SK hynix запустила массовое производство стеков памяти HBM3E

Южнокорейская компания SK hynix с момента выпуска памяти HBM первого поколения оставалась основным поставщиком соответствующих микросхем для нужд AMD и Nvidia, а уже после сегодняшнего анонса ускорителей Nvidia B200 решила не скрывать своих намерений начать массовые поставки микросхем HBM3E, которые уже относятся к пятому поколению. В конце этого месяца крупный клиент SK hynix начнёт получать от компании микросхемы HBM3E.

Источник изображения: SK hynix

Легко догадаться, что этим клиентом будет Nvidia, хотя прямых ссылок на этого партнёра в тексте пресс-релиза SK hynix нет. Зато корейский производитель упоминает о той самой технологии MR-MUF (массовой оплавки изоляционного слоя с частичным заполнением формы), которая позволяет на 10 % улучшить условия теплоотвода от микросхем HBM3E и повысить уровень выхода годной продукции по сравнению с альтернативной технологией NCF, подразумевающей использование изолирующей плёнки для разделения кристаллов памяти в стеке. Напомним, что Samsung интересуется внедрением первой из этих технологий при производстве памяти HBM3E своими силами, поскольку рассчитывает за счёт этого не только увеличить объёмы выпуска продукции, но и завоевать благосклонность Nvidia на этапе сертификации своей памяти.

Память HBM3E, которую начала массово выпускать компания SK hynix, способна передавать информацию со скоростью 1,18 Тбайт в секунду. По данным SK hynix, эта компания первой в мире освоила серийное производство микросхем памяти типа HBM3E. Память четвёртого поколения (HBM3) она тоже начала выпускать первой. Предметом особой гордости SK hynix является тот факт, что разработку HBM3E она анонсировала только семь месяцев назад, и в сжатые сроки смогла наладить массовое производство одноимённых микросхем.

Источник: