вполне возможно, что речь идёт о ранних образцах контроллеров. И учитывая тот факт, что разработка и оптимизация ПО для таких решений занимает немало времени, первые потребительские SSD на их основе могут появиться не ранее 2025 года, а накопители корпоративного уровня — ещё позже.

Maxio Technology является одной из немногих компаний, которой удалось создать SSD-контроллеры с поддержкой интерфейса PCIe 5.0 x4. К настоящему моменту помимо неё такие решения представили Innogrit, Marvell, Phison, Samsung и Silicon Motion. Стоит также добавить, что Maxio не является новичком в производстве SSD-контроллеров, поскольку компания ещё несколько лет назад приобрела этот бизнес у JMicron, имеющей многолетний опыт работы с NAND-контроллерами.

TrendForce предоставила свежий отчёт о динамике работы тайваньских полупроводниковых заводов после произошедшего 3 апреля землетрясения. Многие фабрики оказались расположены в районах, подвергшихся землетрясению 4-го уровня интенсивности. Поскольку на тайваньских полупроводниковых заводах приняты меры по смягчению сейсмических воздействий на 1-2 уровня, предприятия в основном смогли быстро возобновить работу после остановок и проведённых инспекций.

Источник изображения: Maxence Pira / unsplash.com

В секторе производства памяти DRAM землетрясение сильнее всего затронуло завод Fab 3A компании Nanya в городе Синьбэй (Новый Тайбэй), а также завод Micron, расположенный в районе Линькоу в Тайбэе. На фабрике Nanya в основном производятся продукты на основе 20–30 нм техпроцессов, а также ведётся разработка нового техпроцесса 1β (1-бета). Заводы Micron в Линькоу и Тайчжун, объединённые в одно предприятие, являются критически важными площадками для производства DRAM, где применяется передовой техпроцесс производителя 1β. Ожидается, что оба производства полностью восстановятся в течение нескольких дней. Другие предприятия по производству DRAM постепенно возобновили работу после инспекций. Компании PSMC и Winbond сообщили об отсутствии ущерба.

Что касается контрактного производства чипов, то фабрики TSMC по обработке 150- и 200-мм пластин, включая заводы Fab 2, Fab 3, Fab 5, Fab 8, а также Fab 12 с исследовательским центром, новейший завод Fab 20 в Баошане и Синьчжу расположены в районах, подвергшихся землетрясению 4-го уровня интенсивности. На заводе Fab 12 прорвало трубы и был нанесён некоторый ущерб оборудованию, в основном связанному с 2-нм техпроцессом, который массово не используется производителем. Ожидается, что эти повреждения окажут краткосрочное влияние на операционную деятельность компании и потенциально потребует приобретения нового оборудования, что приведёт к незначительному увеличению капитальных затрат. Другие предприятия компании возобновили производство вскоре после проведённых инспекций, указавших на отсутствие какого-либо значимого ущерба.

Заводы TSMC, где применяются передовые технологические процессы от 3 до 5 нм, отличаются более высокими коэффициентами загрузки мощностей. Они не эвакуировали персонал и сумели возобновить более 90 % своей деятельности в течение 6–8 часов после землетрясения. Заводы по упаковке чипов с использованием технологии CoWoS, в частности AP3 в Лунтане и AP6 в Чжунане, после эвакуации персонала вскоре возобновили деятельность несмотря на то, что в ходе инспекций были выявлены некоторые повреждения водой холодильных агрегатов. Благодаря резервным установкам работа быстро была восстановлена.

В Синьчжу у компании UMC находятся одно предприятие по обработке 150-мм и шесть заводов для 200-мм кремниевых пластин. Кроме того, в Тайнане расположен завод для обработки 300-мм пластин. В основном на этих фабриках массово выпускается продукция по нормам от 90 до 22 нм. У PSMC в Синьчжу и Мяоли находятся предприятия по обработке 200- и 300-мм пластин, где в основном выпускаются продукты нишевых сегментов с применением 25 и 21 нм техпроцессов. У Vanguard три завода для обработки 200-мм пластин находится в Синьчжу и один в городе Таоюань. Все они возобновили производство вскоре после кратковременного закрытия для инспекции и эвакуации персонала.

Компания Samsung добавила в свой план по выпуску новых продуктов память 3D DRAM. Информацией об этом производитель поделился на технологической конференции Memcom. Компания планирует представить первый технологический процесс для производства 3D DRAM в течение ближайших четырёх лет.

Источник изображения: Samsung

Крупнейший в мире производитель памяти планирует внедрить производство DRAM с транзисторами с вертикальным каналом (VCT) при переходе на техпроцессы тоньше 10 нм для выпуска памяти, следует из слайда компании, продемонстрированного на конференции Memcom.

Транзистор с вертикальным каналом (VCT) может представлять собой разновидность FinFET, в котором проводящий канал обёрнут тонким кремниевым «плавником», образующим корпус транзистора. VCT также может представлять собой транзистор с кольцевым затвором (GAA), в котором материал затвора окружает проводящий канал со всех сторон. В случае Samsung речь, судя по всему, идёт о процессе производства DRAM на основе FinFET.

От внедрения техпроцесса тоньше 10 нм для производства памяти компанию Samsung отделяет два поколения техпроцессов. Наиболее свежим сейчас является пятое поколение технологии 10-нм класса (фактически 12 нм), которая была представлена в середине 2023 года. Samsung готовит ещё две технологии 10-нм класса, а первое поколение техпроцесса тоньше 10-нм ожидается у производителя во второй половине этого десятилетия.

Источник изображения: Tokyo Electron

Применение 3D-транзисторов для DRAM подразумевает создание и применение конструкции ячеек формата 4F², считающегося с одной из самых эффективных схем расположения ячеек памяти с точки зрения производственных затрат. Производитель оборудования для выпуска чипов, компания Tokyo Electron, ожидает, что производство DRAM с VCT и форматом ячеек 4F² начнётся в 2027–2028 годах. Компания полагает, что для производства DRAM на основе VCT производителям памяти придётся использовать новые материалы для конденсаторов и разрядных шин.

Из предоставленного Samsung изображения планов по выпуску будущих продуктов также становится известно, что компания планирует адаптировать технологию производства многоуровневой памяти DRAM в начале 2030-х, тем самым значительно повысив плотность своих чипов памяти в ближайшие десять лет.

Ещё в начале февраля появились слухи о готовности южнокорейской компании SK hynix построить в штате Индиана предприятие по выпуску микросхем памяти класса HBM. На этой неделе данные намерения были подтверждены официально: на строительство предприятия SK hynix потратит $3,87 млрд, а работу оно начнёт во второй половине 2028 года.

Источник изображения: SK hynix

Помимо линии по тестированию и упаковке памяти типа HBM адекватного тому времени поколения, американское предприятие SK hynix разместит и профильный исследовательский центр, который сосредоточится на разработке прогрессивных методов упаковки чипов. Представители SK hynix отдельно подчеркнули, что новое предприятие позволит укрепить цепочки поставок, направленные на снабжение рынка США передовыми чипами для ускорения систем искусственного интеллекта.

Теоретически, если к тому времени в Аризоне начнёт функционировать второе предприятие TSMC, которое сможет выпускать 3-нм чипы, то Nvidia сможет получать на территории США как ускорители вычислений собственной разработки, так и память для них, хотя сейчас она в этом отношении сильно зависит от Тайваня и Южной Кореи соответственно, причём конечный этап сборки и тестирования чипов всё равно проходит на Тайване, где компания TSMC располагает линиями по упаковке компонентов с использованием технологии CoWoS.

Расположенный в Индиане Университет Пердью окажется в одном с будущим предприятием SK hynix городе Уэст-Лафейетт, что позволит этому учебному заведению готовить кадры для предприятия южнокорейской компании. Соответствующие договорённости уже достигнуты, а ещё местные власти готовы способствовать развитию необходимой транспортной и инженерной инфраструктуры. Сможет ли SK hynix претендовать на федеральные субсидии по «Закону о чипах» США, пока сказать сложно, ибо выделение средств идёт очень медленно, и ближе к началу очереди уже стоят более крупные проекты других компаний. Предприятие SK hynix в Индиане должно обеспечить работой более тысячи местных жителей.

Вчерашний вебинар Intel на тему оптимизации организационной структуры затрагивал и тему освоения передовых литографических технологий, выпуск серийных изделий по технологии 18A в массовых количествах руководство пообещало наладить в 2026 году. Представители TrendForce утверждают, что и у других контрактных производителей чипов строительство предприятий для выпуска продукции 2-нм класса идёт по плану.

Источник изображения: TSMC

Помимо традиционных конкурентов Intel в лице TSMC и Samsung, освоить выпуск 2-нм продукции к 2027 году рассчитывает и основанная недавно в Японии компания Rapidus, которая опирается на технологическую помощь американской IBM и ряда европейских исследовательских институтов. Власти Японии охотно субсидируют молодого игрока контрактного рынка, стремясь придать национальной экономике новый импульс для развития. Уже в 2025 году, как отмечает TrendForce, Rapidus рассчитывает освоить выпуск опытных образцов 2-нм продукции на строящемся сейчас предприятии в Японии. Местные компании готовятся начать снабжать её необходимым для выпуска 2-нм продукции оборудованием и оснасткой буквально в ближайшие пару лет.

Ассоциация SEMI недавно сообщила, что TSMC и Intel могут завершить строительство предприятий по выпуску 2-нм продукции уже к концу этого года, причём именно Intel может первой освоить коммерческий выпуск изделий такого класса. По крайней мере, процессоры семейства Arrow Lake должны использовать компоненты, выпускаемые по технологии Intel 20A. Если ранее считалось, что EUV-сканеры ASML с высоким значением числовой апертуры понадобятся компании для серийного выпуска продукции по технологии Intel 18A, то теперь известно, что они будут внедрены на более поздних этапах.

Источник изображения: TrendForce

TSMC ускоренными темпами оснащает фабрику Fab20 P1 в Синьчжу оборудованием, необходимым для производства 2-нм продукции, опытные партии изделий начнут сходить с конвейера во второй половине 2024 года, а выпуск 2-нм компонентов мелкими партиями должен быть налажен ко второму кварталу 2025 года.

Samsung Electronics планирует наладить выпуск 2-нм изделий для мобильных устройств уже в 2025 году, а в 2026 году рассчитывает применить этот техпроцесс для выпуска высокопроизводительных компонентов. В автомобильном сегменте 2-нм техпроцесс Samsung начнёт применять к 2027 году.

Изделия 1-нм класса, по данным TrendForce, контрактные производители планируют начать выпускать в период с 2027 по 2030 годы. В частности, к концу 2027 года начнётся освоение техпроцесса Intel 10A. Корейская Samsung Electronics собирается наладить выпуск 1,4-нм чипов к концу 2027 года. В рамках технологии SF1.4 компания рассчитывает увеличить количество нанолистов в структуре транзисторов с трёх до четырёх штук, и это благоприятно скажется на их производительности и уровне энергопотребления. TSMC освоит техпроцесс A14 в 2027 году, а к концу десятилетия перейдёт на 1-нм техпроцесс A10. Для выпуска чипов по этой технологии в центральной части Тайваня будет построена новая фабрика.

Вчера представители Intel признались, что производство чипов в прошлом году принесло компании $7 млрд операционных убытков, а в текущем году эта сумма может даже увеличиться, прежде чем к 2027 году на этом направлении будет достигнута операционная безубыточность. Данные откровения после завершения вчерашней торговой сессии привели к снижению курса акций Intel более чем на 8 %.

Источник изображения: Intel

Хотя это было предсказуемо, обсуждающие данную информацию аналитики не столь категоричны в своих оценках ситуации. Эксперты Cantor Fitzgerald, например, похвалили Intel за переход на более открытую структуру финансовой отчётности, позволяющую оценить эффективность её производственного подразделения. По их словам, компании предстоит большая работа по выходу на безубыточность. Представители Stifel признали стратегические планы Intel воодушевляющими, но отметили, что в ближайшие годы акции прочих участников рынка систем искусственного интеллекта будут более привлекательными — тех же Nvidia или AMD, например.

В ходе вчерашнего вебинара, посвящённого реформам Intel в структуре финансовой отчётности, финансовый директор Дэвид Зинснер (David Zinsner) пояснил, что переход на использование литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) позволил компании снизить себестоимость изготовления чипа с 100 млн транзисторов в два раза по сравнению с традиционной литографией. Поскольку в дальнейшем Intel сосредоточится именно на EUV-литографии, это обеспечит ей заметное преимущество в себестоимости продукции с теми игроками контрактного рынка, которые с переходом на EUV по тем или иным причинам медлят.

Зинснер также пояснил, что реформирование собственного производственного бизнеса Intel позволило повысить экономическую дисциплину разработчиков внутри компании. Они стали реже размещать срочные заказы на изготовление опытных партий чипов, чем ранее регулярно злоупотребляли, внося хаос в график работы производственных линий и повышая затраты. В прошлом году количество срочных заказов со стороны собственных разработчиков Intel удалось сократить на 95 %, а эффективность использования капитала на новых производственных линиях Intel выросла на 5–10 %.

Штатные проектировщики Intel на 10 % реже стали заказывать в производство инженерные образцы новых чипов, а время тестирования образцов изделий нового поколения в клиентском сегменте сократилось на 75 %. Всё это должно способствовать снижению затрат по сравнению с прежней моделью финансирования.

Генеральный директор Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger) добавил, что к 2030 году Intel собирается сохранить структуру работы с внутренними заказами, обеспечивающую соотношение «70:30» по сравнению с внешними. Другими словами, даже в конце десятилетия производственное подразделение Intel продолжит работать преимущественно на собственные нужды компании. Но вторым по величине выручки контрактным производителем чипов в мире Intel к 2030 году собирается стать именно с учётом суммы внешних заказов, как пояснил глава компании. Уже в прошлом году производственная деятельность Intel стала источником 35 % выручки компании, но на рынке контрактных услуг она занимала не более 1 %. В прошлом году капитальные затраты Intel по статье «незавершённое строительство» достигли $43,4 млрд против $36,7 млрд годом ранее.

Вчера утром землетрясение на восточном побережье Тайваня магнитудой 7,4 балла привело к приостановке предприятий TSMC, расположенных на этом острове. Компания заявила вечером, что рассчитывает возобновить их работу к сегодняшнему утру. Передовое и дорогостоящее оборудование для работы с EUV-литографией не пострадало, хотя без ущерба в целом не обошлось.

Источник изображения: TSMC

К вечеру тайваньские власти сообщили, что в результате землетрясения на острове погибли девять человек и пострадали более тысячи, судьба ещё 143 пока не определена, поскольку они либо остаются под завалами, либо пропали без вести.

TSMC добавила, что критически важное оборудование для производства чипов в результате землетрясения не пострадало. Тем не менее, некоторые «небольшие инструменты» повреждены, и это затронет работу нескольких фабрик. В течение первых десяти часов после землетрясения компании удалось восстановить работу 70 % оборудования для производства чипов. Передовое предприятие Fab 18 на юге Тайваня, где выпускаются чипы для Apple и Nvidia по техпроцессам 3 и 5 нм, к тому моменту восстановило свою работу на 80 %. Конкурирующая UMC просто сообщила о том, что предпринимает меры к скорейшему перезапуску работы своих остановленных предприятий на Тайване.

Работа на строительных площадках TSMC будет возобновлена после проведения обследований возводимых объектов. На юге острова предприятия TSMC, которые специализируются на выпуске 3-нм, 4-нм и 5-нм чипов, приостанавливали свою работу на период от 8 до 15 часов, по словам источников Reuters. По мнению аналитиков Barclays, даже непродолжительная остановка производственных линий TSMC потребует восстановительных работ, которые растянутся на недели. Компенсировать выпавшие объёмы производства чипов придётся дополнительной нагрузкой на предприятия после их полного восстановления, цены на продукцию могут в результате возрасти. Складские запасы готовой продукции, которые участники рынка на протяжении многих предыдущих месяцев пытались сократить до минимума, не позволят в полной мере компенсировать последствия перебоев в производстве.

Сотрудники некоторых заводов тайваньского контрактного производителя чипов TSMC начали возвращаться на свои рабочие места после экстренной эвакуации из-за крупнейшего за последние 25 лет землетрясения, поразившего остров рано утром в среду, пишет издание CNBC.

Источник изображения: TSMC

Остров подвергся серии мощных землетрясений. По оценкам различных источников их магнитуда варьировалась от 6,3 до 7,7 баллов. Также было зафиксировано до 60 афтершоков магнитудой от 4,1 балла. Толчки, вызвавшие обрушение зданий, ощущались на всём острове Тайвань. Землетрясение также ощущалось в провинциях Фуцзянь и Цзянси КНР, на юге континентального Китая было остановлено движение поездов. В японской префектуре Окинава, на побережье Китая и Филиппин была объявлена угроза цунами. В результате природной катастрофы погибли 7 человек, 736 человек было ранено.

Крупнейший в мире производитель полупроводников TSMC оценил убытки для компании в $60 млн. Её представитель в разговоре с журналистами отметил, что при первоначальном осмотре на производствах не было обнаружено разрушений, однако компания решила приостановить работы на сегодня. Представитель TSMC также добавил, что компания продолжит работу после более тщательного исследования своих производств. Оценка вероятного ущерба пока продолжается.

Ранее в TSMC также сообщили, что согласно внутренним протоколам безопасности часть сотрудников с некоторых фабрик была эвакуирована. Акции TSMC упали на 1%. Фондовый индекс Тайваньской фондовой биржи снизился на 0,9%. TSMC — крупнейшая компания в индексе с рыночной капитализацией в 639,65 миллиарда долларов.

Строительство предприятия TSMC в штате Аризона, как принято считать, идёт с некоторой задержкой относительно первоначального графика, но это не должно помешать ему наладить серийный выпуск продукции по 4-нм техпроцессу N4 к первой половине следующего года. Уже в середине текущего месяца на предприятии будет освоен выпуск тестовых чипов.

Источник изображения: TSMC

Об этом сообщают тайваньские СМИ, рассчитывающие на упоминание данного факта на предстоящей пресс-конференции TSMC, которая пройдёт 18 апреля. Мероприятие должно быть посвящено преимущественно оглашению финансовых результатов первого квартала, но упоминания о прогрессе в строительстве аризонского предприятия вряд ли удастся избежать хотя бы в силу ожидания решения американских властей по поводу выделения TSMC профильных субсидий. Принято считать, что тайваньская компания может получить от властей США до $5 млрд на реализацию проектов в штате Аризона. Это не так много, если учесть, что строительство двух предприятий по производству чипов с использованием передовых технологий N4 и N3 обойдётся компании примерно в $40 млрд.

Тайваньские источники поясняют, что в среднем от начала выпуска тестовых чипов на новой производственной линии до освоения массового производства проходит от шести до семи месяцев, поэтому к концу текущего года первое предприятие TSMC в Аризоне должно быть технически готово к переходу на массовый выпуск 4-нм чипов для клиентов. Конкурирующие Intel и Samsung тоже строят в США новые предприятия по контрактному выпуску чипов, причём первая уже получила предварительные гарантии от властей на предоставление $8,5 млрд в виде субсидий и льготного кредита на сумму $11 млрд. Кроме того, за несколько лет Intel сможет вернуть до $25 млрд в форме налоговых вычетов.